專利名稱:一種等離子顯示面板用介電材料的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明要求在先日本專利申請(qǐng)JP2002-245673的優(yōu)先權(quán),在本文中引用其說明書作為參考。
背景技術(shù):
本發(fā)明涉及一種等離子顯示面板用介電材料,特別是,涉及一種在等離子顯示面板的前玻璃板上形成透明介電層中使用的介電材料。
等離子顯示面板是一種自發(fā)射的平面顯示器,并且具有優(yōu)異的特性,例如重量輕,外形小,觀察視角寬。在等離子顯示面板中,能容易地加寬顯示屏。因此,等離子顯示面板作為最有希望的顯示裝置之一為人們所重視。
等離子顯示面板具有前玻璃基板,該基板配有在其上形成的Ag或Cr-Cu-Cr的掃描電極以產(chǎn)生等離子放電。在掃描電極上,形成厚度大約為30-40μm的透明介電層以維持等離子放電。
通常使用鈉鈣玻璃或者高應(yīng)變點(diǎn)玻璃作為等離子顯示面板的前玻璃基板和后玻璃基板。在500-600℃下,通過燒結(jié)介電材料的方法在玻璃基板上形成介電層以防止玻璃基板的變形并抑制與電極的反應(yīng)。鑒于上述原因,使用含大量鉛的富鉛玻璃粉末作為介電材料,其與玻璃基板的熱膨脹系數(shù)匹配,并且能在500-600℃下燒結(jié)。此外,介電層必須具有高的擊穿電壓和高的透光度。因此,介電材料需要有以下特性,即在燒結(jié)期間氣泡容易清除,而且即使留有氣泡,氣泡也并不大。
然而,如果利用含富鉛玻璃粉末的介電材料,通過單一燒結(jié)步驟就形成厚度為30-40μm介電層,則在燒結(jié)期間幾乎不能清除氣泡,這導(dǎo)致透光度的降低。另一方面,如果以疊加許多厚度降低的薄層的方式形成介電層以使氣泡容易清除,則需要增加燒結(jié)步驟的數(shù)量,這導(dǎo)致成本增加。
鑒于上述理由,本發(fā)明人在日本未審查的專利公開2000-256039(JP2000-256039A)中提出了一種包含BaO-ZnO-B2O3-SiO2玻璃的介電材料。該介電材料與玻璃基板的熱膨脹系數(shù)匹配,并且當(dāng)通過燒結(jié)介電材料獲得燒結(jié)薄膜時(shí),抑制殘留氣泡在玻璃中存在,從而確保即使用單一燒結(jié)步驟形成厚度為30-40μm的介電層也具有高的透光率。
因此,由于容易地清除氣泡,所以上述的介電材料能提供透光度優(yōu)異的介電層。然而,上面述的介電材料是不利的,因?yàn)椴AШ碗姌O之間相互反應(yīng)以產(chǎn)生氣泡且該氣泡在電極的周圍生長(zhǎng),從而以大氣泡的形式留下。
發(fā)明概述因此,本發(fā)明的目的在于提供一種等離子顯示面板用介電材料,其與前玻璃基板的熱膨脹系數(shù)匹配,當(dāng)通過燒結(jié)介電材料獲得燒結(jié)薄膜時(shí),即使用單一的燒結(jié)步驟形成厚度為30-40μm的介電層,其也能抑制殘留的氣泡在介電層中存在,并且其能夠抑制與電極的反應(yīng)以形成透光度高而在電極周圍未留有大氣泡的介電層。
作為大量研究的結(jié)果,本發(fā)明人發(fā)現(xiàn),如果使用含作為堿金屬組分的B2O3-ZnO玻璃作為等離子顯示面板用的介電材料,會(huì)抑制在電極周圍產(chǎn)生大氣泡。基于這些發(fā)現(xiàn),提出本發(fā)明。
根據(jù)本發(fā)明,提供一種等離子顯示面板用介電材料,其包含80-100(質(zhì)量)%的玻璃粉末和0-20(質(zhì)量)%的陶瓷粉末,其中玻璃粉末主要由下述組分構(gòu)成,按質(zhì)量百分比計(jì)算,3-25%BaO、25-60%ZnO、15-35%B2O3、3-30%SiO2、0.2-6%Li2O和0-1.5%Al2O3。
優(yōu)選實(shí)施方案描述作為根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示面板用介電材料使用含BaO-ZnO-B2O3-SiO2玻璃的玻璃粉末作為基本組成。上述玻璃的粘度變化是相對(duì)慢的,因此當(dāng)通過燒結(jié)介電材料獲得燒結(jié)薄膜時(shí),容易從介電層中清除氣泡。而且,玻璃粉末包含0.2%或更多的Li2O作為必要組分以抑制氣泡在電極周圍的產(chǎn)生和生長(zhǎng)。而且,如果玻璃粉末總共含1%或更多的Li2O、Na2O和K2O作為堿金屬組分,能夠降低作為電極組分的Ag或Cu溶入玻璃中的危險(xiǎn),并能抑制玻璃與電極的反應(yīng)。從而,進(jìn)一步抑制了氣泡的產(chǎn)生和生長(zhǎng)。
只要玻璃主要由下述組分構(gòu)成,按質(zhì)量百分比計(jì)算,3-25%BaO、25-60%ZnO、15-35%B2O3、3-30%SiO2、0.2-6%Li2O和0-1.5%Al2O3,本發(fā)明所使用的玻璃粉末可以是結(jié)晶的玻璃或非結(jié)晶的玻璃。如果增加ZnO和/或堿金屬組分的含量并降低SiO2的含量,那么玻璃就易于成為結(jié)晶玻璃。特別是,如果玻璃主要由下述組分構(gòu)成,按質(zhì)量百分比計(jì)算,3-25%BaO、30-60%ZnO、15-35%B2O3、3-20%SiO2、02-6%Li2O和0-1.5%Al2O3,就易于得到可結(jié)晶的玻璃。如果玻璃主要由下述組分構(gòu)成,按質(zhì)量百分比計(jì)算,3-25%BaO、25-45%ZnO、15-35%B2O3、10-30%SiO2、02-6%Li2O和0-1.5%Al2O3,就易于獲得非結(jié)晶的玻璃。
如果使用結(jié)晶玻璃作為介電材料,預(yù)計(jì)可實(shí)現(xiàn)下述效果。在玻璃和電極之間彼此發(fā)生反應(yīng)而產(chǎn)生氣泡的情況下,與電極發(fā)生反應(yīng)的部分和氣泡作為晶核,從而使微晶只沉積在反應(yīng)部分和氣泡的周圍。因此,抑制了氣泡在電極周圍的產(chǎn)生和生長(zhǎng)。
然而,如果使用該結(jié)晶玻璃作為介電材料,在燒結(jié)期間可以沉積出晶體,這使得難以獲得透明的薄膜。為了防止在燒結(jié)期間玻璃結(jié)晶,優(yōu)選地,將BaO/(B2O3+SiO2)的比值調(diào)整為0.1-0.8。
使用結(jié)晶溫度為600-800℃的結(jié)晶玻璃是理想的。原因如下。如果玻璃結(jié)晶溫度過低,晶體在燒結(jié)期間沉積,因此難以獲得透明的燒結(jié)薄膜。另一方面,如果結(jié)晶溫度過高,難以抑制玻璃與電極反應(yīng)產(chǎn)生的氣泡的生長(zhǎng)。
另一方面,在使用非結(jié)晶玻璃的情況下,優(yōu)選地,將B2O3/SiO2的比值調(diào)整為0.8-2.0。
現(xiàn)在,將說明為何對(duì)玻璃粉末的組成進(jìn)行如上所述的限制。
BaO是防止介電材料在燒結(jié)過程中玻璃結(jié)晶的組分。BaO的含量是3-25%,優(yōu)選為5-20%。如果BaO的含量低于3%,晶體在燒結(jié)期間沉積,因此不能得到透明的燒結(jié)薄膜。如果BaO的含量高于25%,熱膨脹系數(shù)就會(huì)變高并且與玻璃基板的熱膨脹系數(shù)不匹配。
ZnO是用于降低軟化點(diǎn)和熱膨脹系數(shù)的組分。ZnO的含量是25-60%。如果使用結(jié)晶玻璃作為玻璃粉末,ZnO的含量?jī)?yōu)選為35-55%,更優(yōu)選為44-55%。如果非結(jié)晶玻璃被用作玻璃粉末,ZnO的含量?jī)?yōu)選為27-45%,更優(yōu)選為30-44%。如果ZnO的含量低于25%,就不能獲得上面所述的效果。如果ZnO的含量超過60%,晶體在燒結(jié)期間沉積,因此不能得到透明的燒結(jié)薄膜。
B2O3是形成玻璃網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的組分。B2O3的含量是15-35%,優(yōu)選為17-33%。如果B2O3的含量低于15%,玻璃化困難。另一方面,如果B2O3的含量超過35%,熱膨長(zhǎng)系數(shù)過高并且與玻璃基板的熱膨脹系數(shù)不匹配。
SiO2是形成玻璃網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的組分。SiO2的含量是3-30%。如果使用結(jié)晶玻璃作為玻璃粉末,SiO2的含量?jī)?yōu)選為4-17%,更優(yōu)選為4-13%。如果使用非結(jié)晶玻璃作為玻璃粉末,SiO2的含量?jī)?yōu)選為10-27%,更優(yōu)選為13-24%。如果SiO2的含量低于3%,在燒結(jié)期間晶體沉積,因此不能得到透明的燒結(jié)薄膜。如果SiO2的含量超過30%,軟化點(diǎn)過高,因此不能在不高于600℃下進(jìn)行燒結(jié)。
Li2O是用于抑制玻璃和電極之間的反應(yīng)并且抑制在電極周圍產(chǎn)生的氣泡生長(zhǎng)的組分。Li2O的含量是0.2-6%,優(yōu)選為0.5-5%。如果Li2O的含量低于0.2%,不能充分實(shí)現(xiàn)上述效果。另一方面,如果Li2O的含量超過6%,在燒結(jié)期間晶體容易沉積,因此不能得到透明的燒結(jié)薄膜。
在燒結(jié)期間只加入Li2O可以造成晶體沉積。因此,需要另外使用Na2O和K2O,和Li2O一樣,二者中的任何一種都用于抑制玻璃與電極之間的反應(yīng)并抑制在電極周圍產(chǎn)生的氣泡的生長(zhǎng)。然而,如果Na2O和K2O的含量增加,在燒結(jié)期間晶體容易沉積,因此難以得到透明的燒結(jié)薄膜。鑒于以上原因,優(yōu)先地將Na2O和K2O二者中的每一種的含量限為6%或者更少。至于堿金屬組分,Li2O、Na2O和K2O的總含量是1-12%,優(yōu)選為2-11%。如果總含量低于1%,難以實(shí)現(xiàn)抑制玻璃與電極之間的反應(yīng)并抑制電極在周圍產(chǎn)生的氣泡生長(zhǎng)的效果。另一方面,如果總的含量超過12%,在燒結(jié)期間晶體容易沉積,因此難以得到透明的燒結(jié)薄膜。
Al2O3是防止介電材料在燒結(jié)期間玻璃結(jié)晶的組分。Al2O3的含量是0-1.5%,優(yōu)選為0-1%。如果Al2O3的含量超過1.5%,軟化點(diǎn)升高,因此不能在不高于600℃條件下進(jìn)行燒結(jié)。
為了防止介電材料在燒結(jié)期間玻璃結(jié)晶,BaO/(B2O3+SiO2)的比值理想的是落在0.1-0.8之內(nèi)。如果上述比值小于0.1,晶體在介電材料的燒結(jié)期間沉積,因此難以得到透明的燒結(jié)薄膜。如果上述的比值大于0.8,介電材料的熱膨脹系數(shù)變大并且與玻璃基板的熱膨脹系數(shù)不匹配。更優(yōu)選的是,上述的比值落在0.15-0.6內(nèi)。
如果使用非結(jié)晶玻璃作為介電材料,優(yōu)先地,將B2O3/SiO2的比值調(diào)整至0.8-2.0以進(jìn)一步抑制玻璃與電極之間反應(yīng)產(chǎn)生的氣泡的生長(zhǎng)。如果上述比值小于0.8,軟化點(diǎn)會(huì)變得過高并且難以在不高于600℃的溫度下進(jìn)行燒結(jié)。如果上述比值大于2.0,在燒結(jié)期間晶體易于沉積,因此不能獲得透明的燒結(jié)薄膜。上述比值優(yōu)選的是落在0.9-1.7內(nèi),更優(yōu)選的是1.0-1.5內(nèi)。
除了上述組分,可以在一定范圍內(nèi)加入其它組分,這樣不破壞本發(fā)明的效果。例如,為了防止結(jié)晶溫度降低,可以加入La2O3或Y2O3。為了提高抗水性能和耐化學(xué)腐蝕性能,可以加入堿土金屬氧化物,例如MgO、CaO和SrO、Ta2O5、SnO2、ZrO2、TiO2或Nb2O5。為了使玻璃穩(wěn)定,可以加入P2O5。必須將其它組分的總和限制為15%或更少,優(yōu)選為10%或更少。
PbO是使玻璃的軟化點(diǎn)降低的組分。然而,優(yōu)選不包含PbO,因?yàn)镻bO的存在使介電層在燒結(jié)期的過程中氣泡難于清除并且難于獲得透明的燒結(jié)薄膜。
為了抑制氣泡的產(chǎn)生并維持外形,根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示面板用介電材料除上述的玻璃粉末外可以包含高達(dá)20%的陶瓷粉末。如果陶瓷粉末的含量超過20%,可見光發(fā)散,因此難以獲得透明的燒結(jié)薄膜。陶瓷粉末的含量?jī)?yōu)選為10%或更少??梢允褂靡环N陶瓷材料或兩種或多種陶瓷材料的組合作為陶瓷粉末,諸如氧化鋁,氧化鋯,鋯石,氧化鈦,堇青石,莫來石,硅石,硅鋅礦,氧化錫和氧化鋅。為了避免由于引入陶瓷粉體而導(dǎo)致介電層的透光率下降,可以將部分或全部陶瓷粉末形成球狀。在文中,“球狀”指的是這樣的顆粒,其在顆粒的表面上沒有棱角的部分且測(cè)量的從顆粒中心到整個(gè)顆粒表面上的每個(gè)點(diǎn)的半徑偏差范圍為±20%以內(nèi)。理想地,陶瓷粉末的平均粒徑為5μm或更小,最大粒徑為20μm或更小。
根據(jù)本發(fā)明所述的等離子顯示面板用介電材料,優(yōu)選地,玻璃粉末具有如下參表給出的粒度,平均粒徑D50為3.0μm或更小,最大粒徑Dmax為20μm或更小。如果平均粒徑或最大粒徑兩者任一超過上述的上限,大氣泡則易于留在薄膜中。
可以使用根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示面板用介電材料用為形成于前板上的透明介電元件和形成于后板上的地址(address)介電元件二者之中的任何一個(gè)。根據(jù)本發(fā)明的介電材料可以應(yīng)用于各種其它用途。
下面,將說明如何使用根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示面板用介電材料。例如,本發(fā)明所述的介電材料可以以漿料或生片的形式應(yīng)用。
如果介電材料以漿料的形式應(yīng)用,熱塑性樹脂,增塑劑和溶劑可以與上面提到的介電材料一起使用。在漿料中玻璃粉末的比率通常約為30-90(質(zhì)量)%。
熱塑性樹脂是一種在干燥之后提高薄膜的強(qiáng)度并提供韌性的組分。熱塑性樹脂的含量通常約為0.1-20(質(zhì)量)%??梢允褂镁奂谆┧岫□?、聚乙烯醇縮丁醛、聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸乙酯和乙基纖維素作為熱塑性樹脂。這些物質(zhì)可以單獨(dú)或者組合使用。
增塑劑是一種控制干燥速率并為干燥薄膜提供韌性的組分。增塑劑的含量通常約為0-10(質(zhì)量)%??梢允褂绵彵蕉姿岫∑S酯、鄰苯二甲酸二辛酯、鄰苯二甲酸二異辛酯、鄰苯二甲酸二癸酯和鄰苯二甲酸二丁酯作為增塑劑。這些物質(zhì)可以單獨(dú)或者組合使用。
溶劑用于使原料形成漿料。溶劑的含量通常約為10-30(質(zhì)量)%??梢允褂盟捎痛肌⒁宜?二乙二醇單丁醚)酯和2,2,4-三甲基-1,3-二戊醇單異丁酸酯作為溶劑。這些物質(zhì)可以單獨(dú)或者組合使用。
通過準(zhǔn)備介電材料、熱塑性樹脂、增塑劑、溶劑等并以預(yù)定的比例混合這些物質(zhì)來制造漿料。
利用上述的漿料,以下述方式形成介電層。首先,通過絲漏網(wǎng)印刷或批量涂層涂敷漿料以形成具有預(yù)定厚度的應(yīng)用層(application layer)。其后,將此應(yīng)用層干燥成干燥膜。然后,燒結(jié)此干燥膜來獲得預(yù)定厚度的介電層。
如果使用本發(fā)明的介電材料,熱塑性樹脂和增塑劑與上面提到的介電材料一起使用。如果必要,可以加入陶瓷粉末。
在生片中介電材料的比例通常約為60-80(質(zhì)量)%。
可以使用與在制備漿料中使用的相似物質(zhì)作為熱塑性樹脂和增塑劑。熱塑性樹脂的混合比例通常約為5-30(質(zhì)量)%。增塑劑的混合比例通常約為0-10(質(zhì)量)%。
下面將說明典型的制造生片的方法。首先,制備介電材料、熱塑性樹脂、增塑劑等。向這些材料中加入主要溶劑如甲苯和輔助溶劑如異丙醇從而獲得漿料。用刮刀法將料漿涂敷到薄膜如聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)上,并形成生片。在形成片之后,干燥該漿料以去掉溶劑。這樣就得到生片。
將按上述方法獲得的生片熱壓連接以在待形成玻璃層的位置處形成應(yīng)用層。其后,以與上述的漿料相類似的方式燒結(jié)該應(yīng)用層來獲得介電層。
在以上的描述中,將使用漿料和生片的方法描述為介電體的形成方法。然而,不限于上述的方法,根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示面板用介電材料也適用于各種其它的方法,例如感光漿料法和感光生片法。
實(shí)施例以下,將聯(lián)系具體實(shí)施例描述本發(fā)明。
表1和2說明本發(fā)明的實(shí)施例(第1-12號(hào)樣品)。表3說明對(duì)比例(第13-15號(hào)樣品)。在第1-8,13和14號(hào)樣品中,使用結(jié)晶玻璃。在第9-12和15號(hào)樣品中,使用非結(jié)晶玻璃。
以下述方法制備每個(gè)樣品。首先,混合作為玻璃原材料的各種氧化物和碳酸鹽以獲得表1和表2所示的組成,并均勻混合。其后,將該混合物放入白金坩堝中并且在1300℃下融化2小時(shí)以獲得熔融玻璃。將該熔融玻璃液形成一薄片。研磨該薄片并分類從而獲得這樣的樣品,該樣品包含的玻璃粉末的平均粒徑D50為3.0μm,最大粒徑Dmax為20μm。對(duì)于每個(gè)樣品,測(cè)量玻璃的軟化點(diǎn)和結(jié)晶溫度。6號(hào)樣品是通過將氧化鋁粉末與5號(hào)樣品的玻璃粉末混合獲得的。
表1
表2
表3
平均粒徑D50和最大粒徑Dmax是利用激光衍射粒徑分析儀確定的。氧化鋁粉末的平均粒徑為1.0μm,最大粒徑為10μm,并且為球狀。
評(píng)價(jià)這樣獲得的樣品的熱膨脹系數(shù),燒結(jié)之后的膜厚度,在550nm處的光譜透射率,直徑不小于30μm的大氣泡的數(shù)量和留在燒結(jié)薄膜或電極周圍的大氣泡數(shù)量。結(jié)果顯示于表1-3中。
正如從表1和2中所看到的,本發(fā)明實(shí)施例1-12中的每個(gè)樣品的軟化點(diǎn)在553℃和587℃之間。使用結(jié)晶玻璃的樣品1-8中的每一個(gè)的結(jié)晶溫度在620℃和685℃之間。熱膨脹系數(shù)在69.3×10-7/℃和79.4×10-7/℃之間。燒結(jié)薄膜的膜厚度在28和31μm之間。在550nm處的透射率為73%或更大,因此燒結(jié)薄膜是透明的。留在燒結(jié)薄膜中的大氣泡的數(shù)量小到3個(gè)或更少。留在電極周圍的大氣泡的數(shù)量少到2個(gè)或更少。
另一方面,作為對(duì)比例的樣品13和14中的每一個(gè)的結(jié)晶溫度低至581℃。因此,在燒結(jié)期間晶體沉積,從而不能獲得透明的介電層,且透射率不高于67%。作為對(duì)比例的樣品15不含堿金屬組分,因此在電極周圍的大氣泡的數(shù)量高達(dá)10個(gè)。
使用巨型差熱分析儀測(cè)量玻璃的軟化點(diǎn)和結(jié)晶溫度分別作為第四拐點(diǎn)和熱峰。熱膨脹系數(shù)是以下述方法獲得的。每個(gè)樣品都是經(jīng)壓制和燒結(jié)的粉體。其后,將樣品拋光成直徑為4mm且長(zhǎng)度為40mm的圓柱形。按JIS(日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn))R3102測(cè)量熱膨脹系數(shù)。然后,得到在30-300℃內(nèi)的值。燒結(jié)后的膜厚度,透射率和大氣泡的數(shù)量是按下述方式測(cè)量的。首先,將每個(gè)樣品與5%的松油醇乙基纖維素溶液混合,并利用三輥磨碾磨機(jī)捏合來形成漿料。然后,用絲網(wǎng)印刷將漿料涂敷在高應(yīng)變點(diǎn)玻璃上以獲得大約30μm的燒結(jié)薄膜。將在其上具有涂敷漿料的玻璃板放入電爐中,并在表1-3中所示的燒結(jié)溫度下保持10分鐘。用數(shù)字千分尺測(cè)量如此獲得的燒結(jié)薄膜的厚度。透射率是以一種集成球體的分光光度計(jì)通過將分光光度計(jì)的試樣邊用燒結(jié)薄膜設(shè)定玻璃板為550個(gè)nm的波長(zhǎng)測(cè)得的。燒結(jié)薄膜中的大氣泡的數(shù)量是通過使用立體鏡(×30倍放大率)觀察燒結(jié)薄膜的表面并計(jì)算在3cm×4cm區(qū)域內(nèi)的直徑為30μm或更大的氣泡的數(shù)量得到的。電極周圍的大氣泡數(shù)量是按下述方式獲得的。以與上述的相似的方式在具有Ag電極(電極寬度100μm,電極距離500μm)的高應(yīng)變點(diǎn)玻璃板上形成燒結(jié)薄膜。用立體鏡(×30倍放大率)觀察電極部分,并計(jì)算在3cm×4cm區(qū)域內(nèi)的直徑為30μm或更大的氣泡的數(shù)量。
如上所述,根據(jù)本發(fā)明的等離子顯示面板用介電材料與玻璃基板的熱膨脹系數(shù)匹配,這使得即使在軟化點(diǎn)附近的溫度下燒結(jié)也容易清除氣泡,并抑制與電極的反應(yīng),因此在電極周圍幾乎不能產(chǎn)生大氣泡。因此,能夠獲得透光度優(yōu)異且擊穿電壓高的透明介電層。
如上所述,該介電材料用于等離子顯示面板是有益的。
盡管結(jié)合幾個(gè)實(shí)施方案和其實(shí)施例公開了本發(fā)明,但對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言,隨時(shí)都能夠以不同的其它方式實(shí)施本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種等離子顯示面板用介電材料,包含80-100(質(zhì)量)%的玻璃粉末和0-20(質(zhì)量)%的陶瓷粉末,其中玻璃粉末主要由下述組分組成,按質(zhì)量百分比計(jì)算,3-25%BaO、25-60%ZnO、15-35%B2O3、3-30%SiO2、0.2-6%Li2O和0-1.5%Al2O3。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的介電材料,其中按質(zhì)量百分比計(jì)算,玻璃粉末含1-12%的Li2O+Na2O+K2O。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的介電材料,其中玻璃粉末基本不含PbO。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的介電材料,其中玻璃粉末是結(jié)晶玻璃,該結(jié)晶玻璃主要由以下組分構(gòu)成,按質(zhì)量百分比計(jì)算,3-25%BaO、30-60%ZnO、15-35%B2O3、3-20%SiO2、0.2-6%Li2O和0-1.5%Al2O3。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的介電材料,其中玻璃粉末中BaO/(B2O3+SiO2)的比值落在0.1-0.8。
6.根據(jù)權(quán)利要求4的介電材料,其中玻璃粉末的結(jié)晶溫度為600℃-800℃。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的介電材料,其中玻璃粉末是非結(jié)晶玻璃,該結(jié)晶玻璃主要由以下組分組成,按質(zhì)量百分比計(jì)算,3-25%BaO、25-45%ZnO、15-35%B2O3、10-30%SiO2、0.2-6%Li2O和0-1.5%Al2O3。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的介電材料,其中玻璃粉末中B2O3/SiO2的比值落在0.8-2.0。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的介電材料,其中玻璃粉末具有以下粒度,平均粒徑D50為3.0μm或更小,最大粒徑Dmax為20μm或更小。
全文摘要
一種等離子顯示面板用介電材料,包括80-100(質(zhì)量)%的玻璃粉末和0-20(質(zhì)量)%的陶瓷粉末,其中玻璃粉末主要由下述組分組成,按質(zhì)量百分比計(jì)算,3-25%BaO、25-60%ZnO、15-35%B
文檔編號(hào)C03C3/062GK1495143SQ0316028
公開日2004年5月12日 申請(qǐng)日期2003年8月26日 優(yōu)先權(quán)日2002年8月26日
發(fā)明者小松谷俊介, 大下浩之, 應(yīng)治雅彥, 波多野和夫, 之, 和夫, 彥 申請(qǐng)人:日本電氣硝子株式會(huì)社