專利名稱：可熱處理的磁控濺射方法制備的低輻射鍍膜玻璃的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種鍍膜玻璃，更具體的涉及一種可加工的低輻射鍍膜玻璃，尤其涉及使用磁控濺射方法制備的低輻射鍍膜玻璃。特別有利的是，本發(fā)明的鍍膜玻璃能夠承受包括高溫?zé)崽幚碓趦?nèi)的鍍膜后的各種加工，而其光學(xué)性能不受影響。
背景技術(shù)：
離線低輻射鍍膜玻璃在建筑玻璃市場(chǎng)的出現(xiàn)不但豐富了建筑市場(chǎng)的玻璃顏色，同時(shí)也降低了玻璃表面的輻射率。離線鍍膜玻璃一般是指在真空磁控濺射鍍膜玻璃生產(chǎn)線上，將輻射率極低的銀、其它金屬和金屬化合物鍍?cè)诓ＡП砻娑瞥慑兡げＡ?。離線低輻射鍍膜玻璃輻射率一般小于0.15，節(jié)能效果好；可見(jiàn)光透過(guò)率范圍大，高透型產(chǎn)品可見(jiàn)光透過(guò)率可達(dá)80％，遮陽(yáng)型的產(chǎn)品可見(jiàn)光透過(guò)率可達(dá)60％。這種玻璃的顏色覆蓋范圍廣，包含灰色到淺綠色各種顏色。
采用真空磁控濺射方法制備的傳統(tǒng)離線低輻射玻璃的膜層結(jié)構(gòu)一般為玻璃/基層介質(zhì)層/銀層/保護(hù)阻隔層/外層介質(zhì)層。
基層介質(zhì)層、外層介質(zhì)層使用的材料一般為金屬或非金屬的氧化物或氮化物，如SnO2，ZnO，Nb2O5，TiO2，Si3N4等等。保護(hù)阻隔層使用材料一般為金屬或金屬不飽和氧化物，如Ti，NiCr，NiCrOx。
另一方面，玻璃的鋼化(熱增強(qiáng))能提高玻璃的機(jī)械強(qiáng)度、減少玻璃的熱炸裂并增強(qiáng)玻璃的安全性能。因此，鋼化玻璃作為建筑玻璃被普遍采用。傳統(tǒng)離線鍍膜玻璃是以鋼化玻璃為載體，在鋼化工藝后進(jìn)行各種加工。傳統(tǒng)的低輻射玻璃只能采用先鋼化后鍍膜的加工方式，這主要是因?yàn)槿绻儒兡ず箐摶?，在加熱過(guò)程中玻璃中含有的鈉離子會(huì)滲透到膜層中，同時(shí)熱環(huán)境下的外界氧氣也會(huì)滲透到膜層中，功能膜層銀層會(huì)部分或全部的受到這些物質(zhì)的破壞。因此，玻璃的鋼化工藝會(huì)使低輻射膜層喪失低輻射功能。
傳統(tǒng)的離線低輻射鍍膜玻璃的耐熱性能、耐磨性能、抗劃傷和耐腐蝕等基本的理化性能不能充分滿足需要。而且，如上所述，對(duì)于離線低輻射玻璃，其不能如在線低輻射玻璃那樣在大板基片上鍍膜后再進(jìn)行鋼化等后續(xù)加工，而必需在鋼化等后續(xù)加工完且玻璃已具有預(yù)定形狀后進(jìn)行鍍膜。相對(duì)于在整板玻璃上鍍膜，由于這種生產(chǎn)方法的鍍膜線和鋼化爐的有效裝載率降低，處理小片玻璃所需的人力增多。因此，這種方法效率低、成本高(參見(jiàn)“高級(jí)可鋼化濺射鍍膜玻璃的加工和處理”，Vacuum Coating Technology)。上述不足，限制了低輻射鍍膜玻璃向民用市場(chǎng)推廣。
在線鍍膜玻璃一般是指是在浮法玻璃生產(chǎn)過(guò)程中，在熱的玻璃表面上噴涂某些化學(xué)溶液，形成單層具有一定低輻射功能的化合物薄膜而制成的鍍膜玻璃。另外，在線低輻射玻璃能進(jìn)行后續(xù)熱處理，并具有較好的理化性能，因此更適合在民用市場(chǎng)中使用。但是，在線低輻射玻璃的包括輻射率在內(nèi)的光學(xué)及熱學(xué)性能相對(duì)于離線低輻射玻璃要差很多，且節(jié)能效果不及離線低輻射玻璃。而且，在線低輻射玻璃的顏色單一，顏色均一性不好。在這種背景下，可熱加工的離線低輻射玻璃集中了在線低輻射和傳統(tǒng)離線低輻射的優(yōu)點(diǎn)，正逐步為市場(chǎng)所接受。
美國(guó)專利No.4898790涉及一種用于高溫處理的低輻射鍍膜玻璃，并具體公開(kāi)了具有玻璃/SnZn2O4/TiO2/Ti/Ag/Ti/SnZn2O4/TiO2鍍膜結(jié)構(gòu)的低輻射玻璃。該專利中采用濺射方法沉積各層，但是，由于Ti濺射靶的濺射速率慢，使得該方法不能滿足大批量高效生產(chǎn)的要求。
現(xiàn)有的可熱處理的低輻射玻璃在熱處理后的膜層結(jié)構(gòu)熱穩(wěn)定性較差、包括表面輻射率在內(nèi)的光學(xué)及熱學(xué)性能仍存在較嚴(yán)重的劣化；而且，現(xiàn)有的低輻射玻璃在各種加工后易出現(xiàn)外觀缺陷，因此操作必需十分謹(jǐn)慎，增加了操作難度，影響了生產(chǎn)效率。因此，目前仍然存在對(duì)于改善的可熱處理加工的低輻射鍍膜玻璃的需求。

發(fā)明內(nèi)容
針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中的上述問(wèn)題，本發(fā)明目的在于，提供一種低輻射鍍膜玻璃，這種玻璃不但克服了常規(guī)低輻射鍍膜玻璃難以在鍍膜后進(jìn)行后續(xù)加工的不足，而且還具有光學(xué)及熱學(xué)性能的穩(wěn)定，機(jī)械性能優(yōu)良，且生產(chǎn)效率高等優(yōu)點(diǎn)。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，提供了一種低輻射鍍膜玻璃，該鍍膜玻璃按如下順序包括1)玻璃基片；2)在玻璃基片上的第一基層電介質(zhì)層；3)在第一基層電介質(zhì)層上的第二基層電介質(zhì)層；4)在第二基層電介質(zhì)層上的第一保護(hù)阻隔層；5)在第一保護(hù)阻隔層上的銀層；6)在銀層上的第二保護(hù)阻隔層；7)在第二保護(hù)阻隔層上的第一外層電介質(zhì)層；8)在第一外層電介質(zhì)層上的第二外層電介質(zhì)層；9)在第二外層電介質(zhì)層上的保護(hù)阻擋層。
本發(fā)明還涉及制造上述鍍膜玻璃的方法，該方法按所述順序包括如下步驟1)提供玻璃基片；2)在玻璃基片上沉積第一基層電介質(zhì)層；3)在第一基層電介質(zhì)層上沉積第二基層電介質(zhì)層；4)在第二基層電介質(zhì)層上沉積第一保護(hù)阻隔層；5)在第一保護(hù)阻隔層上沉積銀層；6)在銀層上沉積第二保護(hù)阻隔層；7)在第二保護(hù)阻隔層上沉積第一外層電介質(zhì)層；8)在第一外層電介質(zhì)層上沉積第二外層電介質(zhì)層；9)在第二外層電介質(zhì)層上沉積保護(hù)阻擋層。
具體實(shí)施例方式
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，所述玻璃基片可以是任何能夠得到的玻璃，比如鈉鈣玻璃等。在本發(fā)明的一個(gè)特別優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述玻璃基片為建筑級(jí)浮法原片玻璃，且更優(yōu)選為新鮮的建筑級(jí)浮法原片玻璃。所謂“新鮮”，是指距離生產(chǎn)日期不超過(guò)2個(gè)月。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，第一基層電介質(zhì)層優(yōu)選為ZnSnO3或ZnO，且更優(yōu)選為ZnSnO3。另外，第一基層電介質(zhì)層的厚度優(yōu)選為10-35nm，更優(yōu)選15-30nm，最優(yōu)選為20-25nm。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，第二基層電介質(zhì)層優(yōu)選為TiO2。另外，第二基層電介質(zhì)層的厚度優(yōu)選為5-30nm，更優(yōu)選10-25nm，最優(yōu)選為15-20nm。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，第一保護(hù)阻隔層優(yōu)選為鎳鉻合金，其組成更優(yōu)選為NiCr。另外，第一保護(hù)阻隔層的厚度優(yōu)選為1-5nm，最優(yōu)選為2-3nm。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，銀層的厚度優(yōu)選為8-14nm，最優(yōu)選10-12nm。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，第二保護(hù)阻隔層優(yōu)選為鎳鉻合金，其組成更優(yōu)選為NiCr。另外，第二保護(hù)阻隔層的厚度優(yōu)選為2-6nm，最優(yōu)選為3-5nm。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，第一外層電介質(zhì)層優(yōu)選為SnZnO3或ZnO，且更優(yōu)選為SnZnO3。另外，第一外層電介質(zhì)層的厚度優(yōu)選為10-35nm，更優(yōu)選15-30nm，最優(yōu)選為20-25nm。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，第二外層電介質(zhì)層優(yōu)選為SiO2。另外，第二外層電介質(zhì)層的厚度優(yōu)選為5-20nm，最優(yōu)選為10-15nm。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，保護(hù)阻擋層優(yōu)選為Si3N4。另外該保護(hù)阻擋層的厚度優(yōu)選為5-35nm，更優(yōu)選為10-30nm，最優(yōu)選為15-25nm。
在本發(fā)明中，對(duì)于沉積工藝和沉積工藝的工藝參數(shù)沒(méi)有具體的限制，最優(yōu)選的，在本發(fā)明中使用磁控濺射方法沉積所有膜層。同時(shí)，對(duì)于可能用于形成本發(fā)明的鍍膜玻璃的包括磁控濺射在內(nèi)的多種已知的沉積方法，本領(lǐng)域技術(shù)人員是完全有能力根據(jù)目標(biāo)膜層的組成和厚度選擇合適的沉積工藝參數(shù)，其中工藝參數(shù)包括例如磁控濺射中可能涉及到的濺射氣氛、濺射真空度、靶材材質(zhì)、濺射功率、以及濺射時(shí)間等。因此，在本說(shuō)明書中給出的有關(guān)沉積工藝及其參數(shù)的選擇均為示例性的，并不構(gòu)成對(duì)本發(fā)明的限制。
下面以磁控濺射方法為例說(shuō)明本發(fā)明的低輻射鍍膜玻璃的制備。首先，提供玻璃基片，并可選的對(duì)玻璃基片進(jìn)行拋光和清洗，拋光和清洗的具體方式是為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知，在這里不作具體說(shuō)明。
將玻璃基片裝入磁控濺射室，準(zhǔn)備磁控濺射室，磁控濺射室的本底真空度優(yōu)選為10-6～10-5mbar級(jí)的工作氣氛。
在玻璃基片上濺射第一基層電介質(zhì)層，濺射第一基層電介質(zhì)層的靶材優(yōu)選為錫鋅合金或鋅，分別可以得到組成為SnZnO3或ZnO的第一基層電介質(zhì)層。
在第一基層電介質(zhì)層上濺射第二基層電介質(zhì)層，其中所使用的靶材優(yōu)選為TiO2。上述兩層的沉積均優(yōu)選在氧氣和氬氣的混合氣體氣氛中進(jìn)行。
在第二基層電介質(zhì)層上濺射第一保護(hù)阻隔層，優(yōu)選使用的靶材為鎳鉻合金。該層的沉積優(yōu)選在氬氣氣氛中進(jìn)行。
在第一保護(hù)阻隔層上濺射銀層，該層為功能膜層。優(yōu)選使用銀靶，并在優(yōu)選在氬氣氣氛中濺射。
在銀層上濺射第二保護(hù)阻隔層，與第一保護(hù)阻隔層類似，優(yōu)選使用的靶材為鎳鉻合金。該層的沉積優(yōu)選在氬氣氣氛中進(jìn)行。
在第二保護(hù)阻隔層上濺射第一外層電介質(zhì)層，濺射第一外層電介質(zhì)層的靶材優(yōu)選為錫鋅合金或鋅，分別可以得到組成為SnZnO3或ZnO的第一外層電介質(zhì)層。
在第一外層電介質(zhì)層上濺射第二外層電介質(zhì)層，所使用的靶材優(yōu)選為Si。上述兩層的沉積均優(yōu)選在包括氧氣和氬氣的混合氣體氣氛中進(jìn)行。
最后在第二外層電介質(zhì)層上濺射保護(hù)阻擋層，優(yōu)選使用的靶材為Si，并優(yōu)選在含有氬氣和氮?dú)獾幕旌蠚怏w氣氛中濺射。
在全部膜層形成之后，本發(fā)明的鍍膜玻璃還可以經(jīng)受包括熱處理在內(nèi)的各種后續(xù)加工，而其性能基本保持不變。尤其是，在經(jīng)受通常的玻璃鋼化工藝之后，本發(fā)明的鍍膜玻璃的光學(xué)和熱學(xué)性能基本保持不變。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，本發(fā)明低輻射鍍膜產(chǎn)品可承受680℃～690℃鋼化熱處理加工，熱處理后膜層整體結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，膜層表面無(wú)任何外觀缺陷，同時(shí)保證了熱處理后具有更低的表面輻射率(輻射計(jì)法測(cè)量面輻射率為0.1)。
而且，后續(xù)加工工序?qū)Ρ景l(fā)明產(chǎn)品外觀性能也沒(méi)有影響。比如，本發(fā)明的鍍膜玻璃可以承受磨邊工藝加工，而邊部不會(huì)產(chǎn)生不可接受的劃傷和脫膜。本發(fā)明的鍍膜玻璃還可以在熱處理后經(jīng)過(guò)純水清洗，也不會(huì)產(chǎn)生不可接受的劃傷和脫膜。
按此方法可制備滿足鋼化熱加工要求的離線鍍膜產(chǎn)品。同時(shí)不破壞熱加工前離線鍍膜低輻射產(chǎn)品具備的各項(xiàng)性能。
在本發(fā)明中，鍍膜玻璃的光學(xué)性能為美國(guó)Hunter Lab公司生產(chǎn)的Color Quest XE光學(xué)儀器測(cè)定，顏色參數(shù)為按國(guó)際慣例對(duì)色度空間的定義。對(duì)于各膜層的組成可以采用常規(guī)的薄膜組成分析方法進(jìn)行測(cè)定，各膜層厚度的測(cè)定例如可使用光學(xué)顯微鏡利用劈尖干涉法等方法測(cè)定。
本發(fā)明的玻璃的可見(jiàn)光透射率T＝70-80％，優(yōu)選為T＝71-77％，最優(yōu)選為T＝73.5％-75％；可見(jiàn)光玻璃面反射率R＝5-15％，優(yōu)選為7-13％，最優(yōu)選為10％-11％；玻璃可見(jiàn)光玻璃面顏色坐標(biāo)a*值＝-5～-1，最優(yōu)選為-3～-1.5；玻璃可見(jiàn)光玻璃面顏色坐標(biāo)b*值＝-3～1，最優(yōu)選為-2～0；玻璃輻射率ε＝0.07-0.15，最優(yōu)選為0.09-0.13。
經(jīng)過(guò)熱處理后對(duì)光學(xué)性能的影響具體如下玻璃可見(jiàn)光透射率變化值ΔT＜15％，優(yōu)選ΔT＜10％可見(jiàn)光玻璃面反射率變化值ΔR＜5％，優(yōu)選ΔR＜2％
玻璃可見(jiàn)光玻璃面顏色坐標(biāo)a*變化值Δa*＜1.0，優(yōu)選Δa*＜0.5玻璃可見(jiàn)光玻璃面顏色坐標(biāo)b*變化值Δb*＜5.0，優(yōu)選Δb*＜4.0玻璃輻射率變化值Δε＜0.02。
下面將通過(guò)具體的實(shí)施例來(lái)說(shuō)明本發(fā)明的鍍膜玻璃。需要說(shuō)明的是，雖然在實(shí)施例中的膜層厚度和光學(xué)參數(shù)為一數(shù)值范圍，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠理解，該范圍僅僅是由于膜層不可避免的不均勻性和誤差而產(chǎn)生的，而并不是有意產(chǎn)生的。
實(shí)施例1本發(fā)明采用真空磁控濺射設(shè)備制備。在通入工藝氣體后的真空級(jí)數(shù)保證為10-3mbar級(jí)的工作氣氛的條件下，使用新鮮的(生產(chǎn)日期不超過(guò)2個(gè)月)建筑級(jí)浮法原片鍍制。
第一基層電介質(zhì)層使用組成重量比為錫比鋅50％比50％的錫鋅合金靶材，在氬氣-氧氣混合氣體氣氛中，在氬氣流量為500sccm且氧氣流量為1200sccm的條件下，在40KW的濺射功率下，濺射厚度為20～25nm的介質(zhì)材料層SnZnO3。
第二基層電介質(zhì)層使用TiO2靶材，在氬氣-氧氣混合氣體氣氛中，在氬氣流量為1200sccm且氧氣流量為40sccm的條件下，在50KW的濺射功率下，濺射厚度為15～20nm的介質(zhì)材料層TiO2。
第一保護(hù)阻隔層使用組成重量比為鎳比鉻80％比20％的鎳鉻合金靶，在氬氣氣氛中，在氬氣流量為500sccm的條件下，在4A的濺射電流下，濺射厚度為2～3nm的保護(hù)阻隔層NiCr。
銀層使用Ag靶材，在氬氣氣氛中，在氬氣流量為500sccm的條件下，在7A的濺射電流下，濺射10～12nm厚度的功能膜層Ag。
第二保護(hù)阻隔層使用組成重量比為鎳比鉻80％比20％的鎳鉻合金靶材，在氬氣氣氛中，在氬氣流量為500sccm的條件下，在6A的濺射電流下，濺射厚度為3～5nm的保護(hù)阻擋層NiCr。
第一外層電介質(zhì)層使用重量比為錫比鋅50％比50％的錫鋅合金靶材，在氬氣-氧氣混合氣體氣氛中，在氬氣流量為500sccm且氧氣流量為1200sccm的條件下，在40KW的濺射功率下，濺射厚度為20～25nm的介質(zhì)材料層SnZnO3。
第二外層電介質(zhì)層使用Si靶材，在氬氣-氧氣混合氣體氣氛中，在氬氣流量為500sccm且氧氣流量為1000sccm的條件下，在35KW的濺射功率下，濺射厚度為10～15nm的介質(zhì)材料層SiO2。
保護(hù)阻擋層使用Si靶材，在氬氣-氮?dú)饣旌蠚怏w氣氛中，在氬氣流量為600sccm且氮?dú)饬髁繛?00sccm的條件下，在35KW的濺射功率下，濺射厚度為15～25nm保護(hù)阻擋層Si3N4。
采用上述工藝參數(shù)制備的玻璃光學(xué)性能如下玻璃可見(jiàn)光透射率T＝73.5％～75％可見(jiàn)光玻璃面反射率R＝10％～11％玻璃可見(jiàn)光玻璃面顏色坐標(biāo)a*值＝-3～-2玻璃可見(jiàn)光玻璃面顏色坐標(biāo)b*值＝-1～0玻璃輻射率ε＝0.1經(jīng)過(guò)在680-690℃下常規(guī)的鋼化熱處理后的光學(xué)性能如下玻璃可見(jiàn)光透射率T＝81％～83.5％可見(jiàn)光玻璃面反射率R＝8％～9％玻璃可見(jiàn)光玻璃面顏色坐標(biāo)a*值＝-2～-1玻璃可見(jiàn)光玻璃面顏色坐標(biāo)b*值＝-5～-4玻璃輻射率ε＝0.09。
以上實(shí)施例僅僅是對(duì)本發(fā)明的具體舉例說(shuō)明，本領(lǐng)域技術(shù)人員完全有能力在此基礎(chǔ)上進(jìn)行合理的調(diào)整和改變，而不會(huì)被限制在本說(shuō)明書所公開(kāi)的具體細(xì)節(jié)上。另外，本發(fā)明的保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求限定。
權(quán)利要求
1.一種鍍膜玻璃，該鍍膜玻璃按如下順序包括1)玻璃基片；2)在玻璃基片上的第一基層電介質(zhì)層；3)在第一基層電介質(zhì)層上的第二基層電介質(zhì)層；4)在第二基層電介質(zhì)層上的第一保護(hù)阻隔層；5)在第一保護(hù)阻隔層上的銀層；6)在銀層上的第二保護(hù)阻隔層；7)在第二保護(hù)阻隔層上的第一外層電介質(zhì)層；8)在第一外層電介質(zhì)層上的第二外層電介質(zhì)層；9)在第二外層電介質(zhì)層上的保護(hù)阻擋層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的鍍膜玻璃，其中第一基層電介質(zhì)層為ZnSnO3或ZnO，且優(yōu)選為ZnSnO3，且第一基層電介質(zhì)層的厚度為10-35nm，優(yōu)選15-30nm，最優(yōu)選為20-25nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的鍍膜玻璃，其中第二基層電介質(zhì)層為TiO2，且第二基層電介質(zhì)層的厚度為5-30nm，優(yōu)選10-25nm，最優(yōu)選為15-20nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的鍍膜玻璃，其中第一保護(hù)阻隔層為鎳鉻合金，其組成優(yōu)選為NiCr，且第一保護(hù)阻隔層的厚度為1-5nm，最優(yōu)選為2-3nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的鍍膜玻璃，其中銀層的厚度為8-14nm，最優(yōu)選10-12nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的鍍膜玻璃，其中第二保護(hù)阻隔層為鎳鉻合金，其組成優(yōu)選為NiCr，且第二保護(hù)阻隔層的厚度為2-6nm，最優(yōu)選為3-5nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的鍍膜玻璃，其中第一外層電介質(zhì)層為SnZnO3或ZnO，且優(yōu)選為SnZnO3，其中第一外層電介質(zhì)層的厚度為10-35nm，優(yōu)選15-30nm，最優(yōu)選為20-25nm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1的鍍膜玻璃，其中第二外層電介質(zhì)層為SiO2，且第二外層電介質(zhì)層的厚度為5-20nm，最優(yōu)選為10-15nm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1的鍍膜玻璃，其中保護(hù)阻擋層為Si3N4，且該保護(hù)阻擋層的厚度為5-35nm，優(yōu)選為10-30nm，最優(yōu)選為15-25nm。
10.制造如權(quán)利要求1所述的鍍膜玻璃的方法，該方法按所述順序包括如下步驟1)提供玻璃基片；2)在玻璃基片上沉積第一基層電介質(zhì)層；3)在第一基層電介質(zhì)層上沉積第二基層電介質(zhì)層；4)在第二基層電介質(zhì)層上沉積第一保護(hù)阻隔層；5)在第一保護(hù)阻隔層上沉積銀層；6)在銀層上沉積第二保護(hù)阻隔層；7)在第二保護(hù)阻隔層上沉積第一外層電介質(zhì)層；8)在第一外層電介質(zhì)層上沉積第二外層電介質(zhì)層；9)在第二外層電介質(zhì)層上沉積保護(hù)阻擋層。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種鍍膜玻璃，該鍍膜玻璃按如下順序包括玻璃基片；在玻璃基片上的第一基層電介質(zhì)層；在第一基層電介質(zhì)層上的第二基層電介質(zhì)層；在第二基層電介質(zhì)層上的第一保護(hù)阻隔層；在第一保護(hù)阻隔層上的銀層；在銀層上的第二保護(hù)阻隔層；在第二保護(hù)阻隔層上的第一外層電介質(zhì)層；在第一外層電介質(zhì)層上的第二外層電介質(zhì)層；在第二外層電介質(zhì)層上的保護(hù)阻擋層。
文檔編號(hào)C03C17/23GK101058486SQ20071009752
公開(kāi)日2007年10月24日 申請(qǐng)日期2007年4月26日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月26日
發(fā)明者王爍, 徐伯永 申請(qǐng)人:天津南玻工程玻璃有限公司