專利名稱：：一種提高鉍層結(jié)構(gòu)壓電鐵電陶瓷材料高溫電阻率的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種功能陶瓷材料，具體涉及一種提高鉍層結(jié)構(gòu)壓電鐵電陶瓷材料高溫電阻率的方法。
背景技術(shù)：
：隨著電子技術(shù)的發(fā)展，電子設(shè)備和電子元器件的使用環(huán)境越來(lái)越嚴(yán)酷，使用溫度越來(lái)越高。高溫下使用的壓電鐵電材料必須具有高居里溫度，以便在較高的溫度下不發(fā)生結(jié)構(gòu)相變而影響其壓電性，并且其壓電參數(shù)在較寬的溫度范圍內(nèi)必須保持穩(wěn)定以保證壓電器件正常工作。鉍層結(jié)構(gòu)的鐵電材料(BLSF)是一類極具潛力的高溫?zé)o鉛壓電鐵電材料，該類材料具有高居里溫度和品質(zhì)因數(shù)、大的各向異性、高絕緣強(qiáng)度和電阻率、高擊穿強(qiáng)度、低老化率等特點(diǎn)引起人們極大的興趣，近年來(lái)對(duì)鉍層結(jié)構(gòu)的壓電鐵電材料的研究和丌發(fā)極為活躍。MBi4Ti4015就是一類研究較多的鉍層結(jié)構(gòu)鐵電材料。鉍層結(jié)構(gòu)的鐵電材料由于其晶體結(jié)構(gòu)的特殊性，普遍存在矯頑電場(chǎng)高、剩余極化強(qiáng)度低、壓電活性低、需要高溫極化等缺點(diǎn)。高電場(chǎng)下的高溫極化以及高溫應(yīng)用都要求材料具有高電阻率p,特別是高溫下具有較高的電阻率。因此，改善材料的高溫電阻特性，提高高溫電阻率，對(duì)提高材料的壓電活性、實(shí)現(xiàn)該類材料的高溫應(yīng)用尤為重要。材料的電阻率取決于材料的組成和顯微結(jié)構(gòu)，特別是與瓷體的致密度和晶粒的形狀、尺寸即晶粒的各向異性密切相關(guān)。在BLSF中電阻率是高度各向異性的，平行于ab平面的電阻率低于平行于c車由方向的電阻率(LiaoyingZheng,ThestructureandpropertiesofBi-layerpiezoelectricceramicsBi(Ca，Sr)Ti4015[J],JpnJApplPhys,2002，41:L1471)。因此，晶粒越大，各向異性越大，長(zhǎng)度/厚度比值越高，BLSF的電阻率越小。通過(guò)同價(jià)特別是高價(jià)離子取代(殷慶瑞等，CN1424283A,2003;吳曉波等，高價(jià)B位摻雜Bi4Ti30!2陶瓷的鐵電性能研究，周口師范學(xué)院學(xué)報(bào)，2004，21(5):43;M.ViUegasetal，SinteringandelectricalpropertiesofBi4Ti2.9sWxOii.9+3Xpiezoelectricceramics,JEuroCeramSoc，2004，24:1025)可以使電阻率得到明顯提高，在45(TC下體積電阻率^,二106107Q，m。采用使晶粒定向排列的晶粒取向技術(shù)——如模板晶粒生長(zhǎng)法(TGG)、熱鍛(HF)、熱壓(TKimura,Applicationoftextureengineeringtopiezoelectricceramics[J],JCeramSocJpn，2006,114(1):15)、流延(李永祥等，CN1562874A,2005)等方法，均不同程度地提高了材料的壓電鐵電性能，但電阻溫度特性和高溫電阻率仍需要進(jìn)一步改善。
發(fā)明內(nèi)容鑒于此提出本發(fā)明，本發(fā)明的目的在于提供一種提高鉍層結(jié)構(gòu)壓電鐵電陶瓷材料高溫電阻率的方法，特別是提供一種鉍層結(jié)構(gòu)壓電鐵電陶瓷復(fù)合物，結(jié)合燒成制度的調(diào)節(jié)控制顯微結(jié)構(gòu)，獲得具有較高高溫電阻率的陶瓷材料的方法。本發(fā)明的目的通過(guò)如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)一種提高鉍層結(jié)構(gòu)壓電鐵電陶瓷材料高溫電阻率的方法，包括如下歩驟(1)配料，按鉍層結(jié)構(gòu)壓電鐵電陶瓷材料化學(xué)式A(Bi4-xLnx)Ti4.yByOl5中各元素的摩爾比稱取原材料，所有原材料均為分析純的碳酸鹽或氧化物，其中A為元素Ca、Sr和Ba中至少一種，B為元素V、W和Nb中至少一種，Ln為鑭系元素La、Nd和Ce中至少一種，0<x《0.5，0<y《0.1;(2)預(yù)處理以蒸餾水為球磨介質(zhì)，將歩驟(1)的原料球磨、干燥、過(guò)60120目篩，然后將混合料在800卯(TC密閉預(yù)燒24小時(shí)，再將預(yù)燒好的粉料粉碎、干燥、過(guò)60120目篩后，用520MPa的壓力預(yù)壓粉料，然后用冷等靜壓機(jī)在150250MPa的壓力下將粉末壓制成圓片；(3)分段燒結(jié)將步驟(2)的圓片以25。C/min的速率將溫度由室溫升高到11001200°C，然后在15min內(nèi)降至10001IO(TC保溫515hr，再以5°C/min的速率冷卻至500'C后，隨爐自然冷卻。所述Ca、Sr和Ba的用量摩爾比為00.7:00.4:00.7。所述V、W和Nb的用量摩爾比為00.1:00.1:00.1。所述La、Nd和Ce的用量摩爾比為00.5:00.5:00.5。所述的歩驟(3)優(yōu)選以3°C/min的速率將溫度由室溫升高到11001200°C，然后在2min內(nèi)降至10001100。C保溫515hr，再以5°C/min的速度冷卻至500°C。所述的歩驟(2)兩次過(guò)篩為過(guò)80100目篩。相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明具有如下優(yōu)點(diǎn)和有益效果(1)適量同價(jià)及高價(jià)離子取代減少了瓷體中氧空位的濃度。(2)降低瓷體內(nèi)的氣隙率，提高致密度。(3)抑制晶粒長(zhǎng)大，減少了晶粒的各向異性。(4)減少了V、Bi等低熔點(diǎn)物質(zhì)的揮發(fā)，維持材料的化學(xué)計(jì)量比。(5)采用本發(fā)明所制備的鉍層結(jié)構(gòu)壓電鐵電陶瓷材料具有良好的高溫電阻率，在45(TC時(shí)達(dá)到1.0xl072.5xl09Q.m。該材料不僅具有高的高溫電阻率，而且可以在45(TC以上的高溫下長(zhǎng)期工作。具體實(shí)施例方式下面結(jié)合具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明制備作進(jìn)一歩的說(shuō)明，但本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍并不局限于實(shí)施例所涉及的范圍。實(shí)施例l以分析純的碳酸鍶(SrC03)、碳酸鋇(BaC03)、碳酸鈣(CaC03)、氧化鉍(Bi203)、氧化鈦(Ti02)、氧化鑭(La203)、氧化釹(Nd203)、氧化鈰(Ce02)、氧化釩(V205)、氧化鎢(W03)、五氧化二鈮(Nb205)為原料，按配方(Ca,Sr,Ba)[Bi3.9(La,Nd，Ce)o.,]Ti3.97(V,W，Nb)o.()3Ch5計(jì)算、稱取原材料，各種物質(zhì)的摩爾量列于表l。以蒸餾水為球磨介質(zhì)，球磨、干燥、過(guò)60目篩。然后將混合料在850'C密閉預(yù)燒3小時(shí)。將預(yù)燒好的粉料用行星球磨機(jī)粉碎10小時(shí)、干燥、過(guò)80目篩后，用10MPa的壓力預(yù)壓粉料，然后用冷等靜壓機(jī)在200MPa的壓力下將粉末壓制成直徑15mm、厚度2mm左右的圓片。將成型好的圓片在馬弗爐內(nèi)進(jìn)行密閉燒結(jié)。燒結(jié)分段進(jìn)行先以2tVmin的升溫速率將溫度升到最高溫度1180°C，然后在lmin內(nèi)將溫度降至1050'C保溫8hr。再以5°C/min的降溫速率將溫度降至50(TC后，隨爐自然冷卻，制得鉍層結(jié)構(gòu)壓電鐵電陶瓷材料。將燒結(jié)后的陶瓷圓片被上銀電極，在燒結(jié)爐中于600'C燒結(jié)20min，放置24hr后，在HP4339B高阻儀上測(cè)量樣品的絕緣電阻。測(cè)試條件外加偏壓100V，限定電流500nA。其主要配方組成、燒成制度及在450'C下的電阻率列于表1，為1.2xl087.5xl0\>m。表l:A(Bi3.9Lno.,)Ti3.97Bo.o30!5樣品的配方、燒成制度及在450°C下的電阻率<table>tableseeoriginaldocumentpage5</column></row><table>實(shí)施例2以分析純的碳酸鍶(SrC03)、碳酸鋇(BaC03)、碳酸鈣(CaC03)、氧化鉍(Bi203)、氧化鈦(Ti02)、氧化鑭(La203)、氧化釹(Nd203)、氧化鈰(Ce02)、氧化釩(V205)、氧化鎢(W03)、五氧化二鈮(Nb205)為原料，按配方(Ca,Sr,Ba)[Bi37(La，Nd，Ce)cu]Ti3.95(V,W,Nb)o.o50,5計(jì)算、稱取原材料，各種物質(zhì)的摩爾量列于表2。以蒸餾水為球磨介質(zhì)，球磨、干燥、過(guò)80目篩。然后將混合料在850'C密閉預(yù)燒3小時(shí)。將預(yù)燒好的粉料粉碎6小時(shí)、干燥、過(guò)120目篩后，用10MPa的壓力預(yù)壓粉料，然后用冷等靜壓機(jī)在200MPa的壓力下將粉末壓制成直徑15mm、厚度2mm左右的圓片。將成型好的圓片在馬弗爐內(nèi)進(jìn)行密閉燒結(jié)。燒結(jié)分段進(jìn)行先以3'C/min的升溫速率將溫度升到最高溫度1180°C，然后在3min內(nèi)將溫度迅速降至1050。C保溫8hr。再以5'C/min的降溫速率將溫度降至50(TC后，隨爐自然冷卻，制得鉍層結(jié)構(gòu)壓電鐵電陶瓷材料。將燒結(jié)后的陶瓷圓片被上銀電極，在燒結(jié)爐中于600'C燒結(jié)20min，放置24hr后，在HP4339B高阻儀上測(cè)量樣品的絕緣電阻。測(cè)試條件外加偏壓100V，限定電流500nA。其主要配方組成、燒成制度及在450'C下的電阻率列于表2，為1.3xl081.5xl09Q'm。表2:A(Bi3.7Ln(u)Ti3.95Bo.o50,5樣品的配方、燒成制度及在450'C下的電阻率<formula>formulaseeoriginaldocumentpage6</formula>實(shí)施例3以分析純的碳酸鍶(SrC03)、碳酸鋇(BaC03)、碳酸鈣(CaC03)、氧化鉍(Bi203)、氧化鈦(Ti02)、氧化鑭(La203)、氧化釹(Nd203)、氧化鈰(Ce02)、氧化釩(V205)、氧化鎢(W03)、五氧化二鈮(Nb205)為原料，按配方(Ca,Sr,Ba)[Bi35(La，Nd，Ce)a5]Ti39(V,W,Nb)(uOc計(jì)算、稱取原材料，各種物質(zhì)的摩爾量列于表3。以蒸餾水為球磨介質(zhì)，球磨、干燥、過(guò)80目篩。然后將混合料在85(TC密閉預(yù)燒2小時(shí)。將預(yù)燒好的粉料粉碎4小時(shí)、干燥、過(guò)80目篩后，用10MPa的壓力預(yù)壓粉料，然后用冷等靜壓機(jī)在250MPa的壓力下將粉末壓制成直徑15mm、厚度2mm左右的圓片。將成型好的圓片在馬弗爐內(nèi)進(jìn)行密閉燒結(jié)。燒結(jié)分段進(jìn)行先以3'C/min的升溫速率將溫度升到最高溫度1180°C，然后在3min內(nèi)將溫度迅速降至1050'C保溫8hr。再以5'C/min的降溫速率將溫度降至50(TC后，隨爐自然冷卻，制得鉍層結(jié)構(gòu)壓電鐵電陶瓷材料。將燒結(jié)后的陶瓷圓片被上銀電極，在燒結(jié)爐中于60(TC燒結(jié)20min，放置24hr后，在HP4339B高阻儀上測(cè)量樣品的絕緣電阻。測(cè)試條件外加偏壓IOOV，限定電流500nA。其主要配方組成、燒成制度及在450'C下的電阻率列于表3，為1.5xl082.2xl09Q'm。表3:A(Bi3.5Lno.5)Ti3.9Bo.,0,5樣品的配方、燒成制度及在450。C下的電阻率A(m()1)B(mol))1)iSi口j溫保溫溫保溫時(shí)p,./QmCaSrBaVWNbNdCe度7V'C度r、,c間//hr(450'C)00.30.70.1000.5001180105082.2>:10"0.30.20.500.1000.501180105085.3xl080.30.40.30.050.050000.51180105083.7xl080.50.10.4000.10.300.21180105081.5、1080.70.300.1000.30.201180105087.9d()s0.700.30.0500.050.5001180105087.0xl08實(shí)施例4以分析純的碳酸鍶(SrC03)、碳酸鋇(BaC03)、碳酸鈣(CaC03)、氧化鉍(Bi203)、氧化鈦(Ti02)、氧化鑭(La203)、氧化釹(Nd203)、氧化鈰(Ce02)、氧化釩(V205)、氧化鎢(W03)、五氧化二鈮(Nb205)為原料，按配方(Ca,Sr,Ba)[Bi3.9(La,Nd,Ce)。」]Ti3.9(V，W，Nb)(uOu計(jì)算、稱取原材料，各種物質(zhì)的摩爾量列于表4。以蒸餾水為球磨介質(zhì)，球磨、干燥、過(guò)80目篩。然后將混合料在800'C密閉預(yù)燒4小時(shí)。將預(yù)燒好的粉料粉碎2小時(shí)、干燥、過(guò)100目篩后，用20MPa的壓力預(yù)壓粉料，然后用冷等靜壓機(jī)在150MPa的壓力下將粉末壓制成直徑15mm、厚度2mm左右的圓片。將成型好的圓片在馬弗爐內(nèi)進(jìn)行密閉燒結(jié)。燒結(jié)分段進(jìn)行先以5'C/min的升溫速率將溫度升到最高溫度IIOO'C，然后在5min內(nèi)將溫度迅速降至IOO(TC保溫15hr。再以5°C/min的降溫速率將溫度降至500'C后，隨爐自然冷卻，制得鉍層結(jié)構(gòu)壓電鐵電陶瓷材料。將燒結(jié)后的陶瓷圓片被上銀電極，在燒結(jié)爐中于60(TC燒結(jié)20min，放置24hr后，在HP4339B高阻儀上測(cè)量樣品的絕緣電阻。測(cè)試條件外加偏壓100V，限定電流500nA。其主要配方組成、燒成制度及在45(TC下的電阻率列于表4，為8.5xl075.5xl08Om。表4:A(Bi3.9Ln(u)Ti3.9B()」0,5樣品的配方、燒成制度及在450'C下的電阻率A(mol)Ln(mol)保溫溫保溫時(shí)CaSrBaVWNbLaNdCe度乙,廠c度7V'C間'/lu-(450'C)00.30.70.1000.10011001000is5.5xl080.30.20.500.1000.10畫國(guó)152.8xl080.30.40.30.050.050000.111001000154.7x10s0.50.10.4000.10.0500.05圓100015S.5xl070.70.300.1000.050.0501100畫151.8xl080.700.30.0500.050.100圓薩151.0x10s實(shí)施例5以分析純的碳酸鍶(SrC03)、碳酸鋇(BaC03)、碳酸鈣(CaC03)、氧化鉍(Bi203)、氧化鈦(Ti02)、氧化鑭(La203)、氧化釹(Nd203)、氧化鈰(Ce02)、氧化釩(V205)、氧化鎢(W03)、五氧化二鈮(Nb205)為原料，按配方(Ca.Sr,Ba)[Bi3.7(La,Nd，Ce)Q.3]Ti3.9(V，W，Nb)(uO,5計(jì)算、稱取原材料，各種物質(zhì)的摩爾量列于表5。以蒸餾水為球磨介質(zhì)，球磨、干燥、過(guò)80目篩。然后將混合料在850'C密閉預(yù)燒2小時(shí)。將預(yù)燒好的粉料粉碎5小時(shí)、干燥、過(guò)100目篩后，用10MPa的壓力預(yù)壓粉料，然后用冷等靜壓機(jī)在250MPa的壓力下將粉末壓制成直徑15mm、厚度2mm左右的圓片。將成型好的圓片在馬弗爐內(nèi)進(jìn)行密閉燒結(jié)。燒結(jié)分段進(jìn)行先以3°C/min的升溫速率將溫度升到最高溫度1150°C，然后在3min內(nèi)將溫度降至103(TC保溫10hr。再以5'C/min的降溫速率將溫度降至500'C后，隨爐自然冷卻，制得鉍層結(jié)構(gòu)壓電鐵電陶瓷材料。將燒結(jié)后的陶瓷圓片被上銀電極，在燒結(jié)爐中于600"C燒結(jié)20min，放置24hr后，在HP4339B高阻儀上測(cè)量樣品的絕緣電阻。測(cè)試條件外加偏壓100v，限定電流500nA。其主要配方組成、燒成制度及在45(TC下的電阻率列于表5，為1.8x1082.5x109Qtti。表5:A(Bi3.7Lno.3)Ti3.9Bo.,0,5樣品的配方、燒成制度及在450。C下的電阻率A(mol)B(mol)Ln(mol)最A(yù)溫保溫溫保溫時(shí)p,/QmCaSrBaVWNbLaNdCe度r,/'C度7V。C間f/hr(450'C)00.30.70.1000.30011501030102.5,90.30.20.500.1000.3011501030103.5、:10s0.30.40.30.050.050000.31150103010l.8:<10s0.50.10.4000.10.200.111501030102.4x10s0.70.30O.i000.20.1011501030102.W090.700.30.0500.050.30011501030104.4>M08實(shí)施例6以分析純的碳酸鍶(SrC03)、碳酸鋇(BaCOj)、碳酸鈣(CaC03)、氧化鉍(Bi203)、氧化鈦(Ti02)、氧化鑭(La203)、氧化釹(Nd203)、氧化鈰(Ce02)、氧化釩(V205)、氧化鎢(W03)、五氧化二鈮(Nb205)為原料，按配方(Ca,Sr,Ba)[Bi3.7(La，Nd,Ce)a3]Ti198(V,W,Nb)o.o2C^計(jì)算、稱取原材料，各種物質(zhì)的摩爾量列于表6。以蒸餾水為球磨介質(zhì)，球磨、干燥、過(guò)80目篩。然后將混合料在90(TC密閉預(yù)燒2小時(shí)。將預(yù)燒好的粉料粉碎6小時(shí)、干燥、過(guò)80目篩后，用5MPa的壓力預(yù)壓粉料，然后用冷等靜壓機(jī)在250MPa的壓力下將粉末壓制成直徑15mm、厚度2mm左右的圓片。將成型好的圓片在馬弗爐內(nèi)進(jìn)行密閉燒結(jié)。燒結(jié)分段進(jìn)行先以2'C/min的升溫速率將溫度升到最高溫度1200°C，然后在2min內(nèi)將溫度降至IIO(TC保溫5hr。再以5°C/min的降溫速率將溫度降至50(TC后，隨爐自然冷卻，制得鉍層結(jié)構(gòu)壓電鐵電陶瓷材料。將燒結(jié)后的陶瓷圓片被上銀電極，在燒結(jié)爐中于60(TC燒結(jié)20miri，放置24hr后，在HP4339B高阻儀上測(cè)量樣品的絕緣電阻。測(cè)試條件外加偏壓100V，限定電流500nA。其主要配方組成、燒成制度及在450'C下的電阻率列于表6，為1.0xl078.1^07Q'm。表6:A(Bi3.7Lno.3)Ti3.兆B證0,5樣品的配方、燒成制度及在450。C下的電阻率A(mol)B(mol)Ln(m()1)顯高溫保溫溫保溫時(shí)CaSrBaVWNbLaNdCe度r,/'c度r,/'c間鹿r(450'C)00.30.70.02000.300120011008.1xl070.30.20.500.02000.301200l賜5.2、1070.30.40.30.010.010()00.31200簡(jiǎn)1.5"070.50.10.4000.020.200.11200100I.O-'IO70.70.300.02000.20.10120011006.5"070.700.30.0100.010.30012001100權(quán)利要求1、一種提高鉍層結(jié)構(gòu)壓電鐵電陶瓷材料高溫電阻率的方法，其特征在于包括如下步驟(1)配料，按鉍層結(jié)構(gòu)壓電鐵電陶瓷材料化學(xué)式A(Bi4-xLnx)Ti4-yByO15中各元素的摩爾比稱取原材料，所有原材料均為分析純的碳酸鹽或氧化物，其中A為元素Ca、Sr和Ba中至少一種，B為元素V、W和Nb中至少一種，Ln為鑭系元素La、Nd和Ce中至少一種，0＜x≤0.5，0＜y≤0.1；(2)預(yù)處理以蒸餾水為球磨介質(zhì)，將步驟(1)的原料球磨、干燥、過(guò)60～120目篩，然后將混合料在800～900℃密閉預(yù)燒2～4小時(shí)，再將預(yù)燒好的粉料粉碎、干燥、過(guò)60～120目篩后，用5～20MPa的壓力預(yù)壓粉料，然后用冷等靜壓機(jī)在150～250MPa的壓力下將粉末壓制成圓片；(3)分段燒結(jié)將步驟(2)的圓片以2～5℃/min的速率將溫度由室溫升高到1100～1200℃，然后在1～5min內(nèi)降至1000～1100℃保溫5～15hr，再以5℃/min的速率冷卻至500℃后，隨爐自然冷卻。2、根據(jù)權(quán)利要求l所述的一種提高鉍層結(jié)構(gòu)壓電鐵電陶瓷材料高溫電阻率的方法，其特征在于所述Ca、Sr和Ba的用量摩爾比為00.7:00.4:00.7。3、根據(jù)權(quán)利要求l所述的一種提高鉍層結(jié)構(gòu)壓電鐵電陶瓷材料高溫電阻率的方法，其特征在于所述V、W和Nb的用量摩爾比為00.1:00.1:00.1。4、根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高鉍層結(jié)構(gòu)壓電鐵電陶瓷材料高溫電阻率的方法，其特征在于所述La、Nd和Ce的用量摩爾比為00.5:00.5:00.5。5、根據(jù)權(quán)利要求l所述的一種提高鉍層結(jié)構(gòu)壓電鐵電陶瓷材料高溫電阻率的方法，其特征在于所述的歩驟(3)是以3'C/min的速率將溫度由室溫升高到11001200°C，然后在2min內(nèi)降至10001100。C保溫515hr，再以5°C/min的速度冷卻至500°C。6、根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高鉍層結(jié)構(gòu)壓電鐵電陶瓷材料高溫電阻率的方法，其特征在于所述的歩驟(2)兩次過(guò)篩為過(guò)80100目篩。全文摘要本發(fā)明公開了一種提高鉍層結(jié)構(gòu)壓電鐵電陶瓷材料高溫電阻率的方法，該方法包括配料、材料預(yù)處理和分段燒結(jié)，鉍層結(jié)構(gòu)壓電鐵電陶瓷材料的化學(xué)通式為A(Bi<sub>4-x</sub>Ln<sub>x</sub>)Ti<sub>4-y</sub>B<sub>y</sub>O<sub>15</sub>，其中A為元素Ca、Sr和Ba中至少一種；B為元素V、W和Nb中至少一種；0＜x≤0.5，0＜y≤0.1。分段燒結(jié)是以2～5℃/min的速率將溫度由室溫升高到1100～1200℃，在1～5min內(nèi)降至1000～1100℃，以5℃/min的速度冷卻至500℃后，隨爐自然冷卻。本發(fā)明可以獲得在450℃下電阻率高達(dá)1.0×10<sup>7</sup>～2.5×10<sup>9</sup>Ω·m的鉍層結(jié)構(gòu)壓電鐵電陶瓷材料。該材料可應(yīng)用于高溫介電、壓電陶瓷等領(lǐng)域。文檔編號(hào)C04B35/462GK101186497SQ20071003225公開日2008年5月28日申請(qǐng)日期2007年12月7日優(yōu)先權(quán)日2007年12月7日發(fā)明者何新華,凌志遠(yuǎn),黎卓華申請(qǐng)人:華南理工大學(xué)