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      浮拋槽的制作方法

      文檔序號:1849833閱讀:436來源:國知局
      專利名稱:浮拋槽的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種用于浮法玻璃生產(chǎn)設(shè)備的浮拋槽,帶有槽底外殼,其中承接多個毗連置放的槽底磚,并且其中,在槽底磚的上部構(gòu)成熔體區(qū)。
      目前,例如用于建筑物和汽車上的平板玻璃是按照浮法生產(chǎn)。這里,鈣氧化鈉玻璃在約1100℃下在液態(tài)錫槽上浮拋,在其中本身進(jìn)行成型,并以無盡的玻璃帶拉出。在這方面使用的浮拋槽通常具有鋼槽,鋼槽鋪有耐火的槽底磚。在耐火槽底磚上是層厚約40 80mm的液態(tài)錫。耐火槽底磚的尺寸例如約300×600×1000mm。因?yàn)槟突鸩鄣状u的比重小于液態(tài)錫的比重,所以,必須用螺栓將其連接在鋼槽底部。
      用于鈣氧化鈉玻璃的通常浮法玻璃的長度約為50 60m,寬度為5 6m。
      鋼槽必須經(jīng)常是冷卻的。槽底磚的下面必須保持在錫的熔化溫度(231.9℃)之下,由此液態(tài)錫不會沖蝕底磚并與鋼槽接觸。
      槽底磚在800℃至1050℃的溫度下,通過吸收Na2O和霞石(堿爆裂)的形成而受到很強(qiáng)的侵蝕。通過堿爆裂造成剝落和剝落的磚體浮起。浮拋的玻璃不能使用。極端情況下不得不中斷生產(chǎn)過程并更換浮拋槽底磚。Na2O來源于熔融玻璃,經(jīng)過擴(kuò)散過程通過液態(tài)錫而進(jìn)入耐火槽底磚。液態(tài)錫在約1000℃時溶解約3.5ppm的鈉和約1.7ppm的氧。
      所有含SiO2-的耐火材料,通過在這些材料中含有的硅酸鹽玻璃相或熔融相中的擴(kuò)散,多少都會吸收Na2O。
      可以實(shí)現(xiàn)輕易改進(jìn)的是通過槽底磚,它雖然還像以前那樣吸收Na2O,但是通過由不滲透的耐火粘土顆粒和“富堿性基質(zhì)”構(gòu)成的特殊結(jié)構(gòu),能夠在相當(dāng)大的程度上補(bǔ)償因霞石形成引起的體積膨脹。
      此外,提出使用鋁酸鈣磚代替堿敏感的耐火粘土磚。然而它們在工業(yè)中不可行。鋁酸鈣結(jié)合的浮拋槽底磚描述于國際玻璃(1194,21-26頁;錫槽底磚)中。
      下列專利中介紹了槽底磚在浮拋槽底中的使用OS DE 1807732 熔融容器
      OS DE 1807731用于制造澆注平板玻璃的槽JP 740 10 132使用熔融金屬槽的連續(xù)平板玻璃生產(chǎn)......
      US 5.007.950 浮法玻璃槽的底部結(jié)構(gòu)FR 2673175 耐火材料磚......
      所有公知的陶瓷槽底磚通過在玻璃相上的擴(kuò)散多少都會吸收Na2O。在含堿玻璃浮拋時“堿爆裂”而因“浮起的小顆粒”對玻璃質(zhì)量的負(fù)影響,在浮拋玻璃下面的刮痕,并中斷生產(chǎn),使更換槽底磚不能避免。
      本發(fā)明的目的在于,提供一種上述類型的浮拋槽,其中,使槽底磚達(dá)到有顯著改進(jìn)的損壞狀況。
      這一目的由此得以實(shí)現(xiàn),即至少在其靠近熔體區(qū)部分槽底磚的面上,至少在部分區(qū)域上用非貴金屬覆蓋。與例如貴重耐火金屬(鉑,鉑合金)不同,非貴金屬具有有利的特性,它與錫沒有或者只有很小的相互作用,有時還接受溶解在錫中的雜質(zhì)。因此,非貴金屬本身也不會向錫槽中釋放雜質(zhì)。此外,槽底磚這種覆蓋,使錫減少侵蝕或者不再出現(xiàn)侵蝕。如果槽底磚上出現(xiàn)可能的剝落,非貴金屬層阻止其排放到液態(tài)錫中。優(yōu)選是將鎢或者鎢合金作為非貴金屬使用。這種金屬在熱和機(jī)械上足夠穩(wěn)定,以至于可以在浮法工藝過程中使用。此外,它對溫度變化不敏感,并在錫槽的還原環(huán)境中(錫中pO210-15-10-30巴)可不使用另外的。
      依據(jù)本發(fā)明一優(yōu)選的實(shí)施方案變體,鎢具有≤20ppm的最大O2-含量。特別適用的是,在這方面也有一種材料,其特征是鎢由通過氧化鎢還原而制造的燒結(jié)材料所構(gòu)成。
      為覆蓋槽底磚,非貴金屬可以在支承層的中間層下面覆蓋槽底磚。
      浮拋槽的一種可能的實(shí)施方案變體的特征在于,在槽底磚上置放一個或多個薄板,它至少是在其朝向熔體區(qū)一面具有帶非貴金屬的涂層,或者這些薄板是由非貴金屬構(gòu)成。這些薄板操作和安裝簡單。它們可以大面積覆蓋槽底磚。此外,它們還可根據(jù)材料性質(zhì)而改變,以便也能覆蓋連接在槽底磚上的熔體區(qū)的側(cè)壁區(qū)域。
      優(yōu)選的方式是,這些薄板具有0.5mm和3mm之間范圍內(nèi)的厚度。規(guī)格應(yīng)在1.5m2和2.5m2之間的范圍內(nèi)。
      錫對槽底磚的侵蝕主要是在800℃和1050℃之間的臨界溫度中出現(xiàn)。因此,本發(fā)明特別提出,至少在熔體區(qū)中承受800℃和1050℃之間范圍內(nèi)溫度的熔體區(qū)中的槽底磚用非貴金屬覆蓋。
      為了保護(hù)槽底磚之間有危險(xiǎn)的沖擊區(qū),在毗連置放的槽底磚之間構(gòu)成的接縫處由非貴金屬層覆蓋。
      下面借助附圖中示出的實(shí)施例對本發(fā)明作詳細(xì)說明。其中

      圖1示出浮拋槽的原理圖和頂視圖,圖2示出圖1的縱剖面圖和圖3示出圖2一區(qū)域的放大詳圖。
      圖1示出平板玻璃生產(chǎn)設(shè)備的浮拋槽,它以通常方式用于生產(chǎn)鈣氧化鈉玻璃。浮拋槽具有鋼板制成的槽底外殼10。它在熔體入口15和熔體出口16之間構(gòu)成一熔體區(qū)。此外,大量槽底磚11安置在槽底外殼10內(nèi)。在這方面,槽底磚11是以接合縫11.1毗連緊密放置,如從圖3可看到。如從圖3還可看到,在槽底磚11的上面置放板12。該板由鎢材料制成。這里,板12優(yōu)選為2平方米大小的正方形。在熔體邊緣的區(qū)域內(nèi),根據(jù)需要調(diào)整板的尺寸。它這樣置放在槽底磚11上,使它覆蓋槽底磚11之間的接合縫11.1。
      與此相應(yīng),板12的接口12.1設(shè)置在朝向熔體區(qū)的槽底磚11的轉(zhuǎn)向上面的熔體區(qū)內(nèi)。
      如從圖1可以看出,板12僅設(shè)置在部分熔體區(qū)內(nèi)。其中,錫13的溫度處于800℃和1050℃(臨界溫度范圍)之間。其他熔體區(qū)不必用板12覆蓋,因?yàn)檫@里槽底磚11不磨損或僅出現(xiàn)有限的磨損。在圖中示出的浮拋槽的情況下,臨界溫度范圍設(shè)置在所謂的第二個和第九個槽跨之間。它延伸的長度為“L”。
      鎢板12防止說明書前言中所描述的“堿爆裂”。因此,防止磚成分從槽底磚11中剝落并通過錫13到達(dá)玻璃帶14并防止在這里可能造成的損壞。
      權(quán)利要求
      1.一種用于浮法玻璃生產(chǎn)設(shè)備的浮拋槽,帶有槽底外殼,外殼內(nèi)承接多個毗連置放的槽底磚,其中,在槽底磚的上部構(gòu)成熔體區(qū),其特征在于,至少部分槽底磚(11)在其朝向熔體區(qū)的面上,至少在區(qū)域內(nèi)用非貴金屬覆蓋。
      2.按權(quán)利要求1所述的浮拋槽,其特征在于,非貴金屬由鎢或者鎢合金構(gòu)成。
      3.按權(quán)利要求2所述的浮拋槽,其特征在于,鎢具有≤20ppm的最大O2-含量。
      4.按權(quán)利要求2或3之一所述的浮拋槽,其特征在于,鎢由通過氧化鎢還原制造的燒結(jié)材料所構(gòu)成。
      5.按權(quán)利要求1至4之一所述的浮拋槽,其特征在于,非貴金屬在支承層的中間層下面覆蓋槽底磚(11)。
      6.按權(quán)利要求1至5之一所述的浮拋槽,其特征在于,在槽底磚(11)上置放一個或多個板,板至少在其朝向熔體區(qū)的面上具有非貴金屬的涂層,或者這些板由非貴金屬組成。
      7.按權(quán)利要求6所述的浮拋槽,其特征在于,這些板的板厚度在0.5mm與3mm之間。
      8.按權(quán)利要求5或6所述的浮拋槽,其特征在于,這些板的表面范圍在1.5m2和2.5m2之間。
      9.按權(quán)利要求1至8之一所述的浮拋槽,其特征在于,至少在熔體區(qū)中承受800℃和1050℃之間范圍內(nèi)溫度的槽底磚(11)用非貴金屬覆蓋。
      10.按權(quán)利要求1至9中之一所述的浮拋槽,其特征在于,在毗連置放的槽底磚(11)之間構(gòu)成的接合縫(11.1)由非貴金屬層覆蓋。
      全文摘要
      本發(fā)明涉及一種用于浮法玻璃生產(chǎn)設(shè)備的浮拋槽,帶有槽底外殼,外殼內(nèi)承接多個毗連置放的槽底磚,其中,在槽底磚的上部形成熔體區(qū)。為了能夠使槽底磚形成明顯改進(jìn)的封閉效果,依據(jù)本發(fā)明,至少部分槽底磚在其朝向熔體區(qū)的面上,用非貴金屬覆蓋。
      文檔編號C03B18/16GK1446763SQ0312503
      公開日2003年10月8日 申請日期2003年3月6日 優(yōu)先權(quán)日2002年3月6日
      發(fā)明者格哈德·勞滕施拉格, 克勞斯·施耐德, 安德烈亞斯·莫斯坦, 斯蒂芬·梅爾曼 申請人:艙壁玻璃公司
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