專利名稱：清洗制造有機el器件的氣相沉積掩模的方法及清洗液的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明示例性的實施方式涉及清洗方法，且更具體地說，涉及用于去除在制造有機EL器件的氣相沉積過程中附著在掩模的有機EL材料，以及涉及用于有機EL掩模的清洗液組合物。
背景技術(shù)：
作為顯示器件的平面顯示器備受關(guān)注，包括液晶顯示器件和具有有機電致發(fā)光(EL)器件的顯示器件。液晶顯示器件具有較低的能耗，但是需要外部光單元(背光單元)來得到明亮的圖像，然而具有有機EL器件的顯示器件與液晶顯示器件不用，其并不需要背光單元，這是因為有機EL器件是自發(fā)光，所以可降低能耗。此外，具有有機EL器件的顯示器件具有高亮度和寬視角的特點。根據(jù)有機材料的類型，有機EL器件可分為低分子型有機EL器件和高分子型有機EL器件。通過不同的方法可生產(chǎn)這些有機EL器件。就低分子型有機EL器件來說，通過氣相沉積過程形成薄膜，而對于高分子型有機EL器件，在溶液中溶解后通過旋涂方法或噴墨方法形成薄膜。就低分子型有機EL器件來說，例如利用掩模通過真空氣相沉積依次在玻璃基板上形成正極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層以及負極而形成層狀結(jié)構(gòu)。利用放置在基板附近的掩模通過真空氣相沉積形成正極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層以及負極。然而，由于用于微細圖案尤其是RGB層的氣相沉積掩模需要高度精確，故其難以制造且非常昂貴。此外，當掩模在形成低分子型有機EL器件的有機層圖案的過程中用于多次氣相沉積時，有機材料沉積且附著在掩模上，使得高精確的掩模圖案不能轉(zhuǎn)移至基板。因此，為了實現(xiàn)高度精確的掩模圖案，一個多次使用的昂貴掩模將會作為廢物處理，這就增加了生產(chǎn)成本且難以大規(guī)模生產(chǎn)。在有機EL領(lǐng)域，目前并未嘗試通過重復(fù)利用掩模來節(jié)約成本。試圖解決該問題，韓國專利公開10-2005-0054452公開了一種用于清洗掩模的溶液和方法，其中該掩模在真空氣相沉積中用于生產(chǎn)低分子型有機EL器件。然而，問題在于，在去除有機EL材料隨后的漂洗過程是復(fù)雜的且需要額外的漂洗液。此外，韓國專利公開10-2004-0072279公開了 一種用于清洗有機EL(electroluminescence)掩模的裝置，但問題在于，用于蒸發(fā)和液化溶劑的裝置非常復(fù)雜且清洗過程耗時。另外，韓國專利公開10-2007-0065646公開了包括極性質(zhì)子溶劑異丙醇的清洗液的用途，然而問題在于，清洗液溶解沉積材料的能力不足，不能達到完全清洗。專利文件1:KR10-2005-0054452A專利文件2:KR10-2004-0072279A
專利文件3:KR10-2007-0065646A

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明是針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的問題而完成。本發(fā)明的實施方式提供了一種用于清洗有機EL掩模的方法，其具有優(yōu)良的溶解有機EL材料的性能且能夠簡化被簡化的漂洗過程，以使得掩模干燥過程容易且簡單。本發(fā)明的另一實施方式提供了一種清洗液以及利用該清洗液清洗掩模的方法，該清洗液具有優(yōu)良的能力來溶解沉積材料，具有優(yōu)良的干燥性能且不需要除去離子水外的單獨的漂洗液。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，用于清洗有機EL掩模的方法包括如下步驟:(A)在潔凈的腔室內(nèi)提供四氫呋喃(THF)溶液；(B)將有機EL掩模浸泡在THF溶液中；(C)超聲清洗浸泡在THF溶液中的有機EL掩模；以及(D)用去離子水漂洗清洗后的有機EL掩模。根據(jù)本發(fā)明的另一實施方式，用于有機EL掩模的清洗液包括四氫呋喃和異丙醇。如上所述，用于清洗有機EL掩模的創(chuàng)造性方法具有溶解有機EL材料的優(yōu)良性能，且能夠簡化漂洗過程，使得掩板的干燥過程容易且簡單。此外，根據(jù)本發(fā)明的清洗液具有優(yōu)良的溶解沉積材料的性能且包括沸點低于水的溶劑。因此，清洗液具有優(yōu)良的干燥性能且不需要除去離子水外的單獨的漂洗液。


圖1為示出了根據(jù)本發(fā)明的一實施方式用于清洗有機EL掩模的方法的流程圖。
具體實施例方式以下，將詳細描述根據(jù)本發(fā)明的用于清洗有機EL掩模的方法。根據(jù)本發(fā)明的清洗液可包括四氫呋喃(THF)溶液。四氫呋喃甚至在低溫時也具有優(yōu)良的清洗性能，因此無需單獨的加熱過程就可用于清洗有機EL掩模。四氫呋喃由下述分子式I來表示，其具有有效地溶解Alq3 (三(8-羥基喹啉)鋁)的功能，其中Alq3是在OLED生產(chǎn)過程中的污染掩模的沉積材料。因此，四氫呋喃能顯示出優(yōu)良的清洗性能。[分子式I]
O
O在潔凈的腔室內(nèi)加入THF清洗液，然后將有機EL的掩模浸泡在THF清洗液中。這里，THF清洗液的溫度為30至60°C。然后，對包含浸泡其內(nèi)的有機EL掩模的THF清洗液施加超聲波以清洗有機EL掩模。當進行該超聲清洗方法時，可提高沉積材料的溶解且可縮短清洗時間。在超聲清洗過程完成之后，用去離子水清洗有機EL掩模。在本發(fā)明中，由于四氫呋喃在水中的溶解性優(yōu)良，可無需使用單獨的漂洗液來清洗有機EL掩模。
在烘箱中干燥用去離子水清洗的有機EL掩模。這里，烘箱的溫度優(yōu)選為50至100。。。此外，本發(fā)明的清洗液除四氫呋喃(THF)外可進一步包括異丙醇。異丙醇是一種相對于其他醇類具有溶解有機材料的優(yōu)良能力的溶劑，且對人體相對無害。此外，異丙醇在用去離子水清洗過程中，顯示出優(yōu)良的漂洗性能，因此不會產(chǎn)生清洗液殘留在掩模上的問題。對于本發(fā)明的清洗液除四氫呋喃(THF)溶液外進一步包括異丙醇，基于清洗液的總重量,優(yōu)選包含60至99wt %的四氫呋喃，更優(yōu)選80至95wt %。如果清洗液中的四氫呋喃的含量小于60wt%，將過度地延長溶解污染掩模表面的沉積材料所需的時間，如果含量超過99wt%，其將并不會進一步提高沉積材料的溶解速率，在經(jīng)濟上不是優(yōu)選的。此外，清洗液中異丙醇的含量優(yōu)選為I至40wt%，且更優(yōu)選5至20wt%。如果清洗液中異丙醇的含量小于lwt%，四氫呋喃的含量將相對增加，導(dǎo)致成本無效，且用去離子水漂洗清洗液將不會有效。如果異丙醇的含量大于40wt%，清洗液中的四氫呋喃那的含量將相對降低，清洗液去除沉積材料的能力將降低。對于本發(fā)明的清洗液除四氫呋喃(THF)溶液外進一步包括異丙醇，清洗液可用于下述清洗步驟中。利用包括四氫呋喃和異丙醇的清洗液清洗電子材料的方法包括如下步驟:(E)通過在包括四氫呋喃和異丙醇的清洗液中浸泡電子材料來清洗電子材料；以及(F)用去離子水漂洗電子材料。在清洗步驟(E)中，將電子材料，例如在AMOLED器件的生產(chǎn)中使用的掩模浸泡在清洗液中，以便于通過清洗液的溶解和剝離作用可從電子材料上去除雜質(zhì)。本發(fā)明所使用的清洗液優(yōu)選為包括四氫呋喃和異丙醇的清洗液。漂洗步驟(F)可通過在去離子水浸泡在清洗步驟(E)中已去除雜質(zhì)的電子材料來進行。在清洗步驟(E)中，為了進一步用清洗液漂洗用去離子水漂洗的掩模，不僅可使用在清洗液中浸泡電子材料的方法，也可使用在電子材料上噴射清洗液的方法。當通過在掩模上噴射清洗液來進行清洗步驟時，與浸泡方法不同，其防止了二次污染。特別地，在噴射方法中，附著在掩模上的有機清洗液可被完全去除，且相對于浸泡方法可減少所使用的清洗液的量。因此，噴射方法在成本和經(jīng)濟上有優(yōu)勢。此外，噴射清洗方法具有相比浸泡方法縮短了漂洗時間的優(yōu)勢。本發(fā)明的清洗步驟(E)可在室溫下實施，且因此不需要用于加熱清洗液的單獨過程。以下，將參照實施例和對比例詳細描述本發(fā)明，但本發(fā)明的范圍并不限于這些實施例。實施例1至6以及對比例I至6:有機EL掩模的清洗實施例1在超聲處理裝置的潔凈腔室內(nèi)加入作為清洗液的20升的THF溶液，然后在室溫下，將具有有機EL材料沉積其上的有機EL氣相沉積掩膜浸泡在THF溶液中。超聲處理包含浸泡其內(nèi)的有機EL氣相沉積掩膜的THF溶液，以清洗有機EL氣相沉積掩模。在清洗過程完成之后，用去離子水漂洗有機EL氣相沉積掩模一次。具體地，在清洗過程完成之后，使用噴射設(shè)備用去離子水以30秒漂洗有機EL氣相沉積掩模一次。實施例2以與實施例1相同的方式實施該實施例，除了用去離子水進行兩次漂洗處理。實施例3以與實施例1相同的方式實施該實施例，除了用去離子水進行三次漂洗處理。實施例4以與實施例1相同的方式實施該實施例，除了以THF清洗液的處理溫度為50°C來替代室溫。實施例5以與實施例4相同的方式實施該實施例，除了用去離子水進行兩次漂洗處理。實施例6以與實施例4相同的方式實施該實施例，除了用去離子水進行三次漂洗處理。對比例I以與實施例1相同的方式實施該實施例，除了用NMP溶液替代THF溶液作為清洗液。對比例2以與對比例I相同的方式實施該對比例，除了用去離子水進行兩次漂洗處理。對比例3以與對比例I相同的方式實施該對比例，除了用去離子水進行三次漂洗處理。對比例4以與對比例I相同的方式實施該對比例，除了以NMP清洗液的處理溫度為50°C來替代室溫。對比例5以與對比例4相同的方式實施該對比例，除了用去離子水進行兩次漂洗處理。對比例6以與對比例4相同的方式實施該對比例，除了用去離子水進行三次漂洗處理。實施例7至11和對比例7至14:從掩模去除沉積材料的性能以及漂洗清洗液的性能清洗液組合物的制備下述表I中所示的成分相互混合并攪拌，從而制備清洗液組合物。[表 I]
權(quán)利要求
1.一種用于清洗有機EL掩模的方法，所述方法包括以下步驟: (A)在潔凈的腔室內(nèi)提供四氫呋喃THF溶液； (B)將所述有機EL掩模浸泡在所述THF溶液中； (C)超聲清洗浸泡在所述THF溶液中的所述有機EL掩模；以及 (D)用去離子水漂洗清洗后的所述有機EL掩模。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述THF溶液具有室溫的溫度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述THF溶液噴射在所述有機EL掩模的表面上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述方法在室溫下進行。
5.一種用于有機EL掩模的清洗液，所述清洗液包括四氫呋喃和異丙醇。
6.一種用于清洗有機EL掩模的方法，所述方法包括以下步驟: (E)通過在權(quán)利要求5所述的清洗液中浸泡所述有機EL掩模來清洗所述有機EL掩模；以及 (F)用去離子水漂洗所述有機EL掩模。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述清洗步驟通過在所述有機EL掩模的表面上噴射所述清洗液來進行。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述清洗步驟在室溫下進行。
全文摘要
本申請公開了一種用于清洗有機EL掩模的方法，所述方法包括以下步驟(A)在潔凈的腔室內(nèi)提供四氫呋喃(THF)溶液；(B)將有機EL掩模浸泡在THF溶液中；(C)超聲清洗浸泡在THF溶液中的有機EL掩模；以及(D)用去離子水漂洗清洗后的有機EL掩模。本申請還公開了一種用于有機EL掩模的清洗液，所述清洗液包括四氫呋喃和異丙醇。
文檔編號B08B3/12GK103157619SQ20121045906
公開日2013年6月19日 申請日期2012年11月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月15日
發(fā)明者李殷相, 金佑逸, 金炳默, 洪憲杓 申請人:東友 Fine-Chem 股份有限公司