專利名稱：濺射靶、低電阻率透明導(dǎo)電膜、該膜的制備方法及用于該方法的組合物的制作方法
濺射靶、低電阻率透明導(dǎo)電膜、該膜的制備方法 及用于該方法的組合物發(fā)明背景氧化銦-氧化錫(In203-Sn02)("ITO")可用于形成具有高可見光透射性和 高導(dǎo)電性的透明導(dǎo)電膜，可廣泛應(yīng)用于平板顯示器("FPD")、觸摸屏面板、 太陽能電池、發(fā)光二極管("LED")、有機(jī)發(fā)光二極管("OLED")和建筑用熱反 射低發(fā)射率涂料。盡管這些ITO組合物已經(jīng)獲得了成功，但是人們?nèi)匀恍枰?代替所有的或部分的氧化銦，以便降低總體成本。美國專利第6,193,856號(hào)描述了一種濺射靶，其中耙材料包含化學(xué)式為 MOJ勺金屬氧化物，其中M是選自以下的至少一種金屬Ti, Nb, Ta, Mo, W, Zr和Hf,而金屬氧化物MOx中的氧相對(duì)于化學(xué)計(jì)量組成來說是不足的。該文 獻(xiàn)說明，當(dāng)M是Mo的時(shí)候，x為2〈x々。美國專利第6，689，477號(hào)(及其母專利，美國專利第6，534,183號(hào))描述了 用于透明導(dǎo)電膜的濺射靶。該專利描述了一類組合物，該組合物包含選自 以下的一種或多種金屬氧化物氧化銦、氧化鋅和氧化錫；以及選自以下的一種或多種氧化物氧化釩、氧化鉬和氧化釕。該參考文獻(xiàn)并未限定術(shù)語"氧化鉬"的含義。已知鉬可具有2， 3, 4, 5和6價(jià)。通常當(dāng)本領(lǐng)域稱"氧 化鉬"的時(shí)候，表示"三氧化鉬(Mo03)"。為了在工業(yè)規(guī)模上用于FPD，所述膜的電阻率必須不大于l(^Qxm，透 光率應(yīng)當(dāng)至少為80%。發(fā)明描述本發(fā)明涉及一種可用來制造透明導(dǎo)電膜的組合物，該組合物的煅燒產(chǎn) 品，由所述煅燒產(chǎn)品制得的濺射靶，以及由所述組合物制備的透明導(dǎo)電膜。 更具體來說，本發(fā)明涉及一種主要由以下組分組成的組合物 a)約0.1-60摩爾。/。的Mo02,1 )約0-99.9摩爾％的111203,c) 約0-99.9摩爾X的SnO2,d) 約0-99.9摩爾^的ZnO，e) 約0-99.9摩爾％的八1203,f) 約0-99.9摩爾％的Gaz03,其中組分b)-f)之和約為40-99.9摩爾X,其中所述摩爾百分?jǐn)?shù)是基于產(chǎn) 品的總量為基準(zhǔn)計(jì)，所述組分a)-e)之和為100。本發(fā)明還涉及該組合物的煅 燒產(chǎn)品，由所述煅燒產(chǎn)品制得的濺射靶和由所述組合物制得的透明導(dǎo)電膜。優(yōu)選的范圍為.-a)約l-40摩爾。/。的Mo02,]3)約0-99摩爾％的111203,c) 約0-99摩爾。/。的SnO2,d) 約0-99摩爾^的ZnO，e) 約0-99摩爾X的Al203，f) 約0-99摩爾X的Ga203， 組分b)-f)之和約為60-99摩爾^。更優(yōu)選的范圍為a)約1.5-30摩爾。/。的Mo02， 1 )約0-98.5摩爾％的111203,c) 約0-98.5摩爾X的SnO2,d) 約0-98.5摩爾X的ZnO， 6)約0-98.5摩爾％的八1203, f)約0-98.5摩爾X的Ga203, 組分b)-f)之和約為70-98.5摩爾X 。 最優(yōu)選的組合物由以下組分組成 a)約2-15摩爾y。的Mo02， 1 )約0-85摩爾％的111203,c) 約0-85摩爾X的SnO2，d) 約0-85摩爾X的ZnO，e) 約0-85摩爾X的Al203,f) 約0-85摩爾X的Ga203, 組分b)-f)之和約為85-98摩爾X。三種特別優(yōu)選的組合物(I, II和III)主要由以下組分組成I) a)約5-10摩爾XMo02, 15)約90-95摩爾％111203,II) a)約5-10摩爾。/。Mo02,c) 約90-95摩爾XSnO2,III) a)約5-腦Mo02,d) 約卯-95摩爾XZnO，其中i)對(duì)于組合物I),組分a)和b)之和為100摩爾X,ii)對(duì)于組合物n),組分 a)和c)之和為100摩爾X， iii)對(duì)于組合物III),組分a)和d)之和為IOO摩爾％ 。由這些組合物制得的膜的特征是透光率(即透明度)等于或大于80%, 在一些情況下電阻率不大于10—SQxm。在合適的混合和研磨機(jī)器(例如干球磨或濕球磨或珠粒研磨機(jī)或超聲 混合機(jī))中進(jìn)行均勻研磨和混合。對(duì)于濕法處理，對(duì)漿液進(jìn)行干燥，干燥后 的濾餅通過篩分而破碎。干處理的粉末和混合物也進(jìn)行篩分。該干混合物 進(jìn)行顆?；?。在成形制成具有所需形狀的體料的時(shí)候，可以使用多種方法。首先，可以使用冷壓縮法?；旧峡墒褂萌我夂线m的方法進(jìn)行成形。 己知用來進(jìn)行冷壓縮的方法是冷壓和冷等靜壓("CIP")。在冷壓處理中，將 顆粒化的混合物置于模具中，進(jìn)行壓制，形成壓實(shí)的產(chǎn)品。在冷等靜壓中，將 顆?；幕旌衔锾钊霌闲阅＞咧校芊?，然后通過能夠從所有方向?qū)Σ牧鲜?加中等壓力的裝置進(jìn)行壓縮。還可在施加或不施加機(jī)械壓力或氣壓的條件下采用熱固結(jié)處理。熱固 結(jié)優(yōu)選用來進(jìn)一步增加密度和強(qiáng)度。所述熱固結(jié)基本可采用任意合適的方 法進(jìn)行。己知的方法包括在以下條件下進(jìn)行煅燒真空、空氣氣氛、惰性 氣氛或活性氣氛；常壓或升高的氣壓；熱壓和熱等靜壓("HIP")。燒結(jié)通過將成形后的樣品置于合適的加熱爐中，進(jìn)行特殊的溫度-時(shí)間-氣壓循環(huán)而進(jìn)行。在熱壓法中，將顆?；幕旌衔镏糜谀＞咧?，在機(jī)械壓制的同時(shí)進(jìn)行 煅燒(或焙燒)。在HIP法中，有至少兩種可能。在第一種情況下，稱為煅燒-HIP,將成 形的樣品置于HIP-加熱爐中，先在低氣壓條件下進(jìn)行溫度-時(shí)間循環(huán)，直到 達(dá)到閉合孔階段，其密度對(duì)應(yīng)于理論密度的大約93-95%。然后增大氣壓， 作為促進(jìn)致密化的手段，以消除體料中殘余的孔。在第二種情況下，稱為包覆-HIP，將顆粒化的混合物置于由耐火金屬 制成的密閉模具中，抽氣并密封。將該模具置于HIP-加熱爐中，進(jìn)行合適的 溫度-時(shí)間-氣壓循環(huán)。在此循環(huán)內(nèi)，壓縮的氣體施加等靜壓(即從所有的方 向?qū)毫κ┘佑谀＞呒捌鋬?nèi)部的材料)。所述原料氧化物優(yōu)選盡可能磨細(xì)(例如平均粒度不大于5微米，優(yōu)選不 大于l微米)。所述成形后的體料通常在大約500-160CTC的溫度下煅燒(或焙 燒)約5分鐘至8小時(shí)，在煅燒(或焙燒)的時(shí)候可以施加機(jī)械壓力或氣壓以輔 助致密化，也可不施加機(jī)械壓力或氣壓。基本上可以制得任意形狀和尺寸的煅燒產(chǎn)品。例如所述產(chǎn)品可以為正 方形、矩形、圓形、橢圓形或管形。如果需要的話，所述形狀可以與需要 的濺射靶的形狀相同。無論煅燒產(chǎn)品為何種形狀，隨后要將其機(jī)械加工成 能夠適應(yīng)合適的濺射裝置的尺寸和形狀。本領(lǐng)域已知的是，可以根據(jù)最終的 用途改變?yōu)R射靶的形狀和尺寸。例如，所述濺射靶可以是正方形、矩形、 圓形、橢圓形或管形的。對(duì)于大尺寸的靶，可能需要使用一些小尺寸的部件、 板片(tile)或區(qū)段，它們結(jié)合起來形成所述靶。這樣制得的靶可以通過濺射 在許多種透明基材上形成膜，所述透明基材是例如玻璃和聚合物的膜和片 材。實(shí)際上，本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于，可以通過在室溫下進(jìn)行沉積，由本發(fā) 明的組合物制得透明的導(dǎo)電膜，所得的膜具有極佳的導(dǎo)電性和透明度。在一個(gè)實(shí)施方式中，將根據(jù)本發(fā)明制造的板材制成濺射耙。所述濺射 靶通過以下方式制得對(duì)所述板材進(jìn)行機(jī)械加工，直到獲得具有所需尺寸 的濺射耙。對(duì)所述板材進(jìn)行的機(jī)械加工工藝可包括任意適合制造具有合適 尺寸的濺射靶的機(jī)械加工方法。合適的機(jī)械加工步驟的例子包括但不限于激光切割、水噴射切割、銑削、車削和鏇床技術(shù)。可對(duì)濺射靶進(jìn)行拋光， 以減小其表面糙度。該板材的尺寸和形狀可以在很寬的范圍內(nèi)變化。可將任意合適的濺射方法用于本發(fā)明。合適的方法是能夠在板材(或基 材)上沉積薄膜的方法。合適的濺射方法的例子包括、但不限于磁控管濺射、磁增強(qiáng)濺射、脈沖激光濺射、粒子束濺射、三極濺射、射頻(RF)和直流(DC) 二極管濺射，以及這些濺射方法的組合。盡管優(yōu)選采用濺射，但是也可采 用其它的方法在基材板上沉積薄膜。因此，可采用任意方法沉積根據(jù)本發(fā) 明的薄膜。在基材上施加薄膜的合適方法包括，但不限于電子束蒸發(fā)和物 理方法，例如物理氣相沉積。通過本方法施加的薄膜可具有任意所需的厚度。所述膜厚度可至少為 0.5 nm,在一些情況下為l nm,在一些情況下至少為5nm,在其它情況下至 少為10nm，在一些情況下至少為25 nm，在其他情況下至少為50 nm,在一 些情況下至少為75納米，在其他情況下至少為IOO nm。另外，所述膜的厚 度可最高為IO )im,在一些情況小最高為5 在其他情況下最高為2 )im， 在一些情況下最高為l ^m，在其他情況下最高為0.5pm。膜厚度可以為任意 所述的數(shù)值，或者可以在任意上述數(shù)值之間變化。所述薄膜可用于平板顯示器(包括電視機(jī)屏幕和計(jì)算機(jī)顯示器)，觸摸 屏面板(例如用于收銀機(jī)、ATM和PDA的觸摸屏面板)，有機(jī)發(fā)光二極管(例 如用于汽車顯示器面板、手機(jī)、游戲機(jī)和小型商業(yè)屏幕的那些)，靜電耗散 器，電磁干擾屏蔽裝置，太陽能電池，電致變色鏡(electrochromic mirror), LED，傳感器，其它電子器件和半導(dǎo)體器件以及建筑用熱反射低發(fā)射率涂 層。下面將參照以下實(shí)施例更詳細(xì)地描述本發(fā)明。在這些實(shí)施例中，使用 以下粉末i) ln203 - OX-1075第2類，購自優(yōu)米克銦產(chǎn)品公司(Umicore Indium Products),純度>99.9%，平均粒徑<10 pmii) Mo02 - MMP3230,購自H.C.斯塔克有限公司(H. C. Starck, Inc.),純 度>99.9%，平均粒徑〈10^imiii) Sn02 - 13123JOPO,高純度粉末，購自西格馬-阿爾德瑞奇(Sigma-Aldrich),純度>99.9%，平均粒徑<10 pmiv) ZnO - K33238449,高純度粉末，購自西格馬-阿爾德瑞奇，純度 >99.9%，平均粒徑<10 )imv) A1203隱CT3000SG,購自艾爾克(Alcoa)，純度>99.9%，平均粒徑<5用于實(shí)施例的一般步驟將粉末按照所示重量比與相同總重量的粒徑為8-10mm的Al2O3球一起 倒入PVA塑料瓶中。通過以60次/分鐘的速率旋轉(zhuǎn)所述瓶子，對(duì)所述混合物 進(jìn)行12小時(shí)的研細(xì)處理。該研細(xì)的材料全部倒在在開口尺寸為500pm的篩網(wǎng) 上，除去球。在第二步，使得粉末通過開口尺寸150為pm的篩網(wǎng)。在各個(gè)實(shí)施例中，將250重量份的粉末填入直徑為100mm的石墨熱壓模 中，用石墨薄片將該熱壓模與粉末隔開。將該填充的模具置于真空密閉的 熱壓機(jī)中，對(duì)容器抽真空，加熱至30(^C，除去容器中的空氣和水分，然后 用氬氣重新填充。然后施加25 MPa的壓力，以5K/min的速率升溫。通過使 用熱壓機(jī)的位移測(cè)量裝置，可以記錄下致密化程度。當(dāng)位移速率接近O的時(shí) 候，停止加熱升溫，然后在該最高溫度保持15分鐘。然后以10K/min的受控 速率降溫至60()GC,同時(shí)減小壓力。然后關(guān)閉加熱爐，以完全冷卻。記錄下 停止致密化時(shí)的溫度。將所述固結(jié)的樣品從冷模中取出之后，對(duì)該部件進(jìn)行清潔和密度測(cè)定。對(duì)于膜沉積試驗(yàn)，在樣品平坦面上進(jìn)行研磨以除去污染物，然后用水 噴射切割機(jī)械加工成3"的圓盤。使用購自PVD產(chǎn)品公司(PVD Products)的 PLD-5000系統(tǒng)，在指定的溫度和其他條件下，在藍(lán)寶石基材上進(jìn)行沉積。 沉積的膜的厚度約為IOO nm。在進(jìn)行膜沉積實(shí)驗(yàn)的實(shí)施例中(即在實(shí)施例l-6中)，接下來按照所述的 步驟測(cè)量透光率和電阻率。在實(shí)施例9-ll中，測(cè)量了體電阻率。使用購自埃斯特若太陽技術(shù)公司(Angstrom Sun Technologies)的光譜范 圍為250-1 100nm(分辨率為lnm)的TFProbe ST 200型分光光度計(jì)測(cè)量透光 率。該裝置安裝有具有模擬能力的高等TFProbe 2.0數(shù)據(jù)獲取和分析裝置。 所報(bào)道的透光率數(shù)值表示400-750nm的平均透光率。根據(jù)已知的四點(diǎn)探針法測(cè)量實(shí)施例l-6的膜的電阻率。對(duì)于實(shí)施例9, 10 和11,使用已知的四線法(four wire method)測(cè)量體電阻率。 實(shí)施例l: 95摩爾％111203 -5摩爾％]^002 95.37份In203和4.63份Mo02 停止致密化的溫度為975。C。計(jì)算的該組合物的理論密度為7.15 g/cm3，測(cè)得的密度為5.33 g/cm3。 沉積條件在10毫托的氧氣壓力下，用25Hz、 320 mJ的激光脈沖沉積 薄膜100秒。電阻率/室溫沉積-8.48 x l(T4Q'cm透射率/室溫沉積-90.97%電阻率/300。C沉積-1.059 x l(T3Q'cm透射率/300。C沉積-89.12。/。實(shí)施例2:卯摩爾XSn02 -10摩爾％]^00291.38份Sn02和8.62份Mo02停止致密化的溫度為975。C。計(jì)算的該組合物的理論密度為6.91g/cm3，測(cè)得的密度為6.41g/cm3。 沉積條件在10毫托的氧氣壓力下，用25Hz、 320 mJ的激光脈沖沉積薄膜72秒。電阻率/室溫沉積-不導(dǎo)電透射率/室溫沉積-81.97%電阻率/300。C沉積-1.296 x 10"Q'cm透射率/300。C沉積-87.19Q/0實(shí)施例3: 95摩爾XZnO -5摩爾％Mo0292.36份ZnO和7.64份Mo02停止致密化的溫度為1000。C。計(jì)算的該組合物的理論密度為5.67g/cm3，測(cè)得的密度為5.13 g/cm3。 沉積條件在10毫托的氧氣壓力下，用25Hz、 320 mJ的激光脈沖沉積 薄膜106秒。電阻率/室溫沉積-不導(dǎo)電透射率/室溫沉積-92.52%
電阻率/300。C沉積-3.330Q'cm
透射率/300。C沉積-91.10。/。
實(shí)施例4: 95摩爾XSn02 -5摩爾％^4002
95.72份Sn02和4.28份Mo02
停止致密化的溫度為975。C。
計(jì)算的該組合物的理論密度為6.93g/cm3,測(cè)得的密度為6.51g/cm3。 沉積條件在10毫托的氧氣壓力下，用25Hz、 320 mJ的激光脈沖沉積 薄膜66秒。
電阻率/室溫沉積-不導(dǎo)電
透射率/室溫沉積-84.29%
電阻率/300。C沉積-8.910X l(T3Q'cm
透射率/300。C沉積-89.800/0
實(shí)施例5: 90摩爾％111203 -10摩爾％MoO2
90.71份In203和9.29份Mo02
停止致密化的溫度為975。C。
計(jì)算的該組合物的理論密度為7.11g/cm3，測(cè)得的密度為5.51 g/cm3。 沉積條件在10毫托的氧氣壓力下，用25Hz、 320 mJ的激光脈沖沉積 薄膜85秒。
電阻率/室溫沉積-4.270 x 10'3Q'cm
透射率/室溫沉積—86.50%
電阻率/300。C沉積-1.205 x l(T2Q'cm
透射率/300。C沉積-86.30。/。
實(shí)施例6: 90摩爾XZnO -10摩爾％MoO2
85.13份ZnO和14.87份Mo02
停止致密化的溫度為1000。C。
計(jì)算的該組合物的理論密度為5.73g/cm3，測(cè)得的密度為5.45 g/cm3。 沉積條件在10毫托的氧氣壓力下，用25Hz、 320 mJ的激光脈沖沉積 薄膜116秒。電阻率/室溫沉積-不導(dǎo)電
透射率/室溫沉積-91.50%
電阻率/300。C沉積-不導(dǎo)電
透射率/300°(:沉積-83.10%
實(shí)施例7: 47.5摩爾XSn02/47.5摩爾XZnO/5摩爾％Mo02 61,37份Sn02, 33.15份ZnO和5.48份Mo02 致密化停止的溫度為81()GC。
該組合物計(jì)算的理論密度為6.48 g/cm3，測(cè)得的密度為6.27 g/cm3。 實(shí)施例8: 95摩爾％八1203-5摩爾％1^002 93.81份Al203和6.19份Mo02 停止致密化的溫度為130()0C。
計(jì)算的該組合物的理論密度為4.13 g/cm3，計(jì)算的密度為3.88 g/cm3。 實(shí)施例9: 67摩爾XZnO - 33摩爾XMo02 56.65份ZnO和43.35份Mo02
停止致密化的溫度為ioooGc。
該組合物計(jì)算的理論密度為5.94 g/cm3，測(cè)得的密度為4.57 g/cm3。
體電阻率-5.19 x 10"Q，cm
實(shí)施例10: 58摩爾XSn02 - 42摩爾XMo02
61.81份Sn02和38.19份Mo02
停止致密化的溫度為95(^C。
該組合物計(jì)算的理論密度為6.75 g/cm3，測(cè)得的密度為6.47 g/cm3。
體電阻率-6.1 x l(T2Qxm
實(shí)施例li : 43摩爾％ ln203 - 57摩爾XMo02
62.58份In203和37.42份Mo02
停止致密化的溫度為955GC。
該組合物計(jì)算的理論密度為6.88 g/cm3，測(cè)得的密度為4.07 g/cm3。 體電阻率-2.0 x 10-3Q,cm
盡管出于說明的目的已經(jīng)詳細(xì)描述了本發(fā)明，但是應(yīng)當(dāng)理解這些詳細(xì) 描述僅僅是出于說明的目的，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不背離權(quán)利要求書限定的本發(fā)明精神和范圍的前提下作出改變'
權(quán)利要求
1.一種主要由以下組分組成的組合物a)約0.1-60摩爾％的MoO2，b)約0-99.9摩爾％的In2O3，c)約0-99.9摩爾％的SnO2，d)約0-99.9摩爾％的ZnO，e)約0-99.9摩爾％的Al2O3，f)約0-99.9摩爾％的Ga2O3，其中組分b)-f)之和約為40-99.9摩爾％，其中所述摩爾百分?jǐn)?shù)是以產(chǎn)品的總量為基準(zhǔn)計(jì)，所述組分a)-e)之和為100。
2. 如權(quán)利要求l所述的組合物，其主要由以下組分組成a) 約l-40摩爾。/。的Mo02,b) 約0-99摩爾X的In203,c) 約0-99摩爾X的SnO2,d) 約0-99摩爾^的ZnO，e) 約0-99摩爾X的Al203,f) 約0-99摩爾X的Ga203, 組分b)-f)之和約為60-99摩爾％ 。
3. 如權(quán)利要求2所述的組合物，其主要由以下組分組成 a)約1.5-30摩爾。/。的Mo02, 1 )約0-98.5摩爾％的111203,c) 約0-98.5摩爾X的SnO2,d) 約0-98.5摩爾X的ZnO，e) 約0-98.5摩爾％的八1203,f) 約0-98.5摩爾％的Ga203， 組分b)-f)之和約為70-98.5摩爾X。
4. 如權(quán)利要求3所述的組合物，其主要由以下組分組成 a)約2-15摩爾。/。的Mo02,1 )約0-85摩爾％的111203，c) 約0-85摩爾X的SnO2,d) 約0-85摩爾X的ZnO，e) 約0-85摩爾X的Al203,f) 約0-85摩爾X的Ga203， 組分b)-f)之和約為85-98摩爾X。
5. —種主要由以下組分組成的組合物 a)約5-10摩爾XMo02, 1 )約90-95摩爾％111203,其中組分a)和組分b)的總合為10 0摩爾％ 。
6. —種主要由以下組分組成的組合物 a)約5-10摩爾。/。Mo02，c) 約卯-95摩爾XSn02, 其中組分a)和組分c)的總合為100摩爾X。
7. —種主要由以下組分組成的組合物 a)約5-10摩爾。/。Mo02,d) 約90-95摩爾XZnO，其中組分a)和組分d)的總合為IOO摩爾％ 。
8. —種煅燒產(chǎn)品，通過煅燒權(quán)利要求l所述的組合物而制得。
9. 一種煅燒產(chǎn)品，通過煅燒權(quán)利要求5所述的組合物而制得。
10. —種煅燒產(chǎn)品，通過煅燒權(quán)利要求6所述的組合物而制得。
11. 一種煅燒產(chǎn)品，通過煅燒權(quán)利要求7所述的組合物而制得。
12. —種濺射靶，包含通過煅燒權(quán)利要求l所述的組合物制得的產(chǎn)品。
13. —種濺射靶，包含通過煅燒權(quán)利要求5所述的組合物制得的產(chǎn)品。
14. 一種濺射靶，包含通過煅燒權(quán)利要求6所述的組合物制得的產(chǎn)品。
15. —種濺射靶，包含通過煅燒權(quán)利要求7所述的組合物制得的產(chǎn)品。
16. —種透明導(dǎo)電膜，其通過以下方式制成在基材的表面上形成主 要由權(quán)利要求l所述的組合物組成的組合物的透明導(dǎo)電層。
17. —種透明導(dǎo)電膜，其通過以下方式制成在基材的表面上形成主要由權(quán)利要求5所述的組合物組成的組合物的透明導(dǎo)電層。
18. —種透明導(dǎo)電膜，其通過以下方式制成在基材的表面上形成主 要由權(quán)利要求6所述的組合物組成的組合物的透明導(dǎo)電層。
19. 一種透明導(dǎo)電膜，其通過以下方式制成在基材的表面上形成主 要由權(quán)利要求7所述的組合物組成的組合物的透明導(dǎo)電層。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種主要由以下組分組成的組合物a)約0.1-60摩爾％的MoO₂，b)約0-99.9摩爾％的In₂O₃，c)約0-99.9摩爾％的SnO₂，d)約0-99.9摩爾％的ZnO，e)約0-99.9摩爾％的Al₂O₃，f)約0-99.9摩爾％的Ga₂O₃，其中組分b)-f)之和約為40-99.9摩爾％，其中所述摩爾百分?jǐn)?shù)是基于產(chǎn)品的總量為基準(zhǔn)計(jì)，所述組分a)-e)之和為100。本發(fā)明還涉及該組合物的煅燒產(chǎn)品，由所述煅燒產(chǎn)品制得的濺射靶和由所述組合物制得的透明導(dǎo)電膜。
文檔編號(hào)C04B35/457GK101277910SQ200680036302
公開日2008年10月1日 申請(qǐng)日期2006年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月29日
發(fā)明者G·沃汀, P·庫馬, R·R·吳 申請(qǐng)人:H.C.施塔克公司;H.C.施塔克制陶業(yè)有限兩合公司