專利名稱：：帶膜的基體及膜形成用玻璃的制作方法
技術(shù)領域：
：本發(fā)明涉及主要可用于液晶顯示元件和有機EL等的顯示器等顯示裝置的被覆了由軟化點低的玻璃形成的膜的基體及用于形成該膜的玻璃。
背景技術(shù)：
：以往，作為液晶顯示元件和有機EL等顯示器用的基體，以形狀可自由變化、可曲面顯示、輕量等理由，嘗試使用了各種薄膜基體(例如參照非專利文獻l或3)。但是，薄膜與玻璃相比，存在阻氣性差的問題。為了用作液晶顯示元件和有機EL等顯示器用的基體，為防止元件的劣化而需要高阻氣性。特別是為了用作有機EL用的基板，被要求其基體的水蒸氣透過率在5X10—5克/m7天以下，這是嚴格到遠遠超過包裝材料的性能。以往的透氣性測定裝置只能進行精確至5X10—3克/mV天左右的定量評價。針對這一點，非專利文獻4中提出了利用金屬Ca的變質(zhì)的新的透氣性測定方法。作為具有阻氣性的基體，揭示有在薄膜上設置了某種特定的樹脂的基體(例如參照專利文獻l)、在薄膜上設置了由氟化合物構(gòu)成的樹脂層(例如參照專利文獻3)。但是，這些基體還不能說具有足夠的阻氣性。此外，提出有由無機化合物膜和插入于無機化合物膜間的樹脂膜的交替疊層形成的多層阻氣膜(例如參照專利文獻5)。但是，第l層產(chǎn)生的氣孔等缺陷也影響下一層，難以降低對阻氣性影響大的缺陷密度。另外，膜的邊緣也存在自側(cè)面的阻氣性不足的問題。除此之外，還揭示有在薄膜上設置了由氮氧化硅、氮化硅等無機化合物形成的多層膜的發(fā)明(例如參照專利文獻6)。但是，由于必須通過多種成膜方法形成數(shù)種無機化合物的多層膜，因此成膜速度慢，存在生產(chǎn)性差的問題。此外，近年來代替陰極射線顯像管等以往的顯示裝置的新的顯示裝置受到期待。其中，特別是有機EL顯示器即使施加電壓不足10V也可以實現(xiàn)高亮度的發(fā)光，能夠以簡單的元件結(jié)構(gòu)發(fā)光，與液晶顯示元件相比，還具有可以實現(xiàn)薄型顯示器的優(yōu)點。因此，被期待用作發(fā)光顯示特定的圖案的廣告顯示用顯示器或低價的簡易顯示器、全彩色顯示器。有機EL元件由依次層疊陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、陰極的結(jié)構(gòu)形成，一般形成于透明基板上。該有機EL元件由于有機發(fā)光層、陰極等的材料因大氣中的水分和氧等而劣化，因此被指出存在發(fā)生亮度劣化、暗斑等缺陷的問題。因此，為了防止元件的劣化，需要具有高阻氣性的密封。特別是為了用作有機EL顯示器用的密封基體，向該密封基體內(nèi)部的水蒸氣透過率被要求在5X10—5克/m7天以下，這是嚴格到遠遠超過包裝材料的性能。對于在透明基板側(cè)存在光取出面的底部發(fā)射型的有機EL顯示器，作為抑制水分或氧引起的性能劣化的方法，揭示有通過由金屬或玻璃形成的密封蓋將干燥劑封入裝置內(nèi)部的方法(例如參照專利文獻7)。此外，揭示有該干燥劑較好是在氟化烴油中含有合成沸石等脫水劑而得的惰性液體的內(nèi)容(例如參照專利文獻8)。但是，這些方法都密封工序煩雜，生產(chǎn)性差。此外，存在因密封基體厚而顯示器的厚度增大的問題。因此，為了克服這些課題，除了吸收進入到元件中的水分的方法以外，期待可防止水分的浸入的密封。作為上述密封的發(fā)明，揭示有在透明基板上設置了某種特定的樹脂的基體(例如參照專利文獻l)、在透明基板上設置了由氟化合物構(gòu)成的樹脂層(例如參照專利文獻3)。但是，這些密封還不能說具有足夠的阻氣性。此外，作為其它發(fā)明，提出有在基板上形成了特定的無機化合物膜的發(fā)明，具體為形成了由氧化鋁或氮化硅形成的膜的發(fā)明。但是，這些膜一般膜厚小至數(shù)十納米，且不易形成致密的膜，因此存在單層時難以抑制氣孔的生成的問題。為了彌補該缺點，也提出有由在無機化合物膜和無機化合物膜間插入樹脂膜而使這些膜交替層疊而得的多層膜形成的膜(例如參照專利文獻5)。但是，無機化合物膜容易產(chǎn)生氣孔等缺陷，這些氣孔等缺陷也影響下一層，對阻氣性產(chǎn)生較大影響，因此存在難以降低缺陷密度的問題。此外，還存在生產(chǎn)性差的問題。除此之外，還揭示有層疊氮氧化硅、氮化硅等無機化合物膜而成的多層膜(例如參照專利文獻6)。但是，該多層膜還不能說具有足夠的阻氣性。此外，多層膜形成的工序煩雜，生產(chǎn)性差，因此容易導致成本上升。另外，由于這些無機化合物膜的成膜速度慢，存在生產(chǎn)性差的問題。此外，為了形成多層膜，需要依次層疊多層。在有機EL元件上層疊多層膜的情況下，元件的上表面有條理地形成層，所以不易產(chǎn)生問題，但有機EL元件的側(cè)面部分難以有條理地形成層，還存在自側(cè)面部分的阻氣性不足的問題。專利文獻l:日本專利特開2003-335820號公報專利文獻2:國際公開第03/094256號文本專利文獻3:日本專利特開2003-340955號公報專利文獻4:日本專利特開2003-340971號公報專利文獻5:國際公開第00/36665號文本專利文獻6:日本專利特開2004-119138號公報專利文獻7:日本專利特開平5-182759號公報專利文獻8:日本專利特開平5-41281號公報非專利文獻l:M.Benmalek，H.M.Dunlop，"聚合物上的無機敷層(Inorganiccoatingsonpolymers)",SurfaceandCoatingsTechnology76-77,(1995)，pp821-826.非專利文獻2:YojiKawamoto,ShojiTsuchihashi，"Ge-S體系中的玻璃形成區(qū)和玻璃的結(jié)構(gòu)(Glass-FormingRegionsandStructureofGlassesintheSystemGe-S)'，J",ofTheAmericanCeramicSociety52巻，ll期,(1969),pp626-627,非專利文獻3:AndreasWeber，SilkeDeutschbein，ArminPlichta，"作為顯示器用柔性基板的薄型玻璃-聚合物體系(ThinGlass-PloymerSystemsasFlexibleSubstratesforDisplays)",SID02年度摘要(SID02Digest),(2002)，pp53-55.非專利文獻4:G.Nisato，P.C.PBouten，P.J.SIikkerveer，W.D.Bennet:G.L.Graff，N.Rutherford,L.Wiese，"高效擴散阻擋層的評價l試驗(EvaluatingHighPerformanceDiffusisonBarriers:theCalciumTest",亞洲顯示器/IDWOl年度會議論文集(AsiaDisplay/IDW，01Proceedings),(2001)，ppl435-1438.發(fā)明的揭示本發(fā)明的目的在于提供阻氣性高，在可見光區(qū)域具有高透射率，且因單層時也可獲得有效的阻氣性而生產(chǎn)性高的帶膜的基體及形成該膜的膜形成用玻璃。另外，本發(fā)明的目的還在于提供具有耐候性的帶膜的基體及形成該膜的膜形成用玻璃。本發(fā)明提供以下的內(nèi)容。(1)在基體的至少一面具有軟化溫度為10080(TC的無機非晶質(zhì)膜的帶膜的基體。(2)在基體的至少一面具有玻璃化溫度為5050(TC的無機非晶質(zhì)膜的帶膜的基體。(3)如上述(1)或(2)所述的帶膜的基體，其中，前述無機非晶質(zhì)膜經(jīng)由氣相形成。(4)如上述(3)所述的帶膜的基體，其中，構(gòu)成前述無機非晶質(zhì)膜的所有成分的1600。C時的蒸氣壓在1X10—Vtm(lX10—2Pa)以上。(5)如上述(1)(4)中的任一項所述的帶膜的基體，其中，400700nm的波長區(qū)域中的最低透射率在65%以上。(6)如上述(1)(5)中的任一項所述的帶膜的基體，其中，前述無機非晶質(zhì)膜的膜厚為O.15um。(7)如上述(1)(6)中的任一項所述的帶膜的基體，其中，前述無機非晶質(zhì)膜的材料為包含選自S、Se和Te的l種以上的元素的硫?qū)僭鼗镱惤M合物。(8)如上述(7)所述的帶膜的基體，其中，前述硫?qū)僭鼗镱惤M合物為GeS類組合物，GeS類組合物膜中的Ge含量為540摩爾X，S含量為6095摩爾％。(9)如上述(1)(6)中的任一項所述的帶膜的基體，其中，前述無機非晶質(zhì)膜的材料為含？205的磷酸鹽玻璃。(10)如上述(9)所述的帶膜的基體，其中，前述P20s的含量在無機非晶質(zhì)膜中為539摩爾％。(11)如上述(9)或(10)所述的帶膜的基體，其中，前述磷酸鹽玻璃還含氟化物。(12)如上述(10)或(11)所述的帶膜的基體，其中，前述氟化物的含量在無機非晶質(zhì)膜中為170摩爾％。(13)如上述(11)或(12)所述的帶膜的基體，其中，前述氟化物為SnF2。(14)如上述(9)(13)中的任一項所述的帶膜的基體，其中，前述磷酸鹽玻璃還含SnO。(15)如上述(14)所述的帶膜的基體，其中，前述SnO的含量在無機非晶質(zhì)膜中為180摩爾％。(16)如上述(1)(15)中的任一項所述的帶膜的基體，其中，前述無機非晶質(zhì)膜具有阻氣性。(17)如上述(1)(16)中的任一項所述的帶膜的基體，其中，前述帶膜的基體為密封基體。(18)由含B203作為主要成分的硼酸鹽玻璃、含P20s的磷酸鹽玻璃、含TeCVf乍為主要成分的亞碲酸鹽類組合物、含Bi2(U乍為主要成分的氧化鉍類組合物或者含選自S、Se和Te的l種以上的元素的硫?qū)僭鼗镱惤M合物形成的膜形成用玻璃。(19)如上述(18)的膜形成用玻璃，其中，前述磷酸鹽玻璃還含氟化物和/或SnO。(20)如上述(18)或(19)的膜形成用玻璃，其中，前述氟化物為SnF2。本發(fā)明的帶膜的基體使用玻璃化溫度為5050CTC或軟化溫度為100800r的無機非晶質(zhì)膜，且可見光區(qū)域的透射率高，還具有高阻氣性，所以作為液晶顯示元件和有機EL等顯示器的基體是有用的。尤其，由氟磷酸鹽玻璃形成的膜的阻氣性高，可見光區(qū)域的透射率高，還具有良好的耐候性，因此是有用的。附圖的簡單說明圖l為本發(fā)明的帶膜的基體的簡略橫截面圖。圖2為本發(fā)明的基體是薄膜時的密封基體的簡略橫截面圖。圖3為本發(fā)明的基體是玻璃基板時的密封基體的簡略橫截面圖。圖4為表示本發(fā)明的帶GeS膜的薄膜(聚碳酸酯薄膜)的透射率的圖。圖5為表示本發(fā)明的帶GeS膜的薄膜(PET薄膜)的透射率的圖。圖6為表示本發(fā)明的阻氣性的評價結(jié)果的圖。圖7為表示本發(fā)明的帶PA類玻璃膜的薄膜凍碳酸酯薄膜)的透射率的圖。圖8為表示本發(fā)明的帶P205類玻璃膜的薄膜(PET薄膜)的透射率的圖。圖9為表示本發(fā)明的帶Sn0-SnF2-PA玻璃膜的薄膜的透射率的圖。圖10為表示本發(fā)明的帶Sn0-SnF2-205玻璃膜的玻璃基板的透射率的圖。圖ll為表示帶有本發(fā)明的Sn0-SnF廠？205玻璃膜的薄膜的透射率的圖。圖12為表示本發(fā)明的Sn0-SnF2-PA玻璃膜的阻氣性的評價結(jié)果的圖。圖13為表示帶有本發(fā)明的Sn0-P205玻璃膜的薄膜的透射率(聚碳酸酯薄膜)的圖。圖14為表示帶有本發(fā)明的SnO-P205玻璃膜的薄膜的透射率(PET薄膜)的圖。符號的說明l:基體，2:有機物元件，3:無機非晶質(zhì)膜，4:基底膜，IO:帶膜的基板(密封基體)。實施發(fā)明的最佳方式作為本發(fā)明的帶膜的基體可用的基體，可以例舉薄膜基板或玻璃基板?；w為薄膜基板的情況下，薄膜基板的材料沒有特別限定，可以例舉例如聚碳酸酯樹脂、PET(聚對苯二甲酸乙二醇酯)樹脂、丙烯酸樹脂等。薄膜基板的厚度為50500um、特別是100400ym時，可輕量化且發(fā)揮良好的可撓性，所以是理想的?；w為玻璃基板的情況下，玻璃的組成沒有特別限定。此外，玻璃基板的厚度也可以直接使用目前生產(chǎn)的玻璃基板，玻璃基板的板厚較好是0.055mm。但是，為了以可彎曲的形狀使用玻璃基板，較好是使用玻璃基板的板厚為0.050.3mm的薄板?；w的形狀可以采用平面、擴散面、凹面、凸面、梯形等各種形狀。此外，從透明性的角度來看，基體理想的是在400700nm的整個波長區(qū)域中透射率在65%以上，S口400700nra的波長區(qū)域中的最低透射率(以下稱為最低可見光透射率)在65%以上，較好是70%以上，更好是75%以上，特別好是80%以上，最好是85%以上。另外，玻璃基板大多本身具有阻氣性，所以將玻璃基板用作基體的是在玻璃基板上具有有機物元件等的情況，即后述的密封基體的情況。本發(fā)明的帶膜的基體當然包括在基體上直接具有無機非晶質(zhì)膜的情況，也包括在基體上具有有機物元件等時在其上具有無機非晶質(zhì)膜的情況。在基體上直接具有無機非晶質(zhì)膜的情況具體如圖l所示，可以例舉在基體l上直接具有無機非晶質(zhì)膜3的帶膜的基板10。此外，在基體上具有有機物元件等的情況具體如圖2和圖3所示，可以例舉在基體1上具有有機物元件2并在其上具有無機非晶質(zhì)膜3的帶膜的基板10。將在基體上具有有機物元件并在其上具有無機非晶質(zhì)膜的帶膜的基板稱為密封基體。使用圖2和圖3對本發(fā)明的密封基體進行說明。圖2為基體是薄膜時的密封基體的簡略橫截面圖，圖3為基體是玻璃基板時的密封基體的簡略橫截面圖。圖2中，基體l是薄膜時，薄膜大多阻氣性不足，因此通常形成基底膜4。較好是基底膜4也具有阻氣性?；啄?的制造方法沒有特別限定，可以通過蒸鍍裝置或濺射裝置等成膜。接著，在膜4上形成具有電極和有機發(fā)光層等的有機物元件2。有機物元件2的制造方法沒有特別限定，可以通過蒸鍍裝置或旋涂機等成膜裝置成膜。然后，形成無機非晶質(zhì)膜3，從而形成本發(fā)明的密封基體10。然后，在密封基體10上形成薄膜等，從而形成有機EL顯示器。圖3中，基體l是玻璃基板時，玻璃大多阻氣性充分，因此不需要像薄膜基板那樣形成基底膜4。接著，在玻璃上形成具有電極和有機發(fā)光層等的有機物元件2。有機物元件2的制造方法沒有特別限定，可以通過蒸鍍裝置或旋涂機等成膜裝置成膜。然后，形成無機非晶質(zhì)膜3，從而形成本發(fā)明的密封基體IO。然后，在密封基體10上形成薄膜等，從而形成有機EL顯示器。另外，基底膜4的組成沒有特別限定。但是，如果考慮到阻氣性和生產(chǎn)性，則較好是形成與無機非晶質(zhì)膜3相同組成的膜。作為有機物元件2的1種的有機EL元件可以直接使用通常所采用的元件。具體為依次層疊有陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、陰極的結(jié)構(gòu)。作為陽極的材料，可以例舉功函數(shù)大的金屬，例如摻錫氧化銦(以下記作ITO)。作為空穴注入層的材料，可以例舉具有能夠在施加電場時從陽極或空穴傳輸層注入空穴的注入功能的材料，例如銅酞菁(以下記作CuPc)。作為空穴傳輸層的材料，可以例舉具有可以使所注入的空穴遷移的傳輸功能的材料，例如二苯基萘二胺(以下記作NPD)。作為發(fā)光層的材料，可以例舉能夠形成提供電子和空穴的再結(jié)合的場所并以此形成發(fā)光的發(fā)光功能等的層的材料，例如8-羥基喹啉鋁(以下記作Alq)。作為陰極的材料，可以例舉功函數(shù)小的金屬，例如鎂。本發(fā)明的帶膜的基體所用的無機非晶質(zhì)膜理想的是軟化溫度為100800°C。超過80(TC時，例如sicy莫的情況下，難以獲得致密的膜，存在阻氣性劣化的傾向，是不理想的。較好是軟化溫度為10070(TC，更好是150700。C，特別好是15050(TC，最好是15040(TC。無機非晶質(zhì)膜理想的是玻璃化溫度為5050(TC。超過50(TC時，例如Si02膜的情況下，難以獲得致密的膜，存在阻氣性劣化的傾向，是不理想的。較好是軟化溫度為5040(TC，更好是100400。C，特別好是50300。C、100300。C，最好是100200。C。更理想的是軟化溫度和玻璃化溫度都在上述范圍內(nèi)的情況。另外，玻璃化溫度是指二次相轉(zhuǎn)移中比熱等特性不連續(xù)的點。本發(fā)明的無機非晶質(zhì)膜由于膜構(gòu)成材料容易形成非晶質(zhì)，不會形成結(jié)晶的粒子，因此阻氣性良好。膜構(gòu)成材料難以形成非晶質(zhì)而形成結(jié)晶的粒子的情況(例如Al203膜的情況)下，在膜中容易形成晶界，導致產(chǎn)生氣孔等缺陷，存在阻氣性劣化的傾向，是不理想的。作為無機非晶質(zhì)膜的材料，具體可以例舉含B203作為主要成分的硼酸鹽玻璃、含P20s的磷酸鹽玻璃、含Te02作為主要成分的亞碲酸鹽類組合物、含Bi203作為主要成分的氧化鉍類組合物或者含選自S、Se和Te的l種以上的元素的硫?qū)僭鼗镱惤M合物。作為前述硫?qū)僭鼗镱惤M合物，可以例舉組合選自As、Ge、P、Sb、Si、Sn、In、Ga、Bi、Pb、Zn和Ag的l種以上的元素以及選自S、Se和Te的l種以上的元素的組合物。作為前述硫?qū)僭鼗镱惤M合物，由于形成非晶質(zhì)的組成范圍大，特別好是GeS類組合物。由于可以維持所形成的膜的透明性，較好是GeS類組合物中的Ge含量為540摩爾X，S含量為6095摩爾X。前述硫?qū)僭鼗镱惤M合物中可以包含鹵族元素(C1、Br、1)。通過包含前述鹵族元素，可以降低非晶質(zhì)膜的玻璃化溫度，所以是理想的。作為無機非晶質(zhì)膜的材料，由于阻氣性良好，特別好是含P205的磷酸鹽玻璃。磷酸鹽玻璃的阻氣性良好的原因推測為，構(gòu)成玻璃的原子配列中間隙少，水蒸氣分子不易擴散。磷酸鹽玻璃中的P205含量理想的是5摩爾X以上，較好是30摩爾％以上，更好是60摩爾％以上，特別好是70摩爾％以上，最好是80摩爾%以上。磷酸鹽玻璃還包含SnO時，耐水性良好，所以是理想的。此外，上述磷酸鹽玻璃可以以不損害阻氣性的程度包含B203、ZnO、PbO、Te02、堿金屬氧化物(Li20、Na20、1(20等)、堿土金屬氧化物(MgO、CaO等)、Bi02等化合物。作為前述磷酸鹽玻璃，由于容易形成非晶質(zhì)，膜厚小時(O.10.5um左右)也阻氣性良好，所以特別好是由上述磷酸鹽玻璃中包含氟化物的包含氟化物和P20s的氟磷酸鹽玻璃形成的膜(以下略作氟磷酸鹽玻璃膜)。本發(fā)明的氟磷酸鹽玻璃膜由于膜構(gòu)成材料容易形成非晶質(zhì)，不會形成結(jié)晶的粒子，因此阻氣性良好。膜構(gòu)成材料難以形成非晶質(zhì)而形成結(jié)晶的粒子的情況(例如Al203膜的情況)下，在膜中容易形成晶界，導致產(chǎn)生氣孔等缺陷，存在阻氣性劣化的傾向，是不理想的。氟磷酸鹽玻璃膜是指包含氟化物和P205的玻璃膜。具體來說，較好是PA含量在玻璃膜中為539摩爾％。超過39摩爾％時，耐候性可能會劣化，而且由于在膜表面產(chǎn)生變質(zhì)層，因此可能會產(chǎn)生阻氣性劣化等問題，是不理想的。此外，由于耐候性良好且容易玻璃化，因此氟化物的含量在玻璃膜中較好是170摩爾％，更好是155摩爾％，特別好是3055摩爾％。氟化物是指包含氟的化合物，具體可以例舉SnF2、ZnF2、PbF2、堿金屬氟化物等。氟磷酸鹽玻璃膜中，作為除氟化物和P20s以外的成分，可以包含SnO、B203、ZnO、PbO、Te02、堿金屬氧化物(1^20、Na20、1(20等)、Bi02等。特別是通過包含SnO、ZnO、PbO、B203，可以形成耐候性高的膜，所以是理想的。氟磷酸鹽玻璃膜中包含SnO的情況下，SnO含量較好是l80摩爾X，特別好是1560摩爾％。由于形成非晶質(zhì)的組成范圍大且熔點低，更理想的是氟磷酸鹽玻璃膜中包含SnO和SnF2，即氟磷酸鹽玻璃膜為氟氧化錫-磷玻璃膜。通過在氟磷酸鹽玻璃膜中包含具有耐水性的材料(例如SnO)，可以形成耐候性高的膜，且通過包含SnF2，具有可以形成致密的膜的優(yōu)點。氟磷酸鹽玻璃膜中包含SnO和SnF2的情況下，較好是？205含量為539摩爾％，SnO含量為l80摩爾X，SnF2含量為160摩爾％。氟磷酸鹽玻璃膜的熔點在80(TC以下、特別是40(TC以下時，可以形成致密的膜，所以是理想的。無機非晶質(zhì)膜的膜厚較好是O.15um，更好是O.14um，特別好是O.23tim，最好是0.2lum。不足O.lum時，難以獲得所需的阻氣性，容易產(chǎn)生氣孔等，是不理想的。此外，超過5iim時，難以將基體以優(yōu)選的形狀彎曲，彎曲時膜可能會開裂，是不理想的。另外，膜厚在密封基體的情況下是指覆蓋有機物元件的無機質(zhì)結(jié)晶膜的元件上的膜厚。本發(fā)明的無機非晶質(zhì)膜較好是經(jīng)由氣相形成。"經(jīng)由氣相形成"是指"使作為原料的母材暫時形成氣體后形成為膜"。具體來說，無機非晶質(zhì)膜可以通過采用真空蒸鍍法、濺射法、CVD法等方法使用無機非晶質(zhì)膜的材料來形成。特別是由于可以短時間內(nèi)在大面積的基板上形成具有所需膜厚的膜，所以較好是使用真空蒸鍍法。作為無機非晶質(zhì)膜的材料，具體可以例舉含8203作為主要成分的硼酸鹽玻璃、含P20s的磷酸鹽玻璃、含Te02作為主要成分的亞碲酸鹽類組合物、含Bi203作為主要成分的氧化鉍類組合物或者含選自S、Se和Te的l種以上的元素的硫?qū)僭鼗镱惤M合物。通過真空蒸鍍法形成無機非晶質(zhì)膜的情況下，使溫度上升的同時使作為原料的用于形成無機非晶質(zhì)膜的玻璃母材揮發(fā)，經(jīng)由氣相在基體上形成膜。或者，使構(gòu)成膜的玻璃的各成分分別作為原料同時揮發(fā)，經(jīng)由氣相堆積在基體上。上述玻璃母材以蒸氣壓較高的成分構(gòu)成時，可以提高成膜速度，所以是理想的。艮卩，通過在無機非晶質(zhì)膜中包含蒸氣壓較高的物質(zhì)，可以提高成膜時的成膜速度，容易控制成膜后的無機非晶質(zhì)膜的組成，-所以是理想的。前述蒸氣壓較高的物質(zhì)具體可以例舉磷酸鹽、SnO、SnF2等氟化物、SnCl2等氯化物、B203、堿金屬硼酸鹽、Na20、K20、Te02等。無機非晶質(zhì)膜中所含的蒸氣壓較高的物質(zhì)的蒸氣壓較好是在1600。C時為1X10—7atm(lX10—卞a)以上。例如，SnF2的蒸氣壓在1600。C時為249atm。與之相對，A1203、MgO在160(TC時不足lX10—7atm(lXl(TPa)。另外，蒸氣壓可以通過熱力學計算軟件(歐圖坎普科學研究公司(OUTOKUMPURESEARCHOY社)制HSCChemistry)計算SnO、SnF2、B203、K20、Te02、Al203和MgO等各化合物的0"C160(TC的蒸氣壓曲線而求得，或者根據(jù)各化合物的氣相和凝聚相的自由能差計算而求得。由于根據(jù)無機非晶質(zhì)膜的材料而包含數(shù)種不同的物質(zhì)，因此根據(jù)前述不同物質(zhì)的蒸氣壓，無機非晶質(zhì)膜的材料與由其形成的無機非晶質(zhì)膜的組成可能會稍有不同。例如，磷酸鹽玻璃中包含蒸氣壓低的MgO的情況下，如果要通過真空蒸鍍法形成磷酸鹽玻璃膜，貝IJMgO不會蒸發(fā)，磷酸鹽玻璃膜中不含MgO，無法獲得所需組成的磷酸鹽玻璃膜。因此，較好是構(gòu)成無機非晶質(zhì)膜的成分都為上述蒸氣壓較高的物質(zhì)，即如上所述蒸氣壓在1600。C時為1X10—7atm(lX10—2Pa)以上。例如，作為磷酸鹽玻璃中所含的物質(zhì)，具體可以例舉SnO、SnF2等氟化物、B203、Na20、K20、Te。2等。無機非晶質(zhì)膜的最低可見光透射率在65%以上、特別是70%以上時，可以也在光取出面?zhèn)仁褂?，特別是可以維持用于頂部發(fā)射型的有機EL顯示器時的亮度，所以是理想的。更好是80%以上，最好是90%以上。本發(fā)明的帶膜的基體中，可以將無機非晶質(zhì)膜設于基體的一面，也可以設于兩面。此外，在兩面形成的無機非晶質(zhì)膜的構(gòu)成可以相同或不同。此外，為了附加其它特性，可以在無機非晶質(zhì)膜上設置防反射膜或絕緣膜，或者在無機非晶質(zhì)膜和基體之間設置基底膜。但是，從生產(chǎn)性的角度來看，較好是以單層的無機非晶質(zhì)膜形成帶阻氣膜的基體。本發(fā)明的無機非晶質(zhì)膜即使是單層也可以發(fā)揮阻氣性，所以是優(yōu)良的。本發(fā)明的帶膜的基體理想的是最低可見光透射率在65%以上。特別是70%以上時，可以維持用作顯示器的基體時的透明性，所以是理想的。較好是75%以上，更好是80%以上，特別好是90%以上。此外，本發(fā)明的帶膜的基體具有絕緣性時，不會妨礙形成于薄膜表面的電子器件的工作，所以是理想的。此外，從基體和有機物元件等顯示元件的膨脹系數(shù)的整合性的角度來看，無機非晶質(zhì)膜的材料的5(TC35(TC的平均膨脹系數(shù)在基體為薄膜基板時較好是100X10—7500X107°C，特別好是150X10—7500X10_7/°C。此外，基體為玻璃基板時，根據(jù)與上述同樣的理由，較好是20X1(T100X10—7°c。另外，由于需要對基體上的導電膜實施刻蝕，因此較好是化學耐久性良好。為了附加其它特性，可以在無機非晶質(zhì)膜上設置防反射膜或絕緣膜，或者在無機非晶質(zhì)膜和有機物元件之間設置基底膜。但是，從生產(chǎn)性的角度來看，較好是以單層的無機非晶質(zhì)膜密封有機物元件。本發(fā)明的密封基體使用即使是單層也具有良好的阻氣性的無機非晶質(zhì)膜，所以生產(chǎn)性良好。本發(fā)明的密封基體使用薄膜基板作為基體的情況下，可以使用巻到巻(roll-to-roll)方式連續(xù)地形成。本發(fā)明的密封基體也可以適用于能夠彎曲的顯示器。本發(fā)明的有機物元件是指由有機物形成的元件，即為了使其工作而需要一定程度的阻氣性的元件，具體是指有機EL元件、有機存儲器元件、有機傳感器元件、有機太陽能電池元件等有機半導體元件。本發(fā)明的密封基體由于透明性高，因此對于需要阻氣性的顯示裝置是特別有用的。作為顯示裝置，可以例舉有機EL(頂部發(fā)射型、底部發(fā)射型)、有機TFT等的顯示裝置。本發(fā)明的帶膜的基體可用于有機EL、液晶顯示元件、電子紙等顯示器用的基體。此外，也可用于太陽能電池等電子器件的基體。本發(fā)明的阻氣性基體使用薄膜基板的情況下，具有輕量且薄型、可加工為任意形狀、能夠以巻到巻方式制造的特質(zhì)。實施例以下，對本發(fā)明的帶膜的基體的例117進行詳細說明。但是，本發(fā)明并不局限于下述實施例。〈阻氣膜的形成〉(例l)在真空蒸鍍裝置內(nèi)分別設置作為基板的聚碳酸酯薄膜和PET薄膜(最低可見光透射率聚碳酸酯薄膜88%，PET薄膜89X)。薄膜的厚度為，聚碳酸酯薄膜250ura，PET薄膜80iim。將作為蒸鍍材料的GeS玻璃塊(Ge:20摩爾X，S:80摩爾％)放入以Ta為材料的舟皿中，向舟皿導通30A的電流，使玻璃成分揮發(fā)在真空蒸鍍裝置內(nèi)，分別在2種薄膜上形成GeS膜。所形成的GeS膜的組成與作為材料的GeS玻璃塊同等。所形成的GeS膜的膜厚為0.7um。所形成的GeS膜的玻璃化溫度基于DTA的測定為25(TC。所形成的GeS膜的軟化溫度基于DTA的測定為75(TC。此外，所形成的GeS膜基于X射線衍射法的測定為非晶質(zhì)。所形成的阻氣膜具有高度的阻氣性。所形成的帶GeS膜的薄膜的最低可見光透射率通過下述的方法進行評價，(1)的結(jié)果示于圖4(聚碳酸酯薄膜)和圖5(PET薄膜)。(l)最低可見光透射率使用分光光度計(U-3500型自動記錄分光光度計株式會社日立制作所(日立製作所)制)測定形成的帶GeS膜的薄膜的400700nm的整個波長范圍的透射率。由圖4和圖5可知，所形成的阻氣性薄膜具有最低可見光透射率在70%以上的高透射率，透明性良好。(例2)在真空蒸鍍裝置內(nèi)與例1同樣地分別設置作為基板的聚碳酸酯薄膜和PET薄膜。將作為蒸鍍材料的玻璃化溫度為310'C、軟化溫度為404'C的Sn0-P205-MgO玻璃塊。205:31.3摩爾％，SnO:63,8摩爾X，MgO:4.9摩爾％)放入以Ta為材料的舟皿中，向舟皿導通25A的電流，使玻璃成分揮發(fā)在真空蒸鍍裝置內(nèi)，分別在2種薄膜上形成SnO-P20s玻璃膜(P205:44.0摩爾％，Sn0:56.0摩爾％，以下稱為P20s類玻璃膜)。所形成的P205類玻璃膜的膜厚為0.45um。所形成的P20s類玻璃膜基于X射線衍射法的測定為非晶質(zhì)。另外，在后面的例10中也提及，MgO的蒸氣壓低，不含于P205類玻璃膜中。所形成的P20s類玻璃膜的最低可見光透射率通過與例l同樣的方法進行評價，其結(jié)果示于圖7(聚碳酸酯薄膜)和圖8(PET薄膜)。由圖7和圖8可知，所形成的阻氣性薄膜具有在450700nm的整個波長范圍內(nèi)透射率在65%以上的高透射率，透明性良好。(例3)〈阻氣膜的評價〉在真空蒸鍍裝置內(nèi)，在玻璃基板上將金屬Ca薄膜形成為直徑lcm的圓形。接著，在將基板留在真空蒸鍍裝置內(nèi)的狀態(tài)下，通過與上述例2同樣的方法以0.45um的厚度形成P205類玻璃膜。這時，以金屬Ca薄膜的一部分上不形成P20s類玻璃膜的條件進行了掩模設置。然后，將基板從真空蒸鍍裝置取出，放置于常溫大氣中，進行阻氣性的評價。經(jīng)過0.5小時的時候，Ca未發(fā)現(xiàn)大的變化(圖6(A))。但是，經(jīng)過16.6小時后，在未被覆P20s類玻璃膜的金屬Ca薄膜(圖6(B)中的右半圓部)，與大氣中的水蒸氣反應而失去了金屬光澤。另一方面，在以P205類玻璃膜被覆的金屬Ca薄膜(圖6(B)中的左半圓部)，經(jīng)過16.6小時后也保持金屬光澤(圖6(B))。由此可知，P20s類玻璃膜具有良好的阻氣性。另外，上述的利用金屬Ca薄膜的評價為下述文獻中所記載的方法G.Nisato，P.C.PBouten，P.J.Slikkerveer，W.D.Be匿t，G丄Graff，N,Rutherford,L.Wiese，"高效擴散阻擋層的評價藥試驗(EvaluatingHighPerformanceDiffusisonBarriers:theCalciumTest",亞洲顯示器/IDW01年度會議論文集(AsiaDisplay/IDW，01Proceedings),(2001)，ppl435-1438。該評價方法是為了測定低于基于以往的透氣性測定裝置的水蒸氣透過率的檢測極限(5X10—3g/m7天左右)的水蒸氣透過率而新開發(fā)的評價方法。因此，足以推定例2的P205類玻璃膜金屬Ca的水蒸氣透過率在5Xl(Tg/m7天以下?！醋铓饽さ男纬伞?例4)在真空蒸鍍裝置內(nèi)設置作為基板的聚碳酸酯薄膜(最低可見光透射率聚碳酸酯膜88%)。薄膜的厚度為250iim。將作為蒸鍍材料的Sn0-SnF2-205玻璃塊(PA:25摩爾^，SnO:30摩爾X，SnF2:45摩爾X，玻璃化溫度ll(TC)放入以Ta制成的舟皿中，向舟皿導通20A的電流，使玻璃成分揮發(fā)在真空蒸鍍裝置內(nèi)，在薄膜上形成Sn0-SnF2-PA玻璃膜。上述玻璃塊的50'C300°C的平均線膨脹系數(shù)基于TMA(裝置名TMA，布魯克AXS有限公司(:/少l7—'工^f工、_y夕只工7社)帝D的測定為185X10—7K。所形成的SnO-SnF2-P205玻璃膜的膜厚為0.2"m。SnO-SnF2-205玻璃膜的組成為，？205:21摩爾％，SnO:27摩爾X，SnF2:52摩爾X。另外，SnO-SnF2-PA玻璃塊的玻璃化溫度基于DTA(裝置名DTA，布魯克AXS有限公司(:/》7—'工一工、乂夕7工只社)制)的測定為110。C。使用分光光度計(U-3500型自動記錄分光光度計株式會社日立制作所(曰立製作所)制)測定了所形成的帶Sn0-SnF2-205玻璃膜的薄膜的400700醒的整個波長范圍的透射率。結(jié)果示于圖9。(例5)除了使用組成不同的SnO-SnF2-PA玻璃塊(P205:25摩爾%，SnO:45摩爾%，SnF2:30摩爾X，玻璃化溫度125X:，平均線膨脹系數(shù)(測定方法與例4相同)180X107K)以外，與例4同樣地處理，獲得SnO-SnF2-P205玻璃膜。所形成的SnO-SnF2-PA玻璃膜的膜厚為O.4ym。使用分光光度計(U-3500型自動記錄分光光度計株式會社日立制作所(日立製作所)制)測定了所形成的帶Sn0-SnF2-P205玻璃膜的薄膜的400700nm的整個波長范圍的透射率。結(jié)果示于圖9。(例6)除了使用玻璃基板(最低可見光透射率86%,板厚2.8mm)代替聚碳酸酯薄膜以外，與例4同樣地處理，獲得SnO-SnF2-P20s玻璃膜。所形成的SnO-SnF廠P205玻璃膜的膜厚為0.4ura。使用分光光度計(U-3500型自動記錄分光光度計株式會社日立制作所(日立製作所)制)測定了所形成的帶Sn0-SnF2-P205玻璃膜的薄膜的400700腿的整個波長范圍的透射率。結(jié)果示于圖IO。由圖10可知，所形成的阻氣性薄膜具有最低可見光透射率在65%以上的高透射率，透明性良好。例l、2、46中所形成的膜的組成和各種物性示于表1。[表l]<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>〈阻氣性的評價〉例46中形成的阻氣膜具有高阻氣性。為了確認這一點，進行了以下的實驗。鋼使用與例3同樣的評價方法進行評價。具體為，在真空蒸鍍裝置內(nèi)，首先在玻璃基板上將金屬Ca薄膜形成為直徑lcm的圓形。接著，在將基板留在真空蒸鍍裝置內(nèi)的狀態(tài)下，通過與上述例4同樣的方法以O.4um的厚度使用SnO-SnF2-PA玻璃塊(P205:25摩爾%，Sn0:30摩爾%，SnF2:45摩爾X)形成玻璃膜。這時，以金屬Ca薄膜的一部分上不形成玻璃膜的條件進行了掩模設置。然后，將基板從真空蒸鍍裝置取出，放置于大氣中。形成與例3同樣的結(jié)果。經(jīng)過0.5小時的時候，Ca未發(fā)現(xiàn)大的變化，但經(jīng)過16.6小時后，未被覆玻璃膜的金屬Ca薄膜與大氣中的水蒸氣反應而失去了金屬光澤。另一方面，在以玻璃膜被覆的金屬Ca薄膜經(jīng)過16.6小時后也保持金屬光澤。再繼續(xù)實驗，經(jīng)過2184小時后，金屬Ca薄膜仍保持金屬光澤。由此可知，例4的SnO-SnF2-P205玻璃膜具有良好的阻氣性。因此，足以推定例46的Sn0-SnF2-P20s玻璃膜的水蒸氣透過率在5X10—Vm7天以下。(例8)與放置于大氣中的例7不同，將玻璃膜放置于60。C、90XRH的恒溫恒濕槽內(nèi)。具體為，在真空蒸鍍裝置內(nèi)，首先在玻璃基板上將金屬Ca薄膜形成為直徑lcm的圓形。接著，在將基板留在真空蒸鍍裝置內(nèi)的狀態(tài)下，通過與上述例4同樣的方法以0.4Pm的厚度使用SnO-SnF廠PA玻璃塊(P205:25摩爾%，SnO:30摩爾%，SnF2:45摩爾^)形成玻璃膜。這時，以金屬Ca薄膜的一部分上不形成玻璃膜的條件進行了掩模設置。然后，將基板從真空蒸鍍裝置取出，靜置于6(TC、90%RH的恒溫恒濕槽內(nèi)，進行與例7同樣的利用金屬Ca薄膜的評價。經(jīng)過24小時后，未被覆玻璃膜的金屬Ca薄膜與大氣中的水蒸氣反應而失去了金屬光澤。另一方面，在以玻璃膜被覆的金屬Ca薄膜經(jīng)過24小時后也保持金屬光澤。因此，足以推定例46的Sn0-SnF2-P20s玻璃膜的水蒸氣透過率在5X10—3g/mV天以下。另外，該例8的試驗相當于例7的加速試驗?！唇M成變化〉(例9)在真空蒸鍍裝置內(nèi)設置作為基板的石英基板。將作為蒸鍍材料的Sn0-SnF2-P205玻璃塊(P20s:24.4摩爾％，SnO:51.4摩爾X，SnF2:24.2摩爾％)放入以Ta制成的舟皿中，向舟皿導通20A的電流，使玻璃成分揮發(fā)在真空蒸鍍裝置內(nèi)，在石英基板上形成Sn0-SnF2-P20s玻璃膜。通過濕式分析(將100克試樣溶解于110毫升(1+1)鹽酸中，通過ICP發(fā)光分析對溶液中的Sn、P、Mg的含量進行定量，換算為氧化物的摩爾％。對于F，在中和該溶液后通過氟離子電極定量，假設全部形成SnF2而算出。)測定了上述玻璃膜的組成，結(jié)果為PA:21.1摩爾％、Sn0:45.9摩爾％、SnF2:33摩爾X。(例IO)除了使用Sn0-Mg0-205玻璃塊(？205:32.6摩爾％，SnO:66.4摩爾X，Mg0:5.l摩爾X)代替Sn0-SnF2-PA玻璃塊以外，與例9同樣地處理，在石英基板上形成SnO-Mg0-PA玻璃膜。與例9同樣地通過濕式分析測定了上述玻璃膜的組成，結(jié)果為P20s:45.8摩爾％、Sn0:58.2摩爾％、MgO:0摩爾X。如上所述，即使試圖以真空蒸鍍法形成含MgO的膜，也由于MgO的蒸氣壓低，玻璃膜中不含MgO，作為材料是不理想的。與之相對，SnF2由于蒸氣壓高，與作為原料的玻璃塊大致相同的量含于膜中，是理想的?！茨秃蛐浴道?6中形成的阻氣膜具有高耐候性。為了確認這一點，進行了以下的實驗。(例ll)將例4、5中形成的帶Sn0-SnF2-P20s玻璃膜的基體靜置于大氣氣氛下，624小時后也未發(fā)現(xiàn)玻璃膜的狀態(tài)的變化。將例6中形成的帶Sn0-SnF2-PA玻璃膜的基體靜置于大氣氣氛下，2100小時后也未發(fā)現(xiàn)玻璃膜的狀態(tài)的變化。由上述實驗可知，例46中形成的SnO-SnF2-P20s玻璃膜具有高耐候性。〈變質(zhì)層的生成〉(例12)在500"熔解而制成的氟磷酸鹽玻璃^05:25摩爾％，SnO:30摩爾X，SnF2:45摩爾X)靜置于大氣氣氛下，l周后表面也未生成變質(zhì)層。(例13)在50(TC熔解而制成的氟磷酸鹽玻璃(PA:45摩爾％，SnO:35摩爾％，SnF2:20摩爾X)靜置于大氣氣氛下，吸濕，l周后表面生成變質(zhì)層，但實用上沒有問題。(例14)在50(TC熔解而制成的氟磷酸鹽玻璃(PA:40摩爾^，SnO:50摩爾X，SnF2:10摩爾X)靜置于大氣氣氛下，吸濕，l周后表面生成變質(zhì)層，但實用上沒有問題。(例15)在50(TC熔解而制成的氟磷酸鹽玻璃(P205:45摩爾％，SnF2:55摩爾％)靜置于大氣氣氛下，吸濕，l周后表面生成變質(zhì)層，但實用上沒有問題。由例1215的結(jié)果可知，如果P20s為25摩爾^、即在539摩爾％的范圍內(nèi)，表面不會產(chǎn)生變質(zhì)層，玻璃膜不因大氣中的水蒸氣而劣化，因此良好的阻氣性更長期地得到發(fā)揮，是理想的。(例16)采用Sn0-SnF2-205膜的密封基體(1)SnO-SnF2-P20s膜的形成在真空蒸鍍裝置內(nèi)設置作為基板的聚碳酸酯薄膜(最低可見光透射率88%)。薄膜的厚度為250um。將作為蒸鍍材料的Sn0-SnF廠P20s玻璃母材(P205:24.4摩爾％，SnO:51.4摩爾%，SnF2:24.2摩爾X，軟化溫度200。C，玻璃化溫度ll(TC)放入以Ta制成的舟皿中，向舟皿導通20A的電流，使玻璃成分揮發(fā)在真空蒸鍍裝置內(nèi)，在薄膜上形成Sn0-SnF2-PA膜。上述玻璃母材的50。C30(TC的平均線膨脹系數(shù)基于TMA(裝置名TMA，布魯克AXS有限公司(:/少7—工,工、;/夕7工7社)制)的測定為185X10—7K。所形成的SnO-SnF2-P20』莫的膜厚為0.2"m。另外，SnO-SnF廠PA玻璃母材的玻璃化溫度基于DTA(裝置名DTA，布魯克AXS有限公司(:/，7—'工Y工y夕只工7社)制)的測定為11(TC。膜的軟化溫度與母材同等。(2)最低可見光透射率使用分光光度計(U-3500型自動記錄分光光度計株式會社日立制作所(日立製作所)制)測定了形成的帶SnO-SnF2-P205玻璃膜的薄膜的400700nm的整個波長范圍的透射率。結(jié)果示于圖ll。由圖11可知，所形成的阻氣性薄膜具有在400700nm的整個波長范圍內(nèi)最低可見光透射率在70X以上的高透射率，透明性良好。(3)組成分析除了使用石英玻璃基板代替聚碳酸酯薄膜以外，與上述同樣地處理，獲得SnO-SnF2-P20s玻璃膜。通過濕式分析(將100克試樣溶解于110毫升(1+1)鹽酸中，通過ICP發(fā)光分析對溶液中的Sn、P、Mg的含量進行定量，換算為氧化物的摩爾%。對于F，在中和該溶液后通過氟離子電極定量，假設全部形成SnF2而算出。)測定了該Sn0-SnF2-PA玻璃膜的組成，結(jié)果為PA:21.l摩爾％、SnO:45.9摩爾%、SnF2:33摩爾X。(4)阻氣性的評價(1)在真空蒸鍍裝置內(nèi)，首先在玻璃基板(旭硝子株式會社(旭硝子)制PD200)上將金屬Ca薄膜形成為直徑lcm的圓形。使用的玻璃基板的厚度為2.8mm。接著，在將基板留在真空蒸鍍裝置內(nèi)的狀態(tài)下，通過與上述(l)同樣的方法以0.4um的厚度使用Sn0-SnF2-PA玻璃母材(P205:24.4摩爾％，Sn0:51.4摩爾％，SnF2:24.2摩爾X)在金屬Ca薄膜上形成Sn0-SnF2-PA膜。這時，以金屬Ca薄膜的一部分上不形成SnO-SnF2-P20s膜的條件進行了掩模設置。然后，將帶膜的玻璃基板從真空蒸鍍裝置取出，放置于大氣中。經(jīng)過0.5小時的時候，Ca未發(fā)現(xiàn)大的變化(圖12(A))。但是，經(jīng)過16.6小時后，在未被覆玻璃膜的金屬Ca薄膜(圖12(B)中的右半圓部)，與大氣中的水蒸氣反應而失去了金屬光澤。另一方面，在以玻璃膜被覆的金屬Ca薄膜(圖12(B)中的左半圓部)，經(jīng)過16.6小時后也保持金屬光澤(圖12(B))。再繼續(xù)實驗，則經(jīng)過2184小時后也與圖12(B)同樣，金屬Ca薄膜保持金屬光澤。由此可知，Sn0-SnF2-P205膜具有良好的阻氣性。另外，上述的利用金屬Ca薄膜的評價為(例3)中示例的文獻中所記載的方法。(5)阻氣性的評價(2)將與(4)同樣地制成的帶膜的玻璃基板從真空蒸鍍裝置取出后，靜置于60°C、90%朋的恒溫恒濕槽內(nèi)，進行與(4)同樣的的利用金屬Ca薄膜的評價。經(jīng)過24小時后，未被覆玻璃膜的金屬Ca薄膜與大氣中的水蒸氣反應而失去了金屬光澤。另一方面，在以玻璃膜被覆的金屬Ca薄膜經(jīng)過24小時后也保持金屬光澤。另外，該試驗相當于上述的加速試驗。(6)耐候性將上述中形成的帶SnO-SnF2-PA玻璃膜的基體靜置于大氣氣氛下，2100小時后也未發(fā)現(xiàn)玻璃膜的狀態(tài)的變化。由此可知，所形成的Sn0-SnF2-PA玻璃膜具有良好的耐候性。(7)密封基體的形成形成在(1)中形成的帶Sn0-SnF2-PA膜的薄膜上依次層疊了作為陽極的ITO、作為空穴注入層的CuPc、作為空穴傳輸層的NPD、作為發(fā)光層的Alq、作為陰極的鎂層的有機EL元件，在其上通過與(1)同樣的方法形成0.4um的SnO-SnF2-P20s膜，從而獲得密封基體。形成的密封基體確認透明性、阻氣性和耐候性良好。(例17)采用Sn0-P2(y莫的密封基體(1)Sn0-P20s膜的形成在真空蒸鍍裝置內(nèi)分別設置作為基板的聚碳酸酯薄膜、PET薄膜和石英玻璃基板(最低可見光透射率聚碳酸酯薄膜88%，PET薄膜89X)。薄膜的厚度為，聚碳酸酯薄膜250um，PET薄膜80nm。將作為蒸鍍材料的玻璃化溫度為310。C、軟化溫度為404。C的SnO-PA-MgO玻璃母材(PA:3L3摩爾％，SnO:63.8摩爾X，MgO:4.9摩爾％)放入以Ta為材料的舟皿中，向舟皿導通25A的電流，使玻璃成分揮發(fā)在真空蒸鍍裝置內(nèi)，分別在2種薄膜上形成SnO-P20s玻璃膜。所形成的P20s類玻璃膜的膜厚分別為0.45ym。所形成的P205類玻璃膜基于X射線衍射法的測定為非晶質(zhì)。軟化溫度在IO080crc的范圍內(nèi)。(2)最低可見光透射率除了使用例17的(1)中形成的SnO-PA膜代替例16的(2)中的SnO-SnF2-P205膜以外，同樣地處理，測定帶SnO-P205膜的薄膜的400700nm的整個波長范圍的透射率。結(jié)果示于圖13(聚碳酸酯薄膜)和圖14(PET薄膜)。由圖13和圖14可知，所形成的帶Sn0-PA膜的薄膜具有在400700nm的整個波長范圍內(nèi)最低可見光透射率在65%以上的高透射率，透明性良好。(3)組成分析除了使用例17的(1)中形成的Sn0-PA膜代替例16的(3)中的SnO-SnF2-P205膜以外，同樣地處理，評價Sn0-P20s膜的組成。其結(jié)果是，SnO-PA膜的組成為P205:44.0摩爾％、Sn0:56.0摩爾％、MgO:0摩爾X。如上所述，即使試圖以真空蒸鍍法形成含MgO的膜，也由于MgO的蒸氣壓低，玻璃膜中不含MgO，作為材料是不理想的。與之相對，例16中所例示的SnF2由于蒸氣壓高，與作為原料的玻璃塊大致相同的量含于膜中，是理想的。(4)阻氣性的評價通過與例16(4)同樣的方法進行評價。具體為，在真空蒸鍍裝置內(nèi)，首先在玻璃基板(旭硝子株式會社(旭硝子)制PD200)上將金屬Ca薄膜形成為直徑lcm的圓形。所用玻璃基板的厚度為2.8mm。接著，在將基板留在真空蒸鍍裝置內(nèi)的狀態(tài)下，通過與上述例2的(1)同樣的方法以0.4um的厚度使用SnO-PA-MgO玻璃母材(P205:31.3摩爾％，SnO:63.8摩爾％，Mg0:4.9摩爾％)在金屬Ca薄膜上形成SnO-P20s膜，獲得帶膜的玻璃基板。這時，以金屬Ca薄膜的一部分上不形成SnO-P205玻璃膜的條件進行了掩模設置。然后，將帶膜的玻璃基板從真空蒸鍍裝置取出，放置于大氣中。形成與例16同樣的結(jié)果。經(jīng)過O.5小時的時候，Ca未發(fā)現(xiàn)大的變化，但經(jīng)過16.6小時后，未被覆玻璃膜的金屬Ca薄膜與大氣中的水蒸氣反應而失去了金屬光澤。另一方面，在以SnO-P20s膜被覆的金屬Ca薄膜經(jīng)過16.6小時后也保持金屬光澤。再繼續(xù)實驗，則經(jīng)過2184小時后也與圖12(B)同樣，金屬Ca薄膜保持金屬光澤。由此可知，例4的SnO-P20s玻璃膜具有良好的阻氣性。由此，與例16的(4)同樣，足以推定SnO-P20s膜的水蒸氣透過率在5X10—3g/m7天以下。(5)密封基體的形成形成在例17的(l)中形成的帶Sn0-P20s膜的薄膜上依次層疊了作為陽極的IT0、作為空穴注入層的CuPc、作為空穴傳輸層的NPD、作為發(fā)光層的Alq、作為陰極的鎂層的有機EL元件，在其上通過與例17的(1)同樣的方法形成O.4"m的Sn0-PA膜，從而獲得密封基體。形成的密封基體確認透明性和阻氣性良好。產(chǎn)業(yè)上利用的可能性本發(fā)明的帶阻氣膜的基體由于阻氣性高，因此可用于液晶顯示元件和有機EL元件等顯示器的基體。另外，在這里引用2005年8月25日提出申請的日本專利申請2005-244332號和2005年9月12日提出申請的日本專利申請2005-263774號的說明書、權(quán)利要求書、附圖和摘要的所有內(nèi)容作為本發(fā)明說明書的揭示。權(quán)利要求1.帶膜的基體，其特征在于，在基體的至少一面具有軟化溫度為100～800℃的無機非晶質(zhì)膜。2.帶膜的基體，其特征在于，在基體的至少一面具有玻璃化溫度為5050(TC的無機非晶質(zhì)膜。3.如權(quán)利要求1或2所述的帶膜的基體，其特征在于，前述無機非晶質(zhì)膜經(jīng)由氣相形成。4.如權(quán)利要求3所述的帶膜的基體，其特征在于，構(gòu)成前述無機非晶質(zhì)膜的所有成分的1600°C時的蒸氣壓在1X10—7atm、即1X10—卞a以上。5.如權(quán)利要求14中的任一項所述的帶膜的基體，其特征在于，400700nm的波長區(qū)域中的最低透射率在65X以上。6.如權(quán)利要求15中的任一項所述的帶膜的基體，其特征在于，前述無機非晶質(zhì)膜的膜厚為O.15um。7.如權(quán)利要求16中的任一項所述的帶膜的基體，其特征在于，前述無機非晶質(zhì)膜的材料為包含選自S、Se和Te的l種以上的元素的硫?qū)僭鼗镱惤M合物。8.如權(quán)利要求7所述的帶膜的基體，其特征在于，前述硫?qū)僭鼗镱惤M合物為GeS類組合物，GeS類組合物膜中的Ge含量為540摩爾X，S含量為6095摩爾％。9.如權(quán)利要求16中的任一項所述的帶膜的基體，其特征在于，前述無機非晶質(zhì)膜的材料為含P20s的磷酸鹽玻璃。10.如權(quán)利要求9所述的帶膜的基體，其特征在于，前述P20s的含量在無機非晶質(zhì)膜中為539摩爾％。11.如權(quán)利要求9或10所述的帶膜的基體，其特征在于，前述磷酸鹽玻璃還含氟化物。12.如權(quán)利要求10或11所述的帶膜的基體，其特征在于，前述氟化物的含量在無機非晶質(zhì)膜中為170摩爾％。13.如權(quán)利要求11或12所述的帶膜的基體，其特征在于，前述氟化物為SnF2。14.如權(quán)利要求913中的任一項所述的帶膜的基體，其特征在于，前述磷酸鹽玻璃還含SnO。15.如權(quán)利要求14所述的帶膜的基體，其特征在于，前述SnO的含量在無機非晶質(zhì)膜中為180摩爾％。16.如權(quán)利要求115中的任一項所述的帶膜的基體，其特征在于，前述無機非晶質(zhì)膜具有阻氣性。17.如權(quán)利要求116中的任一項所述的帶膜的基體，其特征在于，前述帶膜的基體為密封基體。18.膜形成用玻璃，其特征在于，由含8203作為主要成分的硼酸鹽玻璃、含P20s的磷酸鹽玻璃、含Te(V(乍為主要成分的亞碲酸鹽類組合物、含Bi203作為主要成分的氧化鉍類組合物或者含選自S、Se和Te的l種以上的元素的硫?qū)僭鼗镱惤M合物形成。19.如權(quán)利要求18所述的膜形成用玻璃，其特征在于，前述磷酸鹽玻璃還含氟化物。20.如權(quán)利要求18或19所述的膜形成用玻璃，其特征在于，前述磷酸鹽玻璃還含SnO。21.如權(quán)利要求19或20的膜形成用玻璃，其特征在于，前述氟化物為SnF2。全文摘要本發(fā)明提供阻氣性高，在可見光區(qū)域具有高透射率，且因單層時也可獲得有效的阻氣性而生產(chǎn)性高的帶膜的基體及形成該膜形成用玻璃。在基體的至少一面具有軟化溫度為100～800℃的無機非晶質(zhì)膜的帶膜的基體，或者在基體的至少一面具有玻璃化溫度為50～500℃的無機非晶質(zhì)膜的帶膜的基體。以及，由含B₂O₃作為主要成分的硼酸鹽玻璃、含P₂O₅的磷酸鹽玻璃、含TeO₂作為主要成分的亞碲酸鹽類組合物、含Bi₂O₃作為主要成分的氧化鉍類組合物或者含選自S、Se和Te的1種以上的元素的硫?qū)僭鼗镱惤M合物形成的膜形成用玻璃。文檔編號C03C3/32GK101247950SQ20068003109公開日2008年8月20日申請日期2006年8月14日優(yōu)先權(quán)日2005年8月25日發(fā)明者前田敬,永井研輔申請人:旭硝子株式會社