專利名稱：：具有高氧化鋯含量的熔鑄耐火磚的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種具有高氧化鋯含量的新型熔鑄耐火磚。
背景技術(shù)：
：熟知地，通過在電弧爐中使適當(dāng)起始材料的混合物熔融來(lái)獲得通常被稱為電熔(electrofUsed)的熔鑄磚。接著，將熔融液體澆鑄到才莫具中，隨后使該熔融液體凝固以形成磚。US-5028572描述了一種方法，該方法使用電漿炬來(lái)沖更射及熔融起始材料的微粒混合物，以在模具的表面上形成熔融液體的層。在投射之后少于IO分鐘內(nèi)、較佳少于5分鐘內(nèi)、更佳少于2分鐘內(nèi)所述液體完全凝固。隨后使磚冷卻至環(huán)境溫度。如在US-A-5028572中所述，當(dāng)磚暴露于空氣或經(jīng)受循環(huán)冷卻流體的作用時(shí)，冷卻可為快速的。然而，快速冷卻會(huì)致使制造出的磚中出現(xiàn)裂紋。通常，取代在US-A-5028572中所描述的快速冷卻，使未模制磚經(jīng)受通過退火的緩慢冷卻。該緩慢冷卻可有利地限制裂紋的出現(xiàn)。熔鑄磚包括具有高氧化鋯含量(亦即包括重量含量為85%以上的氧化鋯(Zr02))的電熔磚；熔鑄磚因其極好的耐腐蝕性以及不對(duì)玻璃染色及不產(chǎn)生缺陷而眾所周知。由Soci&6Europ6ennedesProduitsRifractaires制造并出售、且受到歐洲專利EP-B-0403387保護(hù)的ER-1195磚當(dāng)前廣泛用于玻璃熔化爐中。該ER-1195磚的化學(xué)組成包括約94%的氧化鋯、4%至5%的二氧化硅、約1%的氧化鋁、0.3%的氧化鈉及重量含量少于0.05%的P20s。該ER-1195磚為典型的用于玻璃熔化爐的具有高氧化鋯含量的磚。在使用中，與熔融玻璃接觸的磚的表面經(jīng)受腐蝕。然而，腐蝕所導(dǎo)致的厚度逐漸減小并非是均一的，且已展示出腐蝕引起程度極為不同的局部厚度減小。一旦局部變薄變得太大，磚的使用壽命結(jié)束。因?yàn)椴恢滥男﹨^(qū)域具有降低的耐腐蝕性，所以不可能精確地預(yù)測(cè)磚的使用壽命(亦即，磚仍然可以4吏用的期限)。實(shí)際上，不知道哪些區(qū)域具有降低的耐腐蝕性。因此，當(dāng)估算磚的使用壽命時(shí)，必須采取審慎的態(tài)度。另外，腐蝕的非均一性導(dǎo)致磚的使用壽命減少。因此，存在對(duì)適合于與熔融玻璃接觸、且具有比當(dāng)前磚更長(zhǎng)且更可預(yù)測(cè)的使用壽命的大型耐火磚的需要。當(dāng)玻璃為高度腐蝕性玻璃、特別為用于電漿屏幕的玻璃時(shí)，此需要更為強(qiáng)烈。本發(fā)明的目標(biāo)為滿足此需要。
發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本發(fā)明，所述目標(biāo)借助于經(jīng)熔化、澆鑄及退火的耐火磚來(lái)實(shí)現(xiàn)，其中所述耐火磚包括以氧化物之重量百分比計(jì)，為85%(平均值)以上、較佳為90%以上、更佳為93。/。以上的氧化鋯(Zr02+Hf20)及至少為1%的二氧化硅(Si02)，其中均質(zhì)性使得局部氧化鋯含量"z"的標(biāo)準(zhǔn)差cj除以磚的體積V小于7.5、較佳小于7、更佳小于6、更佳小于4。有利地，從下面的描述中可以看出，本發(fā)明的磚因?yàn)榫哂懈哐趸喓壳液卸趸瑁芤员痊F(xiàn)有技術(shù)的磚更均一的方式被腐蝕。本發(fā)明的磚的使用壽命因此可更長(zhǎng)且可更準(zhǔn)確地加以預(yù)測(cè)?？赏ㄟ^獲得隨機(jī)地選擇出的或在分布于磚中的若干位置處(較佳以大體上規(guī)則的方式)選^^出的"n"個(gè)樣本，來(lái)以下列方式確定標(biāo)準(zhǔn)差"cj":其中Zi表示在磚的樣本"i"中，以重量百分比計(jì)的氧化鋯含量；且表示通過計(jì)算值Zi的算術(shù)平均值所獲得的磚中的以重量百分比計(jì)的平均氧化鋯含量，亦即、"'=1乂。較佳，n大于3，較佳大于5，更佳大于IO。樣本位置可以以隨機(jī)方式確定或可以確定后分布于磚中。較佳地，可沿高度在磚中的不同層級(jí)處從磚的中心提取一個(gè)或多個(gè)樣本，該不同層級(jí)間隔開一恒定距離，例如10cm(厘米)。佳地包括以下可選特^E中的多個(gè).耐火磚的高度大于1m,較佳大于1.1m;.橫穿界定該耐火磚的高度的方向而測(cè)量出的耐火磚的截面大于0.02m2(平方米)。在一實(shí)施例中，橫向橫截面具有大于0.15m的長(zhǎng)度和/或?qū)挾龋?磚的重量大于50kg(千克)、較佳大于250kg、或甚至大于1000kg;.磚在形狀上為圓筒形，視具體情況，可具有圓形的基部。因此磚的側(cè)表面由方向相同且與給定曲線相切的所有直線的集合構(gòu)成；*磚包括1%或更多、較佳3%或更多，和/或10%或更少、較佳8%或更少的數(shù)量的二氧化硅Si02;*磚包括0.1%或更多、較佳0.5%或更多，和/或2.5%或更少、較佳1.5%或更少、更佳1%或更少、或甚至0.85。/?；蚋俚臄?shù)量的氧化鋁A1203;.雜質(zhì)占0.5%以下、較佳0.1%以下；.磚中大于85%的氧化4告為單斜晶；.在磚的中心中，大于50%或甚至大于70%(以數(shù)目計(jì))的氧化鋯晶粒在大小上大于200pm(微米)。耐火磚可具有在橫穿界定高度的方向所測(cè)量出的任何截面。此截面可例如小于0.25m2，或甚至小于0.16m2。在一實(shí)施例中，截面具有小于0.5m,或甚至小于0.40m的長(zhǎng)度和/或?qū)挾?。在除以上提及的品質(zhì)之外還需要盡可能最高的電阻率的一個(gè)實(shí)施例中，磚還可具有以下4交佳特4正中的一個(gè)或多個(gè).磚包括從由V205、Cr03、Nb205、Mo03、Ta205、W03及其混合物形成的6組中選擇出的摻雜物；0.2%《P,其中P=2.43V205+4.42Cr03+1.66Nb205+3.07MoO3+Ta2O5+1.91W03;*數(shù)量P為0.5%或更多、較佳0.6%或更多、較佳1.2%或更多，和/或3%或更少、較佳2.5%或更少、更佳1.4%或更少；'摻雜物選自V2Os、Nb205、Ta205、W03及其混合物，較佳選自Nb2Os、Ta205及其混合物；*氧化鉭Ta205的數(shù)量為0.2%或更多、較佳0.8%或更多，和/或3%或更少、較佳1.5%或更少、更佳0.9%或更少；*氧化鈮Nb205的數(shù)量為0.2%或更多、較佳0.4%或更多，和/或3%或更少、較佳1.5%或更少；*磚包括1%或更少、較佳0.5%或更少、更佳0.1%或更少、更佳0.05%或更少的數(shù)量的氧化鈉Na20和/或氧化鉀K20;*三氧化二硼8203的數(shù)量為1.5%或更少、較佳小于0.8%。然而，較佳8203的數(shù)量大于0.05%、較佳大于0.1%,或甚至大于0.2%，當(dāng)Si02<3%時(shí)尤其如此；'除氧化鋯Zr02、二氧化硅Si02及氧化鋁A1203之外，耐火磚還包括氧化釔Y203、氧化鉭Ta205或氧化鈮Nb205。在除引言中所提及的品質(zhì)之外還需要改良的抗起泡性(尤其在低于1150°C的溫度下)的一個(gè)實(shí)施例中，磚還具有以下較佳特征中的一個(gè)或多個(gè).磚包括從由y203、CaO及其混合物所形成的組中選擇出的摻雜物；.氧化釔Y203的數(shù)量為0.3%或更多、較佳0.5%或更多，和/或3%或更少、較佳1.5%或更少；氧化4丐CaO的凄史量為0.2%或更多，和/或2.3%或更少。本發(fā)明還提供特別地在預(yù)期與熔融玻璃接觸的區(qū)域中(例如在熔化室中)，且尤其在與用來(lái)制造LCD或電漿屏幕的玻璃接觸的區(qū)域中，包括根據(jù)本發(fā)明的耐火磚的玻璃熔化爐。本發(fā)明還提供制造根據(jù)本發(fā)明的磚的方法，該方法包含下列連續(xù)步驟a)混合起始材術(shù)+以形成始泮牛(startingcharge);b)借助于感應(yīng)爐完全地熔融該始料，直至獲得熔融液體；c)凝固體積為V的該熔融液體，以構(gòu)成較佳具有大于1m的高度的磚；d)退火至環(huán)境溫度。在步驟a)中，以熟知的方式構(gòu)成始料，以便使得在步驟d)結(jié)束時(shí)獲得的耐火磚能夠具有根據(jù)本發(fā)明的磚的化學(xué)組成。本發(fā)明還提供通過根據(jù)本發(fā)明的方法所獲得的磚。除非另有提及，否則在本說明書給出的所有百分比均為以氧化物的重量百分比計(jì)。所提及的氧化鋯Zr02百分比按照慣例涵蓋所存在的二氧化鉿，且因此該百分比對(duì)應(yīng)于Zr02+Hf02。磚的"高度"表示其最大尺寸。"磚"表示在橫平面(亦即垂直于磚的高度)中具有至少一個(gè)大于10cm的尺寸的塊狀物。"熔化、澆鑄及退火的磚"表示通過冷卻熟知被稱為"熔磚"的熔融液體而制造出的磚，熔融液體在向熔融液體提供磚的形狀的壁之間凝固，凝固的磚隨后經(jīng)受退火步驟。術(shù)語(yǔ)"退火"表示使剛形成的磚在較慢速率下冷卻至通常環(huán)境溫度的步驟。對(duì)于用于根據(jù)本發(fā)明的磚中的類型的陶瓷組合物，退火期通常大于若干小時(shí)，或甚至大于數(shù)日。特別地，此情況視磚的尺寸而定。為完成退火，已知以例如氧化鋁八1203或沙的絕緣材料來(lái)覆蓋磚。本發(fā)明的磚中的氧化鋯晶粒的大小為使用光學(xué)顯微鏡對(duì)磚的樣本的拋光截面所測(cè)量出的最大尺寸。從以下實(shí)施方式且從對(duì)附圖的研究中可以看出本發(fā)明的其它特征及優(yōu)點(diǎn)，在附圖中圖1、2及3分別為石爭(zhēng)1、3及3'的中心的截面的照片。每一圖中的比例尺表示200pm的長(zhǎng)度。具體實(shí)施例方式包括以上描述的步驟a)至d)的方法詳細(xì)描述如下。在步驟a)中，確定始料以使得在步驟d)結(jié)束時(shí)所獲得的耐火磚具有以氧化物的重量百分比計(jì)大于85%、較佳大于90%、更佳大于93%的氧化鋯。這樣的氧化鋯含量保證了優(yōu)良的耐腐蝕性。本發(fā)明的磚中存在的二氧化鉿Hf02為天然地存在于氧化鋯源中的二氧化鉿。因此其在本發(fā)明的磚中的數(shù)量為5%或更少、通常2%或更少。必須存在二氧化硅以形成晶粒間?；?vitreousphase),晶粒間?；嗫捎行У剡m應(yīng)氧化鋯在其可逆同素異形轉(zhuǎn)變期間(亦即在從單斜晶相變遷至正方晶相期間)的體積變化。較佳地，磚中的二氧化硅含量大于1.5%、2.0%或更多、2.5%或更多，或甚至3.0%或更多。有利地，這樣的二氧化硅含量可避免在制造磚時(shí)以及在使用磚期間形成裂紋。與此相對(duì)，添加的二氧化硅不可超過10%,因?yàn)槌^10Q/。將減少氧化鋯含量，且由此減少耐腐蝕性。氧化鋁的存在是形成穩(wěn)定?；嗨匦璧?。過多的氧化鋁的量導(dǎo)致玻化相不穩(wěn)定(晶體形成)。當(dāng)意欲將磚用于需要高電阻率的應(yīng)用時(shí)，氧化鈉Na20和/或氧化鉀K20的量較佳為1%或更少、較佳0.5%或更少。因而較佳地，本發(fā)明的磚僅包括痕量的Na20lK20。實(shí)際上，由于?；嗟碾娮栎^低，所以這樣的氧化物的存在對(duì)于電阻率具有有害效應(yīng)。在這樣的應(yīng)用中，本發(fā)明的磚包括從由V205、Cr03、Nb205、Mo03、Ta205、W03及其混合物形成的組中選擇出的摻雜物，較佳包括從V20s、Nb205、Ta2Os、W03及其混合物選擇出的摻雜物，更佳包括從揚(yáng)205、丁3205及其混合物選擇出的摻雜物。較佳地，0.2%<P，較佳0.5%《P,更佳0.6%《P,更佳1.2%《P和/或P《3%,較佳P《2.50/。，且更佳P《1.40/。，其中P=2.43V205+4.42Cr03+1.66Nb205+3.07MoO3+Ta2O5+1.91W03特別地，較佳氧化鉭Ta205的數(shù)量為0.2%或更多、較佳0.8%或更多，和/或3%或更少、較佳1.5%或更少，且氧化鈮她205的數(shù)量為0.2%或更多、較佳0.4%或更多，和/或3%或更少、較佳1.5%或更少。以滿足這樣的較佳條件的比例來(lái)添加這樣的摻雜物產(chǎn)生顯著的電阻率，同時(shí)保持良好的耐熔融玻璃腐蝕性。本發(fā)明的耐火制品因此可在100Hz(赫茲)的頻率下在150(TC下具有200Q.cm(歐姆.厘米)或更多或甚至400Q.cm或更多的電阻率。當(dāng)意欲將磚用于其中需要良好起泡抗性的應(yīng)用中時(shí)，將選自Y203及CaO的摻雜物添加至始料為有利的。氧化釔Y203的數(shù)量較佳為0.3%或更多、較佳0.5%或更多，和/或3%或更少、較佳小于1.5%。氧化4丐CaO的凄t量較佳為0.2%或更多，和/或2.3%或更少。在所有實(shí)施例中，較佳有系統(tǒng)地且有方法地，以保證組份(尤其是一種或多種摻雜物)在磚中的量的方式，將這樣的組份添加至始料中。本發(fā)明的磚的組成中的氧化鋯、二氧化硅、氧化鋁及摻雜物的總量的100%補(bǔ)足部分由"其它物質(zhì)"構(gòu)成。術(shù)語(yǔ)"其它物質(zhì)"意謂著磚中存在并非特別需要的物質(zhì)。"其它物質(zhì)"較佳僅為從起始材料衍生出的雜質(zhì)。較佳地，通過選擇起始材料以使得熔磚中的"其它物質(zhì)"的總量小于0.6%、較佳小于0.2%。在這樣的量下，假設(shè)"其它物質(zhì)"并不實(shí)質(zhì)改變所獲得的結(jié)果。可提及以下物質(zhì)鐵、鈦及磷的氧化物，已知這些物質(zhì)的削弱效能。必須將這些物質(zhì)在數(shù)量方面限制為以伴隨起始材料的雜質(zhì)形式而引入的痕量。較佳.Fe203+Ti02的數(shù)量小于0.55%;《205的數(shù)量小于0.05%。在步驟b)中，使用感應(yīng)爐、較佳在空氣中執(zhí)行熔融。該熔爐避免了如發(fā)生在電弧爐中的從電極衍生出的碳的污染。該熔爐還可10實(shí)現(xiàn)始料的完全熔融且因此產(chǎn)生高度均質(zhì)熔融液體。感應(yīng)爐還可在連續(xù)模式中以大體固定就位且與熔體區(qū)中的熔融液體永久接觸的凝固界面來(lái)執(zhí)行連續(xù)熔融及凝固。因此無(wú)需昂貴的模制操作即可制造磚。最主要地，磚可緩慢地構(gòu)成，且磚的每一點(diǎn)的硬化在大體上相同溫度及溫度梯度的條件下執(zhí)行。因此，感應(yīng)爐允許制造具有特別均質(zhì)的微結(jié)構(gòu)的較大磚。較佳地，使用在法國(guó)專利FR-A-1430962(其以引入的方式并入本文中)中描述的類型的熔爐，該熔爐在100kW(千瓦)至1000kW范圍中的功率、及由非周期產(chǎn)生器輸出的處于50kHz(千赫)至250kHz范圍中的頻率下運(yùn)作。因此熔融液體達(dá)到大于260(TC的溫度。推進(jìn)來(lái)進(jìn)行凝固是至關(guān)重要的。如FR-A-1430962中所述的較佳固定就位的凝固界面可至少部分地定位于熔爐的熔化區(qū)中。此外較佳地，熔化及凝固為連續(xù)的。在形成磚期間(當(dāng)存在液體區(qū)域的時(shí)候)，凝固界面下游的冷卻，亦即硬化區(qū)域的冷卻可被控制以使得冷卻盡可能緩慢。因此磚的制造裝置可包括用于確保在形成磚的期間硬化區(qū)域中的冷卻速率(例如)小于100。C/h(攝氏度/小時(shí))，或甚至小于50°C/h的構(gòu)件。這樣的構(gòu)件可包括隔熱和/或加熱構(gòu)件。磚可具有任何面積的橫向橫截面，且尤其具有大于0.04m"的橫截面。在一個(gè)實(shí)施例中，橫向橫截面具有大于0.20m的長(zhǎng)度和/或?qū)挾?。橫向橫截面的面積還可小于0.16m2。在一個(gè)實(shí)施例中，截面具有小于0.40m的長(zhǎng)度和/或?qū)挾取］^佳地，耐火磚的高度超過lm,較佳大于l.lm。完全凝固之后，磚經(jīng)受使溫度逐漸達(dá)到環(huán)境溫度的補(bǔ)充退火步驟d),冷卻速率保持小于2(TC/小時(shí)、或小于15匸/小時(shí)、較佳約l(TC/小時(shí)。較佳地，通過以氧化鋁的粉末或沙覆蓋磚來(lái)執(zhí)行退火。的凝固界面的推進(jìn)來(lái)進(jìn)行凝固的感應(yīng)爐，產(chǎn)生與熔融玻璃接觸的、表面以均一的方式磨損的磚，由此顯著地改良磚的使用壽命及該使用壽命的可預(yù)測(cè)性。示例不希望受理論約束，本發(fā)明人認(rèn)為本發(fā)明的磚的效能由磚內(nèi)的氧化鋯的特別規(guī)則的分布引起，這點(diǎn)可在以下示例中領(lǐng)會(huì)。在這樣的示例中，使用以下起始材料.以平均重量計(jì)，主要地含有98.5%的Zr02+Hf02、0.2%的Si02及0.02%的Na20的氧化4告；.含有99%二氧化硅的硅砂；*由Pechiney出售且含有平均99.4%的氧化鋁A1203的AC44類型氧化鋁；*碳酸鈉Na2C03;*具有大于99%的純度的氧化硼、氧化釔、氧化鉭Ta20s及氧化鈮Nb205。使用熟知的電弧爐熔化方法，然后進(jìn)行澆鑄以便獲得具有規(guī)格260x440x1200mm(毫米)的磚來(lái)制備磚1。所使用的長(zhǎng)弧熔化方法為在法國(guó)專利FR-A-1208577及其增補(bǔ)號(hào)75893及82310的專利(其以引入的方式并入本文中)中所描述的那種方法。使用根據(jù)本發(fā)明的方法，使用如上所述且類似于在FR-A-1430962中所描述的感應(yīng)熔化爐來(lái)制備4"2至8,該感應(yīng)熔化爐具有適合于^^的所需規(guī)j各的可變直徑線圈、100kW至1000kW范圍中的功率，且處于由非周期產(chǎn)生器輸出的在50kHz至250kHz范圍中的頻率下。對(duì)于示例5至8，線圈具有275mm的直徑。對(duì)于每一磚2至4，在包括磚的上表面及(視情況)下表面的不同高度下，每隔100mm從磚的中心獲取具有30mm的直徑及40mm的長(zhǎng)度的圓筒形樣本。由化學(xué)分析來(lái)測(cè)量所有微量物質(zhì)。氧化鋯Zr02+Hf02的百分比構(gòu)成補(bǔ)足微量物質(zhì)的總和至100%的部分?；瘜W(xué)分析以重量百分比形式給出。均一度指數(shù)"Ih"等于氧化鋯的百分比的標(biāo)準(zhǔn)差"a"除以磚的以mxmxm為單位的體積"V":Ih=cj/V，其中12.Zi表示在磚的樣本"i"中的以重量百分比計(jì)的氧化鋯含量；"表示通過計(jì)算值Zi的算術(shù)平均值所獲得的磚中的以重量百分比計(jì)的平均氧化鋯含量；Ti表示成所考慮高度H的函數(shù)，為從磚獲取的樣本數(shù)目(n=H/0.1+l);及V表示以m3為單位的磚的體積。通過鋸割具有500mmx400mm的截面的磚來(lái)獲得磚3。磚的尺寸及分析結(jié)果在以下表1及2中給出。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>*并非根據(jù)本發(fā)明。可見本發(fā)明的磚具有小于7的指數(shù)Ih，且對(duì)于具有小于0.15m"的橫向橫截面的磚甚至具有小于6的指數(shù)Ih。氧化鋯的此均一分布可解釋本發(fā)明的磚當(dāng)該磚經(jīng)受高度腐蝕性條件時(shí)的大體上均一的磨損，及因此該磚卓越的使用壽命。這樣的磚完全適合于與諸如用于平面LCD類型屏幕或用于電漿屏幕玻璃的極高質(zhì)量玻璃接觸。通過本發(fā)明，可能制造具有較大截面及高氧化4告含量的磚。這樣的磚在其高度上、在化學(xué)組成上、進(jìn)而在其所有性質(zhì)上(特別是電阻率及膨脹率方面)高度均質(zhì)。此情況意謂著可切割這樣的較大磚的截面，由此來(lái)提高生產(chǎn)率。因?yàn)橹笖?shù)Ih在所有高度處均為令人滿意的，所以還可能設(shè)想縱向切割這樣的較大磚(縮短磚的高度)。對(duì)于各種磚5至8,具有30mm的直徑及30mm的高度的圓筒形產(chǎn)品棒條，在150(TC下、在100Hz的頻率下，經(jīng)受1V(伏特)的電位差以執(zhí)行電阻率測(cè)量R。在表3中，空白區(qū)對(duì)應(yīng)于重量含量為0.05%或更少。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table>表3展示出添加某些摻雜物可產(chǎn)生高電阻率。因此本發(fā)明允許制造具有較好地分布在磚內(nèi)的高氧化鋯含量以及卓越的電阻率的較大磚。另夕卜，類似于磚3來(lái)制造具有與磚3相同的組成及相同的尺寸的磚3',但不使磚3'經(jīng)受退火步驟。如在US-A-5028572中所述，使磚3'在敞通空氣中冷卻。在冷卻之后，與經(jīng)受退火的磚3形成對(duì)比，磚3'具有致使其不能使用的穿透裂紋。另外，如圖1、2及3中所示，磚l、3及3'的微結(jié)構(gòu)展現(xiàn)出由玻化面圍繞的氧化鋯晶粒。然而，示例3'的氧化鋯晶粒遠(yuǎn)小于示例l及3的那樣的晶粒。較佳地，在本發(fā)明的磚的中心中，大于50%(以數(shù)目計(jì))或甚至大于70%(以數(shù)目計(jì))的氧化鋯晶粒在大小上大于200(im。明顯地，本發(fā)明不限于經(jīng)由非限制性說明所描述及展示的實(shí)施例。權(quán)利要求1.一種經(jīng)熔化、澆鑄及退火的耐火磚，所述耐火磚包括以氧化物的重量百分比計(jì)，大于85％的平均氧化鋯(ZrO2+HfO2)含量及1％或更多的二氧化硅SiO2含量，其中，局部氧化鋯含量的標(biāo)準(zhǔn)差σ除以所述磚的體積為小于7.5，所述標(biāo)準(zhǔn)差σ通過獲得隨機(jī)地選擇出的或在分布于所述磚中的位置處選擇出的″n″個(gè)樣本來(lái)估算如下<mathsid="math0001"num="0001"><math><![CDATA[<mrow><mi>&sigma;</mi><mo>=</mo><msqrt><mfrac><mn>1</mn><mi>n</mi></mfrac><munderover><mi>&Sigma;</mi><mrow><mi>i</mi><mo>=</mo><mn>1</mn></mrow><mi>n</mi></munderover><msup><mrow><mo>(</mo><msub><mi>z</mi><mi>i</mi></msub><mo>-</mo><mover><mi>z</mi><mo>&OverBar;</mo></mover><mo>)</mo></mrow><mn>2</mn></msup></msqrt><mo>;</mo></mrow>]]></math></maths>其中；·zi表示在所述磚的樣本″i″中，以重量百分比計(jì)的所述氧化鋯含量；且·z表示通過計(jì)算值z(mì)i的算術(shù)平均值所獲得的所述磚中的以重量百分比計(jì)的所述平均氧化鋯含量。2.如前一權(quán)利要求所述的磚，其中，所述局部氧化鋯含量的標(biāo)準(zhǔn)差cj除以所述磚的體積為小于6。3.如前一權(quán)利要求所述的磚，其中，所述局部氧化鋯含量的標(biāo)準(zhǔn)差o除以所述磚的體積為小于4。4.如前述任一權(quán)利要求所述的磚，具有大于1m的高度。5.如前述任一權(quán)利要求所述的磚，具有在橫穿界定該高度的方向測(cè)量出的大于0.02m2和/或小于0.251112的截面。6.如前述任一權(quán)利要求所述的磚，其中，以氧化物的重量百分比計(jì)ZrO2>90%;和/或SiO2《10%;和/或A1203>0.1%;和/或A1203<2.5%。7.如前一權(quán)利要求所述的磚，其中，以氧化物的重量百分比計(jì)Zr02>93%;和/或Si02>3%;和/或Si02《8%;和/或A1203>0.5%和/或A1203<1.5%。8.如前述任一權(quán)利要求所述的磚，包括從由V205、Cr03、Nb205、Mo03、Ta205、W03及其混合物形成的組中選擇出的摻雜物，所述摻雜物含量為使得以氧化物的重量百分比計(jì)0.2%<2.43V2O5+4.42CrO3+1.66Nb2O5+3.07MoO3+Ta2O5+1.91WO3。9.如前一一又利要求所述的磚，其中0.5%《2.43V2O5+4.42CrO3+1.66Nb2O5+3.07MoO3+Ta2O5+1.91WO3;和/或2.43V2O5+4.42CrO3+1.66Nb2O5+3.07MoO3+Ta2O5+1.91WO3《3%。10.如前兩個(gè)4又利要求中的任一項(xiàng)所述的石爭(zhēng)，其中Ta2O5>0.2%;和/或丁&205《3%;和/或Nb205>0.2%;和/或Nb205<3%。11.如前述任一權(quán)利要求所述的磚，其中，以氧化物的重量百分比計(jì)Y2O3>0.3%;和/或丫203<3%;和/或Na20+K2CK1%;和/或B2O3>0.05%;和/或B203《1.5%。12.如前一權(quán)利要求所述的磚，其中Y2O3>0.5%;和/或Y203《1.5%;和/或Na20+K2CK0.5%;和/或B2O3>0.1%;和/或B203《0.8%;和/或Ta2O5>0.8%;和/或Ta205《1.5%;和/或Nb205>0.4%;和/或Nb205《1.5%。13.如前述任一權(quán)利要求所述的磚，其中，大于85%的所述氧化鋯為單斜晶。14.如前述任一權(quán)利要求所述的磚，其中，在所述磚的中心中，以數(shù)目計(jì)，大于50%的氧化鋯晶粒的尺寸為大于200pm。15.—種如前述任一權(quán)利要求所述的磚在玻璃熔爐的區(qū)域中的用途，其中，所述磚易與熔融玻璃"t妄觸。全文摘要本發(fā)明提供一種熔鑄耐火磚，所述熔鑄耐火磚包括以氧化物的重量百分比計(jì)大于85％的平均氧化鋯(ZrO₂+HfO₂)含量，且局部氧化鋯含量的標(biāo)準(zhǔn)差σ除以該磚的體積為小于7.5。文檔編號(hào)C04B35/484GK101652337SQ200880005881公開日2010年2月17日申請(qǐng)日期2008年2月22日優(yōu)先權(quán)日2007年2月23日發(fā)明者伊維斯·布珊特·洛克斯,艾倫·查諾里,艾杜德·史克沃申請(qǐng)人:法商圣高拜歐洲實(shí)驗(yàn)及研究中心