具有改進(jìn)的阻擋層相容性和清潔性能的cpm后配制物的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種用于從其上具有化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)后殘留物和污染物的微電子器件清除所述殘留物和污染物的清潔組合物和方法。所述清潔組合物包含至少一種季堿、至少一種胺、至少一種氮雜唑腐蝕抑制劑、至少一種還原劑和至少一種溶劑。所述組合物實(shí)現(xiàn)所述CPM后殘留物和污染物材料從所述微電子器件表面的高效清除，并同時與阻擋層相容，其中所述阻擋層實(shí)質(zhì)上不含鉭或鈦。
【專利說明】具有改進(jìn)的阻擋層相容性和清潔性能的CPM后配制物

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 總的來說，本發(fā)明涉及用于從其上具有殘留物和/或污染物的微電子器件充分且 有效地清除所述殘留物和/或污染物的組合物。

【背景技術(shù)】
[0002] 眾所周知，集成電路（IC)制造商用銅代替鋁和鋁合金用于高級微電子應(yīng)用，這是 因?yàn)殂~具有更高的電導(dǎo)率，從而導(dǎo)致互連性能的顯著提高。此外，基于銅的互連線與鋁相比 提供了更好的耐電遷移性，從而提高了互連可靠性。即便如此，銅的啟用面臨某些挑戰(zhàn)。例 如，通常，銅（Cu)與二氧化硅（SiO2)和其他介電材料的附著不良。不良的附著導(dǎo)致在制造 過程中Cu從毗鄰的薄膜脫層。此外，Cu離子在偏電壓下容易擴(kuò)散到SiO2中，并增加 Cu線 之間的介電層漏電，即使在介電層內(nèi)的Cu濃度非常低的情況下。此外，如果銅擴(kuò)散到下方 的配置了有源器件的硅中，器件性能可能降低。
[0003] 銅在二氧化硅（SiO2)中以及在其他金屬間介電材料（MD)/層間介電材料（ILD) 中的高擴(kuò)散率的問題，仍然受到極大關(guān)注。為了應(yīng)對這一問題，必須將集成電路基材用包封 銅并阻斷銅原子擴(kuò)散的適合的阻擋層涂層。包含導(dǎo)電和不導(dǎo)電材料兩者的阻擋層，通常在 圖案化的介電層之上并在沉積銅之前形成。已知阻擋層的厚度如果過大，能夠?qū)﹄S后的鍍 銅和超細(xì)零件例如直徑小于IOOnm的通道的填充造成問題。如果直徑小于IOOnm的通道內(nèi) 的阻擋層過厚，它將減小所述零件內(nèi)銅的可用體積，引起通道的電阻增加，這可能抵消由銅 的使用所提供的優(yōu)勢。用于阻擋層的典型材料包括鉭（Ta)、氮化鉭（TaNx)、鎢（W)、鈦（Ti)、 氮化鈦（TiN)等。
[0004] 電解沉積法被用于用銅填充導(dǎo)電通路。在通過銅的電解沉積對線型通道進(jìn)行內(nèi)嵌 之前，必須在阻擋層頂上施加導(dǎo)電表面涂層，這是因?yàn)槌Ｒ?guī)的阻擋層材料表現(xiàn)出高電阻率， 因此在電解鍍銅期間不能運(yùn)輸電流。通常，將PVD銅種晶層沉積在阻擋層上。接下來，通過 電鍍將厚得多的銅層沉積在種晶層上。在銅的沉積完成后，通常通過化學(xué)機(jī)械平整化（CMP) 將銅向下平整化直至介電層，準(zhǔn)備用于進(jìn)一步加工。
[0005] 在IC中持續(xù)不斷的朝向更小零件尺寸的趨勢，要求減小阻擋層的厚度以將常規(guī) 阻擋層對電阻的貢獻(xiàn)降至最低。因此，用具有較低電阻的較新材料代替常規(guī)阻擋層是具有 吸引力的。這是因?yàn)椋鼘⑦M(jìn)一步提高圖案、即線和通道內(nèi)的電導(dǎo)率，從而與使用常規(guī)阻擋 層的互連結(jié)構(gòu)相比提高信號傳播速度。此外，直接在導(dǎo)電的阻擋層材料上電解鍍銅排除了 單獨(dú)的銅種晶層的使用，由此簡化了總體工藝。在可以用作可直接鍍層的擴(kuò)散阻擋層的各 種候選材料中，已建議了使用釕（Ru)、鈷（Co)、鎢（W)、鑰（Mo)、錸（Rh)、錳（Mn)及其合金。
[0006] 涉及晶片基材表面制備、沉積、鍍層、蝕刻和化學(xué)機(jī)械拋光的上述加工操作，以各 種方式需要清潔操作以確保微電子器件產(chǎn)品不含否則將不利地影響產(chǎn)品的功能或甚至使 其不可用于其目標(biāo)功能的污染物。通常，這些污染物的粒子小于0.3 ym。
[0007] 就此而言，一個具體問題是在CMP加工后留在微電子器件基材上的殘留物。這樣 的殘留物包括CMP材料和腐蝕抑制劑化合物例如苯并三唑（BTA)。如果不被除去，這些殘留 物可以引起銅線的損壞或使銅金屬化變得十分粗糙，并且造成CPM后在器件基材上施加的 層附著不良。銅金屬化的嚴(yán)重粗糙化特別成問題，這是由于過度粗糙的銅可以造成微電子 器件產(chǎn)品的電學(xué)性能不良。為此，已開發(fā)了 CPM后清除組合物以去除CPM后殘留物和污染 物。
[0008] 由于引入了新的阻擋層，因此必須開發(fā)CPM后清除組合物以確保所述組合物對 銅、介電層和所述新的阻擋層材料沒有不利影響，同時仍去除CPM后殘留物和污染物。因 此，本公開的目的是確定新的CPM后組合物，其將實(shí)質(zhì)性地并有效地去除CPM后殘留物和污 染物，并且對微電子器件沒有不利影響。
[0009] 發(fā)明概述
[0010] 總的來說，本發(fā)明涉及用于從其上具有殘留物和/或污染物的微電子器件清除所 述殘留物和/或污染物的組合物和方法。本發(fā)明的清潔組合物與暴露的材料相容，并在同 時從所述微電子器件的表面實(shí)質(zhì)性地去除所述CPM后殘留物和污染物。
[0011] 從下面的公開內(nèi)容和權(quán)利要求書，其他方面、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)將更充分地顯現(xiàn)。
[0012] 詳細(xì)描述及其優(yōu)選實(shí)施方式
[0013] 總的來說，本發(fā)明涉及用于從其上具有殘留物和/或污染物的微電子器件清除所 述殘留物和/或污染物的組合物和方法。本發(fā)明的清潔組合物與暴露的材料相容，并在同 時從所述微電子器件的表面實(shí)質(zhì)性地去除所述CPM后殘留物和污染物。更具體來說，所 述組合物被配制成對銅、介電層和所述新的阻擋層材料（例如釕（Ru)、鈷（Co)、鎢（W)、鑰 (Mo)、錸（Rh)、錳（Mn)及其合金）沒有不利影響，同時仍去除CPM后殘留物和污染物。所述 組合物也可用于蝕刻后或灰化后殘留物的去除。
[0014] 為了便于指稱，"微電子器件"是指被制造用于微電子、集成電路或計算機(jī)芯片應(yīng) 用的半導(dǎo)體基材、平板顯示器、相變存儲器件、太陽能板和包括太陽能基材的其他產(chǎn)品、光 伏器件和微電子機(jī)械系統(tǒng)（MEMS)。太陽能基材包括但不限于硅、無定形硅、多晶硅、單晶硅、 CdTe、銅銦硒化物、銅銦硫化物、和鎵上的砷化鎵。太陽能基材可以是摻雜或未摻雜的。應(yīng) 該理解，術(shù)語"微電子器件"不意味著以任何方式進(jìn)行限制，并包括最終變成微電子器件或 微電子組裝件的任何物質(zhì)。
[0015] 當(dāng)在本文中使用時，"殘留物"是指在微電子器件制造期間產(chǎn)生的粒子，所述制造 包括但不限于等離子體蝕刻、灰化、化學(xué)機(jī)械拋光、濕法蝕刻及其組合。
[0016] 當(dāng)在本文中使用時，"污染物"是指CMP漿液中存在的化學(xué)物質(zhì)、拋光漿液的反應(yīng)副 產(chǎn)物、濕法蝕刻組合物中存在的化學(xué)物質(zhì)、濕法蝕刻組合物的反應(yīng)副產(chǎn)物，以及作為CMP過 程、濕法蝕刻、等離子體蝕刻或等離子體灰化過程的副產(chǎn)物的任何其他材料。
[0017] 當(dāng)在本文中使用時，"CPM后殘留物"是指來自于拋光漿液的粒子例如含二氧化硅 粒子、拋光漿液中存在的化學(xué)物質(zhì)、拋光漿液的反應(yīng)副產(chǎn)物、富含碳的粒子、拋光墊粒子、刷 脫落粒子、設(shè)備建造材料粒子、銅、銅氧化物、有機(jī)殘留物、阻擋層殘留物以及作為CMP過程 的副產(chǎn)物的任何其他材料。
[0018] 正如本文中所定義的，"低k介電材料"是指在分層微電子器件中用作介電材料的 任何材料，其中所述材料具有小于約3. 5的介電常數(shù)。優(yōu)選地，低k介電材料包括低極性材 料，例如含娃有機(jī)聚合物、含娃雜合有機(jī)/無機(jī)材料、有機(jī)娃酸鹽玻璃（OSG)、TE0S、含氟娃 酸鹽玻璃（FSG)、碳摻雜型氧化物（CDO)玻璃、來自于Novellus Systems, Inc.的CORAL?、 來自于 Applied Materials, Inc?的 BLACK DIAMOND?、來自于 Dow Corning, Inc?的 SiLK? 以及Nanopore，Inc的NANOGLASS?等。應(yīng)該認(rèn)識到，低k介電材料可以具有不同的密度和 不同的孔隙度。
[0019] 正如在本文中所定義的，術(shù)語"阻擋層材料"是指在本領(lǐng)域中用于密封金屬線例如 銅互連線，以使所述金屬例如銅在介電材料中的擴(kuò)散最小化的任何材料。常規(guī)的阻擋層材 料包括鉭或鈦、它們的氮化物和硅化物，及其合金?？梢杂米髦苯涌慑儗訑U(kuò)散阻擋層的新的 候選材料包括釕（Ru)、鈷（Co)、鎢（W)、鑰（Mo)、錸（Rh)、錳（Mn)及其合金。
[0020] 正如在本文中所定義的，"復(fù)合劑"包括被本領(lǐng)域技術(shù)人員理解為是復(fù)合劑、螯合 劑和/或多價螯合劑的化合物。復(fù)合劑與將要使用本文描述的組合物去除的金屬原子和/ 或金屬離子在化學(xué)上合并，或在物理上持留所述金屬原子和/或金屬離子。
[0021] 正如在本文中所定義的，"蝕刻后殘留物"是指在氣相等離子體蝕刻過程例如BEOL 雙嵌入式加工或濕法蝕刻過程后殘留的材料。蝕刻后殘留物在本質(zhì)上可以是有機(jī)的、有機(jī) 金屬的、有機(jī)娃的或無機(jī)的，例如含娃材料、基于碳的有機(jī)材料和蝕刻氣體殘留物例如氧和 弗I。
[0022] 正如在本文中所定義的，當(dāng)在本文中使用時，"灰化后殘留物"是指在氧化或還原 等離子體灰化以除去變硬的光致蝕刻劑和/或底部抗反射涂層（BARC)材料后殘留的材料。 灰化后殘留物在本質(zhì)上可以是有機(jī)的、有機(jī)金屬的、有機(jī)硅的或無機(jī)的。
[0023] "實(shí)質(zhì)上不含"在本文中被定義為少于2重量％，優(yōu)選地少于1重量％，更優(yōu)選地少 于0. 5重量％，甚至更優(yōu)選地少于0. 1重量％，最優(yōu)選為0重量％。
[0024] 當(dāng)在本文中使用時"約"打算是指所述值的±5%。
[0025] 正如在本文中所定義的，"反應(yīng)或降解產(chǎn)物"包括但不限于作為表面處的催化、氧 化、還原、與組成成分的反應(yīng)或以其他方式聚合的結(jié)果而形成的產(chǎn)物或副產(chǎn)物，作為其中物 質(zhì)或材料（例如分子、化合物等）與其他物質(zhì)或材料合并、與其他物質(zhì)或材料相互交換組 分、分解、重排或以其他方式在化學(xué)和/或物理上改變的變化或轉(zhuǎn)化的結(jié)果而形成的產(chǎn)物 或副產(chǎn)物，包括任何上述反應(yīng)、變化和/或轉(zhuǎn)化或其任何組合的中間產(chǎn)物或副產(chǎn)物。應(yīng)該認(rèn) 識到，反應(yīng)或降解產(chǎn)物可能具有比原始反應(yīng)物更大或更小的摩爾質(zhì)量。
[0026] 正如在本文中所定義的，"嘌呤和嘌呤衍生物"包括：核糖基嘌呤例如N-核糖基嘌 呤、腺苷、鳥苷、2-氨基嘌呤核糖苷、2-甲氧基腺苷及其甲基化或脫氧衍生物例如N-甲基腺 苷（C11H15N5O4)、N，N-二甲基腺苷（C 12H17N5O4)、三甲基化腺苷（C13H 19N5O4)、三甲基N-甲基腺 苷（C14H21N5O4)、C-4甲基腺苷和3-脫氧腺苷；腺苷和腺苷衍生物的降解產(chǎn)物，包括但不限 于腺嘌呤（C5H5N5)、甲基化腺嘌呤（例如N-甲基-7H-嘌呤-6-胺，C 6H7N5)、二甲基化腺嘌呤 (例如 N，N-二甲基-7H-嘌呤-6-胺，C7H9N5)、N4, M-二甲基嘧啶-4, 5, 6-三胺（C6H11N5)、 4, 5, 6-三氨基嘧陡、尿囊素（C4H6N4O3)、羥基化C-0-0-C二聚體（(C 5H4N5O2) 2)、C-C橋接的二 聚體（(C5H4N5)2或（C5H 4N5O)2)、核糖（C5HltlO 5)、甲基化核糖（例如5-(甲氧基甲基）四氫呋 喃-2, 3, 4-三醇，C6H12O5)、四甲基化核糖（例如2, 3, 4-三甲氧基-5-(甲氧基甲基）四氫呋 喃，C9H18O5)和其他核糖衍生物例如甲基化的水解的二核糖化合物；嘌呤-糖復(fù)合物，包括但 不限于木糖、葡萄糖等；以及其他嘌呤化合物例如嘌呤、鳥嘌呤、次黃嘌呤、黃嘌呤、咖啡因、 尿酸和異鳥嘌呤，及其甲基化或脫氧衍生物。
[0027] 當(dāng)在本文中使用時，對從其上具有殘留物和污染物的微電子器件清除所述殘留物 和污染物的"適合性"，是指從微電子器件至少部分去除所述殘留物/污染物。清潔效率通 過微電子器件上的物體的減少來評定。例如，可以在清潔之前和之后使用原子力顯微鏡進(jìn) 行分析。樣品上的粒子可以被登記為一系列像素。可以應(yīng)用直方圖（例如Sigma Scan Pro) 來過濾某些強(qiáng)度例如231-235內(nèi)的像素，并對粒子數(shù)目進(jìn)行計數(shù)。粒子的減少可以使用下 列公式來計算：
[0028]

【權(quán)利要求】
1. 一種從其上具有殘留物和污染物的微電子器件去除所述殘留物和污染物的方法，所 述方法包括將所述微電子器件與清潔組合物接觸足以至少部分地從所述微電子器件清除 所述殘留物和污染物的時間，其中所述清潔組合物包含至少一種季堿、至少一種胺、至少一 種氮雜唑腐蝕抑制劑、至少一種還原劑和至少一種溶劑，其中所述微電子器件包含暴露的 阻擋層，所述阻擋層減少銅在低k介電材料中的擴(kuò)散。
2. 權(quán)利要求1的方法，其中所述清潔組合物特別地用于從微電子器件結(jié)構(gòu)清除殘留物 和污染物而不損壞金屬互連線、阻擋層和低k介電材料。
3. 權(quán)利要求2的方法，其中所述殘留物選自CPM后殘留物、蝕刻后殘留物和灰化后殘留 物。
4. 前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的方法，其中在從所述微電子器件去除殘留物材料之前，所述 清潔組合物實(shí)質(zhì)上不含氧化劑、含氟化物源、研磨材料、鞣酸、堿金屬堿和/或堿土金屬堿、 有機(jī)溶劑、嘌呤和嘌呤衍生物、偕胺肟、氰尿酸、三氨基嘧啶、巴比妥酸及其衍生物、葡萄糖 醛酸、方酸、丙酮酸、膦酸及其衍生物、菲咯啉、甘氨酸、煙酰胺及其衍生物、類黃酮例如黃酮 醇和花青苷及其衍生物，以及它們的組合。
5. 前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的方法，其中所述至少一種氮雜唑包含選自以下的物質(zhì)：苯 并三唑、1，2, 4-三唑（TAZ)、甲苯基三唑、5-苯基-苯并三唑、5-硝基-苯并三唑、3-氨 基-5-巰基-1，2, 4-三唑、1-氨基-1，2, 4-三唑、羥基苯并三唑、2-(5-氨基-戊基）-苯并三 唑、1，2, 3-三唑、1-氨基-1，2, 3-三唑、1-氨基-5-甲基-1，2, 3-三唑、3-氨基-1，2, 4-三 唑、3-巰基-1，2, 4-三唑、3-異丙基-1，2, 4-三唑、5-苯基硫醇-苯并三唑、鹵代苯并三唑 (鹵素=F、Cl、Br或I)、萘并三唑、2-巰基苯并咪唑（MBI)、2_巰基苯并噻唑、4-甲基-2-苯 基咪唑、5-氨基四唑、5-氨基-1，3, 4-噻二唑-2-硫醇、噻唑、甲基四唑、1，5-五亞甲基四 唑、1-苯基-5-巰基四唑、4-甲基-4H-1，2, 4-三唑-3-硫醇、5-氨基-1，3, 4-噻二唑-2-硫 醇、苯并噻唑、咪唑、吲唑及其組合。
6. 前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的方法，其中所述至少一種氮雜唑包含1，2, 4-三唑。
7. 前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的方法，其中所述至少一種胺包含選自以下的物質(zhì)：氨基乙基 乙醇胺、N-甲基氨基乙醇、氨基乙氧基乙醇、二甲基氨基乙氧基乙醇、二乙醇胺、N-甲基二 乙醇胺、單乙醇胺、三乙醇胺、1-氨基-2-丙醇、2-氨基-1-丁醇、異丁醇胺、三亞乙基二胺、 四亞乙基五胺（TEPA)、4-(2-羥基乙基）嗎啉（HEM)、N-氨基乙基哌嗪（N-AEP)、乙二胺四 乙酸（EDTA)、1，2-環(huán)己烷二胺-N，N，N'，N'-四乙酸（CDTA)、亞氨基二乙酸（IDA)、2-(羥 基乙基）亞氨基二乙酸（HIDA)、次氮基三乙酸及其組合。
8. 前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的方法，其中所述至少一種胺包含單乙醇胺。
9. 前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的方法，其中所述至少一種季堿包含選自以下的物質(zhì)：四甲基 氫氧化銨（TMAH)、四丙基氫氧化銨（TPAH)、四丁基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨、芐基三乙基 氫氧化銨、芐基三甲基氫氧化銨、三丁基甲基氫氧化銨、氫氧化銨、膽堿氫氧化物、四丁基氫 氧化鱗（TBPH)、（2-羥基乙基）三甲基氫氧化銨、（2-羥基乙基）三乙基氫氧化銨、（2-羥 基乙基）三丙基氫氧化銨、（1-羥基丙基）三甲基氫氧化銨、乙基三甲基氫氧化銨、二乙基 二甲基氫氧化銨（DEDMAH)及其組合。
10. 前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的方法，其中所述至少一種季堿包含TMAH。
11. 前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的方法，其中所述至少一種還原劑包含選自以下的物質(zhì)：抗 壞血酸、L (+)-抗壞血酸、異抗壞血酸、抗壞血酸衍生物及其組合。
12. 前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的方法，其中所述至少一種還原劑包含抗壞血酸。
13. 前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的方法，其中所述至少一種溶劑包含水。
14. 前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的方法，其中所述清潔組合物的pH在約10至大于14的范圍 內(nèi)。
15. 前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的方法，其中所述清潔組合物的pH大于13。
16. 前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的方法，其包含四甲基氫氧化銨、單乙醇胺、1，2, 4-三唑、抗 壞血酸和水。
17. 前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的方法，其中所述清潔組合物還包含至少一種復(fù)合劑。
18. 權(quán)利要求17的方法，其中所述至少一種復(fù)合劑包含選自以下的物質(zhì)：乙酸、丙酮 肟、丙烯酸、己二酸、丙氨酸、精氨酸、天冬酰胺、天冬氨酸、甜菜堿、二甲基乙二肟、甲酸、延 胡索酸、葡萄糖酸、谷氨酸、谷氨酰胺、戊二酸、甘油酸、甘油、乙醇酸、乙醛酸、組氨酸、亞氨 基二乙酸、間苯二甲酸、衣康酸、乳酸、亮氨酸、賴氨酸、馬來酸、馬來酸酐、蘋果酸、丙二酸、 扁桃酸、2, 4-戊二酮、苯乙酸、苯丙氨酸、鄰苯二甲酸、脯氨酸、丙酸、鄰苯二酚、均苯四甲酸、 奎尼酸、絲氨酸、山梨糖醇、琥珀酸、酒石酸、對苯二甲酸、偏苯三甲酸、均苯三甲酸、酪氨酸、 纈氨酸、木糖醇、其鹽及其衍生物、4-(2-羥基乙基）嗎啉（HEM)、乙二胺四乙酸（EDTA)、 1，2_環(huán)己烷二胺-N，N，N'，N'-四乙酸（⑶TA)、間二甲苯二胺（MXDA)、甘氨酸/抗壞 血酸、亞氨基二乙酸（IDA)、2-(羥基乙基）亞氨基二乙酸（HIDA)、次氮基三乙酸、硫脲、 1，1，3, 3-四甲基脲、脲、脲衍生物、尿酸、甘氨酸、丙氨酸、精氨酸、天冬酰胺、天冬氨酸、半胱 氨酸、谷氨酸、谷氨酰胺、組氨酸、異亮氨酸、亮氨酸、賴氨酸、甲硫氨酸、苯丙氨酸、脯氨酸、 絲氨酸、蘇氨酸、色氨酸、酪氨酸、纈氨酸及其組合。
19. 權(quán)利要求17的方法，其中所述至少一種復(fù)合劑包含EDTA。
20. 前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的方法，其中所述暴露的阻擋層包含選自以下的至少一種物 質(zhì)：釕（Ru)、鈷（Co)、鎢（W)、鑰（Mo)、錸（Rh)、錳（Mn)、其合金及其組合。
21. 前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的方法，其中所述CPM后殘留物包含選自以下的材料：來自于 CMP拋光漿液的粒子，CMP拋光漿液中存在的化學(xué)物質(zhì)，CMP拋光漿液的反應(yīng)副產(chǎn)物，富含碳 的粒子，拋光墊粒子，刷脫落粒子，設(shè)備建造材料粒子，銅，銅氧化物，及其組合。
22. 前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的方法，其中所述接觸包括選自以下的條件：約15秒至約5 分鐘的時間，約20°C至約50°C范圍內(nèi)的溫度，及其組合。
23. 前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的方法，其還包括在使用時間點(diǎn)時或之前用溶劑稀釋所述清 潔組合物。
24. 權(quán)利要求23的方法，其中所述溶劑包含水。
25. 前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的方法，其中所述微電子器件包括含銅材料。
26. 前述權(quán)利要求任一項(xiàng)的方法，其還包括在與所述清潔組合物接觸后用去離子水漂 洗所述微電子器件。
【文檔編號】C11D3/30GK104334706SQ201380014993
【公開日】2015年2月4日 申請日期:2013年3月14日 優(yōu)先權(quán)日:2012年3月18日
【發(fā)明者】劉俊, 特雷斯·昆廷·赫德, 孫來生, 史蒂文·梅德, 鄭湘寧 申請人:安格斯公司