專利名稱：一種光電式清紗檢測(cè)方法及其裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種清紗檢測(cè)方法及其裝置，更具體地說(shuō)，是涉及一種 光電式清紗檢測(cè)方法及其裝置，屬于紡紗技術(shù)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
清紗器的檢測(cè)方法分為光電式、電容式及兩者相結(jié)合式。光電式清紗檢 測(cè)方法是通過(guò)檢測(cè)紗線的輪廓影象，即光通量的變化，來(lái)分辨紗線的直徑變 化，因此， 一般只能檢測(cè)出紗線上的結(jié)頭、毛粒、短粗、長(zhǎng)粗、長(zhǎng)細(xì)的變化， 目前尚不能檢測(cè)出異質(zhì)纖維和同質(zhì)異色纖維。當(dāng)今世界上廣泛應(yīng)用光電式與電 容式相結(jié)合的檢測(cè)方式，達(dá)到疵點(diǎn)檢測(cè)及同質(zhì)異色纖維、同色異質(zhì)纖維的檢測(cè) 目的，但這種檢測(cè)方法所使用的檢測(cè)裝置設(shè)計(jì)復(fù)雜、制造成本高。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的在于針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種光電式清紗檢測(cè) 方法及其裝置，以解決現(xiàn)有光電式清紗檢測(cè)方法只能檢測(cè)出疵點(diǎn)，不能檢測(cè)出 同色異質(zhì)纖維和同質(zhì)異色纖維的缺陷。為達(dá)到上述發(fā)明目的，本發(fā)明通過(guò)以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn) 本發(fā)明提供的光電式清紗檢測(cè)方法如下利用紫外光源照射紗線，將由 此產(chǎn)生的光信號(hào)經(jīng)過(guò)一個(gè)反射屏面反射回來(lái)，反射回來(lái)的光信號(hào)被紫外增強(qiáng)型 探測(cè)器接收后輸出給信號(hào)處理系統(tǒng)，然后信號(hào)處理系統(tǒng)對(duì)輸入的微電流信號(hào)經(jīng) 過(guò)放大、濾波、整形和比較處理，最后輸出檢測(cè)信號(hào)。若是同色異質(zhì)紗線，如丙綸絲、滌綸絲或尼龍絲，反射回來(lái)的光信號(hào)為 異質(zhì)紗線被紫外光激發(fā)后產(chǎn)生的沒(méi)有被探測(cè)器直接接收的部分熒光信號(hào)；若是 同質(zhì)異色紗線，反射回來(lái)的光信號(hào)為同質(zhì)異色紗線對(duì)紫外光產(chǎn)生的不同反射 光。
實(shí)現(xiàn)本發(fā)明光電式清紗檢測(cè)方法的檢測(cè)裝置，包括外殼支架、發(fā)光管和探 測(cè)器，所述發(fā)光管和探測(cè)器組成一探測(cè)屏面，在與此屏面相向平行設(shè)置有一個(gè) 由反光鏡組成的反射屏面，所述探測(cè)屏面和反射屏面均設(shè)置在外殼支架的內(nèi)表面上，兩屏面間的間隙為紗線檢測(cè)通道；所述發(fā)光管為紫外發(fā)光二極管；所述探測(cè)器為紫外增強(qiáng)型硅光電二極管。在所述探測(cè)屏面上設(shè)置有一個(gè)濾光片，以濾除紫外光以外的其他成分和紅外光線；所述濾光片的透過(guò)光波波長(zhǎng)為400nm士70nm，即對(duì)330 ~ WOnm以外的光源透過(guò)率很低。所述外殼支架為凹形體，探測(cè)屏面和反射屏面分別設(shè)置在凹形外殼支架 左、右豎直面的內(nèi)表面上。所述發(fā)光管位于探測(cè)器兩側(cè)，且兩側(cè)發(fā)光管分布位置對(duì)稱；發(fā)光管的個(gè)數(shù) 最好是2 8個(gè)，每側(cè)各1 4個(gè)。上述紫外發(fā)光二極管的發(fā)光波長(zhǎng)最好在340 ~ 405nm范圍內(nèi)。上述紫外增強(qiáng)型硅光電二極管探測(cè)器，能從19Onm開(kāi)始響應(yīng)，在波長(zhǎng)20Onm 處接受一瓦特光的照射，能產(chǎn)生0. 10安培左右的光電流，在峰值響應(yīng)處(720nm 處)接受一瓦特光的照射，能產(chǎn)生O. 36安培左右的光電流，在25。C，加l伏 特反偏壓測(cè)得的暗電流為10 —"安培。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有的有益效果為無(wú)需采用光電式和電容式相 結(jié)合式檢測(cè)方法，只用光電式檢測(cè)方法便能檢測(cè)出異質(zhì)纖維、同質(zhì)纖維紗線上 的雜色，并給出結(jié)頭、毛粒、短粗、長(zhǎng)粗、長(zhǎng)細(xì)等紗疵信號(hào)，比實(shí)現(xiàn)同等功能 的檢測(cè)裝置設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單、制造成本低廉。


圖1為實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2為實(shí)施例的工作示意圖。圖中l(wèi)一外殼支架；2—發(fā)光管；3—探測(cè)器；4一濾光片；5—反光鏡；6 一紗線；7—信號(hào)處理系統(tǒng)。
具體實(shí)施例方式
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明，其目的僅在于更好理解本 發(fā)明的內(nèi)容而非限制本發(fā)明的保護(hù)范圍 實(shí)施例如圖1所示，本實(shí)施例提供的光電式清紗檢測(cè)裝置，包括 一 個(gè)凹形外殼支架l、六個(gè)發(fā)光管2、 一個(gè)探測(cè)器3、 一個(gè)濾光片4及一個(gè)反光鏡5,所述發(fā) 光管2及探測(cè)器3均設(shè)置在凹形外殼支架左豎直面的內(nèi)表面上組成一探測(cè)屏 面，反光鏡5設(shè)置在凹形外殼支架右豎直面的內(nèi)表面上組成一反射屏面，探測(cè) 屏面和反射屏面間的間隙為紗線檢測(cè)通道；濾光片4設(shè)置在探測(cè)屏面上，以濾 除紫外光以外的其他成分和紅外光線；發(fā)光管2位于探測(cè)器3兩側(cè)并且兩側(cè)發(fā) 光管分布位置對(duì)稱，即每側(cè)各3個(gè)發(fā)光管；所述發(fā)光管2為紫外發(fā)光二極管， 發(fā)光波長(zhǎng)在340 ~ 405nm范圍內(nèi)；所述探測(cè)器3為紫外增強(qiáng)型硅光電二極管， 能從190nm開(kāi)始響應(yīng)，在波長(zhǎng)200nm處接受一瓦特光的照射，能產(chǎn)生0. 10安 培左右的光電流，在峰值響應(yīng)處(720nm處)接受一瓦特光的照射，能產(chǎn)生0. 36 安培左右的光電流，在25X:，加l伏特反偏壓測(cè)得的暗電流為10 —"安培；所 述濾光片的透過(guò)光波波長(zhǎng)為400nm土70nm,即對(duì)330 ~ 470nm以外的光源透過(guò)率 很低；所述凹形外殼支架1可由膠木板或塑料板材組成。由于同色異質(zhì)紗線(如丙綸絲、滌綸絲或尼龍絲)被紫外光激發(fā)后會(huì)產(chǎn) 生明亮的熒光及同質(zhì)異色紗線對(duì)紫外光的反射不同，因此本發(fā)明利用紫外光源 照射紗線，將由此產(chǎn)生的光信號(hào)經(jīng)過(guò)一個(gè)反射屏面反射回來(lái)，反射回來(lái)的異質(zhì) 紗線被紫外光激發(fā)后產(chǎn)生的沒(méi)有被探測(cè)器直接接收的部分熒光信號(hào)或同質(zhì)異 色紗線對(duì)紫外光產(chǎn)生的不同反射光被紫外增強(qiáng)型探測(cè)器接收，然后輸出給信號(hào) 處理系統(tǒng)，信號(hào)處理系統(tǒng)對(duì)輸入的微電流信號(hào)經(jīng)過(guò)放大、濾波、整形和比較處 理，最后輸出同色異質(zhì)或同質(zhì)異色的檢測(cè)信號(hào)。如圖2所示，當(dāng)發(fā)光管2發(fā)出的紫外光被濾光片4濾除紫外光以外的其他 成分和紅外光線后，投射到被檢測(cè)紗線6上，若是同色異質(zhì)紗線，如丙綸絲、 滌綸絲或尼龍絲，則由于它們被紫外光激發(fā)會(huì)產(chǎn)生明亮的熒光，這些熒光一部 分被探測(cè)器3直接接收，未被直接接收的部分熒光通過(guò)反光鏡5反射回來(lái)后可 再次被探測(cè)器3接收，這樣就增強(qiáng)了探測(cè)器對(duì)異質(zhì)纖維產(chǎn)生的熒光信號(hào)的接收。 探測(cè)器將接收到的增強(qiáng)信號(hào)輸出給信號(hào)處理系統(tǒng)7，信號(hào)處理系統(tǒng)7對(duì)輸入的
微電流信號(hào)進(jìn)行放大、濾波、整形和比較后，即可輸出同色異質(zhì)的檢測(cè)信號(hào)。 若是同質(zhì)異色紗線，則由于它們對(duì)紫外光產(chǎn)生的反射光不同，探測(cè)器會(huì)接收到 它們對(duì)紫外光的不同反射光信號(hào)，這些不同反射光信號(hào)由探測(cè)器輸出給信號(hào)處 理系統(tǒng)，信號(hào)處理系統(tǒng)對(duì)輸入的微電流信號(hào)進(jìn)行放大、濾波、整形和比較后，即可輸出同質(zhì)異色的檢測(cè)信號(hào)?？梢?jiàn)，本發(fā)明無(wú)需采用光電式和電容式相結(jié)合式檢測(cè)方法，只用光電式檢 測(cè)方法便能檢測(cè)出異質(zhì)纖維、同質(zhì)纖維紗線上的雜色，并給出結(jié)頭、毛粒、短 粗、長(zhǎng)粗、長(zhǎng)細(xì)等紗疵信號(hào)，比實(shí)現(xiàn)同等功能的檢測(cè)裝置設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單、制造成本
權(quán)利要求
1.一種光電式清紗檢測(cè)方法，其特征在于，利用紫外光源照射紗線，將由此產(chǎn)生的光信號(hào)經(jīng)過(guò)一個(gè)反射屏面反射回來(lái)，反射回來(lái)的光信號(hào)被紫外增強(qiáng)型探測(cè)器接收后輸出給信號(hào)處理系統(tǒng)，然后信號(hào)處理系統(tǒng)對(duì)輸入的微電流信號(hào)經(jīng)過(guò)放大、濾波、整形和比較處理，最后輸出檢測(cè)信號(hào)。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電式清紗檢測(cè)方法，其特征在于，所述反射回 來(lái)的光信號(hào)為異質(zhì)紗線被紫外光激發(fā)后產(chǎn)生的沒(méi)有被探測(cè)器直接接收的部分熒 光信號(hào)或同質(zhì)異色紗線對(duì)紫外光產(chǎn)生的不同反射光。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的光電式清紗檢測(cè)方法，其特征在于，所述異質(zhì)紗線為丙綸絲、滌綸絲或尼龍絲。
4. 一種實(shí)現(xiàn)權(quán)利要求l所述的光電式清紗檢測(cè)方法的檢測(cè)裝置，包括外殼 支架、發(fā)光管和探測(cè)器，其特征在于A) 所述發(fā)光管和探測(cè)器組成一探測(cè)屏面，在與此屏面相向平行設(shè)置有一個(gè) 由反光鏡組成的反射屏面，所述探測(cè)屏面和反射屏面均設(shè)置在外殼支架的內(nèi)表 面上，兩屏面間的間隙為紗線檢測(cè)通道；B) 所述發(fā)光管為紫外發(fā)光二極管；C) 所述探測(cè)器為紫外增強(qiáng)型硅光電二極管。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的檢測(cè)裝置，其特征在于，在所述探測(cè)屏面上設(shè)置 有一個(gè)濾光片。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的檢測(cè)裝置，其特征在于，所述濾光片的透過(guò)光波 波長(zhǎng)為400訓(xùn)± 70nm。
7. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的檢測(cè)裝置，其特征在于，所述發(fā)光管位于探測(cè)器兩側(cè)且兩側(cè)發(fā)光管分布位置對(duì)稱。
8. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的檢測(cè)裝置，其特征在于，所述發(fā)光管的個(gè)數(shù)為2~ 8個(gè)，每側(cè)各H個(gè)。
9. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的檢測(cè)裝置，其特征在于，所述紫外發(fā)光二極管的 發(fā)光波長(zhǎng)在340 405nm范圍內(nèi)。
10. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的檢測(cè)裝置，其特征在于，所述紫外增強(qiáng)型硅光 電二極管的暗電流為1(T"安培，從190nm開(kāi)始響應(yīng)。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種光電式清紗檢測(cè)方法及其裝置，所述方法是利用紫外光源照射紗線，將由此產(chǎn)生的光信號(hào)經(jīng)過(guò)一個(gè)反射屏面反射回來(lái)，反射回來(lái)的光信號(hào)被紫外增強(qiáng)型探測(cè)器接收后輸出給信號(hào)處理系統(tǒng)，然后信號(hào)處理系統(tǒng)對(duì)輸入的微電流信號(hào)經(jīng)過(guò)放大、濾波、整形和比較處理，最后輸出檢測(cè)信號(hào)。實(shí)現(xiàn)所述方法的檢測(cè)裝置主要包括一個(gè)由紫外發(fā)光二極管和紫外增強(qiáng)型硅光電二極管探測(cè)器組成的探測(cè)屏面和一個(gè)與此屏面相向平行設(shè)置的反射屏面，兩屏面間的間隙構(gòu)成紗線檢測(cè)通道。本發(fā)明用光電式檢測(cè)方法實(shí)現(xiàn)了光電式和電容式相結(jié)合式檢測(cè)方法的同等功能，且所用檢測(cè)裝置設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單、制造成本低廉。
文檔編號(hào)D06H3/00GK101118221SQ20071004511
公開(kāi)日2008年2月6日 申請(qǐng)日期2007年8月22日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月22日
發(fā)明者吳作良, 彭和建, 徐一凡 申請(qǐng)人:上?？迫A光電技術(shù)研究所