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      Yag晶體的清理方法

      文檔序號:1512056閱讀:1115來源:國知局
      專利名稱:Yag晶體的清理方法
      技術領域
      本發(fā)明涉及一種清理方法,尤其是YAG晶體的清理方法。
      背景技術
      YAG晶體是一種優(yōu)秀的Nd和Yb激光被動Q開關材料,由于它在0. 8 1. 2mm范圍內吸收穩(wěn)定,YAG基質晶體導熱率聞,可聞重頻工作晶體被動Q開關,應用廣泛。YAG晶體機械光學加工完成,要及時清潔晶體加工過程中留下的殘留物。殘留物在機械運動中組合形成了凝膠狀,隨著晶體加工時間延長慢慢積累附著在晶體側面。晶體側面是精磨面,相對拋光面顯得很粗糙,因此殘留物對晶體的附著力很大。一般選用超聲波清洗或手洗,超聲波清洗方便,資金成本大,固化物很難去掉,還是要用清洗劑清洗。手工清洗,工作效率低,容易造成劃傷通光平面,二次污染嚴重,要反復再清洗。造成晶體器件殘留物清洗難度主要是,凝膠狀殘留物的附著力,結痂后就更難去除。

      發(fā)明內容
      本發(fā)明要解決的技術問題是提供一種YAG晶體的清理方法,能有效去除YAG晶體表面的殘留物。本發(fā)明是通過以下技術方案來實現的。一種YAG晶體的清理方法,步驟包括(I)在容器內放置漆片,酒精、白灰粉,充分攪拌,其中按照重量百分比,漆片50%-60%,酒精 25%-30%、白灰粉 10%-20% ;(2)將YAG晶體放入上述容器,1-2分鐘取出分開晾干;(3)反復步驟(2) 3-5次,上述YAG晶體表面形成一層濁膜;(4)將上述YAG晶體放入爐中在150° C_200° C下加溫1-1. 5小時取出;(5 )將上述YAG晶體用水清洗;(6)將上述YAG晶體烘干。進一步地,上述步驟(I)中,先在容器內放置漆片,然后加入酒精充分稀釋融化至飽和狀態(tài)后,再加入白灰粉均勻攪拌。進一步地,上述步驟(4)中,上述爐為馬弗爐。進一步地,上述步驟(5)中,使用去離子水清洗上述YAG晶體。進一步地,上述步驟(5)中,使用去離子水清洗后,再用清洗液進行清洗。本發(fā)明的有益效果選用本發(fā)明的方法進行清洗,附著在晶體器件的有機物在高溫下燃燒干凈,無機物和晶體器件被有機物隔離,高溫作用下自動脫離不留字跡。工藝簡單,加工方便快捷,成本低,收益提高15% -20%。
      具體實施方式
      下面根據實施例對本發(fā)明作進一步詳細說明。實施案例1:(I)在容器內放置漆片,酒精、白灰粉,充分攪拌,其中按照重量百分比,漆片50%,酒精30%、白灰粉20% ;具體是先在容器內放置漆片,然后加入酒精充分稀釋融化至飽和狀態(tài)后,再加入白灰粉均勻攪拌;(2)將YAG晶體放入上述容器,1-2分鐘取出分開晾干;(3)反復步驟(2) 3-5次,上述YAG晶體表面形成一層濁膜;(4)將上述YAG晶體放入馬弗爐中在150° C_200° C下加溫1_1. 5小時取出;(5)將上述YAG晶體用水清洗,選用去離子水清洗上述YAG晶體,再用清洗液進行清洗;(6 )將上述YAG晶體烘干。實施案例2 (I)在容器內放置漆片,酒精、白灰粉,充分攪拌,其中按照重量百分比,漆片60%,酒精30%、白灰粉10% ;具體是先在容器內放置漆片,然后加入酒精充分稀釋融化至飽和狀態(tài)后,再加入白灰粉均勻攪拌;(2)將YAG晶體放入上述容器,1-2分鐘取出分開晾干;(3)反復步驟(2) 3-5次,上述YAG晶體表面形成一層濁膜;(4)將上述YAG晶體放入馬弗爐中在150° C_200° C下加溫1_1. 5小時取出;(5)將上述YAG晶體用水清洗,選用去離子水清洗上述YAG晶體,再用清洗液進行
      清洗;(6 )將上述YAG晶體烘干。實施案例3 (I)在容器內放置漆片,酒精、白灰粉,充分攪拌,其中按照重量百分比,漆片55%,酒精28%、白灰粉17% ;具體是先在容器內放置漆片,然后加入酒精充分稀釋融化至飽和狀態(tài)后,再加入白灰粉均勻攪拌;(2)將YAG晶體放入上述容器,1-2分鐘取出分開晾干;(3)反復步驟(2) 3-5次,上述YAG晶體表面形成一層濁膜;(4)將上述YAG晶體放入馬弗爐中在150° C_200° C下加溫1_1. 5小時取出;(5)將上述YAG晶體用水清洗,選用去離子水清洗上述YAG晶體,再用清洗液進行
      清洗;(6 )將上述YAG晶體烘干。本發(fā)明,YAG晶體的清理方法,選用本發(fā)明的方法進行清洗,附著在晶體器件的有機物在高溫下燃燒干凈,無機物和晶體器件被有機物隔離,高溫作用下自動脫離不留字跡。工藝簡單,加工方便快捷,成本低,收益提高15% -20%。上述實施例只為說明本發(fā)明的技術構思及特點,其目的在于讓熟悉此領域技術的人士能夠了解本發(fā)明內容并加以實施,并不能以此限制本發(fā)明的保護范圍。凡根據本發(fā)明精神實質所作的等效變化或修飾,都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍內。
      權利要求
      1.一種YAG晶體的清理方法,其特征在于,步驟包括: (1)在容器內放置漆片,酒精、白灰粉,充分攪拌,其中按照重量百分比,漆片50%-60%,酒精 25%-30%、白灰粉 10%-20% ; (2)將YAG晶體放入所述容器,1-2分鐘取出分開晾干; (3)反復步驟(2)3-5次,所述YAG晶體表面形成一層濁膜; (4)將所述YAG晶體放入爐中在150°C-200。C下加溫1-1.5小時取出; (5)將所述YAG晶體用水清洗; (6 )將所述YAG晶體烘干。
      2.根據權利要求1所述的YAG晶體的清理方法,其特征在于,所述步驟(I)中,先在容器內放置漆片,然后加入酒精充分稀釋融化至飽和狀態(tài)后,再加入白灰粉均勻攪拌。
      3.根據權利要求1所述的YAG晶體的清理方法,其特征在于,所述步驟(4)中,所述爐為馬弗爐。
      4.根據權利要求1所述的YAG晶體的清理方法,其特征在于,所述步驟(5)中,使用去離子水清洗所述YAG晶體。
      5.根據權利要求4所述的YAG晶體的清理方法,其特征在于,所述步驟(5)中,使用去離子水清洗后,再用清洗液進行清洗。
      全文摘要
      本發(fā)明公開了一種YAG晶體的清理方法,步驟包括在容器內放置漆片,酒精、白灰粉,充分攪拌,其中按照重量百分比,漆片50%-60%,酒精25%-30%、白灰粉10%-20%;將YAG晶體放入上述容器,1-2分鐘取出分開晾干;反復步驟(2)3-5次,上述YAG晶體表面形成一層濁膜;將上述YAG晶體放入爐中在150°C-200°C下加溫1-1.5小時取出;將上述YAG晶體用水清洗;將上述YAG晶體烘干。本發(fā)明的優(yōu)點在于,選用本發(fā)明的方法進行清洗,附著在晶體器件的有機物在高溫下燃燒干凈,無機物和晶體器件被有機物隔離,高溫作用下自動脫離不留字跡。工藝簡單,加工方便快捷,成本低,收益提高15% -20%。
      文檔編號B08B7/00GK103071656SQ201310030370
      公開日2013年5月1日 申請日期2013年1月25日 優(yōu)先權日2013年1月25日
      發(fā)明者萬文, 萬黎明 申請人:安徽環(huán)巢光電科技有限公司
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