一種掩膜版清潔裝置及其清潔方法
【專利摘要】本發(fā)明實(shí)施例提供一種掩膜版清潔裝置及其清潔方法，涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，能夠在不增加污染介質(zhì)，不損傷掩膜版表面的情況下，解決掩膜版污染的問題。在清潔時(shí)間內(nèi)，將干冰顆粒群以340m/s～1000m/s的速度朝著所述掩膜版的表面進(jìn)行噴射，所述干冰顆粒群中的干冰顆粒對所述掩膜版的表面進(jìn)行撞擊。
【專利說明】一種掩膜版清潔裝置及其清潔方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種掩膜版清潔裝置及其清潔方法。

【背景技術(shù)】
[0002]隨著顯示技術(shù)的急速進(jìn)步，作為顯示裝置核心的半導(dǎo)體元件技術(shù)也隨之得到了飛躍性的進(jìn)步。對于現(xiàn)有的顯示裝置而言，有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light EmittingD1de, OLED)作為一種電流型發(fā)光器件，因其所具有的自發(fā)光、快速響應(yīng)、寬視角和可制作在柔性襯底上等特點(diǎn)而越來越多地被應(yīng)用于高性能顯示領(lǐng)域當(dāng)中。
[0003]在OLED的制備過程中，常采用真空蒸鍍工藝結(jié)合掩膜工藝形成圖案化的薄膜層。如圖1所示，利用掩膜版100，通過步進(jìn)式(side by side)位移在基板10的表面依次蒸鍍上紅色11、綠色12以及藍(lán)色13的有機(jī)電致發(fā)光材料。在此過程中，產(chǎn)生的掩膜污染物會(huì)吸附在掩膜版100上，并可能造成掩膜版100開口處的堵塞。這樣在上述移位的過程中將導(dǎo)致重復(fù)性缺陷以及成膜不均的不良現(xiàn)象的產(chǎn)生。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中，為了解決上述掩膜版污染的問題，一般采用的掩膜版清潔方法包括:濕式藥液浸泡、干式吸集、干式物理性粘附、干式等離子等。其中，干式吸集，是利用物理性抽氣方式，利用氣流去除掩膜版表面附著的污染物；干式物理性粘附，是利用物理性或化學(xué)性粘板，將掩膜版表面附著的污染物粘附去除。然而上述方式均難以清潔微小、有粘性以及在邊角細(xì)縫處的污染物，其清潔效果有限。而干式等離子灰化清潔，則是利用高能量等離子，對掩膜版表面污染物進(jìn)行灰化，該方法能夠去除有機(jī)污染物與細(xì)小粉塵，但很難去除較大的無機(jī)污染物，而且在灰化過程中容易對掩膜版表面造成劃傷。此外，對于濕式藥液浸泡方法而言，是將掩膜版表面的污染物利用有機(jī)藥液浸泡去除，但此法容易在掩膜版細(xì)縫處殘留藥液，對掩膜版造成腐蝕，降低掩膜版的使用壽命。并且還需要耗費(fèi)人力、物力對采用濕式藥液浸泡的清潔裝置進(jìn)行定期的保養(yǎng)與維護(hù)。與此同時(shí)，采用在該方法的過程中還會(huì)產(chǎn)生廢棄溶液對環(huán)境造成污染。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種掩膜版清潔裝置及其清潔方法，能夠在不增加污染介質(zhì)，不損傷掩膜版表面的情況下，解決掩膜版污染的問題。
[0006]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
[0007]本發(fā)明實(shí)施例的一方面，提供一種掩膜版清潔方法，包括:
[0008]將掩膜版放置于載物臺的承載面；
[0009]在清潔時(shí)間內(nèi)，將干冰顆粒群以340m/s?1000m/S的速度朝著所述掩膜版的表面進(jìn)行噴射，所述干冰顆粒群中的干冰顆粒對所述掩膜版的表面進(jìn)行撞擊。
[0010]本發(fā)明實(shí)施例的另一方面，提供一種掩膜版清潔裝置，包括:
[0011]腔室，所述腔室用于容納掩膜版；
[0012]干冰噴射設(shè)備，所述干冰噴射設(shè)備用于朝著所述掩膜版以340m/s?1000m/s的速度噴射出干冰顆粒群，所述干冰顆粒群中的干冰顆粒對所述掩膜版的表面進(jìn)行撞擊。
[0013]本發(fā)明實(shí)施例提供一種掩膜版清潔裝置及其清潔方法。其中，所述清潔方法包括將掩膜版放置于載物臺的承載面后，在清潔時(shí)間內(nèi)，將干冰顆粒群以340m/s?1000m/S的速度朝著所述掩膜版的表面進(jìn)行噴射，所述干冰顆粒群中的干冰顆粒對所述掩膜版的表面進(jìn)行撞擊。具體的，在干冰顆粒以340m/s?1000m/S的速度連續(xù)撞擊下，撞擊力度不會(huì)造成掩膜版表面的損傷，而附著于掩膜版上的污染物表面溫度驟降，使其表面脆化出現(xiàn)裂縫。接下來，后續(xù)撞擊于掩膜版的一部分干冰顆粒進(jìn)入上述裂縫中，干冰顆粒迅速升華為氣體，氣體的體積是原干冰顆粒體積的大約700倍，因此迅速增大的氣體體積能夠?qū)⒃摿芽p進(jìn)一步擴(kuò)大，降低了污染物的附著力；另一部分干冰顆粒對污染物的表面進(jìn)行進(jìn)一步的撞擊，以使得碎裂的污染物最終從掩膜版的表面脫落，最終達(dá)到清潔掩膜版的效果。通過上述方法能夠有效的去除微小、有粘性以及在邊角細(xì)縫處的污染物。此外，由于干冰顆粒不具有腐蝕性因此不會(huì)對掩膜版進(jìn)行腐蝕，并且撞擊后的干冰顆粒會(huì)迅速升華為二氧化碳，因此不會(huì)產(chǎn)生污染介質(zhì)。從而能夠在不增加污染介質(zhì)，不損傷掩膜版表面的情況下，提升掩膜版的清潔效果，降低生產(chǎn)成本，減小工業(yè)污染。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0014]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0015]圖1為現(xiàn)有技術(shù)中制作OLED的制作過程示意圖；
[0016]圖2為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種掩膜版清潔過程示意圖；
[0017]圖3a_圖3c為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種掩膜版清潔過程中各個(gè)階段的A局部結(jié)構(gòu)示意圖；
[0018]圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種掩膜版清潔方法流程圖；
[0019]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種掩膜版清潔裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0020]【專利附圖】

【附圖說明】:
[0021]01-腔室；02_干冰噴射設(shè)備；212-壓力部件；211_干冰輸送通道；04_吹送部件；
05-吸集部件；06_干冰制備設(shè)備；07_存儲(chǔ)腔；08_空壓進(jìn)氣室；09_超聲波發(fā)生源；10_基板；11-紅色有機(jī)電致發(fā)光材料；12_綠色有機(jī)電致發(fā)光材料；13_藍(lán)色有機(jī)電致發(fā)光材料；100-掩膜版；101-干冰顆粒；102-污染物；20-載物臺；201-傳送裝置；202-噴頭；203_進(jìn)風(fēng)口 ；204-出風(fēng)口。

【具體實(shí)施方式】
[0022]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0023]本發(fā)明實(shí)施例提供一種掩膜版清潔方法，如圖2所示，可以包括:在清潔時(shí)間T內(nèi)，將干冰顆粒群(主要由高密度的干冰顆粒101構(gòu)成)以340m/s?1000m/S的速度朝著掩膜版100的表面進(jìn)行噴射，干冰顆粒群中的干冰顆粒101對掩膜版100的表面進(jìn)行撞擊。其中，上述噴射速度包括端值340m/s和1000m/S。一方面，當(dāng)干冰顆粒101的噴射速度小于340m/s時(shí)，由于撞擊力度過小，撞擊污染物102的力度弱小，在污染物102出現(xiàn)裂縫后，可能剛進(jìn)入裂縫的干冰顆粒101就會(huì)升華成氣體，而無法對裂縫施加作用力使其擴(kuò)大，從而造成污染物102無法去除。另一方面，當(dāng)速度大于1000m/s時(shí)，雖然其對污染物102的撞擊力度增大，但是與此同時(shí)也會(huì)對掩膜版100造成劃傷。例如，對于有鐵鎳合金構(gòu)成的掩膜版100而言，當(dāng)其表面附著的污染物為有機(jī)污染物時(shí)，干冰顆粒群的運(yùn)行速度可以為340m/s?1000m/s時(shí)，能夠有效的對上述污染物進(jìn)行去除。
[0024]需要說明的是，第一、具體的清潔過程可以為，如圖3a所示(圖2中A處的局部視圖)，在干冰顆粒101高速(速度接近音速340m/s)連續(xù)撞擊下，附著于掩膜版100上的污染物102表面溫度驟降，使其表面脆化出現(xiàn)裂縫。接下來，如圖3b所示，后續(xù)撞擊于掩膜版的一部分干冰顆粒101進(jìn)入上述裂縫中，將該裂縫擴(kuò)大，降低了污染物102的附著力；如圖3c所示另一部分干冰顆粒101對污染物102的表面進(jìn)行進(jìn)一步的撞擊，以使得碎裂的污染物102最終從掩膜版100的表面脫落，最終達(dá)到清潔掩膜版100的效果。
[0025]第二、本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)附著于掩膜版100表面的污染物的類型，可以對上述清潔時(shí)間T，以及干冰顆粒101的大小進(jìn)行設(shè)定。例如，當(dāng)附著于掩膜版100的污染物為微小污染物時(shí)，可以將減小干冰顆粒101的大小以及減小清潔時(shí)間T。當(dāng)污染物102的體積較大且，粘性較大時(shí)，可以增大干冰顆粒101的體積，并增加清潔時(shí)間T。
[0026]其中，優(yōu)選的，干冰顆粒101的粒徑可以為I μπι?ΙΟΟμπι。一方面，當(dāng)干冰顆粒101的粒徑小于I μπι時(shí)，撞擊污染物102的力度弱小，去除污染物的效果不理想。另一方面，當(dāng)干冰顆粒101的粒徑大于100 μ m時(shí)，雖然其對污染物102的撞擊力度增大，但是對狹縫處的污染物去除效果不理想。
[0027]本發(fā)明實(shí)施例提供一種掩膜版的清潔方法，包括將掩膜版放置于載物臺的承載面后，在清潔時(shí)間內(nèi)，將干冰顆粒群以340m/s?1000m/S的速度朝著所述掩膜版的表面進(jìn)行噴射，所述干冰顆粒群中的干冰顆粒對所述掩膜版的表面進(jìn)行撞擊。具體的，在干冰顆粒以340m/s?1000m/S速度連續(xù)撞擊下，撞擊力度不會(huì)造成掩膜版表面的損傷，而附著于掩膜版上的污染物表面溫度驟降，使其表面脆化出現(xiàn)裂縫。接下來，后續(xù)撞擊于掩膜版的一部分干冰顆粒進(jìn)入上述裂縫中，干冰顆粒迅速升華為氣體，氣體的體積是原干冰顆粒體積的大約700倍，因此迅速增大的氣體體積能夠?qū)⒃摿芽p進(jìn)一步擴(kuò)大，降低了污染物的附著力；另一部分干冰顆粒對污染物的表面進(jìn)行進(jìn)一步的撞擊，以使得碎裂的污染物最終從掩膜版的表面脫落，最終達(dá)到清潔掩膜版的效果。通過上述方法能夠有效的去除微小、有粘性以及在邊角細(xì)縫處的污染物。此外，由于干冰顆粒不具有腐蝕性因此不會(huì)對掩膜版進(jìn)行腐蝕，并且撞擊后的干冰顆粒會(huì)迅速升華為二氧化碳，因此不會(huì)產(chǎn)生污染介質(zhì)。從而能夠在不增加污染介質(zhì)，不損傷掩膜版表面的情況下，提升掩膜版的清潔效果，降低生產(chǎn)成本，減小工業(yè)污染。
[0028]以下，如圖4、圖5所示，對上述掩膜版清潔方法進(jìn)行詳細(xì)的描述。
[0029]S101、將掩膜版100放置于腔室01中的載物臺20上。
[0030]S102、通過傳送裝置201移動(dòng)用于放置掩膜版100的載物臺20，以將掩膜版100移動(dòng)至預(yù)設(shè)清潔位置。如圖2所示，該傳送裝置201可以為傳送帶，當(dāng)其沿著箭頭方向進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，位于載物臺20上的掩膜版100被移動(dòng)至預(yù)設(shè)清潔位置。
[0031]其中，該預(yù)設(shè)清潔位置可以根據(jù)清潔方式的不同進(jìn)行設(shè)定，本發(fā)明對此不作限制。例如，在一個(gè)實(shí)施例中，可以將預(yù)設(shè)清潔位置設(shè)置于腔室01的中心位置。當(dāng)傳送裝置201將掩膜版100的中心位置移動(dòng)至該預(yù)設(shè)清潔位置(腔室01的中心位置)后停止移動(dòng)。開始利用干冰顆粒101對掩膜版100進(jìn)行清潔，直至清潔時(shí)間T結(jié)束。然后，傳送裝置201將掩膜版100移出該腔室01。上述方法操作簡單，易于實(shí)現(xiàn)。
[0032]或者，在另一個(gè)實(shí)施例中，還可以將預(yù)設(shè)清潔位置設(shè)置于對應(yīng)噴頭202的位置。傳送裝置201可以采用變速傳送的方式，首先，以較快的速度將掩膜版100先進(jìn)入腔室01的一側(cè)移動(dòng)至該預(yù)設(shè)清潔位置。然后，在清潔過程中以較緩慢的速度向前移動(dòng)，干冰顆粒101開始對掩膜版100進(jìn)行清潔，直至清潔結(jié)束。這樣掩膜版100的待清潔表面的各個(gè)位置均經(jīng)過上述預(yù)設(shè)清潔位置處，并被從噴頭202噴射出的干冰顆粒101清潔。當(dāng)清潔過程結(jié)束后，傳送裝置201又采用較快的速度將掩膜版100移出腔室01。這樣一來，采用上述變速傳送的清潔方式，雖然操控相對復(fù)雜，但是可以節(jié)省清潔工序的時(shí)間，并且由于掩膜版100的待清潔表面的各個(gè)位置均在上述預(yù)設(shè)清潔位置處，被從噴頭202噴射出的干冰顆粒101清潔，因此能夠提升清潔效果。
[0033]S103、在清潔時(shí)間T內(nèi)，當(dāng)干冰顆粒群中的干冰顆粒101的密度為1.4g/cm3?
1.6g/cm3時(shí)，將壓強(qiáng)為1.97X10 _3PA?9.7X 15PA的氣體作用于干冰顆粒群，以使得從噴頭202噴出的干冰顆粒群能夠以340m/s?1000m/S的速度朝著掩膜版100的表面進(jìn)行噴射。進(jìn)而干冰顆粒群中的干冰顆粒101對掩膜版100表面的污染物102進(jìn)行清潔。具體的，上述壓強(qiáng)為1.97X 1^3PA?9.7X 15PA的氣體可以由壓力部件212進(jìn)行制備。需要說明的是，上述氣體可以選擇不會(huì)對干冰顆粒群、掩膜版100以及清潔設(shè)備的物理、化學(xué)性質(zhì)產(chǎn)生影響的氣體，例如，空氣、惰性氣體等。
[0034]其中，在上述清潔時(shí)間T內(nèi)，當(dāng)干冰顆粒群中的干冰顆粒101的密度為1.4g/cm3?
1.6g/cm3時(shí)，可以設(shè)定從噴頭202噴射出的干冰顆粒群的饋送率為6.18X10 _9kg/min?0.6kg/min。這樣一來，能夠在清潔時(shí)間T內(nèi)，提供足夠覆蓋整個(gè)掩膜版100的干冰顆粒101的同時(shí)，提高干冰顆粒101與污染物102的接觸幾率，從而能夠提高清潔效率。
[0035]S104、向被干冰顆粒101撞擊后的掩膜版100的表面吹風(fēng)。具體的，可以通過設(shè)置于腔室01(例如頂部)的進(jìn)風(fēng)口 203將空氣輸入。從而防止在干冰顆粒101的清潔作用下，從掩膜版100表面脫落的污染物102再次落在掩膜版100的表面，而導(dǎo)致清潔效果的降低。
[0036]S105、在所述干冰顆粒101撞擊掩膜版100的同時(shí)，向掩膜版100輸送頻率為IK?100K赫茲的超聲波。由于超聲波能夠使得被清潔后的掩膜版100的表面發(fā)生震動(dòng)，從而避免從掩膜版100表面脫落的污染物102再次落在掩膜版100的表面。其中，一方面，當(dāng)超聲波的頻率小于IK赫茲時(shí)，由于超聲波的能量較小，無法使得掩膜版100的表面發(fā)生震動(dòng)。另一方面，當(dāng)超聲波的頻率大于100K赫茲時(shí)，由于輸入的超聲波具有的能量太大，導(dǎo)致掩膜版100的表面震動(dòng)過于劇烈，從而可能會(huì)引起掩膜版100的變形。具體的，可以通過超聲波發(fā)生源09向掩膜版100輸送超聲波。
[0037]S106、對脫離掩膜版100表面的污染物102以及由干冰顆粒101轉(zhuǎn)換的二氧化碳進(jìn)行收集。具體的，可以通過設(shè)置于腔室01頂部的出風(fēng)口 204進(jìn)行收集。這樣一來，對腔室Ol中處于游離狀態(tài)的污染物102進(jìn)行清潔，防止其再次落入清潔后的掩膜版100的表面，造成清潔效果的降低。
[0038]需要說明的是，本發(fā)明對上述步驟S104至步驟S106的先后順序不做限制。優(yōu)選的，可以將步驟S104至步驟S106與步驟S103同時(shí)進(jìn)行。這樣一來，在干冰顆粒101對掩膜版100進(jìn)行清洗的過程中，可以通過進(jìn)風(fēng)口 203輸送的空氣，并通過上述超聲波發(fā)生源09向掩膜版100輸送超聲波，以將脫離于掩膜版100表面的污染物102帶離至遠(yuǎn)離掩膜版100的表面，防止其再次落入清潔后的掩膜版100的表面。在此情況下，通過出風(fēng)口 204將腔室01中處于游離狀態(tài)的污染物102以及由干冰顆粒101轉(zhuǎn)換的二氧化碳進(jìn)行收集。以避免腔室01被游離狀態(tài)的污染物102污染，而降低掩膜版100的清潔效果。此外，還可以減少對腔室01的保養(yǎng)次數(shù)，從而能夠降低成本。
[0039]此外，本領(lǐng)域技術(shù)人員還可以根據(jù)實(shí)際需要只進(jìn)行步驟S104，或只進(jìn)行步驟S105o
[0040]本發(fā)明實(shí)施例提供一種掩膜版清潔裝置，如圖5所示，可以包括:腔室01以及干冰噴射設(shè)備02。
[0041]其中，所述腔室01用于容納掩膜版100。
[0042]所述干冰噴射設(shè)備02用于朝著所述掩膜版100以340m/s?1000m/s的速度噴射出干冰顆粒群，所述干冰顆粒群中的干冰顆粒101對所述掩膜版100的表面進(jìn)行撞擊。所述干冰噴射設(shè)備02與腔室01頂部的202相連接，用于在T內(nèi)，將干冰噴射設(shè)備02內(nèi)的干冰顆粒群以340m/s?1000m/s的速度供給至腔室01內(nèi)，所述干冰顆粒群中的干冰顆粒101撞擊掩膜版100的表面。其中，上述撞擊噴射速度包括端值340m/s和1000m/S。一方面，當(dāng)噴射速度小于340m/s時(shí)，由于撞擊力度過小，撞擊污染物102的力度弱小，在污染物102出現(xiàn)裂縫后，可能剛進(jìn)入裂縫的干冰顆粒101就會(huì)升華成氣體，而無法對裂縫施加作用力使其擴(kuò)大。從而造成污染物102無法去除。另一方面，當(dāng)噴射速度大于1000m/S時(shí)，雖然其對污染物102的撞擊力度增大，但是與此同時(shí)也會(huì)對掩膜版100造成劃傷。
[0043]需要說明的是，第一、本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)附著于掩膜版100表面的污染物的類型，可以對上述清潔時(shí)間T，以及干冰顆粒101的大小進(jìn)行設(shè)定。例如，當(dāng)附著于掩膜版100的污染物為微小污染物時(shí)，可以將減小干冰顆粒101的大小以及減小清潔時(shí)間T。當(dāng)污染物102的體積較大且，粘性較大時(shí)，可以增大污染物的體積，并增加清潔時(shí)間T。
[0044]其中，優(yōu)選的，干冰顆粒101的粒徑可以為I μπι?ΙΟΟμπι。一方面，當(dāng)干冰顆粒101的粒徑小于I μπι時(shí)，撞擊污染物102的力度弱小，去除污染物的效果不理想。另一方面，當(dāng)干冰顆粒101的粒徑大于100 μ m時(shí)，雖然其對污染物102的撞擊力度增大，但是對狹縫處的污染物去除效果不理想。另一方面，當(dāng)干冰顆粒101的粒徑大于10ym時(shí)，雖然其對污染物102的撞擊力度增大，但是對狹縫處的污染物去除效果不理想。
[0045]第二、干冰噴射設(shè)備02向掩膜版100供給干冰顆粒群的饋送率為6.18Χ 10_9kg/min?0.6kg/min。這樣一來，能夠在清潔時(shí)間T內(nèi)，提供足夠覆蓋整個(gè)掩膜版100的干冰顆粒101的同時(shí)，提高干冰顆粒101與污染物102的接觸幾率，從而能夠提高清潔效率。
[0046]第三、上述干冰噴射設(shè)備02可以包括:干冰輸送通道211、噴頭202以及壓力部件212。
[0047]其中，所述干冰輸送通道211用于容納干冰顆粒群；其中，在所述干冰顆粒101的粒徑為I μπι?100 μm的情況下，所述干冰輸送通道211的管徑為Imm?3mm。
[0048]所述噴頭202的頭部位于腔室01中，所述噴頭202的連接部與所述干冰輸送通道211相連接；
[0049]所述壓力部件212，用于向干冰輸送通道211提供壓強(qiáng)為1.97Χ10_3ΡΑ?9.7 X 15PA的氣體作用于所述干冰顆粒101的密度為1.4g/cm3?1.6g/cm 3的所述干冰顆粒群，以使得干冰顆粒101可以以340m/s?1000m/S的速度撞擊掩膜版100表面，對該掩膜版100進(jìn)行清潔。
[0050]本發(fā)明實(shí)施例提供一種掩膜版清潔裝置，可以包括用于容納掩膜版的腔室以及干冰噴射設(shè)備。所述干冰噴射設(shè)備用于朝著所述掩膜版以340m/s?1000m/s的速度噴射出干冰顆粒群，所述干冰顆粒群中的干冰顆粒撞擊掩膜版的表面。具體的，在干冰顆粒以340m/s?1000m/S的速度連續(xù)撞擊下，撞擊力度不會(huì)造成掩膜版表面的損傷，而附著于掩膜版上的污染物表面溫度驟降，使其表面脆化出現(xiàn)裂縫。接下來，后續(xù)撞擊于掩膜版的一部分干冰顆粒進(jìn)入上述裂縫中，干冰顆粒迅速升華為氣體，氣體的體積是原干冰顆粒體積的大約700倍，因此迅速增大的氣體體積能夠?qū)⒃摿芽p進(jìn)一步擴(kuò)大，降低了污染物的附著力；另一部分干冰顆粒對污染物的表面進(jìn)行進(jìn)一步的撞擊，以使得碎裂的污染物最終從掩膜版的表面脫落，最終達(dá)到清潔掩膜版的效果。通過上述清潔裝置能夠有效的去除微小、有粘性以及在邊角細(xì)縫處的污染物。此外，由于干冰顆粒不具有腐蝕性因此不會(huì)對掩膜版進(jìn)行腐蝕，并且撞擊后的干冰顆粒會(huì)迅速升華為二氧化碳，因此不會(huì)產(chǎn)生污染介質(zhì)。從而能夠在不增加污染介質(zhì)，不損傷掩膜版表面的情況下，提升掩膜版的清潔效果，降低生產(chǎn)成本，減小工業(yè)污染。
[0051]為了更好的提升清潔效果，該掩膜版清潔裝置還可以包括吹送部件04以及超聲波發(fā)生源09。
[0052]具體的，吹送部件04與所述腔室01 (例如頂部)的進(jìn)風(fēng)口 203相連接，能夠向被干冰顆粒101撞擊后的掩膜版100的表面吹風(fēng)。從而防止在干冰顆粒101的清潔作用下，從掩膜版100表面脫落的污染物102再次落在掩膜版100的表面，而導(dǎo)致清潔效果的降低。
[0053]在所述干冰顆粒101撞擊所述掩膜版100的同時(shí)，該超聲波發(fā)生源09可以向掩膜版100輸送頻率為IK?100K赫茲的超聲波。由于超聲波能夠使得被清潔后的掩膜版100的表面發(fā)生震動(dòng)，從而避免從掩膜版100表面脫落的污染物102再次落在掩膜版100的表面。其中，一方面，當(dāng)超聲波的頻率小于IK赫茲時(shí)，由于超聲波的能量較小，無法使得掩膜版100的表面發(fā)生震動(dòng)。另一方面，當(dāng)超聲波的頻率大于100K赫茲時(shí)，由于輸入的超聲波具有的能量太大，導(dǎo)致掩膜版100的表面震動(dòng)過于劇烈，從而可能會(huì)引起掩膜版100的變形。需要說明的是，上述超聲波發(fā)生源09可以如圖5所示，設(shè)置于腔室01的內(nèi)部，或者設(shè)置于腔室01的外部通過進(jìn)風(fēng)口 203，將超聲波輸送至掩膜版100，本發(fā)明對此不做限制。
[0054]此外，該掩膜版清潔裝置還可以包括與所述腔室01 (例如頂部)的出風(fēng)口 204相連接的吸集部件05，能夠?qū)γ撾x掩膜版100表面的污染物102以及由干冰顆粒101轉(zhuǎn)換的二氧化碳進(jìn)行收集。這樣一來，對腔室01中處于游離狀態(tài)的污染物102進(jìn)行清潔，防止其再次落入清潔后的掩膜版100的表面，造成清潔效果的降低。此外，還可以減小腔室01內(nèi)部的污染，并且能夠?qū)κ占廖考?5中的污染物102進(jìn)行統(tǒng)一處理，避免了污染物102對環(huán)境造成不利的影響。
[0055]需要說明的是，在清潔時(shí)間T內(nèi)，上述干冰噴射設(shè)備02以及吹送部件04和吸集部件05可以同時(shí)工作。這樣一來，在干冰顆粒101對掩膜版100進(jìn)行清洗的過程中，可以通過進(jìn)風(fēng)口 203輸送的空氣和超聲波將脫離于掩膜版100表面的污染物102帶離至遠(yuǎn)離掩膜版100的表面，防止其再次落入清潔后的掩膜版100的表面。在此情況下，通過出風(fēng)口 204將腔室01中處于游離狀態(tài)的污染物102以及由干冰顆粒101轉(zhuǎn)換的二氧化碳進(jìn)行收集。以避免腔室01被游離狀態(tài)的污染物102污染，而降低掩膜版100的清潔效果。此外，還可以減少對腔室01的保養(yǎng)次數(shù)，從而能夠降低成本。
[0056]進(jìn)一步地，所述掩膜版清潔裝置還可以包括載物臺20，用于承載掩膜版100，以及傳送裝置201，用于在腔室01中移動(dòng)載物臺20。
[0057]需要說明的是，該傳送裝置201可以為傳送帶，當(dāng)其沿著箭頭方向進(jìn)行轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，位于載物臺20上的掩膜版100被移動(dòng)至預(yù)設(shè)清潔位置。
[0058]其中，該預(yù)設(shè)清潔位置可以根據(jù)清潔方式的不同進(jìn)行設(shè)定，本發(fā)明對此不作限制。例如，可以將預(yù)設(shè)清潔位置設(shè)置于腔室01的中心位置。當(dāng)傳送裝置201將掩膜版100的中心位置移動(dòng)至該預(yù)設(shè)清潔位置(腔室01的中心位置)后停止移動(dòng)。干冰顆粒101開始對掩膜版100進(jìn)行清潔，直至清潔時(shí)間T結(jié)束。然后，傳送裝置201將掩膜版100移除該腔室Olo上述方法操作簡單，易于實(shí)現(xiàn)。
[0059]或者，還可以將預(yù)設(shè)清潔位置設(shè)置于對應(yīng)噴頭202的位置。傳送裝置201可以采用變速傳送的方式，首先，以較快的速度將掩膜版100先進(jìn)入腔室01的一側(cè)移動(dòng)至該預(yù)設(shè)清潔位置。然后，在清潔過程中，以較緩慢的速度向前移動(dòng)，干冰顆粒101開始對掩膜版100進(jìn)行清潔，直至清潔結(jié)束。這樣掩膜版100的待清潔表面的各個(gè)位置均經(jīng)過上述預(yù)設(shè)清潔位置處，并被從噴頭202噴射出的干冰顆粒101清潔。當(dāng)清潔過程結(jié)束后，傳送裝置201又采用較快的速度將掩膜版100移出腔室01。這樣一來，采用上述變速傳送的清潔方式，雖然操控相對復(fù)雜，但是可以節(jié)省清潔工序的時(shí)間，并且由于掩膜版100的待清潔表面的各個(gè)位置均在上述預(yù)設(shè)清潔位置處，被從噴頭202噴射出的干冰顆粒101清潔，因此能夠提升清潔效果。
[0060]進(jìn)一步地，為了提高生產(chǎn)制備工藝的自動(dòng)化進(jìn)程，還可以在上述掩膜版清潔裝置中設(shè)置干冰制備設(shè)備06。該干冰制備設(shè)備06可以包括用于存儲(chǔ)液態(tài)二氧化碳的存儲(chǔ)腔07以及用于向存儲(chǔ)腔07提供壓縮空氣，以使得所述液態(tài)二氧化碳轉(zhuǎn)換為干冰顆粒101的空氣進(jìn)氣室08。
[0061]其中，所述存儲(chǔ)腔07的出料口連接干冰噴射設(shè)備02 ;所述存儲(chǔ)腔07的進(jìn)氣口相連接的空壓進(jìn)氣室08。
[0062]具體的自動(dòng)化清潔過程可以為:首先，空壓進(jìn)氣室08將向存儲(chǔ)腔07內(nèi)輸送壓縮空氣，在壓縮空氣的作用下，將液態(tài)二氧化碳轉(zhuǎn)換為干冰顆粒101。然后，存儲(chǔ)腔07將干冰顆粒101輸送至干冰噴射設(shè)備02。接下來，干冰噴射設(shè)備02將干冰顆粒群可以以340m/s?1000m/s的速度噴射至掩膜版100表面，且干冰顆粒101對該掩膜版100進(jìn)行清潔。在此清潔過程中，吹送部件04通過進(jìn)風(fēng)口 203向被干冰顆粒101撞擊后的掩膜版100的吹風(fēng)和輸送頻率為IK?100K赫茲的超聲波，以防止在干冰顆粒101的清潔作用下，從掩膜版100表面脫落的污染物102再次落在掩膜版100的表面。同時(shí)，吸集部件05通過出風(fēng)口 204對脫離掩膜版100表面的污染物102以及由干冰顆粒101轉(zhuǎn)換的二氧化碳進(jìn)行收集。從而進(jìn)一步提升清潔效果，并減小腔室01內(nèi)部的污染。這樣一來，在各個(gè)設(shè)備的工作參數(shù)設(shè)置好的情況下，整個(gè)清潔過程無需操作人員手動(dòng)操作，從而可以提高清潔過程的效率。
[0063]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種掩膜版清潔方法，其特征在于，包括: 在清潔時(shí)間內(nèi)，將干冰顆粒群以340m/s?lOOOm/s的速度朝著所述掩膜版的表面進(jìn)行噴射，所述干冰顆粒群中的干冰顆粒對所述掩膜版的表面進(jìn)行撞擊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜版清潔方法，其特征在于，在所述清潔時(shí)間內(nèi)，當(dāng)所述干冰顆粒群中的干冰顆粒的密度為1.4g/cm3?1.6g/cm 3時(shí)，所述干冰顆粒群的饋送率為6.18 X109kg/min ?0.6kg/min。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜版清潔方法，其特征在于，在所述清潔時(shí)間內(nèi)，當(dāng)所述干冰顆粒群中的干冰顆粒的密度為1.4g/cm3?1.6g/cm 3時(shí)，將壓強(qiáng)為1.97X10_3PA?9.7X 105PA的氣體作用于所述干冰顆粒群，所述干冰顆粒群以340m/s?1000m/s的速度朝著所述掩膜版的表面進(jìn)行噴射，所述干冰顆粒群中的干冰顆粒對所述掩膜版的表面進(jìn)行撞擊。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜版清潔方法，其特征在于，還包括對脫離所述掩膜版表面的污染物以及由所述干冰顆粒轉(zhuǎn)換的二氧化碳進(jìn)行收集。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項(xiàng)所述的掩膜版清潔方法，其特征在于，還包括: 向被所述干冰顆粒撞擊后的所述掩膜版的表面吹風(fēng)；和/或， 在所述干冰顆粒撞擊所述掩膜版的同時(shí)，向所述掩膜版輸送頻率為1K?100K赫茲的超聲波。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的掩膜版清潔方法，其特征在于，所述干冰顆粒的粒徑為1 μ m ?100 μ m。
7.一種掩膜版清潔裝置，其特征在于，包括: 腔室，所述腔室用于容納掩膜版； 干冰噴射設(shè)備，所述干冰噴射設(shè)備用于朝著所述掩膜版以340m/s?1000m/s的速度噴射出干冰顆粒群，所述干冰顆粒群中的干冰顆粒對所述掩膜版的表面進(jìn)行撞擊。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的掩膜版清潔裝置，其特征在于，所述干冰噴射設(shè)備包括: 干冰輸送通道，所述干冰輸送通道用于容納所述干冰顆粒群，其中，在所述干冰顆粒的粒徑為1 μ m?100 μ m的情況下，所述干冰輸送通道的管徑為1_?3_ ； 噴頭，所述噴頭的頭部位于所述腔室中，所述噴頭的連接部與所述干冰輸送通道相連接; 壓力部件，所述壓力部件用于向所述干冰輸送通道提供壓強(qiáng)為1.97Χ10_3ΡΑ?9.7Χ 105ΡΑ的氣體作用于所述干冰顆粒的密度為1.4g/cm3?1.6g/cm3的所述干冰顆粒群。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的掩膜版清潔裝置，其特征在于，所述干冰噴射設(shè)備向所述掩膜版供給所述干冰顆粒群的饋送率為6.18 X 10_9kg/min?0.6kg/min，其中，所述干冰顆粒群中干冰顆粒的密度為1.4g/cm3?1.6g/cm3。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的掩膜版清潔裝置，其特征在于，還包括: 吸集部件，與所述腔室的出風(fēng)口相連接，用于對脫離所述掩膜版表面的污染物以及由所述干冰顆粒轉(zhuǎn)換的二氧化碳進(jìn)行收集。
11.根據(jù)權(quán)利要求7-10任一項(xiàng)所述的掩膜版清潔裝置，其特征在于，還包括:吹送部件以及超聲波發(fā)生源； 其中，所述吹送部件，與所述腔室的進(jìn)風(fēng)口相連接，用于向被所述干冰顆粒撞擊后的所述掩膜版的表面吹風(fēng)；和/或， 所述超聲波發(fā)生源，用于在所述干冰顆粒撞擊所述掩膜版的同時(shí)，向所述掩膜版輸送頻率為1K?100K赫茲的超聲波。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的掩膜版清潔裝置，其特征在于，還包括:干冰制備設(shè)備；所述干冰制備設(shè)備包括用于存儲(chǔ)液態(tài)二氧化碳的存儲(chǔ)腔，以及用于向所述存儲(chǔ)腔提供壓縮空氣，以使得所述液態(tài)二氧化碳轉(zhuǎn)換為干冰顆粒的空氣進(jìn)氣室； 其中，所述存儲(chǔ)腔的出料口連接所述干冰噴射設(shè)備，所述存儲(chǔ)腔的進(jìn)氣口連接所述空壓進(jìn)氣室。
【文檔編號】B08B7/02GK104492761SQ201410817986
【公開日】2015年4月8日 申請日期:2014年12月24日 優(yōu)先權(quán)日:2014年12月24日
【發(fā)明者】江元銘, 張鵬 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司