專利名稱：：包括至少一種多位元素的yag基陶瓷石榴石材料的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及陶瓷石榴石材料，更具體而言，涉及發(fā)光裝置的情況中尤其是LED情況中使用的那些材料。
背景技術(shù)：
：由于YAG極好的材料屬性，現(xiàn)如今的發(fā)光裝置，尤其是LED，大多包括摻Ce(III)的YAG基材料。就這方面而言，例如，參考此處通過引用作為參考的US2003/0078156Al。然而，尤其對(duì)于使用陶瓷和/或晶體形式的摻Ce(III)的YAG基材料的發(fā)光裝置而言，已經(jīng)示出，因?yàn)橛绕洳牧辖M分必需保持精確以避免YAG中存在第二相，特別是YAP(鈣鈥礦)相，所以這些YAG陶瓷的制造通常困難。氧化鋁-氧化釔體系中的相關(guān)系例如從J.S.Abell,I.R.Harris,B.Cockayne和B丄ent，J.Mater.Sci，9(1974)527中獲知。在固態(tài)，如果從理想化學(xué)劑量發(fā)生偏移，Y3A15012(YAG)結(jié)晶為具有氧化鋁A1203或YAP、YA103作為多晶石榴石YAG材料中形成的相鄰相的線性化合物。從M.M.Kuklja和R.Pandey，J.Am.Ceram.Soc.82(1999)2881中知道，本征反位無序是適應(yīng)從理想化學(xué)計(jì)量偏移，即在Y3A15012(YAG)石榴石化合物中Yz03或Al203過剩的主要機(jī)制。尤其對(duì)于顯示氧化釔過量的合成物而言，因?yàn)獒惤Y(jié)合在八面體鋁位與鋁結(jié)合在十二面體釔位相比在能量上更為穩(wěn)定，這種反位無序可能導(dǎo)致線性化合物化學(xué)計(jì)量周圍的單相存在區(qū)域的延伸。然而，尤其在摻Ce(III)的YAG陶瓷的工業(yè)生產(chǎn)的情況中，由于制造工藝中的稱量誤差或波動(dòng)，通常不可能精確地保持正確的組分。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種具有改善特性的YAG基陶瓷石榴石材料，該材料尤其允許很多應(yīng)用具有較大的制造容差。通過根據(jù)本發(fā)明的權(quán)利要求1的YAG基陶瓷石榴石材料和/或通過根據(jù)本發(fā)明的權(quán)利要求9的方法實(shí)現(xiàn)了該目的。相應(yīng)地，提供一種YAG基陶乾石榴石材料，其包括能夠占據(jù)YAG基陶資石榴石材料中的八面體和/或十二面體配位陽離子晶格位的至少一種多位(multi-site)元素。已經(jīng)驚訝地發(fā)現(xiàn)，在本發(fā)明的大多數(shù)應(yīng)用中，通過使用這種YAG基陶瓷石榴石材料，可以在不影響YAG基陶資的特征的條件下極大地提高制造容差。在某些應(yīng)用中，甚至可以改善YAG基陶瓷石榴石材料的特征。并不確定為某一理論，發(fā)明人相信，該至少一種多位元素用作其他離子尤其是YAG材料中Y和/或Al離子的位置標(biāo)志符(placeholder)的能力有助于拓寬YAG材料的加工窗口。術(shù)語"YAG基"尤其表示和/或包括包含材料M、M"2(MmX4)3作為主要成分且由M"X6八面體和MmX4四面體構(gòu)建的材料，其中1V^選自Mg、Ca、Y、Na、Sr、Gd、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Dy、Tb、Ho、Er、Tm、Yb、Lu或其混合物的組，MU選自Al、Ga、Mg、Zn、Y、Ge、Sc、Zr、Ti、Hf、Lu或其混合物的組，Mm選自Al、Si、B、Ge、Ga、V、As、Zn或其混合物的組，X選自O(shè)、S、N、F、Cl、Br、I、OH和其混合物的組，且其中每個(gè)八面體通過頂點(diǎn)共享的四面體連接到6個(gè)其余八面體。每個(gè)四面體與4個(gè)八面體共享其頂點(diǎn)，使得框架組成為(MHX3)2(MmX2)3。較大的離子M1占據(jù)了框架的間隙中8個(gè)配位(十二面體)的位置，給出最終組分mSm^mU^Xu或M、MH2(MmX4)3。術(shù)語"主要成分"尤其表示^95%、優(yōu)選地^97%且最優(yōu)選地^99%的YAG基陶瓷石榴石材料-沒有所述至少一種多位元素和可能添加的雜質(zhì)材料-組成該材料。應(yīng)當(dāng)注意，在本發(fā)明的某些石榴石材料中，MH和Mm位置至少部分地被相同元素的原子占據(jù)。應(yīng)當(dāng)注意，YAG基陶瓷材料可以摻雜以選自Lu、Pr、Sm、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、La、Ce或其混合物的組的材料。從本發(fā)明的意義說，術(shù)語"YAG基陶瓷石榴石材料，，進(jìn)一步表示和/或尤其包括具有添加劑的如上所述材料的混合物，該添加劑在陶資制造過程中添加。這些添加劑完全或部分地結(jié)合到最終材料，該最終材熔劑的這些物質(zhì)。合適的助熔劑包括堿土金屬-或堿金屬的氧化物和卣化物、硼酸鹽、Si02等。從本發(fā)明的意義來說，術(shù)語"陶瓷材料，，表示和/或尤其包括晶體或多晶致密材料或具有受控?cái)?shù)目的孔或沒有孔的復(fù)合材料。從本發(fā)明的意義來說，術(shù)語"多晶材料"表示和/或尤其包括具有大于90%主要成分的體密度的材料，其由大于80%的單晶疇組成，每個(gè)疇在直徑上大于0.5jim且可以具有不同的晶向。單晶疇可以通過非晶或玻璃狀材料或通過附加的晶體成分相連。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，用于該至少一種多位元素的六重配位的離子半徑為70pm以上至104pm以下，和/或用于該至少一種多位元素的8重配位的離子半徑為85pm以上至116pm以下。這在本發(fā)明的很多應(yīng)用中顯示為最有效的。應(yīng)當(dāng)注意，在存在若干不同多位元素的情況下，尤其優(yōu)選地，所有多位元素具有所述的離子半徑；如果加以必要的變更，這對(duì)于本發(fā)明的所有其他實(shí)施例適用。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，用于該至少一種多位元素的六重配位的離子半徑為75pm以上至104pm以下，且更優(yōu)選地為88pm以上至102pm以下。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，用于該至少一種多位元素的8重配位的離子半徑為卯pm以上至114pm以下，更優(yōu)選地為92pm以上至112pm以下。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，該至少一種多位元素相對(duì)于YAG基石榴石結(jié)構(gòu)的濃度為0.5mol。/o以上至5mol。/。以下。已經(jīng)示出，這是在本發(fā)明的廣闊應(yīng)用范圍中為獲得最寬的加工窗口而不損害YAG材料特性的最合適的范圍。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，相對(duì)于化合式單位中的陽離子的總和，該至少一種多位元素的濃度為0.1atom。/。以上至0.7atom。/。以下，優(yōu)選地為0.2atom。/。以上至0.4atom。/。以下。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，陶瓷石榴石材料中(Y、Lu、Gd、Pr、Sm、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、La、Ce、Ca)之和與(Al、B、Si、Mg、Ge、Zr、Hf、Ga、Sc)之和的商為0.590以上至0.610以下。于是，對(duì)于很多應(yīng)用范圍，可以獲得最合適的YAG陶瓷材料。優(yōu)選地，陶資石榴石材料中(Y、Lu、Gd、Pr、Sm、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、La、Ce、Ca)之和與(Al、B、Si、Mg、Ge、Zr、Hf)之和的商為0.593以上至0.607以下，更優(yōu)選地為0.595以上至0.605以下。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，YAG基陶瓷石榴石材料中的主相與可能的第二相之比10:1以上，優(yōu)選地為20:1以上，且最優(yōu)選地為40:1以上。從本發(fā)明的意義來說，術(shù)語"第二相，，尤其表示和/或包括呈現(xiàn)不同化學(xué)組分和/或晶體結(jié)構(gòu)的最終混合物的次要組分。才艮據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，該至少一種多位元素選自Sc、Ga、Yb、Lu、Mg及其混合物的組。這些材料證明它們可以在4艮多應(yīng)用中實(shí)踐。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，使用10W/cm2的光功率密度和2.75eV的平均光子能量在200。C曝光陶瓷材料1000小時(shí)之后，摻Ce(III)的YAG基陶乾石榴石材料的光熱穩(wěn)定性為80%以上至100%以下。從本發(fā)明的意義來說，術(shù)語"光熱穩(wěn)定性，，尤其表示和/或包括同時(shí)應(yīng)用熱和高強(qiáng)度激勵(lì)時(shí)流明強(qiáng)度的守恒，即，100%的光熱穩(wěn)定性表示材料基本不受同時(shí)照射和加熱的影響。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，使用10W/cm2的光功率密度和2.75eV的平均光子能量在200'C啄光陶瓷材料1000小時(shí)之后，摻Ce(III)的YAG基陶資石榴石材料的光熱穩(wěn)定性為82.5%以上至95%以下，優(yōu)選地為85%以上至97%以下。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，YAG基陶瓷石榴石材料的熱導(dǎo)為0.07Wcm"K1以上至0.15Wcm"K1以下。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，摻Ce(III)的YAGp叫基陶瓷石榴石材料的量子效率(quantumyield)為90%以上至99%以下。從本發(fā)明的意義來說，術(shù)語"量子效率"尤其表示和/或包括發(fā)射的光子數(shù)與吸收的光子數(shù)之比。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，YAG基陶瓷石榴石材料的量子效率為93%以上至99%以下，優(yōu)選地為95%以上至98%以下。才艮據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，對(duì)于550nm以上至1000nm以下波長范圍的光，對(duì)于在空氣中的法向入射，YAG基陶瓷石榴石材料顯示出10%以上至85%以下的透明度。7優(yōu)選地，對(duì)于550nm以上至1000nm以下的波長范圍的光，對(duì)于在空氣中的法向入射，透明度為20%以上至80%以下，更優(yōu)選地為30%以上至75%以下，且最優(yōu)選地為大于40%至小于70%。從本發(fā)明的意義來說，術(shù)語"透明度"尤其表示對(duì)于在空氣中的法向入射(以任意角度)不能被材料吸收的波長的入射光中10%以上、優(yōu)選地20%以上、更優(yōu)選地30%以上、最優(yōu)選地40%以上至85%以下透射經(jīng)過樣品。該波長優(yōu)選地在550nm以上至1000nm以下的范圍內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，YAG基陶瓷石榴石材料的密度為化學(xué)計(jì)量石榴石結(jié)構(gòu)的理論密度的95%以上至101%以下。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，YAG基陶瓷石榴石材料的密度為理論密度的97%以上至100%以下。優(yōu)選地，通過燒結(jié)陶資到在陶資基體中仍存在孔的階段獲得根據(jù)本發(fā)明所述優(yōu)選實(shí)施例的低于100%的密度。最優(yōu)選地是98.(T/。以上至99.8%以下范圍內(nèi)的密度，陶瓷基體中全部孔的體積在0.2%以上至2%以下的范圍。優(yōu)選的平均孔直徑在400nm以上至1500nm以下的范圍。本發(fā)明還涉及用于制造根據(jù)本發(fā)明的YAG基陶瓷石榴石材料的方法；該方法包括燒結(jié)步驟從本發(fā)明的意義來說，術(shù)語"燒結(jié)步驟"尤其表示前驅(qū)物粉末在熱的影響下的致密化，這可以與單軸或等靜壓成型的應(yīng)用相結(jié)合，而不到達(dá)燒結(jié)材料的主要成分的液態(tài)。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，該燒結(jié)步驟是無壓力的，優(yōu)選地是在還原或惰性氛圍中。根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，該方法還包括在燒結(jié)之前壓制陶瓷石榴石前驅(qū)物材料到其理論密度的50%以上至70%以下，優(yōu)選地為55%以上至65%以下的步驟。實(shí)踐示出，對(duì)于本發(fā)明描述的大多數(shù)YAG基陶瓷石榴石材料，這改善了燒結(jié)步驟.根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，本發(fā)明的制造YAG基陶瓷石榴石材料的方法包括以下步驟(a)混合用于該YAG基陶資石榴石材料的前驅(qū)物材料。(b)優(yōu)選地，在1300'C以上至1700'C以下的溫度可選地鍛燒該前驅(qū)物材料以去除揮發(fā)材料(諸如使用碳酸鹽的情況下的co2)。(c)可選的研磨和清洗。(d)第一壓制步驟，優(yōu)選地是使用期望形狀(例如，桿或球狀)模具的合適的粉末壓縮工具的單軸壓制步驟，和/或優(yōu)選地在3000bar以上至5000bar以下的冷等靜壓成型步驟。(e)在惰性、還原或輕微氧化的氛圍中，在10,mbar以上至104mbar以下的壓力下，在1500。C以上至2200'C以下溫度的燒結(jié)步驟。(f)可選的熱壓制步驟，優(yōu)選地為在30bar以上至2500bar以下、且優(yōu)選地在1500。C以上至2000。C以下溫度，優(yōu)選地?zé)岬褥o壓成型步驟，和/或優(yōu)選地為在100bar以上至2500bar以下、且優(yōu)選地在1500。C以上至2000。C以下溫度的單軸熱壓制步驟。(g)在惰性氛圍或在包含氧氣的氛圍中，在大于IOO(TC至小于1700。C的可選的后退火步驟。根據(jù)該方法，對(duì)于大多數(shù)期望的材料組分，該制造方法制造出如本發(fā)明中使用的最佳的YAG基陶瓷石榴石材料。本發(fā)明還涉及發(fā)光裝置，尤其是包括本發(fā)明的YAG基陶瓷石榴石材料的LED。本發(fā)明的YAG基陶瓷石榴石材料、包括本發(fā)明的YAG基陶瓷石榴石材料和/或使用本發(fā)明制造的YAG基陶瓷石榴石材料的發(fā)光裝置可以用在各種系統(tǒng)和/或應(yīng)用中，它們其中的一個(gè)或多個(gè)為辦公室照明系統(tǒng)，家庭應(yīng)用系統(tǒng)，店鋪照明系統(tǒng)，家庭照明系統(tǒng)，重點(diǎn)照明系統(tǒng)，聚光照明系統(tǒng)，劇場照明系統(tǒng)，光纖應(yīng)用系統(tǒng)，投影系統(tǒng)，自發(fā)光顯示系統(tǒng)，像素化顯示系統(tǒng)，分段顯示系統(tǒng)，警示標(biāo)志系統(tǒng)，醫(yī)學(xué)照明應(yīng)用系統(tǒng)，指示標(biāo)志系統(tǒng)，以及裝飾照明系統(tǒng)，便攜式系統(tǒng)，汽車應(yīng)用，溫室照明系統(tǒng)，窗材料和窗應(yīng)用，尤其用于具有石榴石主晶格的多晶激光材料的激光應(yīng)用系統(tǒng)，尤其用于HID燈的發(fā)光裝置外殼，具有高折射率的光學(xué)透鏡或元件。上述組件以及要求保護(hù)的組件和所述實(shí)施例中根據(jù)本發(fā)明使用的組件在其大小、形狀、材料選擇和技術(shù)概念方面并不遭受任意特定排除，使得可以不受限制地應(yīng)用相關(guān)領(lǐng)域中已知的選擇標(biāo)準(zhǔn)。在所附權(quán)利要求、附圖以及相應(yīng)附圖和示例的下面描述中公開了女*B日M曰Afl船茲接么T娃,l^:^rty^A甘—士4eId;脇閎^>^>血l,t、^ij^./jhvrt'i'j，nv'""「>v*i'、"|g、，g'||/u,"、，7、,,JHi,4w'i'■!，vj以示意性方式示出本發(fā)明的YAG基陶瓷石榴石材料的若干實(shí)施例和示例。圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的示例I的YAG基陶瓷石榴石材料的微結(jié)構(gòu)。圖2示出了根據(jù)本發(fā)明的示例II的YAG基陶瓷石榴石材料的微結(jié)構(gòu)。圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的示例III的YAG基陶瓷石榴石材料的微結(jié)構(gòu)。圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的示例IV的YAG基陶瓷石榴石材料的微結(jié)構(gòu)。圖5示出了根據(jù)對(duì)比例I的YAG陶瓷石榴石材料的微結(jié)構(gòu)。圖6示出了根據(jù)對(duì)比例II的YAG陶瓷石榴石材料的微結(jié)構(gòu)。10圖7示出了根據(jù)對(duì)比例III的YAG陶瓷石榴石材料的微結(jié)構(gòu)。圖8示出了根據(jù)對(duì)比例IV的YAG陶瓷石榴石材料的微結(jié)構(gòu)。具體實(shí)施方式示例I至IV結(jié)合示例I至IV將更好地理解本發(fā)明，示例I至IV僅以說明性方式作為本發(fā)明的YAG基陶瓷石榴石材料的4個(gè)示例。以如下方式制造所述石榴石材料首先，實(shí)施適量的Y203(99.99%，Rhodia)、Gd203(99.99%,Rhodia)、Sc203(99.9%)、A1203(99.99%,Baikowski)和Ce02(>99%，Rhodia)粉末的稱重和研磨，使用高密度氧化鋁研磨介質(zhì)在異丙醇中實(shí)施該研磨，且在該異丙醇中添加lOOOppm的硅石作為水解四乙氧基甲硅烷。此后，陶資漿被過濾以去除粗糙的顆粒且在添加基于聚乙烯醇縮丁醛的粘合體系之后經(jīng)過干燥。粉末混合物然后被顆?；?，且通過冷等靜壓成型形成陶覺生坯。在空氣氛圍中去除粘合劑之后，在H2/N2(5%/95%)氛圍中在1600-1750。C的溫度燒結(jié)陶瓷生坯。在加工之后，在空氣氛圍中在1200'C-1400'C對(duì)陶瓷部件進(jìn)行后退火。表I示出了4個(gè)發(fā)明性示例I至IV的材料組分表I:示例I-IV的組分<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>相對(duì)于化學(xué)計(jì)量的石榴石組分的化合式單位中陽離子的總和，多位陽離子Sc的數(shù)量被選擇為0.25%。術(shù)語"相對(duì)密度"表示兩個(gè)最致密的陶瓷(具有相同的密度)被任意設(shè)置為具有100%的相對(duì)密度?？梢钥闯?，所有的陶瓷基本具有相同的密度。對(duì)比例i至rv與發(fā)明性示例一起，還完全如上所述制備了4個(gè)對(duì)比例，只不過沒有至少一種多位元素(即，沒有Sc)。表II示出了4個(gè)對(duì)比例I至IV的材料組分表II:陶資YAG:Ce樣品的組分對(duì)比例金屬比率燒結(jié)之后的相對(duì)密度I(Y0.9Gd0.1)2.994CeO.006A14.96100.00%II(Y0.9Gd0.1)2.994CeO.006A14.9898.92%III(Y0.9Gd0.1)2.994CeO.006A15.0099.940/0IV(Y0.9Gd0.1)2.994CeO.006A15.0299.55%此處術(shù)語"相對(duì)密度"同樣表示最致密的陶瓷被任意設(shè)置為具有100%的相對(duì)密度?？梢钥闯?，密度的偏差略大于表I，且因而可以觀察到光學(xué)屬性例如散射中的大散射體。圖1至8示出了發(fā)明性示例I至IV(分別為圖l至4)和對(duì)比例I至IV(分別為圖5至8)的微結(jié)構(gòu)(SEM顯微照片)?？梢钥闯觯械陌l(fā)明性示例示出了均勻的結(jié)構(gòu)，看不見第二相，而所有對(duì)比例中存在第二相。應(yīng)當(dāng)即刻注意，最佳對(duì)比例是示例II，盡管在初始材料混合物中，Al含量有點(diǎn)低。由于使用氧化鋁進(jìn)行研磨，發(fā)生某些微小磨損，由此輕微地增加了Al含量。示例III和IV示出了用作陶資中的散射中心的氧化鋁第二相顆粒(視覺上是掃描電子顯微圖像中的黑色顆粒)。然而，很明顯，由于剩余的內(nèi)部多孔性，對(duì)比例II是最不致密的陶資。已經(jīng)示出，在沒有至少一種多位元素的很大的應(yīng)用范圍中，具有精確組分的材料通常是最難燒結(jié)的材料，這極可能是由于沒有用作燒結(jié)輔助的低共熔的第二相。如果添加至少一種多位元素，這一問題就可以克服；所有發(fā)明性示例顯示出極好的燒結(jié)特性。上述具體實(shí)施例中的元素和特征的特定組合僅是示例性的；還可以明確地預(yù)期，可以使用通過參引結(jié)合的本申請(qǐng)和其他專利/申請(qǐng)中的其他教導(dǎo)交換和代替這些教導(dǎo)。本領(lǐng)域技術(shù)人員將意識(shí)到，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，可以想到此處描述的實(shí)施例的變型、修改和其他實(shí)施方式，而不偏離要求保護(hù)的本發(fā)明的精神和范圍。本發(fā)明的范圍在下面的權(quán)利要求書及其等效表述中限定。而且，說明書和權(quán)利要求書中使用的參考符號(hào)并不限制要求保護(hù)的本發(fā)明的范圍。權(quán)利要求1.一種YAG基陶瓷石榴石材料，包括能夠占據(jù)YAG基陶瓷石榴石材料內(nèi)的八面體和/或十二面體位的至少一種多位元素。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的YAG基陶瓷石榴石材料，其中結(jié)合到摻Ce(III)的YAG基陶資石榴石材料的六重配位陽離子晶格位上的所述至少一種多位元素的離子半徑為70pm以上至104pm以下。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的YAG基陶瓷石榴石材料，其中所述至少一種多位元素的濃度為所述石榴石結(jié)構(gòu)的陽離子總和的0.1atom%以上至0.7atom%以下。4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任意一項(xiàng)所述的YAG基陶瓷石榴石材料，其中所述陶瓷石榴石材料中(Y、Lu、Gd、Pr、Sm、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、La、Ce、Ca)之和與(Sc、Ga、Al、B、Mg、Si、Ge、Zr、Hf)之和的商為0.5卯以上至0.610以下。5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任意一項(xiàng)所述的YAG基陶資石榴石材料，其中所述YAG基陶瓷石榴石材料中的主相與可能的第二相之比為10:1以上。6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任意一項(xiàng)所述的YAG基陶乾石榴石材料，其中所述至少一種多位元素選自包含Sc、Ga、Yb、Lu、Mg及其混合物的纟且。7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任意一項(xiàng)所述的YAG基陶瓷石榴石材料，其中使用10W/cm2的光功率密度和2.75eV的平均光子能量在200°C曝光該陶瓷材料1000小時(shí)之后，所述YAG基陶資石榴石材料的光熱穩(wěn)定性為80%以上至100%以下。8.—種發(fā)光裝置，尤其是LED,包括權(quán)利要求1至7中任意一項(xiàng)所述的YAG基陶資石榴石材料。9.一種制造根據(jù)權(quán)利要求1至7中任意一項(xiàng)所述的用于發(fā)光裝置的YAG基陶瓷石榴石材料的方法，該方法包括燒結(jié)步驟。10.—種系統(tǒng)，包括根據(jù)權(quán)利要求1至7中任意一項(xiàng)所述的YAG基陶瓷石榴石材料、根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置和/或根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法制造的YAG基陶瓷石榴石材料，該系統(tǒng)用于一個(gè)或多個(gè)下述應(yīng)用辦公室照明系統(tǒng)，家庭應(yīng)用系統(tǒng)，店鋪照明系統(tǒng)，家庭照明系統(tǒng)，重點(diǎn)照明系統(tǒng)，聚光照明系統(tǒng)，劇場照明系統(tǒng)，光纖應(yīng)用系統(tǒng)，投影系統(tǒng)，自發(fā)光顯示系統(tǒng)，像素化顯示系統(tǒng)，分段顯示系統(tǒng)，警示標(biāo)志系統(tǒng)，醫(yī)學(xué)照明應(yīng)用系統(tǒng)，指示標(biāo)志系統(tǒng)，以及裝飾照明系統(tǒng)，便攜式系統(tǒng)，汽車應(yīng)用，溫室照明系統(tǒng)，窗材料和窗應(yīng)用，尤其用于具有石榴石主晶格的多晶激光材料的激光應(yīng)用系統(tǒng)，尤其用于HID燈的發(fā)光裝置外殼，具有高折射率的光學(xué)透鏡或元件。全文摘要本發(fā)明涉及一種YAG基陶瓷石榴石材料，其包括能夠取代YAG材料中的Y和/或Al位的至少一種多位元素。文檔編號(hào)C04B35/44GK101495424SQ200780028407公開日2009年7月29日申請(qǐng)日期2007年7月10日優(yōu)先權(quán)日2006年7月26日發(fā)明者H·A·M·范哈爾,J·博倫坎普,J·邁耶,P·施米特申請(qǐng)人:皇家飛利浦電子股份有限公司