硅片的清洗機(jī)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】一種硅片的清洗機(jī)構(gòu)。此硅片清洗機(jī)構(gòu)包含第一酸槽、堿槽、第一清洗槽、第一沖洗裝置、排水閥、第二清洗槽、第二沖洗裝置以及泵裝置。第一清洗槽位于第一酸槽與堿槽之間。第一沖洗裝置設(shè)于第一清洗槽中。第一清洗槽適用以承接利用第一沖洗裝置進(jìn)行清洗后的第一清洗液。排水閥與第一清洗槽連通。第一清洗液經(jīng)排水閥排出。第二清洗槽位于第一清洗槽與堿槽之間。第二沖洗裝置設(shè)于第二清洗槽中。第二清洗槽適用以承接利用第二沖洗裝置進(jìn)行清洗后的第二清洗液。泵裝置適用以將第二清洗液循環(huán)到第一清洗槽供第一沖洗裝置使用。
【專利說明】硅片的清洗機(jī)構(gòu)

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明是涉及一種清洗機(jī)構(gòu)，且特別是涉及一種硅片的清洗機(jī)構(gòu)。

【背景技術(shù)】
[0002]請參照圖1，圖1示出一種傳統(tǒng)硅片清洗機(jī)構(gòu)的裝置示意圖。此傳統(tǒng)硅片清洗機(jī)構(gòu)100主要包含第一酸槽102、第一清洗槽104、堿槽106、第二清洗槽108、第二酸槽110、第三清洗槽112以及清洗液供應(yīng)源114。從工藝的上游至下游，第一酸槽102、第一清洗槽104、堿槽106、第二清洗槽108、第二酸槽110以及第三清洗槽112依序設(shè)置。
[0003]娃片先在第一酸槽102中進(jìn)行蝕刻處理。經(jīng)酸液蝕刻后，將娃片載出第一酸槽102，并送入第一清洗槽104。在第一清洗槽104中，設(shè)置有兩個(gè)上下水刀組以及一風(fēng)刀。硅片在第一清洗槽104中先經(jīng)第一組上下水刀沖洗后，再由第二組上下水刀沖洗一次，隨后以風(fēng)刀將硅片上的清洗液吹干。第一清洗槽104所使用的清洗液為清洗經(jīng)第二酸槽110處理后的硅片的第三清洗槽112中的溢流清洗液，其中這些溢流清洗液經(jīng)由管路118而流到第一清洗槽104中。此外，兩個(gè)上下水刀組所使用的清洗液會(huì)在第一清洗槽104中循環(huán)回收再利用。第一清洗槽104中過多而溢流的清洗液則經(jīng)由管路116而排出。
[0004]將硅片載出第一清洗槽104后，送入堿槽106中，來進(jìn)行所需的濕式處理。由于，雖然已經(jīng)利用清洗液沖洗硅片上的酸液，但經(jīng)過一段處理時(shí)間后，第一清洗槽104中的循環(huán)清洗液也會(huì)偏酸性。因此，硅片經(jīng)第一清洗槽104清洗并經(jīng)風(fēng)刀吹拂后，其表面上仍殘留有一些偏酸性的清洗液。這些殘留的酸性清洗液會(huì)與堿槽106中的堿性處理液產(chǎn)生酸堿中和反應(yīng)，而形成結(jié)晶。此外，這樣的情況也會(huì)導(dǎo)致堿槽106中的堿性處理液的濃度不足。
[0005]由于，第一清洗槽104中的清洗液用來沖洗硅片一段時(shí)間后，清洗液的酸性會(huì)逐漸增加。而持續(xù)循環(huán)使用這些清洗液的情況下，不僅將在堿槽106中產(chǎn)生大量的鹽類結(jié)晶，也會(huì)在硅片的運(yùn)送裝置上形成結(jié)晶。如此一來，將造成堿槽104的上下游清洗槽內(nèi)的風(fēng)刀、以及過濾器與液體管路阻塞，進(jìn)而導(dǎo)致清洗設(shè)備需停機(jī)來進(jìn)行風(fēng)刀、過濾器與管路的清理。此外，也會(huì)因運(yùn)送裝置上有酸堿中和的結(jié)晶，而導(dǎo)致硅片破裂。而且，風(fēng)刀遭結(jié)晶阻塞后，會(huì)導(dǎo)致硅片的風(fēng)干程度不佳，不僅會(huì)進(jìn)一步降低堿槽106中的堿性處理液的濃度，也會(huì)產(chǎn)生硅片的棕斑重工問題，更會(huì)導(dǎo)致排出的廢棄堿液過酸，造成廠務(wù)無法回收處理。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]因此，本發(fā)明的一方式就是在提供一種硅片清洗機(jī)構(gòu)，所述硅片清洗機(jī)構(gòu)的第一酸槽與下游的堿槽之間的清洗站設(shè)有二清洗槽，第二清洗槽的清洗液直接由清洗液供應(yīng)源供給，并循環(huán)予第一清洗槽使用，而第一清洗槽經(jīng)沖洗過的清洗液則排掉。如此一來,可大大地降低硅片經(jīng)清洗后的表面殘酸，而可有效減少堿槽與硅片運(yùn)送裝置因酸堿中和而產(chǎn)生的結(jié)晶，進(jìn)而可避免風(fēng)干裝置、管路與過濾器阻塞，硅片因運(yùn)送裝置上的結(jié)晶而破裂，硅晶片棕斑重工問題，設(shè)備停機(jī)清理風(fēng)干裝置，以及廠務(wù)回收堿槽清洗液過酸而無法回收的問題。
[0007]本發(fā)明的另一方式是在提供一種硅片清洗機(jī)構(gòu)，所述硅片清洗機(jī)構(gòu)第一酸槽與下游的堿槽之間的清洗站的第一清洗槽設(shè)有風(fēng)干裝置，以將噴向下游的第二清洗槽的清洗液吹回第一清洗槽。因此，可降低對第二清洗槽的清洗液的酸堿性的影響，而可進(jìn)一步降低硅片經(jīng)清洗后的表面殘留液體的酸度。
[0008]本發(fā)明的又一方式是在提供一種硅片清洗機(jī)構(gòu)，所述硅片清洗機(jī)構(gòu)的第一酸槽與堿槽之間的清洗站的第二個(gè)清洗槽的清洗液由清洗液供應(yīng)源直接供給，因此可使用更潔凈的清洗液來進(jìn)行此清洗站的硅片清洗。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的上述目的，提出一種硅片清洗機(jī)構(gòu)。此硅片清洗機(jī)構(gòu)包含一第一酸槽、一堿槽、一第一清洗槽、一第一沖洗裝置、一排水閥、一第二清洗槽、一第二沖洗裝置以及一泵裝置。第一清洗槽位于第一酸槽與堿槽之間。第一沖洗裝置設(shè)于第一清洗槽中，其中第一清洗槽適用以承接利用第一沖洗裝置進(jìn)行清洗后的一第一清洗液。排水閥與第一清洗槽連通，其中第一清洗液經(jīng)排水閥排出。第二清洗槽位于第一清洗槽與堿槽之間。第二沖洗裝置設(shè)于第二清洗槽中，其中第二清洗槽適用以承接利用第二沖洗裝置進(jìn)行清洗后的一第二清洗液。泵裝置適用以將第二清洗液循環(huán)到第一清洗槽供第一沖洗裝置使用。
[0010]依據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，上述硅片清洗機(jī)構(gòu)還包含一第一風(fēng)干裝置設(shè)于第一清洗槽中，且適用以吹除經(jīng)第一沖洗裝置沖洗后的一硅片上的第一清洗液以及將噴向第二清洗槽的第一清洗液吹回第一清洗槽。
[0011]依據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，上述硅片清洗機(jī)構(gòu)還包含一第二風(fēng)干裝置設(shè)于第二清洗槽中，且適用以吹除經(jīng)第二沖洗裝置沖洗后的一硅片上的第二清洗液。
[0012]依據(jù)本發(fā)明的又一實(shí)施例，上述硅片清洗機(jī)構(gòu)還包含一第三清洗槽位于堿槽的下游，其中堿槽位于第一酸槽的下游。
[0013]依據(jù)本發(fā)明的再一實(shí)施例，上述硅片清洗機(jī)構(gòu)還包含一清洗液供應(yīng)源，以分別供應(yīng)上述第二清洗液和一第三清洗液予第二沖洗裝置與第三清洗槽。
[0014]依據(jù)本發(fā)明的再一實(shí)施例，上述硅片清洗機(jī)構(gòu)還包含一管路與第三清洗槽連通，適用以排放第三清洗槽溢流出的第三清洗液。
[0015]依據(jù)本發(fā)明的再一實(shí)施例，上述硅片清洗機(jī)構(gòu)還包含一第四清洗槽位于堿槽與第三清洗槽之間、以及一第二酸槽位于第四清洗槽與第三清洗槽之間。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0016]為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征、優(yōu)點(diǎn)與實(shí)施例能更明顯易懂，所附附圖的說明如下:
[0017]圖1是示出一種傳統(tǒng)硅片清洗機(jī)構(gòu)的裝置示意圖；
[0018]圖2是示出依照本發(fā)明一實(shí)施方式的一種硅片清洗機(jī)構(gòu)的裝置示意圖；
[0019]圖3是示出依照本發(fā)明一實(shí)施方式的一種清洗站的二清洗槽的裝置示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0020]請一并參照圖2與圖3，圖2與圖3是分別示出依照本發(fā)明一實(shí)施方式的一種硅片清洗機(jī)構(gòu)的裝置示意圖、以及硅片清洗機(jī)構(gòu)的一清洗站的二清洗槽的裝置示意圖。在本實(shí)施方式中，硅片清洗機(jī)構(gòu)200主要包含第一酸槽202、堿槽206、清洗站204、排水閥232與泵裝置272。在一實(shí)施例中，第一酸槽202可盛裝有氫氟酸(HF)等酸液，以對硅片252進(jìn)行例如蝕刻等濕式處理。在一些例子中，硅片清洗機(jī)構(gòu)200可根據(jù)工藝需求而進(jìn)一步設(shè)有管路216與排水閥230，其中管路216與第一酸槽202連通，排水閥230則設(shè)于管路216上。可透過控制排水閥230的開與關(guān)，來管理第一酸槽202的酸液的排放。從第一酸槽202所排放的酸液一般為高濃度的酸性廢水。
[0021]在此實(shí)施方式中，堿槽206位于第一酸槽202的下游，而清洗站204則位于第一酸槽202與堿槽206之間。清洗站204主要是用來清洗從第一酸槽202出來的硅片252，以將硅片252上殘留的酸液沖掉。在一些實(shí)施例中，如圖3所示，清洗站204可包含第一清洗槽256與第二清洗槽258。其中，第二清洗槽258位于第一清洗槽256的下游，因此第一清洗槽256位于第一酸槽202與堿槽206之間，且第二清洗槽258位于第一清洗槽256與堿槽206之間。在一示范例子中，第一清洗槽256可位于第二清洗槽258中，如3圖3所示。
[0022]請?jiān)俅螀⒄?圖3，本實(shí)施方式的硅片清洗機(jī)構(gòu)200還包含第一沖洗裝置246與第二沖洗裝置260。第一沖洗裝置246設(shè)于第一清洗槽256中，以對在第一清洗槽256中的硅片252進(jìn)行沖洗。而第一清洗槽256可承接以第一沖洗裝置246進(jìn)行硅片252的清洗后所流下的第一清洗液268。第二沖洗裝置260則設(shè)于第二清洗槽258中，以對經(jīng)第一沖洗裝置246清洗后且進(jìn)入第二清洗槽258中的硅片252進(jìn)行沖洗。同樣地，第二清洗槽258可承接以第二沖洗裝置260進(jìn)行硅片252的再次清洗后所流下的第二清洗液270。
[0023]在一些實(shí)施例中，第一沖洗裝置246可包含一組水刀248與250，其中這些水刀248與250可分別位于硅片252經(jīng)過路徑的相對二側(cè)，例如上下二側(cè)，以在硅片252通過時(shí)分別從硅片252的相對二側(cè)朝硅片252噴射第一清洗液268，來沖洗硅片252。在一示范例子中，第一清洗液268可采用去離子水。同樣地，第二沖洗裝置260可包含一組水刀262與264，其中這些水刀262與264可分別位于硅片252經(jīng)過路徑的相對二側(cè)，例如上下二側(cè)，以在硅片252通過時(shí)分別從硅片252的相對二側(cè)朝硅片252噴射第二清洗液270，來進(jìn)一步?jīng)_洗硅片252。在一示范例子中，第二清洗液270同樣可采用去離子水。
[0024]如圖2所示，硅片清洗機(jī)構(gòu)200還包含管路218，此管路218與第一清洗槽256連通。而排水閥232則設(shè)置在管路218上?？赏高^控制排水閥232的開與關(guān)，來管理第一清洗槽256的第一清洗液268的排放。在一實(shí)施例中，第一清洗液268由第一沖洗裝置246對硅片252噴射后，不再循環(huán)回收使用，而直接經(jīng)由管路218與排水閥232排出。從第一清洗槽256所排放的第一清洗液268 —般為低濃度的酸性廢水。
[0025]本實(shí)施方式的硅片清洗機(jī)構(gòu)200還可包含清洗液供應(yīng)源214。清洗液供應(yīng)源214可直接供應(yīng)第二清洗液270予第二沖洗裝置260。由于第二清洗液270為清洗液供應(yīng)源214直接提供而非其他清洗槽的循環(huán)液體，因此第二清洗液270的酸堿值較符合所需。此外，第二清洗液270的潔凈度也較高。如圖3所示，泵裝置272設(shè)置在第二清洗槽258中，以將第二清洗槽258內(nèi)清洗過硅片252的第二清洗液270循環(huán)回收到第一清洗槽256，來供第一沖洗裝置246使用。
[0026]由于第二清洗液270由清洗液供應(yīng)源214直接供應(yīng)，而且硅片252進(jìn)入清洗站204后已先由第一沖洗裝置246清洗過一次，因此清洗過硅片252的第二清洗液270具有較低濃度的酸度且相對較為潔凈。在一些實(shí)施例中，可額外設(shè)置過濾器(未示出)，以在清洗過硅片252的第二清洗液270進(jìn)入泵裝置272前，先過濾第二清洗液270，以進(jìn)一步提升此時(shí)的第二清洗液270的潔凈度。因此，在不循環(huán)使用第一清洗液268，而僅將清洗過硅片252的第二清洗液270再循環(huán)至第一沖洗裝置246，來進(jìn)行回收使用的情況下，不僅可提升硅片252表面上的殘酸去除效果，亦可有效節(jié)省清洗液的用量。此外，由于不循環(huán)使用第一清洗液268，因此先后經(jīng)第一沖洗裝置246與第二沖洗裝置260后的硅片252上殘留清洗液為非常接近中性或酸度相當(dāng)?shù)偷囊后w。
[0027]如圖3所示，在一些實(shí)施例中，硅片清洗機(jī)構(gòu)200還可選擇性包含第一風(fēng)干裝置254。此第一風(fēng)干裝置254可為一風(fēng)刀。第一風(fēng)干裝置254設(shè)置在第一清洗槽256中，且位于第一沖洗裝置246的下游，較佳可鄰近于第一沖洗裝置246。第一風(fēng)干裝置254不僅可將經(jīng)第一沖洗裝置246沖洗后的硅片252上的殘留第一清洗液268吹除，更可將噴向第二清洗槽258的第一清洗液268吹回第一清洗槽256，以有效避免酸性濃度較高的第一清洗液268進(jìn)入第二清洗槽258，進(jìn)而可避免第一清洗液268造成濃度較低的第二清洗液270的酸性濃度提高。
[0028]在一些實(shí)施例中，硅片清洗機(jī)構(gòu)200還可選擇性包含第二風(fēng)干裝置266。此第二風(fēng)干裝置266同樣可為一風(fēng)刀。第二風(fēng)干裝置266設(shè)置在第二清洗槽258中，且位于第二沖洗裝置260的下游，較佳可鄰近于第二沖洗裝置260。第二風(fēng)干裝置266可將經(jīng)第二沖洗裝置246沖洗后的硅片252上的殘留第二清洗液270吹除，進(jìn)而可減低隨著硅片252而進(jìn)入到堿槽206的第二清洗液270的量。如此一來，可有效減少帶酸性的殘留第二清洗液270與堿槽206內(nèi)的堿液因酸堿中和反應(yīng)而產(chǎn)生的結(jié)晶量，進(jìn)而可避免風(fēng)干裝置、管路或過濾器阻塞。
[0029]在一實(shí)施例中，堿槽206可盛裝有氫氧化鉀(KOH)等堿液，以對硅片252進(jìn)行所需的濕式處理。在一些例子中，硅片清洗機(jī)構(gòu)200可根據(jù)工藝需求而進(jìn)一步設(shè)有管路222與排水閥236，其中管路222與堿槽206連通，排水閥236則設(shè)于管路222上?？赏高^控制排水閥236的開與關(guān)，來管理堿槽206的堿液的排放。由于應(yīng)用硅晶片清洗機(jī)構(gòu)200可有效減少殘留第二清洗液270與堿槽206內(nèi)的堿液因酸堿中和反應(yīng)而產(chǎn)生的結(jié)晶量，因此可避免廠務(wù)回收堿槽清洗液過酸而無法回收處理的問題。
[0030]如圖2所示，在一些實(shí)施例中，硅片清洗機(jī)構(gòu)200還可選擇性包含第四清洗槽208。此第四清洗槽208位于堿槽206的下游。第四清洗槽208可設(shè)有如同第一沖洗裝置246或第二沖洗裝置260般的一對水刀，此對水刀可分別位于硅片252經(jīng)過路徑的相對二側(cè)，例如上下二側(cè)，以在硅片252通過時(shí)分別從硅片252的相對二側(cè)朝硅片252噴射清洗液，來沖洗硅片252上的殘留堿液。在一示范例子中，此清洗液同樣可采用去離子水。此外，第四清洗槽208的清洗液可直接由清洗液供應(yīng)源214供應(yīng)。
[0031]如圖2所示，硅片清洗機(jī)構(gòu)200還包含管路224、以及排水閥238與240，此管路224與第四清洗槽208連通。而排水閥238與240則設(shè)置在管路224上。可透過控制排水閥238與240的開與關(guān)，來分別管理第四清洗槽208的清洗液朝堿性廢水收集區(qū)與回收區(qū)的排放。
[0032]在一些實(shí)施例中，硅片清洗機(jī)構(gòu)200還可選擇性包含第二酸槽210。此第二酸槽210位于第四清洗槽208的下游。在一實(shí)施例中，此第二酸槽210可盛裝有氫氟酸等酸液，以對硅片252進(jìn)行例如蝕刻等濕式處理。在一些例子中，硅片清洗機(jī)構(gòu)200可根據(jù)工藝需求而進(jìn)一步設(shè)有管路226與排水閥242，其中管路226與此第二酸槽210連通，排水閥242則設(shè)于管路226上。同樣地，可透過控制排水閥242的開與關(guān)，來管理第二酸槽210的酸液的排放。從第二酸槽210所排放的酸液一般為高濃度的酸性廢水。
[0033]在一些實(shí)施例中，硅片清洗機(jī)構(gòu)200還可選擇性包含第三清洗槽212。此第三清洗槽212位于第二酸槽210的下游，亦即也位于第二酸槽210的上游堿槽206的下游。而且，如圖2所示，第四清洗槽208介于堿槽206與第三清洗槽212之間，第二酸槽210介于第四清洗槽208與第三清洗槽212之間。第三清洗槽212可設(shè)有如同第一沖洗裝置246或第二沖洗裝置260般的一對水刀，此對水刀可分別位于硅片252經(jīng)過路徑的相對二側(cè)，例如上下二側(cè)，以在硅片252通過時(shí)分別從硅片252的相對二側(cè)朝硅片252噴射清洗液，來沖洗硅片252上的殘留酸液。在一示范例子中，此清洗液同樣可采用去離子水。此外，第三清洗槽212的清洗液可直接由清洗液供應(yīng)源214供應(yīng)。
[0034]硅片清洗機(jī)構(gòu)200還包含管路276以及排水閥244，此管路276與第三清洗槽212連通。而排水閥244則設(shè)置在管路276上。可透過控制排水閥244的開與關(guān)，來管理第三清洗槽212的清洗液的排放。從第三清洗槽212所排放的清洗液一般為低濃度的酸性廢水。
[0035]如圖2所示，在一些實(shí)施例中，硅片清洗機(jī)構(gòu)200還包含管路220、228與274，以及閥234。管路228與第三清洗槽212連通，亦與管路220和274連通。閥234設(shè)于管路220上。第三清洗槽212的溢流清洗液可從管路228流出，而透過閥234的設(shè)置，可阻隔溢流清洗液經(jīng)由管路220而流向清洗站204，藉以使第三清洗槽212的帶酸性的溢流清洗液經(jīng)由管路274而排掉。從第三清洗槽212所排放的溢流清洗液一般為低濃度的酸性廢水。
[0036]藉由在管路220上設(shè)置閥234來阻隔第三清洗槽212的偏酸溢流清洗液往清洗站204傳送，再加上第二清洗槽258的第二清洗液270直接由清洗液供應(yīng)源214所提供，且第一清洗槽256的酸性濃度較高的第一清洗液268不循環(huán)回收使用，如此一來可大大地縮減硅片252經(jīng)清洗站204清洗后所殘留在硅片252上的液體的酸度。因此，可有效降低酸堿中和所產(chǎn)生的結(jié)晶量，而可避免結(jié)晶塞住硅片清洗機(jī)構(gòu)200的所有風(fēng)干裝置、管路或過濾器，以及形成在硅片252的傳送裝置上。故，風(fēng)干裝置長時(shí)間使用也不易阻塞，可避免硅片252的風(fēng)干程度低，而造成堿槽206的堿液濃度偏低，進(jìn)而可解決廠務(wù)回收堿槽清洗液過酸而無法回收的問題，并可大大的縮減因清理風(fēng)干裝置所需的停工期，也可有效改善硅片252的棕斑重工問題。此外，亦可避免因傳送裝置上有結(jié)晶而導(dǎo)致硅片破片。
[0037]由上述的實(shí)施方式可知，本發(fā)明的一優(yōu)點(diǎn)就是因?yàn)楣杵逑礄C(jī)構(gòu)的第一酸槽與下游的堿槽之間的清洗站設(shè)有二清洗槽，第二清洗槽的清洗液直接由清洗液供應(yīng)源供給，并循環(huán)予第一清洗槽使用，而第一清洗槽經(jīng)沖洗過的清洗液則排掉。因此，可大大地降低硅片經(jīng)清洗后的表面殘酸，而可有效減少堿槽與硅片運(yùn)送裝置因酸堿中和而產(chǎn)生的結(jié)晶，進(jìn)而可避免風(fēng)干裝置、管路與過濾器阻塞，硅片因運(yùn)送裝置上的結(jié)晶而破裂，硅片棕斑重工問題，設(shè)備停機(jī)清理風(fēng)干裝置，以及廠務(wù)回收堿槽清洗液過酸而無法回收的問題。
[0038]由上述的實(shí)施方式可知，本發(fā)明的另一優(yōu)點(diǎn)就是因?yàn)楣杵逑礄C(jī)構(gòu)的第一酸槽與下游的堿槽之間的清洗站的第一清洗槽設(shè)有風(fēng)干裝置，以將噴向下游的第二清洗槽的清洗液吹回第一清洗槽。因此，可降低對第二清洗槽的清洗液的酸堿性的影響，而可進(jìn)一步降低硅片經(jīng)清洗后的表面殘留液體的酸度。
[0039]由上述實(shí)施方式可知，本發(fā)明的又一優(yōu)點(diǎn)就是因?yàn)楣杵逑礄C(jī)構(gòu)的第一酸槽與堿槽之間的清洗站的第二個(gè)清洗槽的清洗液由清洗液供應(yīng)源直接供給，因此可使用更潔凈的清洗液來進(jìn)行此清洗站的硅片清洗。
[0040]雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種更動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求書所界定者為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種硅片清洗機(jī)構(gòu)，其特征在于包含: 一第一酸槽； 一堿槽； 一第一清洗槽，位于所述第一酸槽與所述堿槽之間； 一第一沖洗裝置，設(shè)于所述第一清洗槽中，其中所述第一清洗槽適用以承接利用所述第一沖洗裝置進(jìn)行清洗后的一第一清洗液； 一排水閥，與所述第一清洗槽連通，其中所述第一清洗液經(jīng)所述排水閥排出； 一第二清洗槽，位于所述第一清洗槽與所述堿槽之間； 一第二沖洗裝置，設(shè)于所述第二清洗槽中，其中所述第二清洗槽適用以承接利用所述第二沖洗裝置進(jìn)行清洗后的一第二清洗液；以及 一泵裝置，適用以將所述第二清洗液循環(huán)到所述第一清洗槽供所述第一沖洗裝置使用。
2.如權(quán)利要求1所述的硅片清洗機(jī)構(gòu)，還包含一第一風(fēng)干裝置，設(shè)于所述第一清洗槽中，且適用以吹除經(jīng)所述第一沖洗裝置沖洗后的一硅片上的所述第一清洗液以及將噴向所述第二清洗槽的所述第一清洗液吹回所述第一清洗槽。
3.如權(quán)利要求2所述的硅片清洗機(jī)構(gòu)，還包含一第二風(fēng)干裝置，設(shè)于該第二清洗槽中，且適用以吹除經(jīng)所述第二沖洗裝置沖洗后的所述硅片上的所述第二清洗液。
4.如權(quán)利要求1所述的硅片清洗機(jī)構(gòu)，還包含一第三清洗槽，位于所述堿槽的下游，其中所述堿槽位于所述第一酸槽的下游。
5.如權(quán)利要求4所述的硅片清洗機(jī)構(gòu)，還包含一清洗液供應(yīng)源，以分別供應(yīng)所述第二清洗液和一第三清洗液予所述第二沖洗裝置與該第三清洗槽。
6.如權(quán)利要求4所述的硅片清洗機(jī)構(gòu)，還包含一管路，與所述第三清洗槽連通，適用以排放所述第三清洗槽溢流出的所述第三清洗液。
7.如權(quán)利要求4所述的硅片清洗機(jī)構(gòu)，還包含: 一第四清洗槽，位于所述堿槽與所述第三清洗槽之間；以及 一第二酸槽，位于所述第四清洗槽與所述第三清洗槽之間。
【文檔編號(hào)】B08B3/08GK104226626SQ201310308659
【公開日】2014年12月24日 申請日期:2013年7月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月17日
【發(fā)明者】陳豪忠, 許景勛 申請人:茂迪股份有限公司