專(zhuān)利名稱(chēng)：晶片清洗設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及晶片清洗，尤其是涉及一種晶片清洗設(shè)備、特別是用于太陽(yáng)能硅片的 清洗設(shè)備。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)的硅片清洗機(jī)在清洗室和烘干室之間直接氣體連通，硅片清洗之后被放到傳 輸部上運(yùn)輸入烘干室中。由于烘干室的進(jìn)料口處非完全密封，大量的氣體將很容易從清洗 室進(jìn)入烘干室中，這時(shí)，含有大量清洗用化學(xué)品的氣體將會(huì)造成已清洗完成的硅片表面的 污染，導(dǎo)致清洗不完全。另外，由于烘干室的出料口處也非密封，因此，外部空氣也很容易進(jìn) 入烘干室中污染硅片表面。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，需要提供一種晶片清洗設(shè)備，該晶片清洗設(shè)備可以降低清洗室和外部 空氣對(duì)后續(xù)干燥過(guò)程中對(duì)晶片造成的污染。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的晶片清洗設(shè)備，包括清洗室；烘干室，所述烘干室與所述 清洗室相鄰設(shè)置；以及傳輸部，所述傳輸部貫穿所述烘干室而設(shè)置，用于將待清洗晶片從清 洗室傳輸至烘干室，其中所述烘干室進(jìn)一步包括用于運(yùn)入和運(yùn)出所述待清洗晶片的進(jìn)料 口和出料口，所述傳輸部通過(guò)進(jìn)料口 ；至少一個(gè)進(jìn)風(fēng)口，所述進(jìn)風(fēng)口設(shè)置在所述傳輸部的上 方；與所述進(jìn)風(fēng)口相對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)加熱器，用于加熱供給的氣體；設(shè)置在所述傳輸部與 進(jìn)風(fēng)口的相對(duì)一側(cè)的抽風(fēng)口，用于排出烘干室內(nèi)的氣體；和第一氣體導(dǎo)流件，所述第一氣 體導(dǎo)流件設(shè)置在貫穿所述烘干室的傳輸部的上游處且位于抽風(fēng)口的一側(cè)、與所述傳輸部相 鄰，用于阻止來(lái)自清洗室的氣流從貫穿所述烘干室的傳輸部的上游處流入烘干室。根據(jù)本發(fā)明的晶片清洗設(shè)備，不但可以避免清洗室中含有大量清洗用化學(xué)用品的 氣體進(jìn)入烘干室中而降低對(duì)后續(xù)干燥過(guò)程中對(duì)晶片造成的污染，還可以降低外部空氣在后 續(xù)干燥過(guò)程中對(duì)晶片造成的污染，清洗效果好，設(shè)備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的晶片清洗設(shè)備還具有如下附加特征所述烘干室進(jìn)一步包括至少一個(gè)與所述加熱器相對(duì)設(shè)置的過(guò)濾器，用于過(guò)濾被 加熱的氣體。在本發(fā)明的一種實(shí)施方式中，所述第一氣體導(dǎo)流件中的設(shè)置方向平行于所述傳輸 部的傳輸方向。烘干室中的被加熱的氣體形成的熱風(fēng)由于第一氣體導(dǎo)流件的阻擋作用在傳 輸部的上游部分形成了一個(gè)封閉空間，阻斷氣流完全流向抽風(fēng)口，以便于形成了流向清洗 室的氣流，從而阻止氣流從清洗室流向烘干室。在本發(fā)明的另一種實(shí)施方式中，所述第一氣體導(dǎo)流件靠近上游的一端與所述傳輸 部的距離不小于所述第一氣體導(dǎo)流件遠(yuǎn)離上游的另外一端與所述傳輸部的距離。這樣，被 加熱的氣體在上游部分的上方向下運(yùn)動(dòng)到傾斜的第一氣體導(dǎo)流件上時(shí)，由于反射作用而被 第一氣體導(dǎo)流件反射到進(jìn)料口處從而形成了流向清洗室的氣流，使得在傳輸部的上游部分更為有效地阻止氣流從清洗室流向烘干室，防止從清洗室流出的空氣對(duì)待烘干的晶片的表 面產(chǎn)生玷污。在本發(fā)明的另一種實(shí)施方式中，所述第一氣體導(dǎo)流件與傳輸部之間的夾角為5-30 度或者10-60度。所述烘干室進(jìn)一步包括第二氣體導(dǎo)流件，所述第二氣體導(dǎo)流件設(shè)置在貫穿所述 烘干室的傳輸部的上游處且在豎直方向上位于抽風(fēng)口的一側(cè)，所述第二氣流導(dǎo)流件垂直于 所述傳輸部的傳輸方向。第二氣體導(dǎo)流件的設(shè)置，也是為形成從烘干室流向清洗室的氣流， 從而達(dá)到阻止清洗室流入烘干室的氣流，防止清洗室中的臟氣流進(jìn)入烘干室?guī)?lái)對(duì)晶片表 面的玷污。所述烘干室進(jìn)一步包括第三氣體導(dǎo)流件，所述第三氣體導(dǎo)流件設(shè)置在貫穿所述 烘干室的傳輸部的下游處且豎直方向上位于抽風(fēng)口的一側(cè)、與所述傳輸部相鄰，用于阻止 烘干室外部的氣流從貫穿所述烘干室的傳輸部的下游處流入烘干室。這樣，烘干室中的被 加熱的氣體形成的熱風(fēng)由于第三氣體導(dǎo)流件的阻擋作用在傳輸部的下游部分形成了一個(gè) 封閉空間，阻斷氣流完全流向抽風(fēng)口，以便于形成了流向出料口的氣流，從而可阻止氣流從 外部流向烘干室進(jìn)而玷污烘干室中的待烘干晶片。所述第三氣體導(dǎo)流件中的設(shè)置方向平行于所述傳輸部的傳輸方向。所述第三氣體導(dǎo)流件靠近下游的一端與所述傳輸部的距離不小于所述第三氣體 導(dǎo)流件遠(yuǎn)離下游的另外一端與所述傳輸部的距離。這樣，被加熱的氣體在下游部分的上方 向下運(yùn)動(dòng)到傾斜的第三氣體導(dǎo)流件上時(shí)，由于反射作用而被第三氣體導(dǎo)流件反射到出料口 處從而形成了流出烘干室的氣流，使得在傳輸部的下游部分更為有效地阻止氣流從外部流 入烘干室，防止從外界空氣對(duì)待烘干的晶片的表面產(chǎn)生玷污。在本發(fā)明的另一種實(shí)施方式中，所述第三氣體導(dǎo)流件與傳輸部之間的夾角為5-30 度或者10-60度。所述烘干室進(jìn)一步包括第四氣體導(dǎo)流件，所述第四氣體導(dǎo)流件設(shè)置在貫穿所述 烘干室的傳輸部的下游處且位于抽風(fēng)口的一側(cè)，且所述第四氣體導(dǎo)流件中的設(shè)置方向垂直 于所述傳輸部的傳輸方向。第四氣體導(dǎo)流件的設(shè)置，也是為形成從烘干室流向出料口的氣 流，從而達(dá)到阻止從外部流入烘干室的氣流，防止外部空氣進(jìn)入烘干室?guī)?lái)對(duì)晶片表面的 玷污。在本發(fā)明的再一種實(shí)施方式中，所述第一氣體導(dǎo)流件中的設(shè)置方向垂直于所述傳 輸部的傳輸方向。貫穿所述烘干室的傳輸部的上游處的上方設(shè)置有進(jìn)風(fēng)口。貫穿所述烘干室的傳輸部的上游處的上方設(shè)置有加熱器。貫穿所述烘干室的傳輸部的下游處的上方設(shè)置有進(jìn)風(fēng)口。貫穿所述烘干室的傳輸部的下游處的上方設(shè)置有加熱器。所述烘干室設(shè)有3-4個(gè)進(jìn)風(fēng)口，分別設(shè)置在所述烘干室的頂部或者側(cè)上方。所述抽風(fēng)口處設(shè)置有抽風(fēng)機(jī)，所述抽風(fēng)機(jī)用于將抽送的氣體返回到所述進(jìn)風(fēng)口 處。所述烘干室進(jìn)一步設(shè)置有壓縮氣體供給口，用于向所述烘干室內(nèi)供給壓縮氣體， 以保持烘干室內(nèi)氣體量的平衡，所述壓縮氣體可以為壓縮空氣、氮?dú)饣蛘卟慌c晶片反應(yīng)的任何其他氣體。本發(fā)明附加的方面和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變 得明顯，或通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐了解到。


本發(fā)明的上述和/或附加的方面和優(yōu)點(diǎn)從下面結(jié)合附圖對(duì)實(shí)施例的描述中將變 得明顯和容易理解，其中圖1為根據(jù)本發(fā)明的晶片清洗設(shè)備的烘干室的實(shí)施例一的第一個(gè)示例的內(nèi)部示 意圖，其中，第一氣體導(dǎo)流件241的設(shè)置方向與沿縱向方向平行；圖2為圖1中所示的烘干室的實(shí)施例一的第二個(gè)示例的內(nèi)部示意圖，其中，第一氣 體導(dǎo)流件241的設(shè)置方向傾斜；圖3為圖1中所示的烘干室的實(shí)施例一的第三個(gè)示例的內(nèi)部示意圖，其中，第一氣 體導(dǎo)流件241的設(shè)置方向垂直；圖4為根據(jù)本發(fā)明的晶片清洗設(shè)備的烘干室的實(shí)施例二的內(nèi)部示意圖；圖5為根據(jù)本發(fā)明的晶片清洗設(shè)備的烘干室的實(shí)施例三、四的內(nèi)部示意圖，其中， 第三氣體導(dǎo)流件243的設(shè)置方向與縱向方向平行；圖6為圖5中所示的烘干室的實(shí)施例三、四的內(nèi)部示意圖，其中，第三氣體導(dǎo)流件 243的設(shè)置方向傾斜；以及圖7為根據(jù)本發(fā)明的晶片清洗設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，所述實(shí)施例的示例在附圖中示出，其中自始至終 相同或類(lèi)似的標(biāo)號(hào)表示相同或類(lèi)似的元件或具有相同或類(lèi)似功能的元件。下面通過(guò)參考附 圖描述的實(shí)施例是示例性的，僅用于解釋本發(fā)明，而不能解釋為對(duì)本發(fā)明的限制。在本發(fā)明的描述中，術(shù)語(yǔ)“內(nèi)”、“外”、“上”、“下”、“上游”、“下游”等指示的方位或 位置關(guān)系為基于附圖所示的方位或位置關(guān)系，僅是為了便于描述本發(fā)明而不是要求本發(fā)明 必須以特定的方位構(gòu)造和操作，因此不能理解為對(duì)本發(fā)明的限制。在本發(fā)明的描述中，術(shù)語(yǔ) “橫向”指的是垂直于圖紙面的方向，“縱向”指的是沿傳輸部的傳輸方向，而“豎向”指的是 圖中上下方向。另外，附圖中的箭頭表示氣體流向。下面將參考圖1-圖7來(lái)說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的晶片清洗設(shè)備。如圖1-圖6所示，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的晶片清洗設(shè)備，包括清洗室1、與清洗室 1相鄰設(shè)置的烘干室2和傳輸部3。其中，傳輸部3貫穿烘干室2而設(shè)置，用于將待清洗晶 片從清洗室1傳輸至烘干室2。其中，晶片8放在在承載籃7上，而承載籃7放在清洗框6 中，該清洗框6被傳輸部3從清洗室1運(yùn)輸?shù)胶娓墒?中。如圖1-7所示，烘干室2包括用于運(yùn)入和運(yùn)出待清洗晶片8的進(jìn)料口 27和出料口 28、至少一個(gè)進(jìn)風(fēng)口 21、與進(jìn)風(fēng)口 21相對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)加熱器22、抽風(fēng)口 23和氣體導(dǎo)流 件。貫穿烘干室2的傳輸部通過(guò)進(jìn)料口 27進(jìn)入烘干室2，而后通過(guò)出料口 28。在本發(fā) 明的一個(gè)示例中，傳輸部可以為在烘干室2中進(jìn)行循環(huán)運(yùn)動(dòng)的傳輸帶3，因此，置有清洗后待烘干的晶片8的清洗框6被放置在傳輸帶3的上層傳輸帶31上，并從清洗室1中被運(yùn)輸 入烘干室2中，而后晶片8被烘干后被運(yùn)出烘干室2并出料。至少一個(gè)進(jìn)風(fēng)口 21設(shè)置在傳輸部3的上方，例如可以為1個(gè)。在本發(fā)明的一個(gè)示 例中，進(jìn)風(fēng)口 21設(shè)置在貫穿烘干室2的傳輸部3的上游處的上方。而在本發(fā)明的另一個(gè)示 例中，進(jìn)風(fēng)口 21設(shè)置貫穿烘干室2的傳輸部3的下游處的上方。進(jìn)風(fēng)口 21例如也可以為 3-4個(gè)，分別設(shè)置在烘干室2的頂部或者側(cè)上方。至少一個(gè)加熱器22設(shè)置在傳輸部的上方且位于進(jìn)風(fēng)口 21的下方用于加熱烘干室 2內(nèi)從進(jìn)風(fēng)口 21供給的氣體。在本發(fā)明的一些示例中，加熱器設(shè)置在貫穿烘干室2的傳輸 部3的上游處的上方。在本發(fā)明的另一些示例中，加熱器設(shè)置在貫穿烘干室2的傳輸部3 的下游處的上方。抽風(fēng)口 23設(shè)置在所述傳輸部與進(jìn)風(fēng)口 21的相對(duì)一側(cè)，即圖中以進(jìn)料口為界分成 的上下兩側(cè)中的下側(cè)。抽風(fēng)口 23處設(shè)置有抽風(fēng)機(jī)(圖未示)，該抽風(fēng)機(jī)用于排出烘干室2 內(nèi)的氣體并又送至進(jìn)風(fēng)口，從而使得熱風(fēng)在烘干室2中內(nèi)部循環(huán)。在本發(fā)明的一個(gè)示例中，烘干室2中還進(jìn)一步包括至少一個(gè)與加熱器22相對(duì)設(shè)置 的過(guò)濾器25。至少一個(gè)過(guò)濾器25與至少一個(gè)加熱器22均相對(duì)應(yīng)，且過(guò)濾器25設(shè)在加熱器 的正對(duì)下方用于過(guò)濾吹到晶片上的被加熱的氣體。另外，可選地，在烘干室2上還形成有壓縮氣體供給口 26，從而可采用壓縮氣體對(duì) 烘干室2內(nèi)進(jìn)行補(bǔ)風(fēng)，以保持烘干室2內(nèi)氣體量的平衡。所述壓縮氣體可以為壓縮空氣、氮 氣或者不與晶片反應(yīng)的任何其他氣體。壓縮氣體供給口 26例如可以設(shè)置在烘干室2的下 部且位于傳輸部3的下方，也可以設(shè)置在烘干室2的上部且位于過(guò)濾器25上方。下面將通過(guò)四個(gè)實(shí)施例來(lái)進(jìn)行具體說(shuō)明氣體導(dǎo)流件的設(shè)置。實(shí)施例一在本實(shí)施例中，設(shè)置有第一氣體導(dǎo)流件241，如圖1-圖3所示。第一氣體導(dǎo)流件241設(shè)置在貫穿烘干室2的傳輸部3的上游處且在豎直方向上位 于抽風(fēng)口 23的一側(cè)、與傳輸部3相鄰，例如圖中位于進(jìn)料口 27下方且傳輸部3的旁邊，用 于阻止來(lái)自清洗室1的氣流從貫穿烘干室2的傳輸部3的上游處流入烘干室2。這樣，烘干 室2中的被加熱的氣體形成的熱風(fēng)由于第一氣體導(dǎo)流件241的作用在傳輸部3的上游部分 形成了一個(gè)封閉空間，以便于形成了流向清洗室1的氣流，從而阻止氣流從清洗室1流向烘 干室2。在本發(fā)明的第一個(gè)示例中，第一氣體導(dǎo)流件241中的設(shè)置方向平行于傳輸部3的 傳輸方向(即縱向方向)，如圖1所示。在本發(fā)明的第二個(gè)示例中，第一氣體導(dǎo)流件241靠近上游的一端與傳輸部3的距 離不小于第一氣體導(dǎo)流件241遠(yuǎn)離上游的另外一端與傳輸部3的距離，由此，在第一氣體導(dǎo) 流件241與縱向方向水平線之間形成了一個(gè)銳角夾角α，如圖2所示，這樣，被加熱的氣體 在上游部分的上方向下運(yùn)動(dòng)到傾斜的第一氣體導(dǎo)流件241上時(shí)，由于反射作用而被第一氣 體導(dǎo)流件241反射到進(jìn)料口 27處從而形成了流向清洗室1的氣流，使得在傳輸部3的上游 部分更為有效地阻止氣流從清洗室1流向烘干室2，防止從清洗室1流出的空氣對(duì)待烘干的 晶片8的表面產(chǎn)生玷污。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，該夾角α的范圍可為5-30度。根據(jù) 本發(fā)明的另外一個(gè)實(shí)施例，所述角度α可以為10-60度。
當(dāng)然，在本發(fā)明的第三個(gè)示例中，第一氣體導(dǎo)流件241中的設(shè)置方向垂直于傳輸 部3的傳輸方向，如圖3所示。另外，在本實(shí)施例中，壓縮氣體供給口 26是可選地，可采用壓縮氣體對(duì)烘干室2內(nèi) 進(jìn)行補(bǔ)風(fēng)，以保持烘干室2內(nèi)氣體量的平衡。實(shí)施例二 在本實(shí)施例中，除了第一氣體導(dǎo)流件241外，烘干室2還進(jìn)一步包括第二氣體導(dǎo)流 件242，如圖4所示。第二氣體導(dǎo)流件242設(shè)置在貫穿烘干室2的傳輸部3的上游處且位于抽風(fēng)口 23的 一側(cè)，即圖4中位于進(jìn)料口 27下方且傳輸部3的旁邊，第二氣流導(dǎo)流件垂直于傳輸部3的 傳輸方向。在本實(shí)施例中，第一氣體導(dǎo)流件241和第二氣體導(dǎo)流件242可以同時(shí)采用，也可以 只采用其中的一個(gè)，目的均為形成從烘干室2流向清洗室1的氣流，從而達(dá)到阻止清洗室1 流入烘干室2的氣流，防止清洗室中的臟氣流進(jìn)入烘干室2帶來(lái)對(duì)晶片表面的玷污。但值 得注意的是，前述實(shí)施例一的第三個(gè)示例中的垂直于傳輸部3的傳輸方向設(shè)置的第一氣體 導(dǎo)流件241單獨(dú)采用即可，而不需要同時(shí)采用第二氣體導(dǎo)流件242。同實(shí)施例一，在本實(shí)施例中，壓縮氣體供給口 26是可選的。實(shí)施例三在本實(shí)施例中，在前述實(shí)施例一、二的基礎(chǔ)上，烘干室2進(jìn)一步包括第三氣體導(dǎo)流 件243，如圖5和圖6所示。第三氣體導(dǎo)流件243設(shè)置在貫穿烘干室2的傳輸部3的下游處且在豎直方向上位 于抽風(fēng)口 23的一側(cè)、與傳輸部3相鄰，即位于出料口 28下方且傳輸部3的旁邊，用于阻止 烘干室2外部的氣流從貫穿烘干室2的傳輸部3的下游處流入烘干室2。這樣，烘干室2中 的被加熱的氣體形成的熱風(fēng)由于第三氣體導(dǎo)流件243的作用在傳輸部3的下游部分形成了 一個(gè)封閉空間，以便于形成了流向出料口 28的氣流，從而可阻止氣流從外部流向烘干室2 進(jìn)而玷污烘干室2中的待烘干晶片8。在本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)示例中，第三氣體導(dǎo)流件243中的設(shè)置方向平行于傳輸部 3的傳輸方向。如圖5所示。在本發(fā)明實(shí)施例的另一個(gè)示例中，第三氣體導(dǎo)流件243靠近下游的一端與傳輸部 3的距離不小于第三氣體導(dǎo)流件243遠(yuǎn)離下游的另外一端與傳輸部3的距離，如圖6中所 示。由此，在第三氣體導(dǎo)流件243與縱向方向水平線之間形成了一個(gè)夾角β，如圖6所示， 這樣，被加熱的氣體在下游部分的上方向下運(yùn)動(dòng)到傾斜的第三氣體導(dǎo)流件243上時(shí)，由于 反射作用而被第三氣體導(dǎo)流件243反射到出料口 28處從而形成了流出烘干室2的氣流，使 得在傳輸部3的下游部分更為有效地阻止氣流從外部流入烘干室2，防止從外界空氣對(duì)待 烘干的晶片8的表面產(chǎn)生玷污。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，該夾角β的范圍可為5-30度。 根據(jù)本發(fā)明的另外一個(gè)實(shí)施例，所述夾角β可以為10-60度。在本實(shí)施例中，在烘干室2上形成有壓縮氣體口 26，從而可采用壓縮氣體對(duì)烘干 室2內(nèi)進(jìn)行補(bǔ)風(fēng)，以保持烘干室2內(nèi)氣體量的平衡。實(shí)施例四在本實(shí)施例中，在前述實(shí)施例三的基礎(chǔ)上，烘干室2還進(jìn)一步包括第四氣體導(dǎo)流件244，如圖5-圖6所示。第四氣體導(dǎo)流件244設(shè)置在貫穿烘干室2的傳輸部3的下游處且在豎直方向上位 于抽風(fēng)口 23的一側(cè)，即圖中位于出料口 28下方且傳輸部3的旁邊。第四氣體導(dǎo)流件244 中的設(shè)置方向垂直于傳輸部3的傳輸方向。在本實(shí)施例中，第三氣體導(dǎo)流件243和第四氣體導(dǎo)流件244可以同時(shí)采用，也可以 只采用其中的一個(gè)，目的均為形成從烘干室2流向外部的氣流，從而達(dá)到阻止外部空氣反 流入烘干室2的氣流，防止外部空氣進(jìn)入烘干室2帶來(lái)對(duì)晶片表面的玷污。在本實(shí)施例中，在烘干室2上形成有壓縮氣體口 26，從而可采用壓縮氣體對(duì)烘干 室2內(nèi)進(jìn)行補(bǔ)風(fēng)，以保持烘干室2內(nèi)氣體量的平衡。在本發(fā)明的上述多個(gè)實(shí)施例中，實(shí)施例三和四可更有效地過(guò)濾烘干室2內(nèi)的空 氣，可用于清洗室1內(nèi)的氣體中含有大量清洗用化學(xué)用品或烘干室2外部空氣較臟的情況。 而對(duì)于烘干室2外部空氣較為干凈的情況下，采用實(shí)施例一和實(shí)施例二即可達(dá)到效果。下面以實(shí)施例四為例來(lái)說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的晶片清洗設(shè)備的烘干室中的工作過(guò)程， 其中，以第一和第三氣體導(dǎo)流件的設(shè)置方向傾斜為例來(lái)進(jìn)行說(shuō)明。如圖7所示，首先，當(dāng)待烘干的晶片8通過(guò)承載籃7和放置承載籃7的清洗框6放 到傳輸帶3的上層傳輸帶31上，并從清洗室1中被運(yùn)輸入烘干室2中。然后，氣體由進(jìn)風(fēng)口 21供入烘干室2中，并由加熱器22進(jìn)行加熱，同時(shí)，通過(guò)過(guò)濾 器進(jìn)行過(guò)濾，以對(duì)帶烘干的晶片8進(jìn)行烘干作業(yè)。同時(shí)，被加熱的氣體形成的熱風(fēng)由于第一氣體導(dǎo)流件241的作用在傳輸部3的上 游部分形成了一個(gè)封閉空間，并且由于第三氣體導(dǎo)流件243的作用在傳輸部3的下游部分 形成了一個(gè)封閉空間，這樣，在傳輸部3的上游部分和下游部分分別形成了流向清洗室1的 氣流和流向出料口 28的氣流，從而阻止了清洗室中含有化學(xué)品的氣流從清洗室1流向烘干 室2，同時(shí)阻止了外部空氣流入烘干室2中，由此，避免了對(duì)烘干室2內(nèi)晶片的污染。最后，晶片8在烘干后被運(yùn)出烘干室2并出料。此外，如圖7所示，根據(jù)本發(fā)明的晶片清洗設(shè)備還可以包括上料臺(tái)5和下料臺(tái)5。 其中，上料臺(tái)5相鄰于清洗室1且位于清洗室的上游，用于向清洗室內(nèi)供給待清洗晶片。而 下料臺(tái)5與烘干室2相鄰且位于烘干室的下游，用于輸出已清洗及烘干的晶片。根據(jù)本發(fā)明的晶片清洗設(shè)備，可以避免清洗室中含有大量清洗用化學(xué)用品的氣體 進(jìn)入烘干室中而降低對(duì)后續(xù)干燥過(guò)程中對(duì)晶片造成的污染，還可以降低外部空氣在后續(xù)干 燥過(guò)程中對(duì)晶片造成的污染，清洗效果好，設(shè)備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單。根據(jù)本發(fā)明的晶片清洗設(shè)備，例 如可用來(lái)清洗硅片。任何提及“ 一個(gè)實(shí)施例”、“實(shí)施例”、“示意性實(shí)施例，，等意指結(jié)合該實(shí)施例描述的 具體構(gòu)件、結(jié)構(gòu)或者特點(diǎn)包含于本發(fā)明的至少一個(gè)實(shí)施例中。在本說(shuō)明書(shū)各處的該示意性 表述不一定指的是相同的實(shí)施例。而且，當(dāng)結(jié)合任何實(shí)施例描述具體構(gòu)件、結(jié)構(gòu)或者特點(diǎn) 時(shí)，所主張的是，結(jié)合其他的實(shí)施例實(shí)現(xiàn)這樣的構(gòu)件、結(jié)構(gòu)或者特點(diǎn)均落在本領(lǐng)域技術(shù)人員 的范圍之內(nèi)。盡管參照本發(fā)明的多個(gè)示意性實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
進(jìn)行了詳細(xì)的描 述，但是必須理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以設(shè)計(jì)出多種其他的改進(jìn)和實(shí)施例，這些改進(jìn)和實(shí)施 例將落在本發(fā)明原理的精神和范圍之內(nèi)。具體而言，在前述公開(kāi)、附圖以及權(quán)利要求的范圍之內(nèi)，可以在零部件和/或者從屬組合布局的布置方面作出合理的變型和改進(jìn)，而不會(huì)脫 離本發(fā)明的精神。除了零部件和/或布局方面的變型和改進(jìn)，其范圍由所附權(quán)利要求及其 等同物限定。
權(quán)利要求
一種晶片清洗設(shè)備，包括清洗室；烘干室，所述烘干室與所述清洗室相鄰設(shè)置；以及傳輸部，所述傳輸部貫穿所述烘干室而設(shè)置，用于將待清洗晶片從清洗室傳輸至烘干室，其中所述烘干室進(jìn)一步包括用于運(yùn)入和運(yùn)出所述待清洗晶片的進(jìn)料口和出料口，所述傳輸部通過(guò)進(jìn)料口；至少一個(gè)進(jìn)風(fēng)口，所述進(jìn)風(fēng)口設(shè)置在所述傳輸部的上方；與所述進(jìn)風(fēng)口相對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)加熱器，用于加熱供給的氣體；設(shè)置在所述傳輸部與進(jìn)風(fēng)口的相對(duì)一側(cè)的抽風(fēng)口，用于排出烘干室內(nèi)的氣體；和第一氣體導(dǎo)流件，所述第一氣體導(dǎo)流件設(shè)置在貫穿所述烘干室的傳輸部的上游處且位于抽風(fēng)口的一側(cè)、與所述傳輸部相鄰，用于阻止來(lái)自清洗室的氣流從貫穿所述烘干室的傳輸部的上游處流入烘干室。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片清洗設(shè)備，其特征在于，所述烘干室進(jìn)一步包括 至少一個(gè)與所述加熱器相對(duì)設(shè)置的過(guò)濾器，用于過(guò)濾被加熱的氣體。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片清洗設(shè)備，其特征在于，所述第一氣體導(dǎo)流件靠近上游 的一端與所述傳輸部的距離不小于所述第一氣體導(dǎo)流件遠(yuǎn)離上游的另外一端與所述傳輸 部的距離。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的晶片清洗設(shè)備，其特征在于，所述烘干室進(jìn)一步包括 第二氣體導(dǎo)流件，所述第二氣體導(dǎo)流件設(shè)置在貫穿所述烘干室的傳輸部的上游處且在豎直方向上位于抽風(fēng)口的一側(cè)，所述第二氣流導(dǎo)流件垂直于所述傳輸部的傳輸方向。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的晶片清洗設(shè)備，其特征在于，所述烘干室進(jìn)一步包括 第三氣體導(dǎo)流件，所述第三氣體導(dǎo)流件設(shè)置在貫穿所述烘干室的傳輸部的下游處且豎直方向上位于抽風(fēng)口的一側(cè)、與所述傳輸部相鄰，用于阻止烘干室外部的氣流從貫穿所述 烘干室的傳輸部的下游處流入烘干室。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶片清洗設(shè)備，其特征在于，所述第三氣體導(dǎo)流件靠近下游 的一端與所述傳輸部的距離不小于所述第三氣體導(dǎo)流件遠(yuǎn)離下游的另外一端與所述傳輸 部的距離。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的晶片清洗設(shè)備，其特征在于，所述烘干室進(jìn)一步包括 第四氣體導(dǎo)流件，所述第四氣體導(dǎo)流件設(shè)置在貫穿所述烘干室的傳輸部的下游處且位于抽風(fēng)口的一側(cè)，且所述第四氣體導(dǎo)流件中的設(shè)置方向垂直于所述傳輸部的傳輸方向。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片清洗設(shè)備，其特征在于，所述第一氣體導(dǎo)流件中的設(shè)置 方向垂直于所述傳輸部的傳輸方向。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片清洗設(shè)備，其特征在于，貫穿所述烘干室的傳輸部的上 游處的上方設(shè)置有進(jìn)風(fēng)口。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片清洗設(shè)備，其特征在于，貫穿所述烘干室的傳輸部的上 游處的上方設(shè)置有加熱器。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片清洗設(shè)備，其特征在于，貫穿所述烘干室的傳輸部的下 游處的上方設(shè)置有進(jìn)風(fēng)口。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片清洗設(shè)備，其特征在于，貫穿所述烘干室的傳輸部的下 游處的上方設(shè)置有加熱器。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片清洗設(shè)備，其特征在于，所述烘干室設(shè)有3-4個(gè)進(jìn)風(fēng)口， 分別設(shè)置在所述烘干室的頂部或者側(cè)上方。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片清洗設(shè)備，其特征在于，所述抽風(fēng)口處設(shè)置有抽風(fēng)機(jī)， 所述抽風(fēng)機(jī)用于將抽送的氣體返回到所述進(jìn)風(fēng)口處。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片清洗設(shè)備，其特征在于，所述烘干室進(jìn)一步設(shè)置有 壓縮氣體供給口，用于向所述烘干室內(nèi)供給壓縮氣體。全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種晶片清洗設(shè)備，包括清洗室；與所述清洗室相鄰設(shè)置的烘干室；以及貫穿所述烘干室的傳輸部，其中烘干室進(jìn)一步包括進(jìn)料口和出料口；至少一個(gè)進(jìn)風(fēng)口，設(shè)置在傳輸部的上方；與進(jìn)風(fēng)口相對(duì)應(yīng)的至少一個(gè)加熱器；設(shè)置在所述傳輸部與進(jìn)風(fēng)口的相對(duì)一側(cè)的抽風(fēng)口；和第一氣體導(dǎo)流件，所述第一氣體導(dǎo)流件設(shè)置在傳輸部的上游處且位于抽風(fēng)口的一側(cè)、與所述傳輸部相鄰。根據(jù)本發(fā)明的晶片清洗設(shè)備，不但可以避免清洗室中含有大量清洗用化學(xué)用品的氣體進(jìn)入烘干室中而降低對(duì)后續(xù)干燥過(guò)程中對(duì)晶片造成的污染，還可以降低外部空氣在后續(xù)干燥過(guò)程中對(duì)晶片造成的污染，清洗效果好，設(shè)備結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單。
文檔編號(hào)B08B3/00GK101887844SQ20101020905
公開(kāi)日2010年11月17日 申請(qǐng)日期2010年6月17日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月17日
發(fā)明者王敬, 翟志華 申請(qǐng)人:王敬;江西旭陽(yáng)雷迪高科技股份有限公司