專利名稱：晶片盒清潔裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及集成電路制造領(lǐng)域，特別是涉及一種晶片盒清潔裝置。
背景技術(shù)：
在集成電路制造領(lǐng)域，晶片在制造過(guò)程中需要極其嚴(yán)格的潔凈度條件。半導(dǎo)體工 廠均擁有大型風(fēng)扇和循環(huán)風(fēng)扇用以保持一種無(wú)塵環(huán)境和滿足空調(diào)負(fù)載計(jì)算的需要；并在 無(wú)塵室的不同位置安裝了空氣粒子監(jiān)測(cè)系統(tǒng)，以監(jiān)測(cè)任何可能的大量粒子的出現(xiàn)；此外， 為了滿足潔凈度條件要求還采用一種非常嚴(yán)格的著裝規(guī)定。然而，這些做法仍然難以滿足 晶片制造所要求的潔凈度條件，并且成本高昂。因此，業(yè)界推出一種技術(shù)，用以提供半導(dǎo) 體制造所需的潔凈條件，并降低傳統(tǒng)晶片廠的建設(shè)和運(yùn)營(yíng)費(fèi)用，這種名為“標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面 (standardmechanical interface, SMIF) ”的技術(shù)以“隔離技術(shù)”概念為中心，該隔離技術(shù)旨 在通過(guò)將晶片封閉在一個(gè)超潔凈的環(huán)境中，同時(shí)放寬對(duì)這個(gè)封閉環(huán)境以外的潔凈度要求來(lái) 防止產(chǎn)品被污染。所述SMIF系統(tǒng)通常包括用來(lái)存儲(chǔ)和運(yùn)輸晶片的晶片盒(Pod)、用來(lái)打 開晶片盒的裝載端口、以及通過(guò)工藝系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)裝載端口整合的超潔凈封閉式小型環(huán)境。操 作員手動(dòng)的將所述晶片盒送至裝載端口 ；所述裝載端口自動(dòng)打開晶片盒，并將其置于小型 環(huán)境中；然后，內(nèi)建于小型環(huán)境中的一晶片處理裝置就會(huì)移動(dòng)每個(gè)晶片，使其與半導(dǎo)體加工 裝置接觸。一旦工藝步驟完成，晶片就被放回晶片盒，操作員人工再將其送往下一個(gè)步驟。然而，在實(shí)際生產(chǎn)中發(fā)現(xiàn)，由于所述晶片盒的底部大部分是用塑料制成，在晶片盒 搬運(yùn)或使用的過(guò)程中，晶片盒的底部因與接觸面接觸而被磨損，極易產(chǎn)生微小的顆粒。一旦 因拿取晶片而打開晶片盒時(shí)，這些顆粒將會(huì)隨著氣流漂浮到晶片上，造成晶片表面嚴(yán)重的 顆?；?，這不僅會(huì)造成處理過(guò)程中的晶片的損壞，還會(huì)造成處理后的晶片的損壞。許多晶片 因?yàn)榫袛y帶的顆粒而報(bào)廢，導(dǎo)致了原材料的浪費(fèi)和生產(chǎn)成本的提高，這些微小的顆粒 有時(shí)還會(huì)導(dǎo)致半導(dǎo)體加工裝置的損壞，給工藝生產(chǎn)帶來(lái)巨大的損失。因此，提供一種可有效 清潔晶片盒的基座的晶片盒清潔裝置，是十分必要的。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型提供一種晶片盒清潔裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)中，晶片盒攜帶的顆粒造 成晶片表面顆?；?，進(jìn)而導(dǎo)致晶片報(bào)廢，甚至導(dǎo)致半導(dǎo)體加工裝置不能正常運(yùn)作等問題。為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供一種晶片盒清潔裝置，包括工作臺(tái)、進(jìn)氣 管路、排氣管路、氣體供給裝置以及排風(fēng)裝置，所述氣體供給裝置與所述進(jìn)氣管路連接，所 述排風(fēng)裝置與所述排氣管路連接，所述工作臺(tái)包括一腔體，所述進(jìn)氣管路與所述腔體連通 形成進(jìn)氣通道，所述排氣管路與所述腔體連通形成排氣通道?？蛇x的，在所述晶片盒清潔裝置中，還包括設(shè)置于所述腔體內(nèi)的隔板，所述隔板將 所述腔體分為第一腔體和第二腔體，所述隔板上設(shè)置有吸塵孔，所述第一腔體和第二腔體 通過(guò)所述吸塵孔連通?？蛇x的，在所述晶片盒清潔裝置中，吸塵孔與水平面的夾角為10 80°C。[0008]可選的，在所述晶片盒清潔裝置中，所述隔板的材質(zhì)是聚偏氟乙烯?？蛇x的，在所述晶片盒清潔裝置中，還包括三向閥，所述三向閥包括第一閥口、第 二閥口和第三閥口，所述第一閥口與所述進(jìn)氣管路連接，所述第二閥口與所述排氣管路連 接，所述第三閥口與所述工作臺(tái)連接?？蛇x的，在所述晶片盒清潔裝置中，所述第三閥口通過(guò)一總管路與所述工作臺(tái)連 接?？蛇x的，在所述晶片盒清潔裝置中，還包括框架，所述工作臺(tái)設(shè)置于所述框架內(nèi)， 所述框架的頂部具有開口?？蛇x的，在所述晶片盒清潔裝置中，所述進(jìn)氣管路穿過(guò)框架與所述第一閥口連接， 所述排氣管路穿過(guò)框架與所述第二閥口連接。可選的，在所述晶片盒清潔裝置中，所述氣體供給裝置為氮?dú)夤┙o裝置。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有以下優(yōu)點(diǎn)所述晶片盒清潔裝置的進(jìn)氣管路與工作臺(tái)的腔體連通形成進(jìn)氣通道，所述晶片盒 清潔裝置的排氣管路與工作臺(tái)的腔體連通形成排氣通道，在進(jìn)行晶片盒清潔工作時(shí)，可將 晶片盒置于所述工作臺(tái)上，并利用氣體供給裝置向所述晶片盒的底部噴吹氣體，以減少微 小顆粒與晶片盒底部的粘附力，接著利用排風(fēng)裝置將漂浮在腔體內(nèi)的微小顆粒從所述排氣 通道排走，從而減小了顆粒對(duì)晶片損壞的可能性，提高了晶片的成品率，并保證半導(dǎo)體加工 裝置的正常運(yùn)作。

圖1為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的晶片盒清潔裝置的示意圖；圖2為圖1中隔板的俯視圖；圖3為圖2中隔板的截面示意圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型提出的晶片盒清潔裝置作進(jìn)一步詳細(xì) 說(shuō)明。根據(jù)下面說(shuō)明和權(quán)利要求書，本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是，附圖 均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比率，僅用以方便、明晰地輔助說(shuō)明本實(shí)用新型 實(shí)施例的目的。本實(shí)用新型的核心思想在于，提供一種晶片盒清潔裝置，所述晶片盒清潔裝置的 進(jìn)氣管路與工作臺(tái)的腔體連通形成進(jìn)氣通道，所述晶片盒清潔裝置的排氣管路與工作臺(tái)的 腔體連通形成排氣通道，在進(jìn)行晶片盒清潔工作時(shí)，可將晶片盒置于所述工作臺(tái)上，并利用 氣體供給裝置向所述晶片盒的底部噴吹氣體，以減少微小顆粒與晶片盒底部的粘附力，接 著利用排風(fēng)裝置將漂浮在腔體內(nèi)的微小顆粒從所述排氣通道排走，從而減小了顆粒對(duì)晶片 損壞的可能性，提高了晶片的成品率，并保證半導(dǎo)體加工裝置的正常運(yùn)作。請(qǐng)參考圖1，其為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的晶片盒清潔裝置的示意圖，如圖1所 示，晶片盒清潔裝置100包括工作臺(tái)110、進(jìn)氣管路120、排氣管路130、氣體供給裝置140 以及排風(fēng)裝置150，所述氣體供給裝置140與所述進(jìn)氣管路120連接，所述排風(fēng)裝置150與 所述排氣管路130連接，所述工作臺(tái)110包括一腔體111，所述進(jìn)氣管路120與所述腔體111連通形成進(jìn)氣通道，所述排氣管路120與所述腔體111連通形成排氣通道。所述氣體供給裝 置140可向晶片盒200的底部噴吹氣體，以減少微小顆粒與晶片盒200底部的粘附力，所述 排風(fēng)裝置150可將漂浮在腔體內(nèi)的微小顆粒從所述排氣通道排走，以有效清潔晶片盒200。請(qǐng)參考圖2，其為圖1中隔板的俯視圖。如圖1和圖2所示，所述晶片盒清潔裝置 100還可包括設(shè)置于所述腔體111內(nèi)的隔板160，所述隔板160將所述腔體111分為第一腔 體和第二腔體，所述隔板160上設(shè)置有吸塵孔161，所述第一腔體和第二腔體通過(guò)所述吸塵 孔161連通。所述隔板160可使氣流更加均勻的噴吹到晶片盒的底部，有利于提高清潔效 率。請(qǐng)參考圖3，其為圖2中隔板的截面示意圖，并結(jié)合圖1和圖2，所述隔板160的吸 塵孔161與水平面的夾角α為10 80°C。由于所述吸塵孔161與水平面具有一定的夾 角，可增大氣體與晶片盒200的摩擦力，減小微小顆粒與晶片盒200底部的粘附力，可更加 有效的清潔晶片盒200的底部。較佳的，所述隔板160的材質(zhì)是聚偏氟乙烯(PVDF)，由于聚偏氟乙烯材料不易產(chǎn) 生顆粒，因此可確保所述隔板160不會(huì)污染所述腔體111。當(dāng)然，所述隔板160也可由其它 不易產(chǎn)生顆粒的材質(zhì)(如金屬)制成?？蛇x的，所述晶片盒清潔裝置100還包括三向閥170，所述三向閥170包括第一閥 口、第二閥口和第三閥口，所述第一閥口與所述進(jìn)氣管路120連接，所述第二閥口與所述排 氣管路130連接，所述第三閥口與所述工作臺(tái)110連接。當(dāng)需要清潔晶片盒200時(shí)，利用氣 體供給裝置140向所述晶片盒200的底部噴吹氣體，使所述進(jìn)氣管路120與所述腔體111 連通形成進(jìn)氣通道，噴吹預(yù)定時(shí)間后，可利用排風(fēng)裝置150抽真空，使所述排氣管路130與 所述腔體111連通形成排氣通道，將漂浮在腔體111內(nèi)的微小顆粒從所述排氣通道排走。在本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例中，所述三向閥170的第三閥口通過(guò)一總管路180與 所述工作臺(tái)110連接，例如，所述總管路180可與所述工作臺(tái)110的底部連接，從而使所述 總管路180與工作臺(tái)110的腔體111連通。優(yōu)選的，所述晶片盒清潔裝置100還包括框架190，所述工作臺(tái)120設(shè)置于所述框 架190內(nèi)，所述框架190具有與晶片盒200相匹配的開口，所述晶片盒200可恰好經(jīng)所述開 口放置于所述工作臺(tái)120上，所述框架190可固定所述晶片盒200，避免所述晶片盒200晃動(dòng)。其中，所述進(jìn)氣管路120穿過(guò)所述框架190與所述三向閥170的第一閥口連接，所 述排氣管路130穿過(guò)所述框架190與所述三向閥170的第二閥口連接。在所述晶片盒清潔裝置100中，所述氣體供給裝置140為氮?dú)夤┙o裝置，以便向所 述晶片盒200的底部噴吹氮?dú)猓龅獨(dú)庵械念w粒度可滿足工藝生產(chǎn)要求，且成本較低。當(dāng) 然，本實(shí)用新型并不限于此，所述氣體供給裝置140也可以是惰性氣體供給裝置，例如，所 述氣體供給裝置140可以是氦氣供給裝置。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本實(shí)用 新型的精神和范圍。這樣，倘若本實(shí)用新型的這些修改和變型屬于本實(shí)用新型權(quán)利要求及 其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本實(shí)用新型也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求一種晶片盒清潔裝置，其特征在于，包括工作臺(tái)、進(jìn)氣管路、排氣管路、氣體供給裝置以及排風(fēng)裝置，所述氣體供給裝置與所述進(jìn)氣管路連接，所述排風(fēng)裝置與所述排氣管路連接，所述工作臺(tái)包括一腔體，所述進(jìn)氣管路與所述腔體連通形成進(jìn)氣通道，所述排氣管路與所述腔體連通形成排氣通道。
2.如權(quán)利要求1所述的晶片盒清潔裝置，其特征在于，還包括設(shè)置于所述腔體內(nèi)的隔 板，所述隔板將所述腔體分為第一腔體和第二腔體，所述隔板上設(shè)置有吸塵孔，所述第一腔 體和第二腔體通過(guò)所述吸塵孔連通。
3.如權(quán)利要求2所述的晶片盒清潔裝置，其特征在于，所述吸塵孔與水平面的夾角為 10 80 。
4.如權(quán)利要求2所述的晶片盒清潔裝置，其特征在于，所述隔板的材質(zhì)是聚偏氟乙烯。
5.如權(quán)利要求1所述的晶片盒清潔裝置，其特征在于，還包括三向閥，所述三向閥包括 第一閥口、第二閥口和第三閥口，所述第一閥口與所述進(jìn)氣管路連接，所述第二閥口與所述 排氣管路連接，所述第三閥口與所述工作臺(tái)連接。
6.如權(quán)利要求5所述的晶片盒清潔裝置，其特征在于，所述第三閥口通過(guò)一總管路與 所述工作臺(tái)連接。
7.如權(quán)利要求5所述的晶片盒清潔裝置，其特征在于，還包括框架，所述工作臺(tái)設(shè)置于 所述框架內(nèi)，所述框架的頂部具有開口。
8.如權(quán)利要求7所述的晶片盒清潔裝置，其特征在于，所述進(jìn)氣管路穿過(guò)所述框架與 所述第一閥口連接，所述排氣管路穿過(guò)框架與所述第二閥口連接。
9.如權(quán)利要求1至8中任意一項(xiàng)所述的晶片盒清潔裝置，其特征在于，所述氣體供給裝 置為氮?dú)夤┙o裝置。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種晶片盒清潔裝置，所述晶片盒清潔裝置包括工作臺(tái)、進(jìn)氣管路、排氣管路、氣體供給裝置以及排風(fēng)裝置，所述氣體供給裝置與所述進(jìn)氣管路連接，所述排風(fēng)裝置與所述排氣管路連接，所述工作臺(tái)包括一腔體，所述進(jìn)氣管路與所述腔體連通形成進(jìn)氣通道，所述排氣管路與所述腔體連通形成排氣通道。所述晶片盒清潔裝置可有效清潔晶片盒，減小顆粒對(duì)晶片損壞的可能性，提高晶片的成品率，并可保證半導(dǎo)體加工裝置的正常運(yùn)作。
文檔編號(hào)B08B5/02GK201728204SQ20102024644
公開日2011年2月2日 申請(qǐng)日期2010年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月30日
發(fā)明者許亮 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司