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      納米改性制造TiO的制作方法

      文檔序號(hào):1842394閱讀:362來(lái)源:國(guó)知局
      專利名稱:納米改性制造TiO的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      ;本發(fā)明涉及一種納米TiO2制造壓敏陶瓷材料的方法及該方法制造的壓敏電阻,屬于電器元件及其材料制造技術(shù)領(lǐng)域。
      背景技術(shù)
      TiO2壓敏電阻是八十年代國(guó)外率先研究發(fā)展起來(lái)的。TiO2壓敏電阻具有低壓敏電壓和高介電系數(shù)雙優(yōu)特性,耐浪涌能力也很強(qiáng),更重要的是其工藝簡(jiǎn)單,不要在高溫下還原燒成,省去熱處理,可以在大氣中一次燒成,使成本大大降低,是一種很有發(fā)展前途的復(fù)合功能電阻元件。
      國(guó)內(nèi)外做的比較成熟的壓敏陶瓷電阻主要是ZnO和SrTiO3這兩類,他們的制作工藝比較復(fù)雜,尤其是在SrTiO3的氣氛控制、ZnO復(fù)雜的燒結(jié)曲線等方面。不僅工藝復(fù)雜,成本比較高,而且其使用范圍有限。
      目前,對(duì)TiO2壓敏電阻生產(chǎn)方法的研究主要有稀土摻雜、受主摻雜和施主摻雜等方面。如有不少人提出用Sr做受主摻雜來(lái)改變其壓敏電壓和非線性系數(shù),或通過(guò)La做施主摻雜等等。但是這些方法制作的樣品普遍都存在壓敏電壓較高,非線性系數(shù)較低的紕漏,而且這些樣品在性能要求上沒(méi)有使較低的壓敏電壓和較高的非線性系數(shù)兩者統(tǒng)一。這些方法一般解決了壓敏電壓,卻忽略了非線性系數(shù),反之亦然。因此,非常需要有新的、性能好的TiO2壓敏陶瓷電阻,以使其特有的優(yōu)越的電性能更好地為工業(yè)所利用。

      發(fā)明內(nèi)容
      ;本發(fā)明的目的是克服現(xiàn)有技術(shù)之不足,提供一種納米TiO2制造壓敏陶瓷材料、電阻的方法及其制造的電阻,應(yīng)用納米TiO2的優(yōu)良特性對(duì)TiO2系壓敏陶瓷材料進(jìn)行改性制造,簡(jiǎn)化壓敏陶瓷電阻的制作工藝,提高TiO2系壓敏陶瓷電阻的性能。
      本發(fā)明的技術(shù)方案是納米改性制造TiO2壓敏陶瓷材料的方法是,先用TiO2加上從一組摻雜元素Nb、Si、La、Mn、Y、Sr、Zn、納米TiO2中任選的氧化物粉(如Nb2O5、SiO2、La2O3、納米TiO2等)組成混合原料,然后將該原料在球磨罐中、加入水和酒精研磨混合3~5小時(shí);將球磨好的料漿干燥、過(guò)篩后(可放在干燥箱里烘干,然后過(guò)280~350目標(biāo)準(zhǔn)篩),進(jìn)行造粒(將干燥后的粉料加入適量的PVA水溶液,形狀如魚鱗狀即表示混合均勻時(shí),再過(guò)40~55目標(biāo)準(zhǔn)篩,用50~150Mpa壓力預(yù)壓成塊,然后打碎,再次過(guò)40~55目標(biāo)準(zhǔn)篩),得到一定粒度而且均勻分布的粉料,再用50~150Mpa的壓力將粉料壓制成小圓片;然后將成型的壓制片逐漸加熱到650~850℃后保溫20~30分鐘(可放在電阻爐中進(jìn)行),進(jìn)行排膠(將加入的有機(jī)塑化劑排出,并使之具有一定的機(jī)械強(qiáng)度,為樣品的燒結(jié)創(chuàng)造條件),再在1280~1450℃加熱燒結(jié)并保溫1~3小時(shí)(可放到管式電阻爐中進(jìn)行);最后將燒結(jié)好的燒結(jié)體(隨爐)冷卻到室溫,得到TiO2壓敏陶瓷材料。
      將燒結(jié)得到的TiO2壓敏陶瓷材料進(jìn)行表面加工,然后被電極,在600~800℃下燒銀,經(jīng)測(cè)試后封裝,即可得到納米改性TiO2壓敏電阻。在混合原料中,摻雜納米TiO2所占的摩爾比為4~15%(根據(jù)實(shí)際需要確定),其它各摻雜氧化物所占的摩爾比為0.1~2%(根據(jù)實(shí)際需要確定)。
      用該納米改性方法制造的TiO2壓敏陶瓷材料或電阻,具有電容—壓敏雙功能特性,其壓敏電壓和漏電流隨著燒結(jié)溫度的升高而降低,非線性系數(shù)和介電常數(shù)隨著燒結(jié)溫度的升高而增大,介電損耗也有隨燒結(jié)溫度的升高而降低的總趨勢(shì);其壓敏電壓V1mA為4~7V/mm,非線性系數(shù)α為4.5~7,漏電流IL為0.15~0.25mA,介電常數(shù)為(3~7)×104,介電損耗值tanδ為0.2~0.5。
      該方法所制造的TiO2壓敏陶瓷材料及TiO2壓敏電阻,除了主晶相TiO2外,主晶相表面還有摻雜Nb、Si、La、Mn、Y、Sr、Zn的氧化物中的一種或多種物相(如LaNbTiO6、NbO2、La4Ti9O21等物相)。
      超微粒子具有表面效應(yīng)、體積效應(yīng)和久保效應(yīng)的基本特性。表面效應(yīng)是指超微粒子的表面原子數(shù)與總原子數(shù)之比隨粒徑的變小而急劇增加。表面原子的晶場(chǎng)環(huán)境、結(jié)合能與內(nèi)部原子不同,表面原子的周圍缺少相鄰的原子,有許多懸空鍵,具有不飽和性質(zhì),使得超微粒子表面具有很大的化學(xué)活性,表面能大大增加,由此而引起的種種特殊效應(yīng)統(tǒng)稱為表面效應(yīng)。當(dāng)物質(zhì)的體積減小時(shí),將會(huì)出現(xiàn)兩種情形一種是物質(zhì)本身的性質(zhì)不發(fā)生變化,而只有那些與體積密切相關(guān)的性質(zhì)發(fā)生變化,如半導(dǎo)體電子自由程變小,磁體的磁區(qū)變小等;另一種是物質(zhì)本身的性質(zhì)也發(fā)生了變化。在這種情況下,原來(lái)的物質(zhì)是由無(wú)數(shù)個(gè)原子或分子組成的集體屬性,而制成超微細(xì)粉后,其微粒是有限個(gè)原子或分子結(jié)合的屬性(例如金屬超微細(xì)粉粒子的電子結(jié)構(gòu)與大塊金屬迥然相異。在大塊金屬中,電子數(shù)量有限,不能形成連續(xù)的能帶,而是轉(zhuǎn)化成各自分立的能級(jí)),這就是體積效應(yīng)。久保效應(yīng)是金屬納米粉粒子的另一個(gè)重要的性質(zhì),就是由于粒子中所具有的自由電子太少,使得其中的電子數(shù)很難改變,具有強(qiáng)烈的保持電中性的傾向,久保指出,在金屬超微細(xì)粒子中,電子在能級(jí)上的統(tǒng)計(jì)分布并不遵從人們熟知的費(fèi)米統(tǒng)計(jì);通常把因此對(duì)于熱、磁化率和超導(dǎo)電性的影響叫久保效應(yīng)。
      納米TiO2為白色粉末,根據(jù)生產(chǎn)工藝條件不同,有金紅石型、銳鈦型和混晶型,其中以金紅石型居多,它的化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、熱穩(wěn)定性和耐侯性均優(yōu)于銳鈦型超微細(xì)TiO2。當(dāng)溫度高于900℃時(shí),銳鈦型可以轉(zhuǎn)化為金紅石型。納米TiO2由數(shù)目較少的分子所組成,這些分子在熱力學(xué)上處于亞熱穩(wěn)態(tài),使得納米粉TiO2在保持原物質(zhì)化學(xué)性質(zhì)的同時(shí),在磁性、光吸收、催化、化學(xué)活性、電學(xué)等方面表現(xiàn)出奇異的性能。除具備超微粒子的表面效應(yīng)、體積效應(yīng)和久保效應(yīng)等基本特性外,還具有良好的耐候性、無(wú)毒性、非遷移性、光敏性、高分散性、很高的耐腐蝕性、化學(xué)穩(wěn)定性和熱穩(wěn)定性等。由于納米TiO2壓敏陶瓷材料或電阻的性能是由納米TiO2的特性來(lái)決定的,因此本發(fā)明的壓敏陶瓷材料或電阻具有納米TiO2材料的優(yōu)良性質(zhì),納米TiO2粉體顆粒尺寸的減小,還可促使陶瓷的燒結(jié)過(guò)程加速,燒結(jié)溫度降低和燒結(jié)時(shí)間縮短,大大節(jié)省人力、物力和資源。
      本發(fā)明采用了納米TiO2改性制造TiO2壓敏陶瓷材料及電阻的方法,利用納米TiO2的特性,克服了國(guó)內(nèi)外ZnO和SrTiO3壓敏陶瓷電阻制作工藝復(fù)雜、成本較高、使用范圍有限等缺點(diǎn),尤其是SrTiO3的氣氛控制,ZnO復(fù)雜的燒結(jié)曲線的缺點(diǎn);同時(shí)要求的指標(biāo)也實(shí)現(xiàn)了低壓化,使TiO2壓敏陶瓷具有壓敏電壓隨燒結(jié)溫度升高而降低,非線性系數(shù)隨燒結(jié)溫度升高而升高的總趨勢(shì);因而具有制作工藝簡(jiǎn)單、成本較低、性能好、使用范圍廣等優(yōu)點(diǎn)。
      用本發(fā)明制造的壓敏陶瓷電阻,由于摻雜元素在TiO2基體表面析出,且分布均勻,因此,還具有重復(fù)性、穩(wěn)定性、一致性好,電參數(shù)值有顯著改進(jìn)的優(yōu)點(diǎn)。


      圖1為本發(fā)明的工藝流程2為本發(fā)明實(shí)施例4的V與α隨T的變化關(guān)系圖,圖3為本發(fā)明實(shí)施例4的ε與tan δ隨T的變化關(guān)系圖,
      圖4為超微粒子的表面原子數(shù)與總原子數(shù)之比與粒徑的比例關(guān)系圖。粒徑在10nm以下,將迅速增加表面原子的比例;當(dāng)粒徑降到1nm時(shí),表面原子數(shù)比例達(dá)到約90%以上,原子幾乎全部集中到納米粒子的表面。由于納米粒子表面原子數(shù)增多,表面原子配位數(shù)不足和高的表面能,使這些原子易與其他原子相結(jié)合而穩(wěn)定下來(lái),而具有很高的化學(xué)活性。
      具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步說(shuō)明。
      實(shí)施例1如圖2所示,該納米改性制造TiO2壓敏陶瓷材料的方法是,先用TiO2,按摩爾比加上0.6%的Nb2O5、0.3%的SiO2、0.9%的La2O3、4%的納米TiO2粉組成混合原料,然后將該原料在行星式球磨機(jī)中、加入水和酒精研磨混合3小時(shí);將球磨好的料漿干燥、過(guò)篩后(放在干燥箱里55℃烘干,然后過(guò)280目標(biāo)準(zhǔn)篩),進(jìn)行造粒(將干燥后的粉料加入適量的PVA水溶液,形狀如魚鱗狀即表示混合均勻時(shí),再過(guò)40目標(biāo)準(zhǔn)篩,用50Mpa壓力預(yù)壓成塊,然后打碎,再次過(guò)40目標(biāo)準(zhǔn)篩),得到一定粒度而且均勻分布的粉料,再用150Mpa的壓力將粉料壓制成小圓片(φ=13mm,d=1.5mm);然后將成型的壓制片逐漸加熱到650℃后保溫30分鐘(放在電阻爐中進(jìn)行),進(jìn)行排膠(將加入的有機(jī)塑化劑排出,并使之具有一定的機(jī)械強(qiáng)度,為樣品的燒結(jié)創(chuàng)造條件),再在1280℃加熱燒結(jié)并保溫3小時(shí)(放到管式電阻爐中進(jìn)行);最后將燒結(jié)好的燒結(jié)體(隨爐)冷卻到室溫,得到TiO2壓敏陶瓷材料。
      將燒結(jié)得到的TiO2壓敏陶瓷材料進(jìn)行表面加工,然后被電極,在600℃下燒銀,經(jīng)測(cè)試后封裝,即可得到納米改性TiO2壓敏電阻。所制造的TiO2壓敏陶瓷材料除了主晶相TiO2外,還有LaNbTiOb、NbO2、La4Ti9O24三種物相。
      用該納米改性方法制造的TiO2壓敏陶瓷材料或電阻,具有電容—壓敏雙功能特性,其壓敏電壓和漏電流隨著燒結(jié)溫度的升高而降低,非線性系數(shù)和介電常數(shù)隨著燒結(jié)溫度的升高而增大,介電損耗也有隨燒結(jié)溫度的升高而降低的總趨勢(shì);其壓敏電壓V1mA為4V/mm,非線性系數(shù)α為4.5,漏電流IL為0.15mA,介電常數(shù)為7×104,介電損耗值tanδ為0.2。
      實(shí)施例2如圖2所示,該納米改性制造TiO2壓敏陶瓷材料的方法是,先用TiO2,按摩爾比加上0.5%的Nb2O5、0.4%的SiO2、0.8%的La2O3、7%的納米TiO2粉組成混合原料,然后將該原料在行星式球磨機(jī)中、加入水和酒精研磨混合4小時(shí);將球磨好的料漿干燥、過(guò)篩后(放在干燥箱里50℃烘干,然后過(guò)320目標(biāo)準(zhǔn)篩),進(jìn)行造粒(將干燥后的粉料加入適量的PVA水溶液,形狀如魚鱗狀即表示混合均勻時(shí),再過(guò)45目標(biāo)準(zhǔn)篩,用55Mpa壓力預(yù)壓成塊,然后打碎,再次過(guò)45目標(biāo)準(zhǔn)篩),得到一定粒度而且均勻分布的粉料,再用140Mpa的壓力將粉料壓制成小圓片(φ=13mm,d=1.5mm);然后將成型的壓制片逐漸加熱到750℃后保溫20分鐘(放在電阻爐中進(jìn)行),進(jìn)行排膠(將加入的有機(jī)塑化劑排出,并使之具有一定的機(jī)械強(qiáng)度,為樣品的燒結(jié)創(chuàng)造條件),再在1340℃加熱燒結(jié)并保溫1.5小時(shí)(放到管式電阻爐中進(jìn)行);最后將燒結(jié)好的燒結(jié)體(隨爐)冷卻到室溫,得到TiO2壓敏陶瓷材料。
      將燒結(jié)得到的TiO2壓敏陶瓷材料進(jìn)行表面加工,然后被電極,在600℃下燒銀,經(jīng)測(cè)試后封裝,即可得到納米改性TiO2壓敏電阻。所制造的TiO2壓敏陶瓷材料及TiO2壓敏電阻,除了主晶相TiO2外,還有LaNbTiO6、NbO2、La4Ti9O24三種物相。
      用該納米改性方法制造的TiO2壓敏陶瓷材料或電阻,具有電容—壓敏雙功能特性,其壓敏電壓和漏電流隨著燒結(jié)溫度的升高而降低,非線性系數(shù)和介電常數(shù)隨著燒結(jié)溫度的升高而增大,介電損耗也有隨燒結(jié)溫度的升高而降低的總趨勢(shì);其壓敏電壓V1mA為7V/mm,非線性系數(shù)α為7,漏電流IL為0.25mA,介電常數(shù)為3×104,介電損耗值tanδ為0.5。
      該例的壓敏電阻與常規(guī)配方工藝制造的壓敏電阻比較值如下

      實(shí)施例3如圖2所示,該納米改性制造TiO2壓敏陶瓷材料的方法是,先用TiO2,按摩爾百分比加上2%的MnO2、0.1%的Y2O3、0.1%的SrO、11%的納米TiO2粉組成混合原料,然后將該原料在行星式球磨機(jī)中、加入水和酒精研磨混合4小時(shí);將球磨好的料漿干燥、過(guò)篩后(放在干燥箱里60℃烘干,然后過(guò)320目標(biāo)準(zhǔn)篩),進(jìn)行造粒(將干燥后的粉料加入適量的PVA水溶液,形狀如魚鱗狀即表示混合均勻時(shí),再過(guò)45目標(biāo)準(zhǔn)篩,用55Mpa壓力預(yù)壓成塊,然后打碎,再次過(guò)45目標(biāo)準(zhǔn)篩),得到一定粒度而且均勻分布的粉料,再用140Mpa的壓力將粉料壓制成小圓片(φ=13mm,d=1.5mm);然后將成型的壓制片逐漸加熱到750℃后保溫25分鐘(放在電阻爐中進(jìn)行),進(jìn)行排膠(將加入的有機(jī)塑化劑排出,并使之具有一定的機(jī)械強(qiáng)度,為樣品的燒結(jié)創(chuàng)造條件),再在1370℃加熱燒結(jié)并保溫1.5小時(shí)(放到管式電阻爐中進(jìn)行);最后將燒結(jié)好的燒結(jié)體(隨爐)冷卻到室溫,得到TiO2壓敏陶瓷材料。
      將燒結(jié)得到的TiO2壓敏陶瓷材料進(jìn)行表面加工,然后被電極,在700℃下燒銀,經(jīng)測(cè)試后封裝,即可得到納米改性TiO2壓敏電阻。所制造的TiO2壓敏陶瓷材料及TiO2壓敏電阻,除了主晶相TiO2外,還有LaNbTiO6、NbO2、La4Ti9O24三種物相。
      用該納米改性方法制造的TiO2壓敏陶瓷材料或電阻,具有電容-壓敏雙功能特性,其壓敏電壓和漏電流隨著燒結(jié)溫度的升高而降低,非線性系數(shù)和介電常數(shù)隨著燒結(jié)溫度的升高而增大,介電損耗也有隨燒結(jié)溫度的升高而降低的總趨勢(shì);其壓敏電壓V1mA為5V/mm,非線性系數(shù)α為5.5,漏電流IL為0.2mA,介電常數(shù)為4×104,介電損耗值tanδ為0.4。
      實(shí)施例4如圖2所示,該納米改性制造TiO2壓敏陶瓷材料的方法是,先用TiO2,按摩爾百分比加上0.9%的Nb2O5、0.2%的SiO2、0.7%的La2O3、9%的納米TiO2粉組成混合原料,然后將該原料在行星式球磨機(jī)中、加入水和酒精研磨混合4小時(shí);將球磨好的料漿干燥、過(guò)篩后(放在干燥箱里50℃烘干,然后過(guò)320目標(biāo)準(zhǔn)篩),進(jìn)行造粒(將干燥后的粉料加入適量的PVA水溶液,形狀如魚鱗狀即表示混合均勻時(shí),再過(guò)45目標(biāo)準(zhǔn)篩,用100Mpa壓力預(yù)壓成塊,然后打碎,再次過(guò)45目標(biāo)準(zhǔn)篩),得到一定粒度而且均勻分布的粉料,再用80Mpa的壓力將粉料壓制成小圓片(φ=13mm,d=1.5mm);然后將成型的壓制片逐漸加熱到700℃后保溫25分鐘(放在電阻爐中進(jìn)行),進(jìn)行排膠(將加入的有機(jī)塑化劑排出,并使之具有一定的機(jī)械強(qiáng)度,為樣品的燒結(jié)創(chuàng)造條件),再在1380℃加熱燒結(jié)并保溫2小時(shí)(放到管式電阻爐中進(jìn)行);最后將燒結(jié)好的燒結(jié)體(隨爐)冷卻到室溫,得到TiO2壓敏陶瓷材料。
      將燒結(jié)得到的TiO2壓敏陶瓷材料進(jìn)行表面加工,然后被電極,在650℃下燒銀,經(jīng)測(cè)試后封裝,即可得到納米改性TiO2壓敏電阻。所制造的TiO2壓敏陶瓷材料及TiO2壓敏電阻,除了主晶相TiO2外,還有LaNbTiO6、NbO2、La4Ti9O24三種物相。
      用該納米改性方法制造的TiO2壓敏陶瓷材料或電阻,具有電容—壓敏雙功能特性,其壓敏電壓和漏電流隨著燒結(jié)溫度的升高而降低,非線性系數(shù)和介電常數(shù)隨著燒結(jié)溫度的升高而增大,介電損耗也有隨燒結(jié)溫度的升高而降低的總趨勢(shì);其壓敏電壓V1mA為6V/mm,非線性系數(shù)α為5,漏電流IL為0.18mA,介電常數(shù)為5×104,介電損耗值tanδ為0.3。
      實(shí)施例5如圖2所示,該納米改性制造TiO2壓敏陶瓷材料的方法是,先用TiO2,按摩爾百分比加上0.5%的Nb2O5、0.7%的La2O3、0.15%的SiO2、15%的納米TiO2粉組成混合原料,然后將該原料在行星式球磨機(jī)中、加入水和酒精研磨混合4.5小時(shí);將球磨好的料漿干燥、過(guò)篩后(放在干燥箱里50℃烘干,然后過(guò)300目標(biāo)準(zhǔn)篩),進(jìn)行造粒(將干燥后的粉料加入適量的PVA水溶液,形狀如魚鱗狀即表示混合均勻時(shí),再過(guò)50目標(biāo)準(zhǔn)篩,用80Mpa壓力預(yù)壓成塊,然后打碎,再次過(guò)50目標(biāo)準(zhǔn)篩),得到一定粒度而且均勻分布的粉料,再用120Mpa的壓力將粉料壓制成小圓片(φ=13mm,d=1.5mm);然后將成型的壓制片逐漸加熱到700℃后保溫25分鐘(放在電阻爐中進(jìn)行),進(jìn)行排膠(將加入的有機(jī)塑化劑排出,并使之具有一定的機(jī)械強(qiáng)度,為樣品的燒結(jié)創(chuàng)造條件),再在1340℃加熱燒結(jié)并保溫2.5小時(shí)(放到管式電阻爐中進(jìn)行);最后將燒結(jié)好的燒結(jié)體(隨爐)冷卻到室溫,得到TiO2壓敏陶瓷材料。
      將燒結(jié)得到的TiO2壓敏陶瓷材料進(jìn)行表面加工,然后被電極,在700℃下燒銀,經(jīng)測(cè)試后封裝,即可得到納米改性TiO2壓敏電阻。所制造的TiO2壓敏陶瓷材料及TiO2壓敏電阻,除了主晶相TiO2外,還有LaNbTiO6、NbO2、La4Ti9O24種物相。
      用該納米改性方法制造的TiO2壓敏陶瓷材料或電阻,具有電容—壓敏雙功能特性,其壓敏電壓和漏電流隨著燒結(jié)溫度的升高而降低,非線性系數(shù)和介電常數(shù)隨著燒結(jié)溫度的升高而增大,介電損耗也有隨燒結(jié)溫度的升高而降低的總趨勢(shì);其壓敏電壓V1mA為4.5V/mm,非線性系數(shù)α為5.5,漏電流IL為0.22mA,介電常數(shù)為5.2×104,介電損耗值tanδ為0.4。
      實(shí)施例6如圖2所示,該納米改性制造TiO2壓敏陶瓷材料的方法是,先用TiO2,按摩爾百分比加上0.6%的Nb2O5、0.7%的La2O3、0.2%的SiO2、6%的納米TiO2粉組成混合原料,然后將該原料在行星式球磨機(jī)中、加入水和酒精研磨混合3.5小時(shí);將球磨好的料漿干燥、過(guò)篩后(放在干燥箱里60℃烘干,然后過(guò)350目標(biāo)準(zhǔn)篩),進(jìn)行造粒(將干燥后的粉料加入適量的PVA水溶液,形狀如魚鱗狀即表示混合均勻時(shí),再過(guò)55目標(biāo)準(zhǔn)篩,用150Mpa壓力預(yù)壓成塊,然后打碎,再次過(guò)55目標(biāo)準(zhǔn)篩),得到一定粒度而且均勻分布的粉料,再用50Mpa的壓力將粉料壓制成小圓片(φ=13mm,d=1.5mm);然后將成型的壓制片逐漸加熱到850℃后保溫20分鐘(放在電阻爐中進(jìn)行),進(jìn)行排膠(將加入的有機(jī)塑化劑排出,并使之具有一定的機(jī)械強(qiáng)度,為樣品的燒結(jié)創(chuàng)造條件),再在1450℃加熱燒結(jié)并保溫1小時(shí)(放到管式電阻爐中進(jìn)行);最后將燒結(jié)好的燒結(jié)體(隨爐)冷卻到室溫,得到TiO2壓敏陶瓷材料。
      將燒結(jié)得到的TiO2壓敏陶瓷材料進(jìn)行表面加工,然后被電極,在800℃下燒銀,經(jīng)測(cè)試后封裝,即可得到納米改性TiO2壓敏電阻。所制造的TiO2壓敏陶瓷材料及TiO2壓敏電阻,除了主晶相TiO2外,還有LaNbTiO6、NbO2、La4Ti9O24種物相。
      用該納米改性方法制造的TiO2壓敏陶瓷材料或電阻,具有電容—壓敏雙功能特性,其壓敏電壓和漏電流隨著燒結(jié)溫度的升高而降低,非線性系數(shù)和介電常數(shù)隨著燒結(jié)溫度的升高而增大,介電損耗也有隨燒結(jié)溫度的升高而降低的總趨勢(shì);其壓敏電壓V1mA為4.14V/mm,非線性系數(shù)α為6.4,漏電流IL為0.17mA,介電常數(shù)為5.52×104,介電損耗值tanδ為0.3325。
      權(quán)利要求
      1.一種納米改性制造TiO2壓敏陶瓷材料的方法,其特征是先用TiO2加上從一組摻雜元素Nb、Si、La、Mn、Y、Sr、Zn、納米TiO2中任選的氧化物粉組成混合原料,然后將該原料在球磨罐中、加入水和酒精研磨混合3~5小時(shí);將球磨好的料漿干燥、過(guò)篩后,進(jìn)行造粒,得到一定粒度而且均勻分布的粉料,再用50~150Mpa的壓力將粉料壓制成小圓片;然后將成型的壓制片逐漸加熱到650~850℃后保溫20~30分鐘,進(jìn)行排膠,再在1280~1450℃加熱燒結(jié)并保溫1~3小時(shí);最后將燒結(jié)好的燒結(jié)體冷卻到室溫,得到TiO2壓敏陶瓷材料。
      2.根據(jù)權(quán)利要1所述的納米改性制造TiO2壓敏陶瓷材料的方法,其特征是混合原料中,摻雜納米TiO2所占的摩爾比為4~15%,其它各摻雜氧化物所占的摩爾比為0.1~2%;造粒是將球磨后干燥、過(guò)篩的粉料加入適量的PVA水溶液,待形狀如魚鱗狀混合均勻時(shí)過(guò)篩,預(yù)壓成塊,然后打碎,再次過(guò)篩。
      3.根據(jù)權(quán)利要1或2所述的納米改性制造TiO2壓敏陶瓷材料的方法,其特征是所燒結(jié)的TiO2壓敏陶瓷材料除了主晶相TiO2外,主晶相表面還有摻雜Nb、Si、La、Mn、Y、Sr、Zn的氧化物中的一種或多種物相。
      4.根據(jù)權(quán)利要1或2所述的納米改性制造TiO2壓敏陶瓷材料的方法,其特征是該壓敏陶瓷材料的壓敏電壓和漏電流隨著燒結(jié)溫度的升高而降低,非線性系數(shù)和介電常數(shù)隨著燒結(jié)溫度的升高而增大,介電損耗也有隨燒結(jié)溫度的升高而降低的總趨勢(shì)。
      5.根據(jù)權(quán)利要3所述的納米改性制造TiO2壓敏陶瓷材料的方法,其特征是該壓敏陶瓷材料的壓敏電壓和漏電流隨著燒結(jié)溫度的升高而降低,非線性系數(shù)和介電常數(shù)隨著燒結(jié)溫度的升高而增大,介電損耗也有隨燒結(jié)溫度的升高而降低的總趨勢(shì)。
      6.一種權(quán)利要3所述納米改性制造TiO2壓敏陶瓷電阻的方法,其特征是先用TiO2加上從一組摻雜元素Nb、Si、La、Mn、Y、Sr、Zn、納米TiO2中選擇的氧化物粉組成混合原料,然后將該原料在球磨罐中,加入水和酒精研磨混合3~5小時(shí);將球磨好的料漿干燥、過(guò)篩后,進(jìn)行造粒,得到一定粒度而且均勻分布的粉料,再用55~150Mpa的壓力將粉料壓制成小圓片;然后將壓制片逐漸加熱到650~850℃后保溫20~30分鐘,進(jìn)行排膠,再在1280~1450℃加熱燒結(jié)并保溫1~3小時(shí),將燒結(jié)好的燒結(jié)體隨爐冷卻到室溫,得到TiO2壓敏陶瓷材料;再將燒結(jié)得到的TiO2壓敏陶瓷材料進(jìn)行表面加工,然后被電極,在600~800℃下燒銀,經(jīng)測(cè)試后封裝,得到TiO2壓敏電阻。
      7.根據(jù)權(quán)利要6所述的納米改性制造TiO2壓敏陶瓷電阻的方法,其特征是混合原料中,摻雜納米TiO2所占的摩爾比為4~15%,其它各摻雜氧化物所占的摩爾比為0.1~2%;造粒是將球磨后干燥、過(guò)篩的粉料加入適量的PVA水溶液,待形狀如魚鱗狀混合均勻時(shí)過(guò)篩,預(yù)壓成塊,然后打碎,再次過(guò)篩。
      8.一種權(quán)利要6所述的納米改性方法制造的TiO2壓敏陶瓷電阻,其特征是該電阻具有電容一壓敏雙功能特性,其壓敏電壓和漏電流隨著燒結(jié)溫度的升高而降低,非線性系數(shù)和介電常數(shù)隨著燒結(jié)溫度的升高而增大,介電損耗也有隨燒結(jié)溫度的升高而降低的總趨勢(shì)。
      9.根據(jù)權(quán)利要8所述的納米改性方法制造的TiO2壓敏陶瓷電阻,其特征是該電阻的壓敏電壓V1mA為4~7V/mm,非線性系數(shù)α為4.5~7,漏電流IL為0.15~0.25mA,介電常數(shù)為(3~7)×104,介電損耗值tanδ為0.2~0.5。
      10.根據(jù)權(quán)利要8或9所述的納米改性方法制造的TiO2壓敏陶瓷電阻,其特征是該電阻的TiO2壓敏陶瓷體除了主晶相TiO2外,還有摻雜Nb、Si、La、Mn、Y、Sr、Zn的氧化物中的一種或多種物相。
      全文摘要
      本發(fā)明涉及一種納米TiO
      文檔編號(hào)C04B35/46GK1686934SQ20051001075
      公開(kāi)日2005年10月26日 申請(qǐng)日期2005年4月19日 優(yōu)先權(quán)日2005年4月19日
      發(fā)明者甘國(guó)友, 嚴(yán)繼康, 杜景紅, 周融, 陳海芳, 張小文, 孫加林, 陳敬超 申請(qǐng)人:昆明理工大學(xué)
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