專利名稱：一種適用于多尺寸晶圓的清洗槽的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
一種適用于多尺寸晶圓的清洗槽技術(shù)領(lǐng)域[0001]本實(shí)用新型涉及一種晶圓清洗槽，特別是一種適用于多尺寸晶圓的清洗槽。
技術(shù)背景[0002]在晶圓加工過(guò)程中，需要進(jìn)行多次清洗。通常清洗是將晶圓放置在花籃內(nèi)，并將裝有晶圓的花籃投入清洗槽內(nèi)。清洗槽內(nèi)有超聲波和清洗劑，目前傳統(tǒng)清洗花籃多為塑料制成，花籃與晶圓接觸面積較大，塑料花籃包覆在晶圓周圍，造成超聲波的衰減，特別是在硅片邊緣部分，容易造成表面清洗不均勻，嚴(yán)重影響晶圓表面清洗效果和潔凈程度。[0003]傳統(tǒng)的清洗多為單一尺寸，為了提高清洗效果需要重新制作專用的清洗花籃，而且需要分別地定制不同尺寸的清洗花籃，大大的增加了工裝成本。實(shí)用新型內(nèi)容[0004]本實(shí)用新型的目的在于提供一種適用于多尺寸晶圓的清洗槽，使晶圓與清洗花籃在清洗過(guò)程中互不接觸，接觸面積小，以有效解決超聲波的衰減和表面均勻性的問(wèn)題。[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用以下技術(shù)方案[0006]一種適用于多尺寸晶圓的清洗槽，包括槽體和升降平臺(tái)，該槽體內(nèi)設(shè)有數(shù)個(gè)晶圓承載平臺(tái)，每個(gè)晶圓承載平臺(tái)上設(shè)有數(shù)個(gè)等距離排布的凹槽；該槽體的外壁上設(shè)有兩組超聲振子，該兩組超聲振子相對(duì)設(shè)置，位于承載平臺(tái)的兩側(cè)；所述升降平臺(tái)包括支撐升降部分和臺(tái)面部分，該臺(tái)面部分的臺(tái)面上設(shè)有用來(lái)承載花籃的定位凹槽。[0007]所述晶圓承載平臺(tái)的橫截面為弧形。[0008]所述晶圓承載平臺(tái)的凹槽的縱截面為Y型。[0009]所述每個(gè)晶圓承載平臺(tái)上設(shè)有25個(gè)凹槽。[0010]所述晶圓承載平臺(tái)上的凹槽適于承載4寸、5寸、6寸和8寸的晶圓。[0011]所述槽體上部設(shè)有溢流口，下部設(shè)有進(jìn)液口和排液口。[0012]所述槽體的有效深度為16英寸。[0013]所述超聲振子的工作頻率為18 200KHz。[0014]本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于[0015]本實(shí)用新型在晶圓清洗過(guò)程中，晶圓與花籃完全脫離，最大限度地降低了超聲波衰減，提高了晶圓清洗均勻性，提高了晶圓清洗效果；本實(shí)用新型可以兼容4寸、5寸、6寸、 8寸晶圓。


[0016]圖1為本實(shí)用新型的側(cè)視圖；[0017]圖2為本實(shí)用新型的俯視圖。
具體實(shí)施方式
[0018]如圖1、2所示，一種適用于多尺寸晶圓的清洗槽，包括槽體1和升降平臺(tái)2，該槽體 1內(nèi)設(shè)有數(shù)個(gè)晶圓承載平臺(tái)3，該些晶圓承載平臺(tái)的橫截面為弧形，每個(gè)晶圓承載平臺(tái)上設(shè)有數(shù)個(gè)等距離排布的凹槽4 ；該凹槽的縱截面為Y型，相鄰兩凹槽的間隔與傳統(tǒng)傳遞花籃相同。槽體1的外壁上設(shè)有兩組超聲振子5，該兩組超聲振子相對(duì)設(shè)置，位于承載平臺(tái)3的兩側(cè)；該些超聲振子的工作頻率為18 200KHZ。升降平臺(tái)2包括支撐升降部分和臺(tái)面部分， 該支撐升降部分的支架6和用于升降該支架6的氣缸或絲桿7，其中支架6位于槽體內(nèi)側(cè)， 氣缸或絲桿7位于槽體1的外側(cè)，該臺(tái)面部分位于槽體內(nèi)，該臺(tái)面部分的臺(tái)面8上設(shè)有定位凹槽9。該定位凹槽9用來(lái)承載花籃，當(dāng)升降平臺(tái)向下運(yùn)動(dòng)時(shí)，可以將晶圓從花籃導(dǎo)入晶圓承載平臺(tái)的凹槽內(nèi)；當(dāng)升降平臺(tái)向上運(yùn)動(dòng)時(shí)，可以將晶圓從晶圓承載平臺(tái)的凹槽重新導(dǎo)回花籃內(nèi)。[0019]所述每個(gè)晶圓承載平臺(tái)上設(shè)有25個(gè)凹槽。晶圓承載平臺(tái)及其凹槽的尺寸與傳統(tǒng)清洗花籃位置匹配，可以兼容常見(jiàn)的4寸、5寸、6寸和8寸晶圓。[0020]所述槽體上部設(shè)有溢流口 11，槽體下部設(shè)有進(jìn)、排液口 10，進(jìn)、排液口在槽體底部共用一口，工程上采用三通和閥門分別實(shí)現(xiàn)進(jìn)液和排液功能。另外進(jìn)液口和排液口還可以分別設(shè)置在槽體的不同位置，沒(méi)有特別限制。該槽體的材質(zhì)為不銹鋼，槽體內(nèi)的有效深度為 16英寸。[0021]所述升降平臺(tái)的材質(zhì)可以為聚丙烯(PP)、不銹鋼、聚四氟乙烯烷氧基樹脂(PFA) 或聚四氟乙烯(PTFE)等材料。[0022]本實(shí)用新型在晶圓清洗過(guò)程中，將裝有晶圓的花籃承載到升降平臺(tái)的定位凹槽上，將升降平臺(tái)的臺(tái)面下降到相應(yīng)的晶圓承載平臺(tái)的凹槽位置，將晶圓導(dǎo)入凹槽內(nèi)，使晶圓與花籃完全脫離，經(jīng)超聲波清洗完畢后，再利用升降平臺(tái)將晶圓導(dǎo)入花籃內(nèi)。由于晶圓在清洗過(guò)程中與花籃完全脫離，最大限度地降低了超聲波衰減，提高了晶圓清洗均勻性，提高了晶圓清洗效果。
權(quán)利要求1.一種適用于多尺寸晶圓的清洗槽，其特征在于包括槽體和升降平臺(tái)，該槽體內(nèi)設(shè)有數(shù)個(gè)晶圓承載平臺(tái)，每個(gè)晶圓承載平臺(tái)上設(shè)有數(shù)個(gè)等距離排布的凹槽；該槽體的外壁上設(shè)有兩組超聲振子，該兩組超聲振子相對(duì)設(shè)置，位于承載平臺(tái)的兩側(cè)；所述升降平臺(tái)包括支撐升降部分和臺(tái)面部分，該臺(tái)面部分的臺(tái)面上設(shè)有用來(lái)承載花籃的定位凹槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于多尺寸晶圓的清洗槽，其特征在于所述晶圓承載平臺(tái)的橫截面為弧形。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的適用于多尺寸晶圓的清洗槽，其特征在于所述晶圓承載平臺(tái)的凹槽的縱截面為Y型。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的適用于多尺寸晶圓的清洗槽，其特征在于所述每個(gè)晶圓承載平臺(tái)上設(shè)有25個(gè)凹槽。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的適用于多尺寸晶圓的清洗槽，其特征在于所述晶圓承載平臺(tái)上的凹槽適于承載4寸、5寸、6寸和8寸的晶圓。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于多尺寸晶圓的清洗槽，其特征在于所述槽體上部設(shè)有溢流口，下部設(shè)有進(jìn)液口和排液口。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于多尺寸晶圓的清洗槽，其特征在于所述槽體的有效深度為16英寸。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的適用于多尺寸晶圓的清洗槽，其特征在于所述超聲振子的工作頻率為18 200KHz。
專利摘要一種適用于多尺寸晶圓的清洗槽，包括槽體和升降平臺(tái)，該槽體內(nèi)設(shè)有數(shù)個(gè)晶圓承載平臺(tái)，每個(gè)晶圓承載平臺(tái)上設(shè)有數(shù)個(gè)等距離排布的凹槽；該槽體的外壁上設(shè)有兩組超聲振子，該兩組超聲振子相對(duì)設(shè)置，位于承載平臺(tái)的兩側(cè)；所述升降平臺(tái)包括支撐升降部分和臺(tái)面部分，該臺(tái)面部分的臺(tái)面上設(shè)有用來(lái)承載花籃的定位凹槽。該清洗槽在晶圓清洗過(guò)程中，晶圓與花籃完全脫離，最大限度地降低了超聲波衰減，提高了晶圓清洗均勻性，提高了晶圓清洗效果。
文檔編號(hào)B08B3/12GK202238771SQ20112035460
公開日2012年5月30日 申請(qǐng)日期2011年9月21日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月21日
發(fā)明者寧永鐸, 張靜, 徐繼平, 杜娟, 邊永智 申請(qǐng)人:有研半導(dǎo)體材料股份有限公司