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      一種有蠟拋光陶瓷盤的清洗方法

      文檔序號:1435765閱讀:632來源:國知局
      一種有蠟拋光陶瓷盤的清洗方法
      【專利摘要】本發(fā)明創(chuàng)造提供一種高效低成本有蠟拋光陶瓷盤的清洗方法。該方法是先配制KOH溶液作為去蠟清洗劑,然后采用所述去蠟清洗劑對有蠟拋光后的陶瓷盤進(jìn)行藥洗,藥洗至少兩次后,再用純水清洗至少兩次。本方法可有效去除陶瓷盤表面蠟跡,成本低,效果穩(wěn)定。
      【專利說明】一種有蠟拋光陶瓷盤的清洗方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本發(fā)明創(chuàng)造涉及有蠟拋光陶瓷盤表面蠟跡的去除領(lǐng)域,特別涉及一種高效低成本的有蠟拋光陶瓷盤的清洗方法。
      【背景技術(shù)】
      [0002]近年來,由于對拋光片幾何參數(shù)要求愈加嚴(yán)格,越來越多的企業(yè)采用加工精度較好的有蠟拋光設(shè)備。由于貼片用的陶瓷盤是循環(huán)使用,為了保證加工精度,陶瓷盤表面必須平整,即貼片前要將陶瓷盤表面鏟片后殘留的蠟去除干凈,目前很多企業(yè)使用DEVEL-A作為去蠟劑,但DEVEL-A價格較高,用量較大,清洗時間較長,導(dǎo)致產(chǎn)品加工成本較高,使企業(yè)在日趨激烈的市場競爭中處于不利位置。這就需要研發(fā)一種高效去蠟,成本較低的陶瓷盤清洗方法。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0003]本發(fā)明創(chuàng)造要解決的問題是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種高效低成本的有蠟拋光陶瓷盤的清洗方法,以滿足生產(chǎn)的需要。
      [0004]為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明創(chuàng)造采用的技術(shù)方案是:
      [0005]一種有蠟拋光陶瓷盤的清洗方法,所述的清洗方法是先配制Κ0Η溶液作為去蠟清洗劑,然后采用所述去蠟清洗劑對有蠟拋光后的陶瓷盤進(jìn)行藥洗,藥洗至少兩次后,再用純水清洗至少兩次。
      [0006]所述Κ0Η溶液是質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3%_5%的Κ0Η溶液。
      [0007]優(yōu)選地,所述Κ0Η溶液是質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3%的Κ0Η溶液。
      [0008]所述藥洗過程的溫度為55_70°C,清洗時間為90-120S,所述水洗過程的溫度為70-80°C,清洗時間設(shè)為90-120s。
      [0009]優(yōu)選地,所述藥洗過程的溫度為55°C,清洗時間為90s,所述水洗過程的溫度為80°C,清洗時間設(shè)為90s。
      [0010]更優(yōu)選的,所述的清洗方法是先配制質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3%的Κ0Η溶液作為去蠟清洗劑,然后采用所述去蠟清洗劑對有蠟拋光后的陶瓷盤進(jìn)行藥洗,藥洗溫度為55°C,清洗時間設(shè)為90s,藥洗兩次后,再用純水清洗兩次,水洗溫度為80°C,清洗時間設(shè)為90s。
      [0011]本發(fā)明創(chuàng)造具有的優(yōu)點和積極效果是采用本方法對有蠟拋光陶瓷盤進(jìn)行清洗,可迅速有效去除表面蠟跡,具有清洗時間短、不會影響貼片機(jī)貼片速度等優(yōu)點,可以提高生產(chǎn)效率,同時本方法所用去蠟劑成本低,降低了產(chǎn)品加工成本。與DEVEL-A相比,每次配液可節(jié)省1600元(DEVEL-A的市場價格為1800元/桶,每桶20L,每次配液用量1桶;固體Κ0Η市場價格為10元/瓶,每瓶500g,每次配液用量20瓶。)
      【具體實施方式】
      [0012]為了更清楚的理解本發(fā)明,下面結(jié)合具體實施例對本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)描述:[0013]實施例1
      [0014]本實施例是采用本發(fā)明所公開方法對200個有蠟拋光陶瓷盤進(jìn)行清洗。加工設(shè)備為有蠟拋光陶瓷盤清洗機(jī)YWA-19 ;輔助材料包括Κ0Η(固體)、純水和陶瓷盤。
      [0015]清洗方法如下:
      [0016](1)先用固體Κ0Η配置成濃度為3%的Κ0Η溶液作為去蠟清洗劑;
      [0017](2)將陶瓷盤清洗機(jī)的1、2槽作為藥液槽,3、4槽作為純水槽,并將3%的Κ0Η溶液放進(jìn)1、2槽內(nèi),將純水放進(jìn)3、4槽內(nèi);
      [0018](3 )將1、2槽內(nèi)的溫度設(shè)定為55°C,3、4槽溫度設(shè)定為80 V,清洗時間均設(shè)為90s,對有蠟拋光陶瓷盤進(jìn)行逐一清洗,清洗順序為由1至4,先藥洗兩次再水洗兩次;
      [0019](4)將清洗過的陶瓷盤收集備用。
      [0020]實施例2
      [0021]對200個有蠟拋光陶瓷盤進(jìn)行清洗:加工設(shè)備為有蠟拋光陶瓷盤清洗機(jī)YWA-19 ;輔助材料包括Κ0Η(固體)、純水和陶瓷盤。清洗方法同實施例1,具體條件見表1。
      [0022]表1
      [0023]
      【權(quán)利要求】
      1.一種有蠟拋光陶瓷盤的清洗方法,其特征在于:所述的清洗方法是先配制KOH溶液作為去蠟清洗劑,然后采用所述去蠟清洗劑對有蠟拋光后的陶瓷盤進(jìn)行藥洗,藥洗至少兩次后,再用純水清洗至少兩次。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗方法,其特征在于:所述KOH溶液是質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3%-5%的KOH溶液。
      3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的清洗方法,其特征在于:所述KOH溶液是質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3%的KOH溶液。
      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗方法,其特征在于:所述藥洗過程的溫度為55-70°C,清洗時間為90-120S,所述水洗過程的溫度為70-80°C,清洗時間設(shè)為90_120s。
      5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的清洗方法,其特征在于:所述藥洗過程的溫度為55°C,清洗時間為90s,所述水洗過程的溫度為80°C,清洗時間設(shè)為90s。
      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗方法,其特征在于:所述的清洗方法是先配制質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3%的KOH溶液作為去蠟清洗劑,然后采用所述去蠟清洗劑對有蠟拋光后的陶瓷盤進(jìn)行藥洗,藥洗溫度為55°C,清洗時間設(shè)為90s,藥洗兩次后,再用純水清洗兩次,水洗溫度為80°C,清洗時間設(shè)為90s。
      【文檔編號】B08B3/08GK103639142SQ201310667160
      【公開日】2014年3月19日 申請日期:2013年12月9日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月9日
      【發(fā)明者】孫晨光, 石明, 魏艷軍, 垢建秋, 張宇 申請人:天津中環(huán)領(lǐng)先材料技術(shù)有限公司
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