專利名稱：一種單晶硅片的超聲波清洗裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種太陽(yáng)能電池領(lǐng)域，尤其涉及一種單晶硅片的超聲波清洗裝置。
背景技術(shù)：
在硅片的加工過程中，每一道工序都涉及到清洗，由于很多半導(dǎo)體分立器件是在硅研磨片表面直接制造或襯底擴(kuò)散而成，因此，硅研磨片清洗質(zhì)量的好壞將直接影響下一道工序，甚至影響器件的成品率和可靠性。目前，常規(guī)的半導(dǎo)體硅研磨片的清洗方法有兩種手洗和超聲波清洗。手洗效果差，清洗后的研磨硅片上仍然會(huì)有許多研磨金剛砂，硅粉末殘留。超聲波清洗裝置的結(jié)構(gòu)包括一清洗槽，槽壁上設(shè)有去離子水進(jìn)/出口，使去離子水在保持一定高度的情況下始終處于流動(dòng)狀態(tài)，清洗槽的槽底下方設(shè)有超聲波振子。清洗時(shí)，將硅片依次豎插在承載花籃里，一起浸入清洗槽內(nèi)的去理智水中，經(jīng)過6到8到工位超聲，每道超聲洗10到15分鐘，然后，經(jīng)去離子純水沖洗、漂洗、甩干而完成超聲清洗。 但是，上述超聲波清洗裝置存在如下缺陷1)硅片豎插在承載花籃內(nèi)，超聲波源從底部發(fā)生往上發(fā)射與硅片表面?zhèn)让娼佑|，超洗后硅片表面的污染物會(huì)殘留堆積在硅片表面，形成局部區(qū)域清洗不干凈；2)用聚四氟材料制成的承載硅片的軟體花籃會(huì)吸附和阻擋掉超聲波源的傳遞，從而也會(huì)造成硅片表面局部區(qū)域清洗不干凈現(xiàn)象。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明目的為了克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，本發(fā)明提供結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，并能夠避免單晶硅片局部區(qū)域清洗不干凈現(xiàn)象的超聲波清洗裝置。技術(shù)方案為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采樣的技術(shù)方案為
一種單晶硅片的超聲波清洗裝置，包括清洗槽和擱置單晶硅片的框架，在清洗槽的側(cè)壁上設(shè)有去離子水的進(jìn)水口和出水口，在清洗槽內(nèi)腔底部設(shè)有超聲波振子；所述框架包括石英網(wǎng)格面和支架，所述石英網(wǎng)格面通過支架平置于清洗槽內(nèi)，且石英網(wǎng)格面低于去離子水水平面并與清洗槽內(nèi)腔底部存在間距。該清洗裝置，采用石英網(wǎng)格面替代用聚四氟材料制成的承載硅片的軟體花籃后，清洗時(shí)，單晶硅片可以平置于石英網(wǎng)格面上，將豎洗改為平洗，不但消除了單晶硅片在豎洗狀態(tài)下，超聲波源從底部發(fā)生往上發(fā)射與硅片表面?zhèn)让娼佑|，超洗后硅片編碼的污染物會(huì)殘留堆積在硅片表面，形成局部區(qū)域清洗不干凈，以及用聚四氟材料制成的承載硅片的軟體花籃會(huì)吸附和阻擋掉超聲波源的傳遞，從而也會(huì)造成硅片表面局部區(qū)域清洗不干凈現(xiàn)象。有益效果本發(fā)明提供的單晶硅片的超聲波清洗裝置，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，能夠增加單晶硅片清洗后的清潔度，并能夠減少用水。


圖I為本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作更進(jìn)一步的說(shuō)明。如附圖I所示為一種單晶硅片的超聲波清洗裝置，包括清洗槽I和擱置單晶硅片的框架2，在清洗槽I的側(cè)壁上設(shè)有去離子水的進(jìn)水口和出水口，在清洗槽I內(nèi)腔底部設(shè)有 超聲波振子；所述框架2包括石英網(wǎng)格面和支架，所述石英網(wǎng)格面通過支架平置于清洗槽I內(nèi)，且石英網(wǎng)格面低于去離子水水平面并與清洗槽I內(nèi)腔底部存在間距。以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種單晶硅片的超聲波清洗裝置，其特征在于該清洗裝置包括清洗槽(I)和擱置單晶硅片的框架(2)，在清洗槽(I)的側(cè)壁上設(shè)有去離子水的進(jìn)水口和出水口，在清洗槽(O內(nèi)腔底部設(shè)有超聲波振子；所述框架(2)包括石英網(wǎng)格面和支架，所述石英網(wǎng)格面通過支架平置于清洗槽(I)內(nèi)，且石英網(wǎng)格面低于去離子水水平面并與清洗槽(I)內(nèi)腔底部存在間距。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種單晶硅片的超聲波清洗裝置，包括清洗槽和擱置單晶硅片的框架，在清洗槽的側(cè)壁上設(shè)有去離子水的進(jìn)水口和出水口，在清洗槽內(nèi)腔底部設(shè)有超聲波振子；所述框架包括石英網(wǎng)格面和支架，所述石英網(wǎng)格面通過支架平置于清洗槽內(nèi)，且石英網(wǎng)格面低于去離子水水平面并與清洗槽內(nèi)腔底部存在間距。本發(fā)明提供的單晶硅片的超聲波清洗裝置，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，能夠增加單晶硅片清洗后的清潔度，并能夠減少用水。
文檔編號(hào)B08B3/12GK102842486SQ20111017335
公開日2012年12月26日 申請(qǐng)日期2011年6月26日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月26日
發(fā)明者倪云達(dá), 葛正芳, 錢大豐 申請(qǐng)人:江蘇順大半導(dǎo)體發(fā)展有限公司