專利名稱：一種清洗半導(dǎo)體中的聚合物的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制作領(lǐng)域，尤其涉及用于制造半導(dǎo)體半導(dǎo)體時清洗殘留聚合物 的方法。
背景技術(shù)：
目前，制作半導(dǎo)體通常通過在基板上沉積一層金屬(通常沉積鋁)、貼光刻膠、曝 光、顯影、鋁刻蝕等工藝。其中，在鋁刻蝕工藝中，通常用氯氣、三氯化硼來進行刻蝕，而三氯 化硼與鋁能夠生成聚合物。在刻蝕完成后需將生成的聚合物去除。傳統(tǒng)的去除方法是，先將刻蝕后的半導(dǎo)體浸泡在聚合物清洗藥液中，然后將半導(dǎo) 體從清洗藥液槽放進沖洗槽中用水沖洗，以徹底清洗殘留的聚合物。其沖洗方法如圖1所 示，將半導(dǎo)體ι從清洗藥液槽送入沖洗槽3中，由沖洗槽底部向上溢水，同時從槽的頂部向 半導(dǎo)體噴水(如圖1中a)，直到水充滿沖洗槽(如圖1中b)，再將水排放(如圖1中c)，如 此反復(fù)若干次；之后，由沖洗槽底部向上噴水(如圖1中d)，使得水持續(xù)溢出沖洗槽若干分 鐘后將水排放(如圖1中e、f)。用應(yīng)用材料8330鋁刻蝕機進行鋁條寬度為0.6微米的鋁刻蝕工藝中，由于應(yīng)用材 料8330鋁刻蝕機設(shè)備本身硬件構(gòu)造的特性導(dǎo)致其各向異性能力很弱，在做0. 6微米鋁腐 蝕過程中必須加重側(cè)壁的聚合物，才能保證鋁形貌符合產(chǎn)品規(guī)范要求，而過重的聚合物保 護使鋁腐蝕后的聚合物清洗變得困難，在鋁條中留有白色痕跡(本申請人稱之為“發(fā)霧”現(xiàn) 象)，導(dǎo)致沖洗后仍有“發(fā)霧”異?，F(xiàn)象，從而大大降低了良品的生產(chǎn)率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決的一個技術(shù)問題是提供一種用于制造半導(dǎo)體半導(dǎo)體時清洗殘留聚 合物的方法，該方法能夠避免沖洗半導(dǎo)體聚合物時產(chǎn)生白色痕跡。為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案—種用于制造半導(dǎo)體半導(dǎo)體時清洗殘留聚合物的方法包括將殘留有聚合物的半導(dǎo)體放入沖洗槽中，由所述沖洗槽底部向上噴水，直到溢水， 使得所述水持續(xù)溢出所述沖洗槽預(yù)定時間，再將所述水排放；從所述沖洗槽底部向上噴水，同時從所述沖洗槽的頂部向所述半導(dǎo)體噴水，直到 水充滿所述沖洗槽，再將所述水排放；其中，所述水為去離子水。與傳統(tǒng)的技術(shù)相比，利用該方法對半導(dǎo)體進行沖洗，能夠使半導(dǎo)體從清洗藥液槽 送到?jīng)_洗槽的開始一段時間所處的水與清洗藥液所形成的混合溶液對鋁片的腐蝕較小，從 而避免半導(dǎo)體鋁片中產(chǎn)生白色痕跡。


圖1為傳統(tǒng)技術(shù)中殘留聚合物的沖洗示意圖2為本發(fā)明清洗殘留聚合物方法的流程圖；圖3為本發(fā)明清洗殘留聚合物方法的示意圖；圖4為水與清洗藥液的比例對鋁刻蝕速率的關(guān)系圖。附圖符號說明1半導(dǎo)體；2沖洗槽底部噴水管；3沖洗槽；4沖洗管底部噴水管；5沖洗槽上方噴水管。
具體實施例方式本發(fā)明的目的在于提供一種用于制造半導(dǎo)體時清洗殘留聚合物的方法，該方法能 夠消除在半導(dǎo)體半導(dǎo)體制作過程中產(chǎn)生的“發(fā)霧”現(xiàn)象。以下結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明清洗殘留聚合物的方法作詳細的說明。如圖3所示，一種清洗殘留聚合物的方法包括SlO 將殘留有聚合物的半導(dǎo)體放入沖洗槽中，由沖洗槽底部向上噴水，直到溢水，使得水持續(xù)溢出沖洗槽預(yù)定時間，再將水排放；S20 從沖洗槽底部向上噴水，同時從沖洗槽的頂部向半導(dǎo)體噴水，直到水充滿沖 洗槽，再將水排放；其中，所述水為去離子水。其中，將殘留有聚合物的半導(dǎo)體放入沖洗槽中，由沖洗槽底部向上噴水，直到溢 水，使得所述水持續(xù)溢出沖洗槽預(yù)定時間具體為將殘留有聚合物的半導(dǎo)體放入沖洗槽中， 由沖洗槽底部向上噴水5 10分鐘。如圖3所示，將經(jīng)過清洗藥液浸泡后殘留有聚合物的 半導(dǎo)體1放入沖洗槽3中(如圖3中a)，打開沖洗槽底部噴水管3的開關(guān)，以噴出水，直到 水從沖洗槽的上部溢出(如圖3中b)。其中，水溢出時間在5 10分鐘為宜，本實施例中， 選擇水溢出時間為5分鐘。等水溢出5分鐘后，通過沖洗槽底部的排水口 4將水排放(如 圖3中c)。從沖洗槽底部向上噴水，同時從槽的頂部向半導(dǎo)體噴水，直到水充滿沖洗槽，再將 水排放具體為從沖洗槽底部向上噴水，同時從槽的頂部向半導(dǎo)體噴水，直到水面到達槽頂 部，再將水排放，如此反復(fù)8 10次。如圖3所示，經(jīng)過步驟SlO后，打開沖洗槽底部噴水 管2的開關(guān)，以噴出水。同時，打開沖洗槽上方的噴水頭5的開關(guān)，使得水噴向沖洗槽中的 半導(dǎo)體1(如圖3中d)，直到水充滿沖洗槽(如圖3中e)后，再通過排水口 4將水排放(如 圖3中f)。本實施例反復(fù)8次，結(jié)束沖洗。在做聚合物清洗過程中，對鋁的刻蝕速率越低越好，否則會破壞已經(jīng)成形的鋁條。 清洗聚合物的清洗藥液本身對鋁的刻蝕速率很低，但半導(dǎo)體從清洗藥液槽送到?jīng)_洗槽的開 始一段時間，半導(dǎo)體上殘留的清洗藥液會與沖洗槽中的水形成一定的比例，水與殘留的清 洗藥液以不同比例混合，對鋁有不同的刻蝕速率。圖4為水與清洗藥液的比例對鋁刻蝕速 率的關(guān)系圖，其中橫軸表示水與清洗藥液的比例，縱軸表示對鋁的刻蝕速率。當(dāng)噴水過程中 水與清洗藥液的比例在1 19 2 1之間時，對鋁的刻蝕率較大，對于0.6微米鋁條的 半導(dǎo)體工藝而言不可接受的鋁刻蝕速率。而噴水過程中水與清洗藥液的比例小于1 19 或大于2 1時對鋁的刻蝕速率較小。利用本發(fā)明方法沖洗，能夠使半導(dǎo)體從清洗藥液槽 送到?jīng)_洗槽的開始一段時間所處的水與清洗藥液比例大于2 1，對鋁刻蝕速率小，從而能夠消除鋁片中產(chǎn)生的白色痕跡。 本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的宗旨和 范圍。若這些改動和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖 包含這些改動和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種清洗半導(dǎo)體中的聚合物的方法，其特征在于包括將殘留有聚合物的半導(dǎo)體放入沖洗槽中，由所述沖洗槽底部向上噴水，直到溢水，使得 所述水持續(xù)溢出所述沖洗槽預(yù)定時間，再將所述水排放；從所述沖洗槽底部向上噴水，同時從所述沖洗槽的頂部向所述半導(dǎo)體噴水，直到水充 滿所述沖洗槽，再將所述水排放； 其中，所述水為去離子水。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述使得所述水持續(xù)溢出所述沖洗槽預(yù) 定時間具體為將殘留有聚合物的半導(dǎo)體放入沖洗槽中，使得所述水持續(xù)溢出所述沖洗槽5 10分鐘。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其特征在于所述使得所述水持續(xù)溢出所述沖洗槽 5 10分鐘具體為使得所述水持續(xù)溢出所述沖洗槽5分鐘。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于所述從所述沖洗槽底部向上噴水，同時從 所述沖洗槽的頂部向所述半導(dǎo)體噴水，直到水充滿所述沖洗槽，再將所述水排放具體為從所述沖洗槽底部向上噴水，同時從所述沖洗槽的頂部向所述半導(dǎo)體噴水，直到水充 滿所述沖洗槽，再將所述水排放，如此反復(fù)8 10次。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其特征在于從所述沖洗槽底部向上噴水，同時從所 述沖洗槽的頂部向所述半導(dǎo)體噴水，直到水充滿所述沖洗槽，再將所述水排放，如此反復(fù)8 次。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種清洗半導(dǎo)體中的聚合物的方法，屬于半導(dǎo)體制作領(lǐng)域，為解決目前在半導(dǎo)體制作過程中清洗聚合物時，鋁片上產(chǎn)生白色痕跡現(xiàn)象而發(fā)明。所述方法包括將殘留有聚合物的半導(dǎo)體放入沖洗槽中，由所述沖洗槽底部向上噴水，直到溢水，使得所述水持續(xù)溢出所述沖洗槽預(yù)定時間，再將所述水排放；從所述沖洗槽底部向上噴水，同時從所述沖洗槽的頂部向所述半導(dǎo)體噴水，直到所述水充滿所述沖洗槽，再將所述水排放；其中，所述水為去離子水。本發(fā)明可用于清洗制作半導(dǎo)體過程中殘留的聚合物。
文檔編號B08B3/02GK102107196SQ200910243709
公開日2011年6月29日 申請日期2009年12月23日 優(yōu)先權(quán)日2009年12月23日
發(fā)明者刁宇飛, 華文森, 宋磊, 林國勝, 蔡新春 申請人:北大方正集團有限公司, 深圳方正微電子有限公司