專利名稱：一種多晶硅反應(yīng)爐清洗裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及多晶硅領(lǐng)域，特別是涉及ー種多晶硅反應(yīng)爐清洗裝置。
背景技術(shù)：
在該多晶硅反應(yīng)爐中制造多晶硅時，熱分解和氫還原反應(yīng)時作為副產(chǎn)品生成的氯硅烷聚合物凝結(jié)并附著于冷卻了的反應(yīng)爐的內(nèi)壁面。若要取出析出的多晶硅，必須將反應(yīng)爐向大氣開放。此時，氯硅烷聚合物與大氣中的水分發(fā)生水解反應(yīng)，生成氯化氫。該氯化氫腐蝕反應(yīng)爐的內(nèi)壁面，使作業(yè)區(qū)域惡化，對多晶硅產(chǎn)品而言是污染源。而且，在氯硅烷聚合物附著于反應(yīng)爐壁的狀態(tài)下，反應(yīng)爐內(nèi)壁面的反射率降低，不反射來自加熱后的硅棒的輻射熱，電カ使用效率降低.因此，為了高效率地制造高純度的多晶硅，需要在一次反應(yīng)結(jié)束時且轉(zhuǎn)移到下一反應(yīng)之前，除去附著于反應(yīng)爐內(nèi)壁面的氯硅烷聚合物。向具有凹凸的反應(yīng)爐內(nèi)壁面整個區(qū)域無遺漏地噴射高速噴射流是較為困難的，有時無法完全除去附著物。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明主要解決的技術(shù)問題是提供一種高效率且可靠地除去多晶硅反應(yīng)爐內(nèi)壁面的附著物的反應(yīng)爐清洗裝置，能夠解決背景技術(shù)的問題。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用的一個技術(shù)方案是:提供ー種多晶硅反應(yīng)爐清洗裝置，包括:圓盤形承接盤、貫通ロ、排液ロ、噴嘴裝置、活動裝置、洗刷裝置，所述承接盤水平設(shè)置在反應(yīng)爐內(nèi)，所述貫通ロ沿鉛直方向設(shè)置在承接盤的中央部，承接盤ー側(cè)設(shè)置有排液ロ，承接盤的外周部設(shè)有凸緣部，所述貫通ロ 一端連接有軸，所述軸端部設(shè)置有噴嘴裝置及洗刷裝置，所述洗刷裝置與軸之間通過活動裝置連接。在本發(fā)明ー個較佳實施例中，所述承接盤的上表面以朝向所述排液ロ具有向下抖坡的方式傾料。在本發(fā)明一個較佳實施例中，所述噴嘴裝置向三維方向高壓噴射清洗液。在本發(fā)明ー個較佳實施例中，所述活動裝置可以縱向伸縮，0-360°旋轉(zhuǎn)。在本發(fā)明ー個較佳實施例中，所述洗刷裝置有軟性吸收材料。本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明可無遺漏地將清洗水直接噴到反應(yīng)爐內(nèi)壁面的整個區(qū)域，通過清洗裝置有效并完全去除附著物，還將清洗中產(chǎn)生的鹽酸氣體等從排液ロ排出到系統(tǒng)外。


圖1是本發(fā)明多晶硅反應(yīng)爐清洗裝置一較佳實施例的立體結(jié)構(gòu)示意圖；附圖中各部件的標記如下:1、承接盤，2、貫通ロ，3、排液ロ，4、凸緣部，5、噴嘴裝置，6、活動裝置，7、洗刷裝置，8、軸。
具體實施方式
下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的較佳實施例進行詳細闡述，以使本發(fā)明的優(yōu)點和特征能更易于被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解，從而對本發(fā)明的保護范圍做出更為清楚明確的界定。請參閱圖1和圖2，本發(fā)明實施例包括:一種多晶硅反應(yīng)爐清洗裝置,包括:圓盤形承接盤1、貫通ロ 2、排液ロ 3、噴嘴裝置
5、活動裝置6、洗刷裝置7，所述承接盤I水平設(shè)置在反應(yīng)爐內(nèi)，所述貫通ロ 2沿鉛直方向設(shè)置在承接盤I的中央部，承接盤ー側(cè)設(shè)置有排液ロ 3，承接盤I的外周部設(shè)有凸緣部4，所述貫通ロー端連接有軸8，所述軸8端部設(shè)置有噴嘴裝置及洗刷裝置，所述洗刷裝置與軸8之間通過活動裝置連接。所述承接盤I的上表面以朝向所述排液ロ 3具有向下抖坡的方式傾料由此，向反應(yīng)爐內(nèi)壁面噴射后而收容于承接盤I的清洗廢液容易被引導(dǎo)到排液ロ 3，因此能夠容易地對清洗后的清洗廢液進行處理。所述噴嘴裝置5向三維方向高壓噴射清洗液，所述活動裝置6可以縱向伸縮，0-360°旋轉(zhuǎn)，所述洗刷裝置7有軟性吸收材料。設(shè)于軸8的上端的噴嘴裝置5可在反應(yīng)爐的內(nèi)壁面的上下范圍內(nèi)有效地噴射清洗液，活動裝置6通過伸縮和旋轉(zhuǎn)，有效的使洗刷裝置7企清洗到反應(yīng)爐的內(nèi)壁面每ー處附著物。本發(fā)明的有益效果是:根據(jù)本發(fā)明的反應(yīng)爐清洗裝置，能夠在從反應(yīng)爐的內(nèi)壁面的上部到下部的范圍內(nèi)三維地向各方向高壓噴射清洗水，通過活動裝置6和洗刷裝置7可無遺漏地將反應(yīng)爐內(nèi)壁面的整個區(qū)域進行清洗。還將清洗中產(chǎn)生的鹽酸氣體等從排液ロ 3排出到系統(tǒng)外，并且利用清洗水將附著物水解而生成硅。因此，對清洗后的反應(yīng)爐的處理也是安全的，可高效率且可靠地除去殘留清洗液。以上所述僅為本發(fā)明的實施例，并非因此限制本發(fā)明的專利范圍，凡是利用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專利保護范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種多晶硅反應(yīng)爐清洗裝置，其特征在于，包括:圓盤形承接盤(I)、貫通ロ(2)、排液ロ(3)、噴嘴裝置(5)、活動裝置(6)、洗刷裝置(7)，所述承接盤(I)水平設(shè)置在反應(yīng)爐內(nèi)，所述貫通ロ(2)沿鉛直方向設(shè)置在承接盤(I)的中央部，承接盤ー側(cè)設(shè)置有排液ロ(3)，承接盤(I)的外周部設(shè)有凸緣部(4)，所述貫通ロー端連接有軸(8)，所述軸(8)端部設(shè)置有噴嘴裝置及洗刷裝置，所述洗刷裝置與軸(8)之間通過活動裝置連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅反應(yīng)爐清洗裝置，其特征在干:所述承接盤(I)的上表面以朝向所述排液ロ(3)具有向下抖坡的方式傾料。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅反應(yīng)爐清洗裝置，其特征在干:所述噴嘴裝置(5)向三維方向高壓噴射清洗液。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅反應(yīng)爐清洗裝置，其特征在于:所述活動裝置(6)可以縱向伸縮，0-360°旋轉(zhuǎn)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的多晶硅反應(yīng)爐清洗裝置，其特征在于:所述洗刷裝置(7)有軟性吸收材料。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種全棉面料多晶硅反應(yīng)爐清洗裝置，包括圓盤形承接盤、貫通口、排液口、噴嘴裝置、活動裝置、洗刷裝置，所述承接盤水平設(shè)置在反應(yīng)爐內(nèi)，所述貫通口沿鉛直方向設(shè)置在承接盤的中央部，承接盤一側(cè)設(shè)置有排液口，承接盤的外周部設(shè)有凸緣部，所述貫通口一端連接有軸，所述軸端部設(shè)置有噴嘴裝置及洗刷裝置，所述洗刷裝置與軸之間通過活動裝置連接。本發(fā)明可無遺漏地將清洗水直接噴到反應(yīng)爐內(nèi)壁面的整個區(qū)域，通過清洗裝置有效并完全去除附著物，該多晶硅反應(yīng)爐清洗裝置高效率且可靠。
文檔編號B08B9/08GK103121025SQ201110370440
公開日2013年5月29日 申請日期2011年11月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月21日
發(fā)明者李川川 申請人:常州市萬陽光伏有限公司