用于薄片盤(pán)狀物的清洗裝置及方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種用于薄片盤(pán)狀物的清洗裝置及方法，屬于半導(dǎo)體工藝制造領(lǐng)域，在工藝腔內(nèi)設(shè)置低速收集環(huán)和至少一個(gè)高速收集環(huán)，通過(guò)調(diào)整高速收集環(huán)的高低檔位，在工藝腔內(nèi)劃分不同的排液通道，減少清洗介質(zhì)因交叉污染對(duì)硅片清洗工藝帶來(lái)不利的影響，除此以外，抽氣腔保持對(duì)工藝腔內(nèi)的氣流進(jìn)行抽氣，抑制化學(xué)試劑揮發(fā)至工藝腔體的外圍，可實(shí)現(xiàn)對(duì)硅片清洗工藝中的不同清洗介質(zhì)進(jìn)行不同的排液處理，同時(shí)可實(shí)現(xiàn)對(duì)不同的工藝過(guò)程流場(chǎng)的排氣控制，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單實(shí)用。
【專利說(shuō)明】用于薄片盤(pán)狀物的清洗裝置及方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于半導(dǎo)體工藝制造領(lǐng)域，涉及一種用于薄片盤(pán)狀物的清洗裝置及方法。

【背景技術(shù)】
[0002] 在隨著集成電路特征尺寸進(jìn)入到深亞微米階段，集成電路晶片制造工藝中所要求 的晶片表面的潔凈度越來(lái)越苛刻，為了保證晶片材料表面的潔凈度，集成電路的制造工藝 中存在數(shù)百道清洗工序，清洗工序占了整個(gè)制造過(guò)程的30 %。
[0003] 目前常用的硅片清洗方法以單片濕法化學(xué)清洗為主，常用的單片濕法化學(xué)清洗的 普遍方法為：卡盤(pán)夾持硅片旋轉(zhuǎn)，同時(shí)使用不同的噴淋臂在硅片表面噴灑不同的工藝介質(zhì)， 使用環(huán)狀的工藝腔體對(duì)工藝介質(zhì)進(jìn)行收集，最后借助氮?dú)饣蚱渌橘|(zhì)甩干硅片。由于濕法 化學(xué)清洗的過(guò)程用到多種酸堿試劑、有機(jī)溶劑、超純水以及氮?dú)獾龋瑖娏芨鞣N清洗介質(zhì)在同 一工藝腔內(nèi)往往會(huì)交叉污染，為減少因交叉污染對(duì)硅片清洗工藝帶來(lái)不利的影響，需要對(duì) 清洗硅片的不同介質(zhì)進(jìn)行分開(kāi)處理，回收或者直接排放掉，除此以外，工藝過(guò)程中工藝腔內(nèi) 需要有較好的氣流場(chǎng)抑制化學(xué)試劑揮發(fā)至工藝腔體的外圍。
[0004] 因此，本領(lǐng)域技術(shù)人員需對(duì)現(xiàn)有的薄片盤(pán)狀物的清洗裝置及方法進(jìn)行改進(jìn)，減少 因交叉污染對(duì)硅片清洗工藝帶來(lái)不利的影響。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005] 針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足之處，本發(fā)明的目的是提供一種用于薄片盤(pán)狀物的清洗裝置 及方法，減少因交叉污染對(duì)硅片清洗工藝帶來(lái)不利的影響。
[0006] 本發(fā)明目的通過(guò)下述技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)：
[0007] 本發(fā)明提供一種用于薄片盤(pán)狀物的清洗裝置，包括工藝腔，包括：
[0008] 盤(pán)狀物承載平臺(tái)，包括卡盤(pán)和旋轉(zhuǎn)軸，所述旋轉(zhuǎn)軸安裝在所述卡盤(pán)下方且與所述 卡盤(pán)共軸線，所述旋轉(zhuǎn)軸用于帶動(dòng)所述卡盤(pán)做自旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)；
[0009] 第一驅(qū)動(dòng)裝置，設(shè)于所述旋轉(zhuǎn)軸的下方，驅(qū)動(dòng)所述旋轉(zhuǎn)軸做升降運(yùn)動(dòng)或自旋轉(zhuǎn)運(yùn) 動(dòng)；
[0010] 低速收集環(huán)，設(shè)于所述卡盤(pán)下方的圓周方向上，用于收集旋轉(zhuǎn)軸低速旋轉(zhuǎn)時(shí)排放 的清洗介質(zhì)，所述低速收集環(huán)上設(shè)有排液口用于排放清洗介質(zhì)，所述排液口連接排液通 道；
[0011] 至少一個(gè)高速收集環(huán)，設(shè)于所述卡盤(pán)的外圍，用于收集所述旋轉(zhuǎn)軸高速旋轉(zhuǎn)時(shí)排 放的清洗介質(zhì)，所述高速收集環(huán)下方設(shè)有第二驅(qū)動(dòng)裝置用于驅(qū)動(dòng)所述高速收集環(huán)做升降運(yùn) 動(dòng)；
[0012] 所述工藝腔的腔壁高度大于所述低速收集環(huán)的環(huán)壁高度，當(dāng)所述高速收集環(huán)下降 至低檔位時(shí)，所述高速收集環(huán)和所述低速收集環(huán)之間呈閉合狀態(tài)，同時(shí)所述高速收集環(huán)和 所述工藝腔腔壁之間呈打開(kāi)狀態(tài)，當(dāng)所述高速收集環(huán)上升至高檔位時(shí)，所述高速收集環(huán)和 所述工藝腔腔壁之間呈閉合狀態(tài)，同時(shí)所述高速收集環(huán)和所述低速收集環(huán)之間呈打開(kāi)狀 態(tài)；切換高速收集環(huán)的高低檔位，使其中任一高速收集環(huán)的一側(cè)環(huán)壁與相鄰的高速收集環(huán)、 低速收集環(huán)或工藝腔腔壁呈打開(kāi)狀態(tài)并形成不同的排液通道。
[0013] 優(yōu)選的，所述工藝腔的腔壁外圍設(shè)有抽氣腔，所述工藝腔與所述抽氣腔之間形成 用于抽氣的環(huán)形噴嘴，所述抽氣腔的腔壁連接設(shè)有抽氣泵的排氣管道。
[0014] 優(yōu)選的，所述排氣管道上設(shè)有用于調(diào)整排氣量的氣流微調(diào)裝置。
[0015] 優(yōu)選的，所述抽氣腔上方設(shè)有防止液體飛濺的遮擋環(huán)。
[0016] 優(yōu)選的，所述工藝腔與所述抽氣腔之間設(shè)有排液通道，所述排液通道用于收集氣 流冷凝后形成的液滴。
[0017] 優(yōu)選的，所述盤(pán)狀物承載平臺(tái)的上方設(shè)有用于清洗盤(pán)狀物的噴液管。
[0018] 優(yōu)選的，所述卡盤(pán)上設(shè)有至少三個(gè)用于夾持盤(pán)狀物的夾持件。
[0019] 本發(fā)明還提供一種用于薄片盤(pán)狀物的清洗方法，包括以下步驟：
[0020] S1、啟動(dòng)第一驅(qū)動(dòng)裝置，驅(qū)動(dòng)所述盤(pán)狀物承載平臺(tái)上升至裝載位置，夾持盤(pán)狀物后 下降至工藝位置；
[0021] S2、第二驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)所述高速收集環(huán)做升降運(yùn)動(dòng)，使其中任一高速收集環(huán)的一 側(cè)環(huán)壁與相鄰的高速收集環(huán)、低速收集環(huán)或工藝腔腔壁呈打開(kāi)狀態(tài)并形成排液通道；
[0022] S3、第一驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)所述盤(pán)狀物承載平臺(tái)做自旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，所述噴液管?chē)娚涞谝?清洗介質(zhì)對(duì)所述盤(pán)狀物進(jìn)行清洗，第一清洗介質(zhì)通過(guò)排液通道排出，清洗完畢后停止噴射 第一清洗介質(zhì)；
[0023] S4、切換高速收集環(huán)的高低檔位，使其中任一高速收集環(huán)的一側(cè)環(huán)壁與相鄰的高 速收集環(huán)、低速收集環(huán)或工藝腔腔壁呈打開(kāi)狀態(tài)并形成區(qū)別于S2中的排液通道；
[0024] S5、所述噴液管?chē)娚涞诙逑唇橘|(zhì)對(duì)所述盤(pán)狀物進(jìn)行清洗，第二清洗介質(zhì)通過(guò)排 液通道排出，清洗完畢后停止噴射第二清洗介質(zhì)；
[0025] S6、重復(fù)步驟S4及S5 -次或多次，停止第一驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)所述盤(pán)狀物承載平臺(tái)做 自旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，當(dāng)其低速旋轉(zhuǎn)時(shí)，清洗介質(zhì)通過(guò)所述低速收集環(huán)上的排液口排出；
[0026] S7、第一驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)所述盤(pán)狀物承載平臺(tái)上升至卸載位置，取走盤(pán)狀物。
[0027] 優(yōu)選的，所述清洗過(guò)程中，所述抽氣腔保持對(duì)工藝腔內(nèi)的氣流進(jìn)行抽氣，并由抽氣 腔上的排氣管道排出。
[0028] 優(yōu)選的，清洗過(guò)程結(jié)束后，改變卡盤(pán)的旋轉(zhuǎn)速度將盤(pán)狀物表面的液體甩干。
[0029] 本發(fā)明在工藝腔內(nèi)設(shè)置低速收集環(huán)和至少一個(gè)高速收集環(huán)，通過(guò)調(diào)整高速收集環(huán) 的高低檔位，在工藝腔內(nèi)劃分不同的排液通道，減少清洗介質(zhì)因交叉污染對(duì)硅片清洗工藝 帶來(lái)不利的影響，除此以外，抽氣腔保持對(duì)工藝腔內(nèi)的氣流進(jìn)行抽氣，抑制化學(xué)試劑揮發(fā)至 工藝腔體的外圍，可實(shí)現(xiàn)對(duì)硅片清洗工藝中的不同清洗介質(zhì)進(jìn)行不同的排液處理，同時(shí)可 實(shí)現(xiàn)對(duì)不同的工藝過(guò)程流場(chǎng)的排氣控制，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單實(shí)用。

【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0030] 為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例中所需要使用的 附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng) 域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附 圖。
[0031] 圖1為本發(fā)明中盤(pán)狀物承載平臺(tái)處在裝載位置時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0032] 圖2為本發(fā)明通過(guò)調(diào)整高速收集環(huán)的高低檔位形成的第一排液通道的結(jié)構(gòu)示意 圖；
[0033] 圖3為本發(fā)明通過(guò)調(diào)整高速收集環(huán)的高低檔位形成的第二排液通道的結(jié)構(gòu)示意 圖；
[0034] 圖4為本發(fā)明通過(guò)調(diào)整高速收集環(huán)的高低檔位形成的第三排液通道的結(jié)構(gòu)示意 圖；
[0035] 圖5為本發(fā)明中盤(pán)狀物承載平臺(tái)處在卸載位置時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0036] 圖中標(biāo)號(hào)說(shuō)明如下：
[0037] 10、工藝腔；20、盤(pán)狀物承載平臺(tái)；21、卡盤(pán)；22、旋轉(zhuǎn)軸；23、夾持件；30、第一驅(qū)動(dòng) 裝置；40、低速收集環(huán)；41、排液口；50、高速收集環(huán)；50A、第一高速收集環(huán)；50B、第二高速收 集環(huán)；51、第二驅(qū)動(dòng)裝置；60、抽氣腔；61、環(huán)形噴嘴；62、排氣管道；63、氣流微調(diào)裝置；64、 遮擋環(huán)；65、排液通道；65A、第一排液通道；65B、第二排液通道；65C、第三排液通道；6?、第 四排液通道；70、噴液管；80、盤(pán)狀物。

【具體實(shí)施方式】
[0038] 以下將配合圖式及實(shí)施例來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式，藉此對(duì)本發(fā)明如何應(yīng)用 技術(shù)手段來(lái)解決技術(shù)問(wèn)題并達(dá)成技術(shù)功效的實(shí)現(xiàn)過(guò)程能充分理解并據(jù)以實(shí)施。
[0039] 本發(fā)明提供一種用于薄片盤(pán)狀物的清洗裝置，包括工藝腔10,還包括：盤(pán)狀物承 載平臺(tái)20,包括卡盤(pán)21和旋轉(zhuǎn)軸22,旋轉(zhuǎn)軸22安裝在卡盤(pán)21下方且與卡盤(pán)21共軸線，旋 轉(zhuǎn)軸22用于帶動(dòng)卡盤(pán)21做自旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)；第一驅(qū)動(dòng)裝置30,設(shè)于旋轉(zhuǎn)軸22的下方，驅(qū)動(dòng)旋 轉(zhuǎn)軸22做升降運(yùn)動(dòng)或自旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)；低速收集環(huán)40,設(shè)于卡盤(pán)21下方的圓周方向上，用于收 集旋轉(zhuǎn)軸22低速旋轉(zhuǎn)時(shí)排放的清洗介質(zhì)，低速收集環(huán)40上設(shè)有排液口 41用于排放清洗介 質(zhì)，排液口 41連接排液通道；至少一個(gè)高速收集環(huán)50,設(shè)于卡盤(pán)21的外圍，用于收集旋轉(zhuǎn) 軸22高速旋轉(zhuǎn)時(shí)排放的清洗介質(zhì)，高速收集環(huán)50下方設(shè)有第二驅(qū)動(dòng)裝置51用于驅(qū)動(dòng)高速 收集環(huán)50做升降運(yùn)動(dòng)；盤(pán)狀物承載平臺(tái)20的上方設(shè)有用于清洗盤(pán)狀物80的噴液管70,卡 盤(pán)21上設(shè)有至少三個(gè)用于夾持盤(pán)狀物80的夾持件23。
[0040] 所述工藝腔10的腔壁高度大于低速收集環(huán)40的環(huán)壁高度，當(dāng)高速收集環(huán)50下降 至低檔位時(shí)，高速收集環(huán)50和低速收集環(huán)40之間呈閉合狀態(tài)，同時(shí)高速收集環(huán)50和工藝 腔10腔壁之間呈打開(kāi)狀態(tài)，當(dāng)高速收集環(huán)50上升至高檔位時(shí)，高速收集環(huán)50和工藝腔10 腔壁之間呈閉合狀態(tài)，同時(shí)高速收集環(huán)50和低速收集環(huán)40之間呈打開(kāi)狀態(tài)；切換高速收集 環(huán)50的高低檔位，使其中任一高速收集環(huán)50的一側(cè)環(huán)壁與相鄰的高速收集環(huán)50、低速收集 環(huán)40或工藝腔10腔壁呈打開(kāi)狀態(tài)并形成不同的排液通道65。
[0041] 為實(shí)現(xiàn)對(duì)不同的工藝過(guò)程中流場(chǎng)的排氣控制，工藝腔10的腔壁外圍設(shè)有抽氣腔 60,工藝腔10與抽氣腔60之間形成用于抽氣的環(huán)形噴嘴61，抽氣腔60的腔壁連接設(shè)有抽 氣泵的排氣管道62。較佳的，排氣管道62上設(shè)有用于調(diào)整排氣量的氣流微調(diào)裝置63,抽氣 腔60上方設(shè)有防止液體飛濺的遮擋環(huán)64。工藝腔10與抽氣腔60之間設(shè)有第四排液通道 65D，第四排液通道6?用于收集氣流冷凝后形成的液滴。
[0042] 本發(fā)明還提供一種用于薄片盤(pán)狀物的清洗方法，包括以下步驟：
[0043] S1、啟動(dòng)第一驅(qū)動(dòng)裝置30,驅(qū)動(dòng)所述盤(pán)狀物承載平臺(tái)20上升至裝載位置，夾持盤(pán) 狀物80后下降至工藝位置；
[0044] S2、第二驅(qū)動(dòng)裝置51驅(qū)動(dòng)所述高速收集環(huán)50做升降運(yùn)動(dòng)，使其中任一高速收集環(huán) 50的一側(cè)環(huán)壁與相鄰的高速收集環(huán)50、低速收集環(huán)40或工藝腔10腔壁呈打開(kāi)狀態(tài)并形成 排液通道65 ;
[0045] S3、第一驅(qū)動(dòng)裝置30驅(qū)動(dòng)所述盤(pán)狀物承載平臺(tái)20做自旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，所述噴液管70 噴射第一清洗介質(zhì)對(duì)所述盤(pán)狀物80進(jìn)行清洗，第一清洗介質(zhì)通過(guò)排液通道65排出，清洗完 畢后停止噴射第一清洗介質(zhì)；
[0046] S4、切換高速收集環(huán)50的高低檔位，使其中任一高速收集環(huán)50的一側(cè)環(huán)壁與相鄰 的高速收集環(huán)50、低速收集環(huán)40或工藝腔10腔壁呈打開(kāi)狀態(tài)并形成區(qū)別于步驟S2中的排 液通道65 ;
[0047] S5、噴液管70噴射第二清洗介質(zhì)對(duì)所述盤(pán)狀物80進(jìn)行清洗，第二清洗介質(zhì)通過(guò)排 液通道65排出，清洗完畢后停止噴射第二清洗介質(zhì)；
[0048] S6、重復(fù)步驟S4及S5 -次或多次，停止第一驅(qū)動(dòng)裝置30驅(qū)動(dòng)所述盤(pán)狀物承載平 臺(tái)20做自旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，當(dāng)其低速旋轉(zhuǎn)時(shí)，清洗介質(zhì)通過(guò)所述低速收集環(huán)40上的排液口 41排 出；
[0049] S7、第一驅(qū)動(dòng)裝置30驅(qū)動(dòng)所述盤(pán)狀物承載平臺(tái)20上升至卸載位置，取走盤(pán)狀物 80 〇
[0050] 較佳的，清洗過(guò)程中，抽氣腔60保持對(duì)工藝腔10內(nèi)的氣流進(jìn)行抽氣，并由抽氣腔 60上的排氣管道62排出，此外，清洗過(guò)程結(jié)束后，可改變卡盤(pán)21的旋轉(zhuǎn)速度將盤(pán)狀物80表 面的液體甩干。
[0051] 實(shí)施例一
[0052] 本實(shí)施例中盤(pán)狀物80硅片工藝過(guò)程預(yù)設(shè)三種工藝介質(zhì)：第一清洗介質(zhì)、第二清洗 介質(zhì)和第三清洗介質(zhì)，則本實(shí)施例提供的用于薄片盤(pán)狀物的清洗裝置包括低速收集環(huán)40 和兩個(gè)高速收集環(huán)50,低速收集環(huán)40用于收集旋轉(zhuǎn)軸22低速旋轉(zhuǎn)時(shí)排放的清洗介質(zhì)，高速 收集環(huán)50用于收集旋轉(zhuǎn)軸22高速旋轉(zhuǎn)時(shí)排放的清洗介質(zhì)，盤(pán)狀物80為半導(dǎo)體硅片。
[0053] 如圖1所示，盤(pán)狀物承載平臺(tái)20通過(guò)其第一驅(qū)動(dòng)裝置30上升至硅片加載的位置， 卡盤(pán)21上用于夾持硅片的夾持件23打開(kāi)，并夾持住硅片。
[0054] 如圖2所示，盤(pán)狀物承載平臺(tái)20下降至工藝位置，此時(shí)第一高速收集環(huán)50A和第 二高速收集環(huán)50B通過(guò)第二驅(qū)動(dòng)裝置51上升至高檔位，用于噴射第一清洗介質(zhì)的噴液管70 運(yùn)動(dòng)至卡盤(pán)21上方，夾持硅片的卡盤(pán)21通過(guò)第一驅(qū)動(dòng)裝置30進(jìn)行自旋轉(zhuǎn)，同時(shí)噴液管70 開(kāi)始噴灑第一清洗介質(zhì)。在第一清洗介質(zhì)工藝的工程中，第一清洗介質(zhì)順著第一高速收集 環(huán)50A的內(nèi)壁流至第一排液通道65A內(nèi)。
[0055] 如圖3所示，待第一清洗介質(zhì)噴灑預(yù)設(shè)時(shí)間后，第一高速收集環(huán)50A由第二驅(qū)動(dòng)裝 置51驅(qū)動(dòng)下降至低檔位，此時(shí)，第一高速收集環(huán)50A與低速收集環(huán)40呈閉合狀態(tài)，第一高 速收集環(huán)50A與第二高速收集環(huán)50B呈打開(kāi)狀態(tài)并形成第二排液通道65B。
[0056] 用于噴射第二清洗介質(zhì)的噴液管70運(yùn)動(dòng)至卡盤(pán)21上方，夾持硅片的卡盤(pán)21保持 自旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)或改變成相應(yīng)的旋轉(zhuǎn)速度，同時(shí)噴液管70開(kāi)始噴灑第二清洗介質(zhì)。在第二清洗 介質(zhì)工藝的工程中，噴灑的第二清洗介質(zhì)順著第二高速收集環(huán)50B的內(nèi)壁流至第二排液通 道65B內(nèi)。
[0057] 如圖4所示，待第二清洗介質(zhì)噴灑預(yù)設(shè)時(shí)間后，第二高速收集環(huán)50B由第二驅(qū)動(dòng)裝 置51驅(qū)動(dòng)下降至低檔位，此時(shí)，第二高速收集環(huán)50B與低速收集環(huán)40呈閉合狀態(tài)，第二高 速收集環(huán)50B與工藝腔10腔壁呈打開(kāi)狀態(tài)并形成第三排液通道65C。
[0058] 用于噴射第三清洗介質(zhì)的噴液管70運(yùn)動(dòng)至卡盤(pán)21上方，夾持硅片的卡盤(pán)21保持 自旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)或改變成相應(yīng)的旋轉(zhuǎn)速度，同時(shí)噴液管70開(kāi)始噴灑第三清洗介質(zhì)。在第三清洗 介質(zhì)工藝的工程中，噴灑的第三清洗介質(zhì)順著工藝腔10內(nèi)壁流至第三排液通道65C內(nèi)。
[0059] 如圖5所示，盤(pán)狀物承載平臺(tái)20通過(guò)第一驅(qū)動(dòng)裝置30上升至卸載位置，卡盤(pán)21 的夾持件23松開(kāi)，取走硅片。
[0060] 待第三清洗介質(zhì)噴灑預(yù)設(shè)時(shí)間后，夾持硅片的卡盤(pán)21可改變成相應(yīng)的旋轉(zhuǎn)速度 將硅片表面的液體甩干，在甩干過(guò)程中可通入氮?dú)饣蚱渌橘|(zhì)。
[0061] 此外，清洗過(guò)程中,抽氣腔60保持對(duì)工藝腔10內(nèi)的氣流進(jìn)行抽氣，并由抽氣腔60 上的排氣管道62排出，較佳的，排氣管道62上設(shè)有用于調(diào)整排氣量的氣流微調(diào)裝置63,抽 氣腔60上方設(shè)有防止液體飛濺的遮擋環(huán)64。工藝腔10與抽氣腔60之間設(shè)有第四排液通 道65D，第四排液通道6?用于收集氣流冷凝后形成的液滴。
[0062] 本發(fā)明在工藝腔10內(nèi)設(shè)置低速收集環(huán)40和至少一個(gè)高速收集環(huán)50,通過(guò)調(diào)整高 速收集環(huán)50的高低檔位，在工藝腔10內(nèi)劃分不同的排液通道65,減少清洗介質(zhì)因交叉污 染對(duì)硅片清洗工藝帶來(lái)不利的影響，除此以外，抽氣腔60保持對(duì)工藝腔10內(nèi)的氣流進(jìn)行抽 氣，抑制化學(xué)試劑揮發(fā)至工藝腔的外圍，可實(shí)現(xiàn)對(duì)硅片清洗工藝中的不同清洗介質(zhì)進(jìn)行不 同的排液處理，同時(shí)可實(shí)現(xiàn)對(duì)不同的工藝過(guò)程流場(chǎng)的排氣控制，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單實(shí)用。
[〇〇63] 上述說(shuō)明示出并描述了本發(fā)明的若干優(yōu)選實(shí)施例，但如前所述，應(yīng)當(dāng)理解本發(fā)明 并非局限于本文所披露的形式，不應(yīng)看作是對(duì)其他實(shí)施例的排除，而可用于各種其他組合、 修改和環(huán)境，并能夠在本文所述發(fā)明構(gòu)想范圍內(nèi)，通過(guò)上述教導(dǎo)或相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)或知識(shí) 進(jìn)行改動(dòng)。而本領(lǐng)域人員所進(jìn)行的改動(dòng)和變化不脫離本發(fā)明的精神和范圍，則都應(yīng)在本發(fā) 明所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1. 一種用于薄片盤(pán)狀物的清洗裝置，包括工藝腔，其特征在于，包括： 盤(pán)狀物承載平臺(tái)，包括卡盤(pán)和旋轉(zhuǎn)軸，所述旋轉(zhuǎn)軸安裝在所述卡盤(pán)下方且與所述卡盤(pán) 共軸線，所述旋轉(zhuǎn)軸用于帶動(dòng)所述卡盤(pán)做自旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)； 第一驅(qū)動(dòng)裝置，設(shè)于所述旋轉(zhuǎn)軸的下方，驅(qū)動(dòng)所述旋轉(zhuǎn)軸做升降運(yùn)動(dòng)或自旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)； 低速收集環(huán)，設(shè)于所述卡盤(pán)下方的圓周方向上，用于收集旋轉(zhuǎn)軸低速旋轉(zhuǎn)時(shí)排放的清 洗介質(zhì)，所述低速收集環(huán)上設(shè)有排液口用于排放清洗介質(zhì)，所述排液口連接排液通道； 至少一個(gè)高速收集環(huán)，設(shè)于所述卡盤(pán)的外圍，用于收集所述旋轉(zhuǎn)軸高速旋轉(zhuǎn)時(shí)排放的 清洗介質(zhì)，所述高速收集環(huán)下方設(shè)有第二驅(qū)動(dòng)裝置用于驅(qū)動(dòng)所述高速收集環(huán)做升降運(yùn)動(dòng)； 所述工藝腔的腔壁高度大于所述低速收集環(huán)的環(huán)壁高度，當(dāng)所述高速收集環(huán)下降至低 檔位時(shí)，所述高速收集環(huán)和所述低速收集環(huán)之間呈閉合狀態(tài)，同時(shí)所述高速收集環(huán)和所述 工藝腔腔壁之間呈打開(kāi)狀態(tài)，當(dāng)所述高速收集環(huán)上升至高檔位時(shí)，所述高速收集環(huán)和所述 工藝腔腔壁之間呈閉合狀態(tài)，同時(shí)所述高速收集環(huán)和所述低速收集環(huán)之間呈打開(kāi)狀態(tài)；切 換高速收集環(huán)的高低檔位，使其中任一高速收集環(huán)的一側(cè)環(huán)壁與相鄰的高速收集環(huán)、低速 收集環(huán)或工藝腔腔壁呈打開(kāi)狀態(tài)并形成不同的排液通道。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于薄片盤(pán)狀物的清洗裝置，其特征在于，所述工藝腔的腔 壁外圍設(shè)有抽氣腔，所述工藝腔與所述抽氣腔之間形成用于抽氣的環(huán)形噴嘴，所述抽氣腔 的腔壁連接設(shè)有抽氣泵的排氣管道。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于薄片盤(pán)狀物的清洗裝置，其特征在于，所述排氣管道上 設(shè)有用于調(diào)整排氣量的氣流微調(diào)裝置。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于薄片盤(pán)狀物的清洗裝置，其特征在于，所述抽氣腔上方 設(shè)有防止液體飛濺的遮擋環(huán)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于薄片盤(pán)狀物的清洗裝置，其特征在于，所述工藝腔與所 述抽氣腔之間設(shè)有排液通道，所述排液通道用于收集氣流冷凝后形成的液滴。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于薄片盤(pán)狀物的清洗裝置，其特征在于，所述盤(pán)狀物承載 平臺(tái)的上方設(shè)有用于清洗盤(pán)狀物的噴液管。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于薄片盤(pán)狀物的清洗裝置，其特征在于，所述卡盤(pán)上設(shè)有 至少三個(gè)用于夾持盤(pán)狀物的夾持件。
8. -種基于權(quán)利要求1-7任一所述的用于薄片盤(pán)狀物的清洗方法，其特征在于，包括 以下步驟： 51、 啟動(dòng)第一驅(qū)動(dòng)裝置，驅(qū)動(dòng)所述盤(pán)狀物承載平臺(tái)上升至裝載位置，夾持盤(pán)狀物后下降 至工藝位置； 52、 第二驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)所述高速收集環(huán)做升降運(yùn)動(dòng)，使其中任一高速收集環(huán)的一側(cè)環(huán) 壁與相鄰的高速收集環(huán)、低速收集環(huán)或工藝腔腔壁呈打開(kāi)狀態(tài)并形成排液通道； 53、 第一驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)所述盤(pán)狀物承載平臺(tái)做自旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，所述噴液管?chē)娚涞谝磺逑?介質(zhì)對(duì)所述盤(pán)狀物進(jìn)行清洗，第一清洗介質(zhì)通過(guò)排液通道排出，清洗完畢后停止噴射第一 清洗介質(zhì)； 54、 切換高速收集環(huán)的高低檔位，使其中任一高速收集環(huán)的一側(cè)環(huán)壁與相鄰的高速收 集環(huán)、低速收集環(huán)或工藝腔腔壁呈打開(kāi)狀態(tài)并形成區(qū)別于步驟S2中的排液通道； 55、 所述噴液管?chē)娚涞诙逑唇橘|(zhì)對(duì)所述盤(pán)狀物進(jìn)行清洗，第二清洗介質(zhì)通過(guò)排液通 道排出，清洗完畢后停止噴射第二清洗介質(zhì)； 56、 重復(fù)步驟S4及S5 -次或多次，停止第一驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)所述盤(pán)狀物承載平臺(tái)做自旋 轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，當(dāng)其低速旋轉(zhuǎn)時(shí)，清洗介質(zhì)通過(guò)所述低速收集環(huán)上的排液口排出； 57、 第一驅(qū)動(dòng)裝置驅(qū)動(dòng)所述盤(pán)狀物承載平臺(tái)上升至卸載位置，取走盤(pán)狀物。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的清洗方法，其特征在于，所述清洗過(guò)程中，所述抽氣腔保持對(duì) 工藝腔內(nèi)的氣流進(jìn)行抽氣，并由抽氣腔上的排氣管道排出。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的清洗方法，其特征在于，清洗過(guò)程結(jié)束后，改變卡盤(pán)的旋轉(zhuǎn) 速度將盤(pán)狀物表面的液體甩干。
【文檔編號(hào)】B08B3/08GK104064500SQ201410286965
【公開(kāi)日】2014年9月24日 申請(qǐng)日期:2014年6月24日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月24日
【發(fā)明者】王波雷, 張豹, 朱攀, 王銳廷 申請(qǐng)人:北京七星華創(chuàng)電子股份有限公司