專利名稱：陶瓷組合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種陶瓷組合物，特別涉及在用于高頻波段的信號(hào)的傳播的多層基板的材料等中所用的陶瓷組合物。
背景技術(shù)：
近年來，伴隨著信息的高速大量通信及移動(dòng)體通信的發(fā)展，對(duì)于形成有集成電路的多層基板等，不僅正在研究其小型化或高密度化，而且還在研究頻率例如從數(shù)十MHz到數(shù)百GHz左右的高頻波段的信號(hào)的利用。所以，對(duì)于此種多層基板中所使用的陶瓷組合物，也要求適合于該高頻波段的信號(hào)的利用的(高頻波段用)材料。
一直以來，作為高頻波段用的陶瓷組合物，主要使用Al2O3(氧化鋁)。此外，隨著集成電路的高密度化的進(jìn)展，如下的方法已廣泛應(yīng)用，即，通過在由未煅燒的Al2O3構(gòu)成的生片上層疊多片印刷了含有金屬配線的材料的導(dǎo)體糊狀物的材料，將其一起煅燒，而形成含有集成電路的多層基板。這里，Al2O3的燒結(jié)溫度由于達(dá)到1500～1600℃的高溫，因此作為集成電路的金屬配線的材料，需要使用能夠經(jīng)受此種高溫的鎢或鉬等高熔點(diǎn)金屬。
但是，在該多層基板中，由于其煅燒溫度為高溫，因此需要大量的能量，從而產(chǎn)生了制造成本升高的問題。另外，由于Al2O3的熱膨脹系數(shù)大于集成電路中的硅芯片等IC芯片，因此如果采用該多層基板的使用溫度，則還會(huì)有在多層基板上產(chǎn)生裂縫的問題。另外，由于Al2O3的相對(duì)介電常數(shù)大，因此還有集成電路中的信號(hào)傳播速度慢的問題。另外，鎢或鉬等高熔點(diǎn)金屬由于與適于作為金屬配線的材料的Cu或Ag相比電阻率更大，因此還有由金屬配線自身的電阻造成的導(dǎo)體損失大的問題。
所以，作為此種多層基板的材料，已經(jīng)開發(fā)出各種在玻璃組合物中含有填充劑的陶瓷組合物。在使用了該陶瓷組合物的多層基板中，由于與使用了Al2O3的情況相比可以降低煅燒溫度，因此就能夠與電阻率小的Cu或Ag等金屬配線的材料一起煅燒。另外，通過在玻璃組合物中含有填充劑，就可以減小該陶瓷組合物的形狀變化，還可以提高陶瓷組合物的強(qiáng)度。
作為此種陶瓷組合物的一個(gè)例子，例如在特公平3-53269號(hào)公報(bào)中，公布有將在CaO-SiO2-Al2O3-B2O3類的玻璃組合物中作為填充劑含有50～35質(zhì)量％的Al2O3的混合物在800～1000℃下煅燒的材料。另外，在專利第3277169號(hào)公報(bào)中，公布有在含有50～67摩爾％的B2O3、2～3摩爾％的堿金屬元素的氧化物、20～50摩爾％的堿土類金屬元素的氧化物、2～15摩爾％的稀土類元素的氧化物的玻璃組合物中作為填充劑含有了0～10摩爾％的Al2O3的陶瓷組合物。另外，在特開平9-315855號(hào)公報(bào)中，公布有含有稀土類元素的氧化物、Al2O3、CaO及TiO2并且這些氧化物的組成比被規(guī)定為給定的范圍的陶瓷組合物。
作為對(duì)此種高頻波段用的陶瓷組合物所要求的性能，可以舉出高頻波段的介電損失tanδ小及共振頻率的溫度系數(shù)τf的絕對(duì)值小。
即，由于高頻波段的信號(hào)傳播的損失越少越好，因此最好高頻波段的陶瓷組合物的介電損失tanδ更小，即Q值(＝1/tanδ)更大。另外，為了在即使有溫度變化的情況下，也能夠使陶瓷組合物作為電介質(zhì)穩(wěn)定地發(fā)揮作用，最好共振頻率的溫度特性τf的絕對(duì)值更小，即共振頻率的溫度依賴性更低。

發(fā)明內(nèi)容
鑒于所述的情況，本發(fā)明的目的在于提供一種如下的陶瓷組合物，即，可以在低溫下煅燒，高頻波段的介電損失小，共振頻率的溫度依賴性低。
本發(fā)明是一種在玻璃組合物中含有由Al2O3及TiO2的至少一方構(gòu)成的填充物的陶瓷組合物，陶瓷組合物的組成為在將稀土類元素Ln的氧化物L(fēng)n2O3的摩爾量設(shè)為a，將氧化硼B(yǎng)2O3的摩爾量設(shè)為b，使a+b＝1摩爾時(shí)，a為0.15～0.55摩爾，b為0.45～0.85摩爾，堿土類金屬元素R的氧化物RO為0.01～0.2摩爾，填充物為0.1～0.4摩爾。
這里，在本發(fā)明的陶瓷組合物中，當(dāng)將稀土類元素Ln的氧化物L(fēng)n2O3的摩爾量設(shè)為a，將氧化硼B(yǎng)2O3的摩爾量設(shè)為b，使a+b＝1摩爾時(shí)，最好含有0.05摩爾以下的氧化鎢WO3。
另外，在本發(fā)明的陶瓷組合物中，當(dāng)將稀土類元素Ln的氧化物L(fēng)n2O3的摩爾量設(shè)為a，將氧化硼B(yǎng)2O3的摩爾量設(shè)為b，使a+b＝1摩爾時(shí)，最好含有0.0005～0.002摩爾的堿金屬元素M的氧化物M2O。
具體實(shí)施例方式
本發(fā)明人為了獲得可以在低溫下煅燒、高溫波段的介電損失小、共振頻率的溫度依賴性低的陶瓷組合物，對(duì)于其組成進(jìn)行了各種研究。
作為此種陶瓷組合物，在玻璃組合物中含有由無機(jī)氧化物構(gòu)成的填充劑的材料被認(rèn)為最適合。陶瓷組合物的內(nèi)部組織形成填充劑的各粒子的間隙被玻璃組合物以網(wǎng)眼狀填充了的狀態(tài)。由于作為填充劑使用的材料被限定為一定程度，因此為了進(jìn)一步提高性能，需要提高玻璃組合物的特性。
所以，首先對(duì)于作為玻璃組合物使用的材料，研究了玻璃組合物的煅燒溫度、與填充劑的匹配性、相對(duì)介電常數(shù)、高頻波段的介電損失及共振頻率的溫度依賴性等。對(duì)于它們當(dāng)中的介電特性，使用利用煅燒后的圓柱狀的實(shí)驗(yàn)片的兩端短路型電介質(zhì)共振器法(Hacky Corman法)進(jìn)行了測(cè)定。
一般來說，介電損失的大小由Q值的大小來判斷，該Q值被利用共振的強(qiáng)度求得。但是，Q值具有頻率依賴性，與頻率成比例地降低。另一方面，由于共振頻率隨著實(shí)驗(yàn)片的形狀或介電常數(shù)而變化，因而利用共振頻率fo和Q的積fQ值的大小對(duì)陶瓷組合物的介電損失進(jìn)行相對(duì)評(píng)價(jià)。
研究了各種玻璃組合物的結(jié)果為，發(fā)現(xiàn)含有很多將稀土類元素(記作Ln)的氧化物L(fēng)n2O3和氧化硼B(yǎng)2O3混合而得到的晶體的玻璃組合物的介電損失特別小。在該玻璃組合物中，因其組成比而顯現(xiàn)出LnBO3、LnB3O6、Ln3BO3或Ln4B2O9等的晶體，推測(cè)認(rèn)為這些晶相使介電損失減小。
但是，在僅由Ln2O3和B2O3這兩個(gè)成分的混合構(gòu)成的玻璃組合物中，在采用了介電損失小的組成的情況下，熔融溫度上升，為了得到致密的燒結(jié)體所必需的煅燒溫度提高。所以，如果將適量的堿土類金屬元素R的氧化物RO(R表示Mg、Ca、Sr或Ba當(dāng)中的一種以上)添加到該Ln2O3和B2O3的組成中，則可以不對(duì)介電損失造成較大影響地降低煅燒溫度。
這里，將該陶瓷組合物的性能目標(biāo)設(shè)為，10GHz前后的fQ值(fo[GHz]×Q)在15000以上，共振頻率的溫度變化小，以及由于利用同時(shí)煅燒形成多層基板時(shí)的作為金屬配線的材料使用導(dǎo)電性良好的Ag或Cu，因而可以在1000℃以下的低溫煅燒，對(duì)陶瓷組合物的組成進(jìn)行了進(jìn)一步的研究。共振頻率的溫度變化小對(duì)于實(shí)現(xiàn)集成電路的穩(wěn)定動(dòng)作十分重要，改變溫度而測(cè)定共振頻率，用共振頻率相對(duì)于溫度變化的變化率(溫度特性τf)進(jìn)行了評(píng)價(jià)。該共振頻率的溫度特性τf的目標(biāo)設(shè)為±50ppm/℃以內(nèi)(一50ppm/℃≤τf≤+50ppm/℃)。
另外，在含有氧化鎢WO3的情況下，發(fā)現(xiàn)對(duì)于煅燒溫度的降低十分有效。另外，在WO3的含有量過多的情況下，還發(fā)現(xiàn)有使由溫度造成的共振頻率的變化向負(fù)方向側(cè)移動(dòng)的傾向。
另外，還發(fā)現(xiàn)在少量含有堿金屬元素M(M表示Li、Na或K當(dāng)中的一種以上)的氧化物M2O的情況下，可以進(jìn)一步降低煅燒溫度。特別是M2O的含有在將起始原料的全部混合而用一次的煅燒制造陶瓷組合物的方法的情況下，可以有效地用于煅燒溫度的降低。
填充劑對(duì)于實(shí)現(xiàn)陶瓷組合物的強(qiáng)度維持及煅燒時(shí)的形狀維持十分重要。這里，作為填充劑含有Al2O3或TiO2的任意一方或雙方，在需要強(qiáng)度時(shí)主要使用Al2O3，在要增大相對(duì)介電常數(shù)時(shí)主要使用TiO2。但是，由于當(dāng)使填充劑的含有量過多時(shí)，則需要提高煅燒溫度，當(dāng)過少時(shí)，則無法維持強(qiáng)度或形狀，因此填充劑的含有量的范圍由這些影響所限定。
基于如上所示的研究結(jié)果，進(jìn)一步明確了陶瓷組合物的組成范圍，完成了本發(fā)明。本發(fā)明的陶瓷組合物是在玻璃組合物中含有填充劑，在低溫下燒結(jié)的材料，限定其組成的各成分量的理由如下所示。
當(dāng)將本發(fā)明的陶瓷組合物中的稀土類元素Ln的氧化物L(fēng)n2O3的含有量設(shè)為a，將氧化硼B(yǎng)2O3的含有量設(shè)為b，使這兩個(gè)成分的合計(jì)量為1摩爾時(shí)，將a設(shè)為0.15～0.55摩爾，將b設(shè)為0.45～0.85摩爾。
它們的含有量的范圍是為了減小高頻波段的介電損失、在低溫下進(jìn)行煅燒所必需的。在像這樣規(guī)定了Ln2O3和B2O3的各自的含有量的范圍的情況下，就能夠利用以LnxByOz(x、y及z分別為整數(shù)值)表示的各晶體的形成帶來優(yōu)良的介電特性，即高fQ值。即，當(dāng)使a+b＝1摩爾時(shí)，在a小于0.15摩爾而b超過0.85摩爾的情況下，由于無法形成LnxByOz，B2O3變?yōu)橐合啵Ａ嘣黾?，因而就無法減小介電損失。另外，當(dāng)使a+b＝1摩爾時(shí)，在a超過0.55而b小于0.45的情況下，煅燒溫度提高，在作為目標(biāo)的低溫的煅燒下無法獲得由致密的燒結(jié)體構(gòu)成的陶瓷組合物。
而且，由于以Ln表示的稀土類元素的種類為任意種類都可以提高fQ值，因此在本發(fā)明中可以選擇稀土類元素的任意1種或2種以上。特別是在作為稀土類元素使用了La及/或Nd的情況下，可以得到比其他的稀土類元素更高的fQ值。但是，由于陶瓷組合物的煅燒溫度或介電常數(shù)因稀土類元素的種類而不同，因此可以通過改變稀土類元素的種類或改變以下所述的堿土類金屬元素R的氧化物RO的含有量來適當(dāng)?shù)卣{(diào)整。
以下所述的各成分的含有量是以將該Ln2O3和B2O3的合計(jì)量設(shè)為1摩爾時(shí)的摩爾比表示的。
堿土類金屬元素R的氧化物RO的含有量設(shè)為0.01～0.2摩爾。在RO的含有量小于0.01摩爾的情況下，無法獲得能夠降低煅燒溫度的效果，在超過0.2摩爾的情況下，共振頻率的溫度特性τf小于-50ppm/℃，在負(fù)方向側(cè)變得過大，溫度依賴性提高。
作為堿土類金屬R的氧化物RO，可以使用MgO、CaO、SrO或BaO當(dāng)中的任意1種或2種以上，但是特別是在使用了CaO的情況下，與使用了其他的堿土類金屬的氧化物的情況相比，fQ值有升高的傾向，由于這一點(diǎn)而優(yōu)選。
另外，在本發(fā)明的陶瓷組合物中，最好含有氧化鎢WO3。在含有了WO3的情況下，可以在作為本發(fā)明的目的的低溫的煅燒溫度下使燒結(jié)體致密，還能夠獲得可以提高fQ值的效果。為了獲得此種效果，優(yōu)選含有0.05摩爾以下的WO3，更優(yōu)選含有0.005～0.05摩爾。在WO3的含有量多于0.05摩爾的情況下，fQ值降低，有使共振頻率的溫度特性τf向負(fù)方向側(cè)過大地移動(dòng)的傾向。而且，在WO3的含有量小于0.005摩爾的情況下，雖然有難以獲得所述的效果的傾向，但是在本發(fā)明中也可以不含有WO3。
另外，在本發(fā)明的陶瓷組合物中，最好含有0.0005～0.002摩爾的堿金屬元素M的氧化物M2O。該情況下，可以進(jìn)一步降低煅燒溫度。一般來說，含有堿金屬離子的玻璃組合物雖然由離子誘導(dǎo)造成的介電損失大，fQ值變小，但是在M2O的含有量在0.002摩爾以下的情況下，有對(duì)于fQ值基本上不造成影響的傾向。另外，在其含有量在0.0005摩爾以上的情況下，則有可以降低煅燒溫度的傾向。
作為填充劑，以相對(duì)于Ln2O3和B2O3的合計(jì)量1摩爾，在0.1～0.4摩爾的范圍中含有Al2O3或TiO2的任意一方或其雙方。在填充劑的含有量小于0.1摩爾的情況下，在煅燒時(shí)變形變得過大，有可能使煅燒后的陶瓷組合物的強(qiáng)度變得不足。另外，在填充劑的含有量超過0.4摩爾的情況下，煅燒溫度提高，有難以實(shí)現(xiàn)1000℃以下的低溫的煅燒的傾向。在增大陶瓷組合物的強(qiáng)度的情況下，只要僅含有Al2O3，或者增加Al2O3的含有比率即可。另外，在提高陶瓷組合物的介電常數(shù)的情況下，只要僅含有TiO2，或增加TiO2的含有比率即可。
作為本發(fā)明的陶瓷組合物的制造方法，主要使用兩種方法。在第1種方法中，首先準(zhǔn)備構(gòu)成作為目的物的陶瓷組合物的原料的粉末，按照分別達(dá)到所需的組成的方式稱量這些粉末。然后，在將這些粉末用球磨進(jìn)行了濕式混合后干燥，將在大約800℃左右煅燒了的煅燒物粉碎而粉末化。此后，在向該粉末中添加粘結(jié)劑而混煉后，制成所需的形狀，形成成形體，在加熱該成形體而除去了粘結(jié)劑后，通過進(jìn)行煅燒就可以獲得本發(fā)明的陶瓷組合物。
另外，在第2種方法中，首先準(zhǔn)備構(gòu)成玻璃組合物的原料的粉末，按照分別達(dá)到所需的組成的方式稱量這些粉末。然后，在將這些粉末混合后通過加熱至1000℃以上而熔融，其后通過進(jìn)行急冷制造玻璃料，將該玻璃料粉末化。此后，事先將填充劑也另外單獨(dú)煅燒而制成粉末，在將玻璃料、填充劑及粘結(jié)劑混煉后成形而制成成形體，在從該成形體中除去了粘結(jié)劑后，通過進(jìn)行煅燒就可以獲得本發(fā)明的陶瓷組合物。在該第2種方法的情況下，對(duì)于含有作為填充劑的Al2O3及/或TiO2的玻璃料，也可以與填充劑和粘結(jié)劑混煉混合。
另外，所述成形體可以在800～1000℃這樣低的煅燒溫度下煅燒。在煅燒溫度小于800℃的情況下，由于陶瓷組合物的燒結(jié)未能充分地進(jìn)行，因此在致密性方面不足，無法獲得足夠的強(qiáng)度。另外，在將本發(fā)明的陶瓷組合物作為多層基板的材料使用的情況下，在與金屬配線的材料一起進(jìn)行了煅燒時(shí)，雖然有可能金屬配線的材料被加熱至熔點(diǎn)以上而溶出，但是如果是1000℃以下的溫度，則即使作為金屬配線的材料使用Cu或Ag，也可以使之不溶出地進(jìn)行煅燒。但是，在作為金屬配線的材料使用Cu的情況下，由于有可能氧化，因此最好設(shè)為還原性氣氛，在使用Ag的情況下，最好將煅燒溫度設(shè)至930℃以下。
而且，構(gòu)成陶瓷組合物的所述的原料不一定需要為氧化物，只要在煅燒后被以氧化物的形式包含于陶瓷組合物中即可。所以，例如也可以將CaCO3之類的碳酸鹽或BN之類的氮化物等氧化物以外的化合物作為所述成分的原料使用。另外，在所述成分的原料中可以含有雜質(zhì)，而如果該雜質(zhì)的含有量在所述成分的原料的質(zhì)量的5質(zhì)量％以下，則即使作為單一的化合物處理，效果也不會(huì)改變。
另外，在使用本發(fā)明的陶瓷組合物，制成形成了集成電路的多層基板的情況下，首先將所述混煉后的原料制成薄片狀而形成生片，在該生片上印刷含有金屬配線的材料的導(dǎo)電糊狀物。此后，在將印刷了導(dǎo)電糊狀物的生片層疊多個(gè)后進(jìn)行煅燒。
這里，可以使用如下的約束煅燒法，即，在對(duì)印刷了導(dǎo)電糊狀物的生片層疊多片后的疊層體的上下方向加壓或約束的同時(shí)，進(jìn)行煅燒。根據(jù)該方法，由煅燒造成的收縮僅被限制于上下方向，即Z方向，面方向即X-Y方向沒有收縮，從而可以精度優(yōu)良地獲得表面的平坦性良好的多層基板。
此時(shí)，最好在所述疊層體的上下面設(shè)置有在陶瓷組合物的煅燒溫度下不燒結(jié)的例如Al2O3等的生片，在利用該生片對(duì)疊層體加壓或約束的同時(shí)進(jìn)行煅燒。該情況下，重要的是可以將設(shè)置于疊層體的上下面的Al2O3的生片容易地剝離，在煅燒后金屬配線與陶瓷組合物充分密接而不引起導(dǎo)通不良，而對(duì)于本發(fā)明的陶瓷組合物，在對(duì)此種方面是否可以適用進(jìn)行了研究后，結(jié)果確認(rèn)該方法可以沒有問題地使用。
(實(shí)施例)首先，適當(dāng)?shù)胤Q量了各成分的原料粉末，使得陶瓷組合物的組成達(dá)到表1～5所示的組成。這里，作為原料粉末全部使用了氧化物。此外，向這些原料粉末中添加純水，用使用了氧化鋯球的球磨濕式混合了20小時(shí)。
然后，在將該化合物干燥后在700℃下預(yù)煅燒了2小時(shí)。此后，通過將該預(yù)煅燒物粉碎而得到了預(yù)煅燒粉。向該預(yù)煅燒粉中作為粘結(jié)劑添加10質(zhì)量％的PVA水溶液，在混煉造粒后沖壓成形為直徑15mm、高7.5mm。但是，對(duì)于表3的實(shí)驗(yàn)編號(hào)60、61及62的試樣，在將除去填充劑以外的原料加熱至1300℃而熔融后急冷，形成玻璃料，向其中混合給定量的填充劑，繼而作為粘結(jié)劑添加10質(zhì)量％的PVA水溶液，混煉造粒而沖壓成形為直徑15mm、高7.5mm。
作為各試樣，使用這些被沖壓成形了的成形體，選定預(yù)先在800～1250℃的溫度范圍中試驗(yàn)性地煅燒而得的燒結(jié)體充分地致密化時(shí)的溫度，將該選定了的溫度分別作為煅燒溫度而進(jìn)行試樣的煅燒。而且，試樣的煅燒是對(duì)在大氣中在500～600℃下加熱而除去了粘結(jié)劑后的試樣進(jìn)行的。另外，試樣的煅燒是通過在如上所述地選定了的煅燒溫度下加熱2小時(shí)而進(jìn)行的。
所得的圓柱狀燒結(jié)體在將固定面研磨而使之平滑后，利用兩端短路型電介質(zhì)共振器法，測(cè)定了相對(duì)介電常數(shù)εr及Q值(Q＝1/tanδ)。介電損失由于因測(cè)定共振頻率fo而變化，因此用作為不受頻率影響而在被測(cè)定材料中成為一定的值的fo和Q的積的fQ值來評(píng)價(jià)了介電損失的大小。共振頻率的溫度特性τf是根據(jù)以25℃的共振頻率fo為基準(zhǔn)而改變了溫度時(shí)的共振頻率的變化率求得的。將這些測(cè)定結(jié)果一并表示在表1～5中。
表1

*標(biāo)記表示在本發(fā)明中所定的范圍外。
表2

*標(biāo)記表示在本發(fā)明中所定的范圍外。
表3

*標(biāo)記表示在本發(fā)明中所定的范圍外。
※標(biāo)記表示制作玻璃料后與填充劑混合煅燒表4

*標(biāo)記表示在本發(fā)明中所定的范圍外。
表5

*標(biāo)記表示在本發(fā)明中所定的范圍外。
從表1～5所示的結(jié)果可以發(fā)現(xiàn)，本發(fā)明中大部分的fQ值在15000(GHz)以上，高頻波段的介電損失小，共振頻率的溫度特性τf在±50ppm/℃以內(nèi)。這被認(rèn)為是與填充劑一起使用的在玻璃組合物中含有Ln2O3的效果起到很大的作用。在Ln2O3的含有量少的情況下，如表1的實(shí)驗(yàn)編號(hào)1或表2的實(shí)驗(yàn)編號(hào)29的試樣所示，fQ值低。
另外，在本發(fā)明例中，即使煅燒溫度在1000℃以下，也可以獲得fQ值高的足夠致密的燒結(jié)體，這是因?yàn)閷n2O3、RO、Al2O3的含有量規(guī)定為給定的范圍。該情況可以由如下的結(jié)果表明，即，如脫離本發(fā)明中所規(guī)定的含有量的范圍的實(shí)驗(yàn)編號(hào)7、8、9、23、24、28、36、41、47、74或84的試樣所示，無法獲得作為目標(biāo)的fQ值，或者煅燒溫度升高。
RO雖然有降低煅燒溫度的效果，但是當(dāng)其含有量過多時(shí)，則如實(shí)驗(yàn)編號(hào)13、44或47的試樣所示，共振頻率的溫度特性τf向負(fù)方向側(cè)過多地移動(dòng)。
在含有WO3或M2O的情況下，如果降低煅燒溫度，限定其含有量，則可以有效地利用。但是當(dāng)含有量過多時(shí)，則如實(shí)驗(yàn)編號(hào)18、19、54、59、68或71的試樣所示，會(huì)導(dǎo)致fQ值的明顯的降低或溫度特性τf的惡化。
工業(yè)上的利用可能性本發(fā)明的陶瓷組合物在高頻波段的介電損失小，共振頻率的溫度依賴性低。另外，由于能夠在較低的煅燒溫度下實(shí)現(xiàn)其特性，因此作為金屬配線或電極的材料可以使用電阻率小的Ag或Cu等金屬，從而還可以降低導(dǎo)體損失。所以，本發(fā)明的陶瓷組合物適用于高頻波段用的多層基板的基板材料或電子部件的材料等用途。
權(quán)利要求
1.一種陶瓷組合物，是在玻璃組合物中含有由Al2O3及TiO2中至少一方構(gòu)成的填充物的陶瓷組合物，其特征是，所述陶瓷組合物的組成為在將稀土類元素Ln的氧化物L(fēng)n2O3的摩爾量設(shè)為a，將氧化硼B(yǎng)2O3的摩爾量設(shè)為b，使a+b＝1摩爾時(shí)，a為0.15～0.55摩爾，b為0.45～0.85摩爾，堿土類金屬元素R的氧化物RO為0.01～0.2摩爾，所述填充物為0.1～0.4摩爾。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷組合物，其特征是，當(dāng)將所述稀土類元素Ln的氧化物L(fēng)n2O3的摩爾量設(shè)為a，將所述氧化硼B(yǎng)2O3的摩爾量設(shè)為b，使a+b＝1摩爾時(shí)，含有0.05摩爾以下的氧化鎢WO3。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陶瓷組合物，其特征是，當(dāng)將所述稀土類元素Ln的氧化物L(fēng)n2O3的摩爾量設(shè)為a，將所述氧化硼B(yǎng)2O3的摩爾量設(shè)為b，使a+b＝1摩爾時(shí)，含有0.0005～0.002摩爾的堿金屬元素M的氧化物M2O。
全文摘要
本發(fā)明提供一種陶瓷組合物，是在玻璃組合物中含有由Al
文檔編號(hào)C04B35/00GK1795151SQ20048001433
公開日2006年6月28日 申請(qǐng)日期2004年5月14日 優(yōu)先權(quán)日2003年5月26日
發(fā)明者高田隆裕 申請(qǐng)人:株式會(huì)社村田制作所