專利名稱：氣密容器的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種氣密容器的制造方法。
背景技術(shù)：
根據(jù)氣密容器的典型制造方法，在第一基板和第二基板之 間設(shè)置接合構(gòu)件，并且用激光束照射該接合構(gòu)件使得該接合構(gòu) 件熔化從而使第 一 基板的周部接合到第二基板的周部。
在氣密容器的該制造方法中，熔化接合構(gòu)件的激光束的控 制狀態(tài)極大地影響容器的氣密性。已經(jīng)提出了適用于不同類型 的被照射對(duì)象的激光控制的多種建議。
美國(guó)專利申請(qǐng)No.2005/0199599 (以下稱'599文獻(xiàn))(參見 第
段和圖2 )說明了基于來自玻璃封裝(glass package ) 或者有機(jī)電致發(fā)光(OEL) 二極管的表面的反射光來檢測(cè)從激 光源到激光照射對(duì)象的距離和激光能量的信息以及基于檢測(cè)到 的信息改變激光強(qiáng)度和從激光源到激光照射對(duì)象的距離的技 術(shù)。
美國(guó)專利申請(qǐng)No.2006/0082298 (以下稱'298文獻(xiàn))(參見 第
段和圖8 )和No.2006/0084348(以下稱'348文獻(xiàn))(參 見第
段和圖8)說明了由反射光的強(qiáng)度監(jiān)視激光照射對(duì)象 的溫度并且控制激光掃描速度和激光強(qiáng)度，使得激光照射對(duì)象 的溫度保持恒定的技術(shù)。
日本特開平08-250021號(hào)/>寺艮(以下稱'021文獻(xiàn))公開了 對(duì)具有臺(tái)階的工件進(jìn)行激光加工的技術(shù)，其中，激光束被劃分 使得一束用于測(cè)量高度而另 一束用于在接收高度信息的反饋的 同時(shí)加工工件。根據(jù)'599文獻(xiàn)所述的氣密封裝的制造方法，從診斷系統(tǒng)向 工件施加波長(zhǎng)不同于加工用激光束的波長(zhǎng)的激光束，并且基于 來自表面的反射光確定關(guān)于激光功率的信息和關(guān)于到工件的距
離的信息。然而，'599文獻(xiàn)沒有公開在控制激光功率時(shí)使用關(guān) 于被反射的激光束的何種信息，從而使說明書不清楚。
在'298文獻(xiàn)和'348文獻(xiàn)所述的密封容器的制造方法中，激 光的功率和掃描速度被控制成使由激光照射加熱的接合構(gòu)件的
溫度保持恒定。然而，取決于接合構(gòu)件的狀態(tài)，即使當(dāng)照射溫 度恒定時(shí)，接合構(gòu)件也可能未充分熔化，從而不能在整個(gè)接合 部上實(shí)現(xiàn)連續(xù)的氣密性。例如，在形成在接合構(gòu)件的表面上的 氧化膜的厚度不均勻的情況下，即使當(dāng)接合構(gòu)件被加熱到其熔 化溫度，氧化膜也可能沒有消耗，這使得難以在整個(gè)接合部上 保持連續(xù)的氣密性。該狀態(tài)還可能取決于接合構(gòu)件的表面的形 狀而發(fā)生。
根據(jù)'()21文獻(xiàn)所述的方法，在對(duì)具有臺(tái)階的工件進(jìn)行激光 加工時(shí)，激光束被劃分使得一束用于測(cè)量高度。然而，該方法 不是可以在監(jiān)視激光照射部的熔化狀態(tài)的同時(shí)連續(xù)保持氣密性 的方法。
在上述所有專利文獻(xiàn)中，難以連續(xù)使基板和接合構(gòu)件保持 彼此緊密地附著，并且不總是能實(shí)現(xiàn)氣密性。從而，期望能夠 更穩(wěn)定地確保容器的氣密性的制造方法。
更具體地，根據(jù)通過使一對(duì)基板與接合構(gòu)件接合的氣密容 器的制造方法，由于接合構(gòu)件的厚度不均勻和/或表面狀態(tài)導(dǎo)致 在接合構(gòu)件和基板之間產(chǎn)生間隙(接觸不良)。在經(jīng)由基板加熱 熔化接合構(gòu)件而使基板接合到架構(gòu)件(frame member)(或另 一基板)時(shí)，這些間隙阻擋熱傳遞到接合部。結(jié)果，接合構(gòu)件 的熔化狀態(tài)從一個(gè)位置到另 一位置是不同的，并且接合構(gòu)件不能均勻地附著到基板。因此，在加熱熔化接合部的過程中，期 望使接合構(gòu)件連續(xù)附著到基板上以提高容器的氣密性。

發(fā)明內(nèi)容
來提高容器的氣密性。
本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式提供一種氣密容器的制造方法，該 氣密容器包括第一基板、第二基板和架構(gòu)件。該方法包括以下
步驟用激光束照射布置在第一基板和架構(gòu)件之間的密封構(gòu)件； 基于被密封構(gòu)件反射的激光束的反射率確定密封構(gòu)件的熔化狀 態(tài)；以及通過基于密封構(gòu)件的熔化狀態(tài)的確定結(jié)果控制入射至'j 密封構(gòu)件上的激光束的每單位面積的激光能量而用密封構(gòu)件將 第一基板接合到架構(gòu)件。
根據(jù)本發(fā)明的另 一 方面，提供一種氣密容器的制造方法， 該氣密容器包括第一基板、第二基板和架構(gòu)件，該方法包括以 下步驟用第一激光束和第二激光束照射布置在第一基板和架 構(gòu)件之間的密封構(gòu)件；基于被密封構(gòu)件反射的第二激光束的反 射率確定密封構(gòu)件的熔化狀態(tài)；以及通過基于密封構(gòu)件的熔化 狀態(tài)的確定結(jié)果控制入射到密封構(gòu)件上的第 一 激光束的每單位 面積的激光能量而將第 一基板接合到架構(gòu)件。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供一種氣密容器的制造方法， 該氣密容器包括第一基板、第二基板和架構(gòu)件，該方法包括以 下步驟利用被分成第一激光束和第二激光束的激光束照射布 置在架構(gòu)件與從第 一基板和第二基板中選擇的 一 個(gè)基板之間的 密封構(gòu)件；利用第一激光束熔化密封構(gòu)件；基于被密封構(gòu)件反 射的第二激光束的反射光確定密封構(gòu)件的熔化狀態(tài)；以及通過 基于密封構(gòu)件的熔化狀態(tài)的確定結(jié)果控制入射到密封構(gòu)件上的第 一 激光束的每單位面積的激光能量而將所選擇的基板接合到
架構(gòu)件。
根據(jù)本發(fā)明，可以提高包括兩個(gè)基板和夾在基板之間的架 構(gòu)件的氣密容器的氣密性。
通過下面參照附圖對(duì)典型實(shí)施方式的說明，本發(fā)明的其它 特征將變得明顯。


圖l是示出氣密容器的制造方法的實(shí)施例的示意圖。
圖2是用于說明該方法的實(shí)施例的圖。
圖3是用于說明該方法的實(shí)施例的另 一 個(gè)圖。
圖4是示出實(shí)施例2的圖。
圖5是示出實(shí)施例3的圖。
圖6是示出實(shí)施例4的圖。
圖7是圖像形成設(shè)備的局部剖開的立體圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將參照

本發(fā)明的實(shí)施方式。
實(shí)施方式中的氣密容器包括第一基板、第二基板以及布置 在第 一基板和第二基板之間并且包圍第 一基板的周圍和第二基 板的周圍的接合構(gòu)件。作為可選方案，可以設(shè)置布置在第一基 板和第二基板之間并且包圍第一基板的周圍和第二基板的周圍 的架構(gòu)件。在該情況下，可在第一基板和架構(gòu)件之間設(shè)置第一 接合部，可在架構(gòu)件和第二基板之間設(shè)置第二接合部。
本實(shí)施方式的氣密容器可以用在圖像形成設(shè)備中。特別地， 本發(fā)明可應(yīng)用到包括第 一 基板和第二基板的圖像形成設(shè)備，該 第 一 基板設(shè)置有焚光體和電子加速電極，該第二基板設(shè)置有電子源。
現(xiàn)在將參照?qǐng)Dl至圖3說明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式。
圖l是示出氣密容器的制造方法的實(shí)施例的示意圖。
由該方法制造的氣密容器包括第 一基板1 、第二基板2以及 包圍第 一基板l的周圍和第二基板2的周圍的支撐架3。第一基 板1和第二基板2可以是玻璃基板。為了制造圖像形成設(shè)備，在 第一基板l上形成焚光體和電子加速電極，在第二基板2上形成 電子源。支撐架3可以由熱膨脹系數(shù)基本上等于第一基板l和第 二基板2的熱膨脹系數(shù)的材料制成。
作為用于將第 一基板l接合到支撐架3的接合構(gòu)件的密封 構(gòu)件4a被設(shè)置在第一基板l和支撐架3之間。作為用于將第二基 板2接合到支撐架3的接合構(gòu)件的密封構(gòu)件4b被設(shè)置在第二基 板2和支撐架3之間。
該方法中使用的密封構(gòu)件4a和4b可以由具有足以用于真 空烘焙的耐熱性、可以保持高真空的氣密性、與其它部件的附 著性以及低氣體釋放性的材料構(gòu)成。
用于實(shí)施上述方法的制造設(shè)備包括激光振蕩單元5a，其 在對(duì)沿支撐架3延伸的密封構(gòu)件4a施加激光束的同時(shí)進(jìn)行掃 描；激光控制單元5b,其控制激光束的功率等；以及檢測(cè)器單 元5c，其檢測(cè)來自密封構(gòu)件4a的反射光。此外，該制造設(shè)備還 包括計(jì)算單元5d，該計(jì)算單元5d基于來自檢測(cè)器單元5c的信息 將如用于激光功率的修正值等信息傳遞到激光控制單元5b，使 得可以使密封構(gòu)件4 a的表面的熔化狀態(tài)保持恒定。
在該制造設(shè)備中，從激光振蕩單元5a射出的激光束6a透過 第 一 基板1并且照射密封構(gòu)件4 a 。被激光束照射的密封構(gòu)件4 a 的溫度根據(jù)吸收率而升高，結(jié)果，密封構(gòu)件4a軟化并熔化。
由密封構(gòu)件4a反射激光束6a,并且激光束6a的反射光6b到達(dá)檢測(cè)器單元5c。計(jì)算單元5d基于來自檢測(cè)器單元5c的信息 將如激光功率的修正值等信息傳遞到激光控制單元5b,使得密 封構(gòu)件4a的表面的熔化狀態(tài)保持恒定。結(jié)果，可以將密封構(gòu)件 4 a的熔化狀態(tài)保持在適當(dāng)狀態(tài)。
注意，"適當(dāng)狀態(tài)"意味著以下狀態(tài)在密封構(gòu)件4a的表 面上僅存在可忽視的或很少量的阻擋第 一基板l到支撐架3的 氣密接合的阻擋物質(zhì)(例如，氧化膜)。
從檢測(cè)器單元5c傳遞并且用于計(jì)算單元5d的信息的例子 包括關(guān)于激光束的反射光的各種類型的信息。在這些類型的信 息中，關(guān)于反射率的信息可以用于計(jì)算單元5d。
圖2是示出密封構(gòu)件4a的在激光束6a掃描的同時(shí)被激光束 6a照射的部分的溫度。為了將密封構(gòu)件4a的熔化狀態(tài)保持在適 當(dāng)水平，實(shí)時(shí)調(diào)整激光照射的能量；因此，溫度取決于位置而 不同。這是由于密封構(gòu)件4 a的表面狀態(tài)存在不均勻性導(dǎo)致的。 例如，表面氧化膜的厚度可能存在不均勻性。
圖3是示出照射激光的能量和反射率之間的關(guān)系的圖。隨 著激光能量增加，由于密封構(gòu)件4a熔化，因此反射率增大。從 而，設(shè)定反射率的閾值，并且施加激光能量使得反射率大于等 于該閾值，從而將密封構(gòu)件4a保持在適當(dāng)?shù)娜刍癄顟B(tài)。
通常，當(dāng)材料熔化時(shí)，反射率趨于增大。然而，在伴隨表 面層的變化的熔化的情況下，該規(guī)律不總是適用，甚至有時(shí)發(fā) 現(xiàn)反射率減小。此外，在該情況下，可以通過設(shè)定反射率的閾 值并且將激光能量控制在該閾值內(nèi)而將密封構(gòu)件4 a保持在適 當(dāng)?shù)娜刍癄顟B(tài)。
所使用的激光器的例子包括固體激光器、液體激光器、氣 體激光器、半導(dǎo)體激光器和自由電子激光器。可以選擇適用于 接合構(gòu)件的光吸收率的激光器。可以使用半導(dǎo)體激光器、YAG激光器和二氧化碳?xì)怏w激光器。
上述氣密容器的制造方法可以適用于有機(jī)LED顯示器的 制造方法、等離子體顯示設(shè)備的制造方法以及電子束顯示設(shè)備
的制造方法。特別地，由于有機(jī)LED顯示器和電子束顯示設(shè)備 要求高氣密性，因此，該方法可以適用于用在有機(jī)LED顯示器 和電子束顯示設(shè)備中的氣密容器的制造方法。
如上所述，根據(jù)本實(shí)施方式，可以由關(guān)于激光束的反射光 的信息來檢測(cè)密封構(gòu)件的熔化狀態(tài)，并且基于檢測(cè)到的結(jié)果控 制用于熔化密封構(gòu)件4a的激光束的每單位面積的激光能量。這 樣，確保接合部處于熔化狀態(tài)，并且可以防止由不充分熔化引 起的氣密性下降。
此外，由于可以實(shí)時(shí)測(cè)量作為用于確定熔化狀態(tài)的其中一 種類型的信息的反射率，因此，激光能量的反饋簡(jiǎn)單，并且提 高了激光能量的控制性。 實(shí)施例
現(xiàn)在將借助于具體實(shí)施例說明本發(fā)明。 實(shí)施例1
現(xiàn)在將參照?qǐng)Dl說明本發(fā)明的實(shí)施例1。實(shí)施例l涉及一種 用于熔化密封構(gòu)件的激光也用于檢測(cè)密封構(gòu)件的熔化狀態(tài)的方 法。根據(jù)本實(shí)施例，僅需要一個(gè)激光振蕩單元，從而可以使設(shè) 備(機(jī)構(gòu))簡(jiǎn)化。
在實(shí)施例l中，尺寸為300mmx 350mm、厚度為1.8mm的 玻璃基板(由Asahi Glass Co.， Ltd.制造的PD200 )用作第一 基板1和第二基板2 。由玻璃基板制備的尺寸為280mm x 330mm、厚度為1.8mm的俯視圖中為矩形的架用作支撐架3。
首先，涂布有密封構(gòu)件4b的支撐架3被布置在第二基板2上 并且在大氣熔爐中被烘焙，從而用密封構(gòu)件4b將第二基板2接合到支撐架3。在本實(shí)施例中，燒結(jié)玻璃(frit glass ) LS-7305 (由Nippon Electric Glass Co" Ltd.制造)用作密封構(gòu)件4b。 在本實(shí)施例中，預(yù)先將密封構(gòu)件4b布置在支撐架3上，但是配 置不限于此?？梢灶A(yù)先將密封構(gòu)件4b布置在第二基板2上。
接著，將密封構(gòu)件4a布置在支撐架3上，并且將第一基板l 布置在密封構(gòu)件4a上。在本實(shí)施例中，具有與支撐架3的形狀 相同的形狀且厚度為0.05mm的鋁箔用作密封構(gòu)件4a。
利用圖中未示出的固定夾具固定第一基板1和第二基板2， 以使第 一 基板1和第二基板2保持對(duì)準(zhǔn)。
在第一基板l的上方布置激光振蕩單元5a,使得可以用激 光照射支撐架3上的密封構(gòu)件4a。在本實(shí)施例中，半導(dǎo)體激光 器(波長(zhǎng)808nm)用作激光振蕩單元5a，并且通過控制投入 電流值來調(diào)整激光功率。
從激光振蕩單元5a射出的激光束6a透過第 一基板l并且照 射密封構(gòu)件(鋁箔)4a。密封構(gòu)件(鋁箔)4a的溫度根據(jù)密封 構(gòu)件4a的吸收率而升高，并且在溫度達(dá)到660。C 、即鋁的熔點(diǎn) 之后密封構(gòu)件4a熔化。
為了實(shí)現(xiàn)連續(xù)熔化狀態(tài)，用檢測(cè)器單元5c測(cè)量來自密封構(gòu) 件4a的反射光6b的強(qiáng)度，并且在計(jì)算單元5d中算出修正值。然 后，基于算出的值由激光控制單元5b控制激光功率，使得對(duì)激 光束6a的反射率(反射光6b的強(qiáng)度與激光束6a的強(qiáng)度之比)超 過閾值。由于以前的實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)在90%以上的反射率時(shí)獲得有利 的熔化狀態(tài)，因此，90%被設(shè)定為閾值。結(jié)果，可以通過使激 光束6 a的功率改變大約15 %而將密封構(gòu)件4 a的所有部位的反 射率調(diào)整到90%以上，并且可以實(shí)現(xiàn)令人滿意的氣密接合。
在本實(shí)施例中，通過增大或減小激光束6a的功率使密封構(gòu) 件4a的熔化狀態(tài)最優(yōu)化。作為可選方案，可以調(diào)整激光束6a的掃描速度。在該情況下，由于應(yīng)該調(diào)整激光束6a與密封構(gòu)件4a 之間的相對(duì)速度，因此，第一基板1和第二基板2可被布置在XY 位移臺(tái)(stage )，并且可以調(diào)整XY位移臺(tái)的掃描速度。這里， 應(yīng)該注意，如在本實(shí)施例中那樣，在設(shè)備被構(gòu)造成通過改變激 光束的功率來改變激光能量的情況下，不必設(shè)置用于位移臺(tái)系 統(tǒng)的控制才幾構(gòu)。相反地，在設(shè)備一皮構(gòu)造成通過改變激光束的掃 描速度來改變激光能量的情況下，不必設(shè)置包括光學(xué)系統(tǒng)的激 光功率控制機(jī)構(gòu)。
在本實(shí)施例中，在激光照射期間，利用非接觸溫度計(jì)測(cè)量 熔化部的溫度，確認(rèn)密封構(gòu)件的溫度取決于位置而不同。
為了確認(rèn)由實(shí)施例l的方法制造的容器的氣密性，形成在 第二基板2中的孔被用于檢查氣密性。結(jié)果，確認(rèn)沒有泄漏。 實(shí)施例2
圖4示出了用于實(shí)施根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例2的方法的設(shè)備 的結(jié)構(gòu)。用相同的附圖標(biāo)記表示與實(shí)施例l的設(shè)備的構(gòu)成單元 相同的構(gòu)成單元。
在上述實(shí)施例l中，使用用于熔化密封構(gòu)件4a的激光束6a 的反射光6b來才企測(cè)反射率的變化。相反地，在實(shí)施例2中，用 于使激光束42a射出的光源單元41與激光振蕩單元5a分開設(shè) 置，該激光束42a是用于檢測(cè)反射率變化的基準(zhǔn)光束。換句話 說，使用多個(gè)激光振蕩單元，使得用于熔化接合構(gòu)件的激光束 與用于檢測(cè)熔化狀態(tài)的激光束不同。
特別地，從光源單元41射出的激光束42a (第二激光束) 照射密封構(gòu)件4a的被激光束6a (第一激光束)熔化的部分。結(jié) 果，反射光42b進(jìn)入檢測(cè)器單元5c。通過基于如此獲得的信息 調(diào)整激光振蕩單元5 a的激光功率使得反射率超過閾值來控制 施加到密封構(gòu)件4 a的激光束的功率。由于以前的實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)在90%以上的反射率時(shí)獲得有利的熔 化狀態(tài)，因此，90%被設(shè)定為閾值。結(jié)果，可以通過使激光束
6a的功率改變大約15%而將密封構(gòu)件4a的所有部位的反射率 調(diào)整到9()%以上，并且可以實(shí)現(xiàn)令人滿意的氣密接合。
由于用于檢測(cè)反射率的變化的光源單元41與激光振蕩單 元5a分開設(shè)置，因此，可以適當(dāng)選擇適于熔化密封構(gòu)件的激光 束和適于測(cè)量反射率的激光束(光源)，并且可以提高檢測(cè)精度。
在本實(shí)施例中，半導(dǎo)體激光器(650nm)用作光源單元41 以檢測(cè)反射率的變化。
為了確認(rèn)由實(shí)施例2的方法制造的容器的氣密性，形成在 第二基板2中的孔被用于檢查氣密性。結(jié)果，確認(rèn)沒有泄漏。 實(shí)施例3
圖5示出了用于實(shí)施根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例3的方法的設(shè)備 的結(jié)構(gòu)。用相同的附圖標(biāo)記表示與實(shí)施例l的設(shè)備的構(gòu)成單元 相同的構(gòu)成單元。
在上述實(shí)施例l中，使用用于熔化密封構(gòu)件4a的激光束6a 的反射光6b來檢測(cè)反射率的變化。相反地，在實(shí)施例3中，通 過用部分反射鏡51a將激光束6a分開來形成用于檢測(cè)反射率的 變化的基準(zhǔn)光束52a。換句話說，利用分開機(jī)構(gòu)將從激光振蕩 單元5a射出的激光束分成用于熔化接合構(gòu)件的激光束和用于 檢測(cè)熔化狀態(tài)的激光束。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，可以選擇適于熔化接合 構(gòu)件的激光束的功率和適于測(cè)量反射率的激光束(光源)的功 率。此外，由于僅需要一個(gè)激光振蕩單元，因此，可以使設(shè)備 的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化。
更具體地，由部分反射鏡51a將從激光振蕩單元5a射出的 激光束6a分成兩束。透過部分反射鏡51a的激光束照射密封構(gòu) 件4a。用全反射鏡51b反射被部分反射鏡51a反射的激光束(基準(zhǔn) 光束52a)以照射密封構(gòu)件4a的熔化部。結(jié)果，基準(zhǔn)光束52a 的反射光52b進(jìn)入檢測(cè)器單元5c。通過調(diào)整激光束的掃描速度 使得反射率超過閾值來控制施加到密封構(gòu)件4a的激光束的能量。
由于以前的實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)在90%以上的反射率時(shí)獲得有利的熔 化狀態(tài)，因此，90%被設(shè)定為閾值。結(jié)果，可以通過使激光束 的掃描速率改變大約15o/。而將密封構(gòu)件4a的所有部位的反射率 調(diào)整到90%以上，并且可以實(shí)現(xiàn)令人滿意的氣密接合。
在本實(shí)施例中，在激光照射期間，利用非接觸溫度計(jì)測(cè)量 熔化部的溫度，確認(rèn)密封構(gòu)件的溫度取決于位置而不同。
為了確認(rèn)由實(shí)施例3的方法制造的容器的氣密性，形成在 第二基板2中的孔被用于檢查氣密性。結(jié)果，確認(rèn)沒有泄漏。 實(shí)施例4
圖6示出了用于實(shí)施根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例4的方法的設(shè)備 的結(jié)構(gòu)。用相同的附圖標(biāo)記表示與實(shí)施例3的設(shè)備的構(gòu)成單元 相同的構(gòu)成單元。
在實(shí)施例3中，調(diào)整激光束的掃描速度以控制激光能量。 相反地，在實(shí)施例4中，利用衰減器61來調(diào)整照射密封構(gòu)件4a 的激光束6 a的功率，以控制施加到密封構(gòu)件4 a的激光能量。
在實(shí)施例4中，連續(xù)可變型中性(ND)濾光器用作衰減器61。
更具體地，在通過分開而形成的兩個(gè)激光束中，由部分反 射鏡51 a反射的起到基準(zhǔn)光束5 2 a的功能的激光束被全反射鏡 51b反射，并且被施加到密封構(gòu)件4a的熔化部。結(jié)果，基準(zhǔn)光 束52a的反射光52b進(jìn)入檢測(cè)器單元5c。通過基于該信息調(diào)整衰 減器61使得反射率超過閾值來控制施加到密封構(gòu)件4a的激光束的能量。
由于以前的實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)在90%以上的反射率時(shí)獲得有利的熔 化狀態(tài)，因此，90%被設(shè)定為閾值。結(jié)果，可以通過利用衰減 器61使施加到密封構(gòu)架4a的激光束的功率改變大約15%而將 密封構(gòu)件4 a的所有部位的反射率調(diào)整到9 0 %以上，可以實(shí)現(xiàn)令 人滿意的氣密接合。
在本實(shí)施例中，在激光照射期間，利用非接觸溫度計(jì)測(cè)量 熔化部的溫度，確認(rèn)密封構(gòu)件的溫度取決于位置而不同。
為了確認(rèn)由實(shí)施例4的方法制造的容器的氣密性，形成在 第二基板2中的孔被用于檢查氣密性。結(jié)果，確認(rèn)沒有泄漏。
圖7是示出由上述實(shí)施例的方法中的任 一 種方法制備的圖 像形成設(shè)備的局部剖開的立體圖。
圖中示出的圖像形成設(shè)備74包括面板71、背板72和側(cè)壁73。
在面板71的下表面?zhèn)?面對(duì)背板72的一側(cè))，在玻璃基板 711上設(shè)置黑條(彩色顯象管)712和熒光體713,并且在熒光 體713的表面上形成金屬背(metal back)(加速電極)714, 即導(dǎo)電性部件。
背板72包括形成在玻璃基板721上的行方向?qū)Ь€722、列方 向?qū)Ь€723、電極間絕緣層(未示出)以及電子發(fā)射元件724。
各電子發(fā)射元件724是在一對(duì)元件電極之間連接具有電子 發(fā)射部的導(dǎo)電性薄膜的表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射元件。在本實(shí)施例 中，N x M個(gè)表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射元件被連接到由分別以固定 的間隔形成的M根行方向?qū)Ь€722和N根列方向?qū)Ь€723構(gòu)成的 矩陣配線，從而形成多個(gè)電子束源。在本實(shí)施例中，行方向?qū)?線722被定位在列方向?qū)Ь€723的上方，并且電極間絕緣層(未 示出)被設(shè)置在行方向?qū)Ь€722和列方向?qū)Ь€723之間。通過引出端子Dxl至Dxm對(duì)行方向?qū)Ь€722施加掃描信號(hào)，通過引出 端子Dyl至Dyn對(duì)列方向?qū)Ь€723施加調(diào)制信號(hào)(圖像信號(hào))。
金屬背714被設(shè)置成使從背板7 2上的電子發(fā)射元件7 2 4射 出的電子加速，從而引出電子。從高壓端子715施加高電壓， 使得當(dāng)與行方向?qū)Ь€722比較時(shí)，金屬背714具有高電位。在包 括上述表面?zhèn)鲗?dǎo)型電子發(fā)射元件的這種顯示板中，通常在行方 向?qū)Ь€722和金屬背714之間形成大約5 ~ 20kV的電位差。
密封構(gòu)件被布置在側(cè)壁73上，使用實(shí)施例1~ 4的方法中的 任 一 種方法將面板71接合到側(cè)壁7 3 。
在本實(shí)施例中，在激光照射期間，利用非接觸溫度計(jì)測(cè)量 熔化部的溫度，確認(rèn)密封構(gòu)件的溫度取決于位置而不同。
隨后，對(duì)圖像形成設(shè)備74的內(nèi)部進(jìn)行真空化處理以提供密封。
使用用于基于全國(guó)電視系統(tǒng)委員會(huì)制式(National Television Standards Committee ) ( NTSC )電視信號(hào)進(jìn)行電
視顯示的驅(qū)動(dòng)電路(未示出)在如上所述制備的圖像形成設(shè)備 74中顯示圖像?？梢粤钊藵M意地顯示該圖像，而不會(huì)發(fā)生由真 空度的降低而可能產(chǎn)生的放電。
雖然已經(jīng)參照典型實(shí)施方式說明了本發(fā)明，但是，應(yīng)該理 解，本發(fā)明不限于所公開的典型實(shí)施方式。所附權(quán)利要求書的 范圍將符合最寬的解釋以包含所有的變型、等同結(jié)構(gòu)及功能。
權(quán)利要求
1. 一種氣密容器的制造方法，所述氣密容器包括第一基板、第二基板和架構(gòu)件，所述方法包括以下步驟用激光束照射布置在所述第一基板和所述架構(gòu)件之間的密封構(gòu)件；基于被所述密封構(gòu)件反射的所述激光束的反射率確定所述密封構(gòu)件的熔化狀態(tài)；以及通過基于所述密封構(gòu)件的所述熔化狀態(tài)的確定結(jié)果控制入射到所述密封構(gòu)件上的所述激光束的每單位面積的激光能量而用所述密封構(gòu)件將所述第一基板接合到所述架構(gòu)件。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于，基于利用所的所述熔化狀態(tài)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于，在利用所述 激光束照射所述密封構(gòu)件的步驟中，在使所述激光束進(jìn)行掃描 的同時(shí)進(jìn)行所述密封構(gòu)件的照射，并且通過改變所述激光束的 掃描速度來控制入射到所述密封構(gòu)件上的所述激光束的能量。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于，通過改變所 述激光束的功率來控制入射到所述密封構(gòu)件上的能量。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其特征在于，所述激光束 的反射率大于等于閾值。
6. —種氣密容器的制造方法，所述氣密容器包括第一基 板、第二基板和架構(gòu)件，所述方法包括以下步驟用第一激光束和第二激光束照射布置在所述第一基板和所 述架構(gòu)件之間的密封構(gòu)件；基于被所述密封構(gòu)件反射的所述第二激光束的反射率確定 所述密封構(gòu)件的熔化狀態(tài)；以及通過基于所述密封構(gòu)件的所述熔化狀態(tài)的確定結(jié)果控制入射到所述密封構(gòu)件上的所述第 一 激光束的每單位面積的激光能 量而將所述第 一 基板接合到所述架構(gòu)件。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，基于利用所構(gòu)件的所述熔化狀態(tài)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，從不同的激光振蕩單元分別射出所述第一激光束和所述第二激光束。
9. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，激光振蕩器 射出與分開機(jī)構(gòu)相交而形成第 一 激光束和第二激光束的激光束。
10. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，在利用所述 激光束照射所述密封構(gòu)件的步驟中，在使所述第一激光束和所 述第二激光束進(jìn)行掃描的同時(shí)進(jìn)行所述密封構(gòu)件的照射，并且 通過改變所述第一激光束的掃描速度來控制入射到所述密封構(gòu) 件上的所述激光束的能量。
11. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，通過改變所 述第一激光束的功率來控制入射到所述密封構(gòu)件上的能量。
12. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述第二激 光束的反射光的強(qiáng)度與所述第一激光束的強(qiáng)度之比大于閾值。
13. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，由衰減器改 變?nèi)肷涞剿雒芊鈽?gòu)件上的所述第一激光束的能量。
14. 一種氣密容器的制造方法，所述氣密容器包括第一基 板、第二基板和架構(gòu)件，所述方法包括以下步驟利用被分成第 一激光束和第二激光束的激光束照射布置在 所述架構(gòu)件與從所述第 一基板和所述第二基板中選擇的 一 個(gè)基 板之間的密封構(gòu)件；利用所述第 一 激光束熔化所述密封構(gòu)件；基于被所述密封構(gòu)件反射的所述第二激光束的反射光確定 所述密封構(gòu)件的熔化狀態(tài)；以及射到所述密封構(gòu)件上的所述第 一 激光束的每單位面積的激光能 量而將所選擇的基板接合到所述架構(gòu)件。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，基于利用所述第二激光束照射的接合部處的反射率的變化來確定所述密 封構(gòu)件的所述熔化狀態(tài)。
16. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，通過改變 所述第一激光束的功率來控制入射到所述密封構(gòu)件上的能量。
17. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述第二 激光束的反射光的強(qiáng)度與所述第 一激光束的強(qiáng)度之比大于閾值。
全文摘要
一種氣密容器的制造方法。從激光振蕩單元射出的激光束透過第一基板并且照射密封構(gòu)件。根據(jù)吸收率加熱利用激光束照射的密封構(gòu)件，從而密封構(gòu)件軟化和熔化。由密封構(gòu)件反射激光束，并且反射光到達(dá)檢測(cè)器單元。計(jì)算單元基于來自檢測(cè)器單元的信息將如激光功率的修正值等信息傳遞到激光控制單元，使得密封構(gòu)件的表面的熔化狀態(tài)保持恒定。這樣，可以將密封構(gòu)件的熔化狀態(tài)保持在適當(dāng)狀態(tài)。
文檔編號(hào)C03B23/203GK101434453SQ20081017529
公開日2009年5月20日 申請(qǐng)日期2008年11月13日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月13日
發(fā)明者倉知孝介, 伊藤靖浩, 多川昌宏, 大橋康雄, 木村明弘 申請(qǐng)人:佳能株式會(huì)社