專利名稱：：一種光纖預(yù)制棒及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種光纖預(yù)制棒及其光纖的制造方法以及用該預(yù)制棒制造光纖的方法，具體涉及抗彎曲低水峰單模光纖預(yù)制棒及其光纖的制造方法，屬于光通信
技術(shù)領(lǐng)域：
。
背景技術(shù)：
：在光纖制造中由于羥基(OH)在B60nm1460nm范圍內(nèi)所造成的吸收峰(俗稱"水峰")的存在，限制了該窗口的使用，因此為了使光纖在全波段范圍內(nèi)，包括在擴(kuò)展波段1360nm1460nm范圍內(nèi)使用，就必須消除該波段的水峰影響。這樣的光纖可以提供寬達(dá)400nm的可用波段，按ITU-TG652.C/D規(guī)范，其在1383±3nm范圍內(nèi)衰耗小于1310nm的規(guī)定值，一般稱為"低水峰光纖"或"無(wú)水峰光纖"。這種低水峰光纖尤其適合城域網(wǎng)的建設(shè)，O波段(1260nm1360nm)可以用于WDM模擬視頻；在E波段(1360nm1460nm)能實(shí)現(xiàn)高比特率(10Gb/s)速率多波段數(shù)據(jù)傳輸；在S、C、L波段(1460nm1625nm)開(kāi)通2.5Gb/s密集波分復(fù)用(DWDM)傳輸。采用這種光纖的系統(tǒng)可以有很多好處(1)可復(fù)用的波長(zhǎng)數(shù)大大增加；(2)可以分配不同的業(yè)務(wù)給最適合這種業(yè)務(wù)的波長(zhǎng)傳輸，改進(jìn)網(wǎng)絡(luò)管理；(3)可以使用粗波分復(fù)用和更低成本的元器件，降低整個(gè)系統(tǒng)的成本。近年來(lái)光纖接入(FTTx)開(kāi)始成為光纖網(wǎng)絡(luò)建設(shè)的熱點(diǎn)，人們對(duì)各種可能用于FTTx領(lǐng)域的光纖進(jìn)行了深入的研究。各種光纖從不同角度出發(fā)，以適應(yīng)FTTx的特殊工作環(huán)境，并在某些方面具有自己的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)如塑料光纖具有極佳的柔軟性，在室內(nèi)布線方面具有優(yōu)勢(shì)；激光優(yōu)化多模光纖具有很高的帶寬和傳輸速率，適合小區(qū)和樓宇等短距離系統(tǒng)；彎曲不敏感光纖適合室內(nèi)狹窄環(huán)境的應(yīng)用，能充分發(fā)揮單模光纖的高帶寬優(yōu)點(diǎn)；高受激布里淵散射(SBS)閾值單模光纖則能提高注入光功率，方便小區(qū)三網(wǎng)合一建設(shè)。由于目前接入網(wǎng)用得較多的是單模光纖，且隨著低水峰單模光纖的廣泛使用，具備彎曲不敏感性能的低水峰光纖逐漸受到重視。常規(guī)的低水峰光纖(符合ITU-TG.652C/D)彎曲半徑一般為30mm,在室內(nèi)及狹窄環(huán)境下的布線受到很大限制，且長(zhǎng)波長(zhǎng)的使用(U波段1625-1725nm)受到一定的限帝ij,因此需要設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)具有抗彎曲性能的光纖，以滿足FTTH網(wǎng)絡(luò)鋪設(shè)和長(zhǎng)波長(zhǎng)的使用要求。2006年12月，ITU-T通過(guò)了新的光纖標(biāo)準(zhǔn)(G657光纖)《接入網(wǎng)使用的彎曲損耗不敏感的單模光纖和光纜的特性》("Characteristicsofabendingloss4insensitivesinglemodeopticalfibreandcablefortheaccessnetwork"),因而開(kāi)發(fā)抗彎曲的低水峰單模光纖對(duì)推動(dòng)光纖接入技術(shù)的發(fā)展具有十分重要的意義。為了減小光纖的彎曲附加損耗，現(xiàn)有技術(shù)中已有多種解決方案，如減小光纖的模場(chǎng)直徑從而減小MAC值(光纖在1550nm處的模場(chǎng)直徑與有效截止波長(zhǎng)之比)。1.Sakabe等人在IWCSProceeding2004年第53期第112-118頁(yè)中發(fā)表的文獻(xiàn)"EnhancedBendingLossInsensitiveFiberandNewCableforCWDMAccessNetworks"中，就建議減小光纖的模場(chǎng)直徑以減小彎曲附加損耗。然而，模場(chǎng)直徑的減少會(huì)犧牲與常規(guī)G.652光纖的接續(xù)性能和降低光纖的入纖功率。當(dāng)前比較有效的方式是通過(guò)在光纖內(nèi)包層外加一個(gè)下陷包層，S.Matsuo等人在JournalofLightwaveTechnology2005年第23巻第11期第3494-3499頁(yè)中發(fā)表的文獻(xiàn)"Low-bending-lossandlow-splice-losssingle-modefibresemployingatrenchindexprofile，，中，就提出這禾中光纖結(jié)構(gòu)以減小彎曲附加損耗。這些文獻(xiàn)中，下陷包層的設(shè)計(jì)都是通過(guò)摻氟來(lái)實(shí)現(xiàn)的。典型的光纖預(yù)制棒制造方法有四種改進(jìn)的化學(xué)氣相沉積法(MCVD)、等離子體化學(xué)氣相沉積法(PCVD)、管外氣相沉積法(OVD)和軸向氣相沉積法(VAD)。其中MCVD和PCVD的方法屬于管內(nèi)法，要制造外下陷包層，受襯管的限制將很難做大尺寸的預(yù)制棒(預(yù)制棒直徑大于100mm);而OVD和VAD工藝，要在沉積芯層和內(nèi)包層過(guò)程中一起制造摻氟包層，不僅工藝控制很難，且燒結(jié)過(guò)程中由于氟的擴(kuò)散將很難對(duì)折射率剖面進(jìn)行有效控制。能用于實(shí)際生產(chǎn)的方法是先沉積具有一定厚度包層的芯棒，經(jīng)脫水燒結(jié)后再在玻璃芯棒上沉積摻氟包層，可采用沉積過(guò)程直接摻氟或在燒結(jié)中摻氟。美國(guó)專利5895515和美國(guó)專利4579571中就分別介紹了這兩種方法，但由于OVD和VAD均屬于火焰(H2/02)水解方法，在玻璃芯棒上沉積時(shí)，將不得不直接暴露在氫/氧焰(H2/02)中，H2/02焰產(chǎn)生的大量羥基(OH)會(huì)向芯層中擴(kuò)散，致使所拉光纖水峰衰減增加，因而需要玻璃芯棒包層足夠厚以阻擋OH向內(nèi)的擴(kuò)散。但一旦包層過(guò)厚，形成的摻氟包層將遠(yuǎn)離芯層又起不到提高所拉光纖彎曲性能的作用。此外，作為接入網(wǎng)用光纖，更多的會(huì)采用機(jī)械連接，需要光纖具有很好的芯/包同心度以保證低的連接損耗。因而需要一種同時(shí)滿足G.652.D和G.657標(biāo)準(zhǔn)的抗彎曲光纖，且該光纖的制造成本與G.652.D的成本應(yīng)相當(dāng)，使其能在光纖接入中得到廣泛應(yīng)用。
發(fā)明內(nèi)容為方便介紹本
發(fā)明內(nèi)容，定義如下術(shù)語(yǔ)光纖預(yù)制棒是由芯層和包層組成的徑向折射率分布符合光纖設(shè)計(jì)要求可直接拉制成所設(shè)計(jì)光纖的玻璃棒或組合體；光纖芯棒含有芯層和部分包層的預(yù)制件；CSA:橫截面積，單位為平方亳米(mm2);小套管符合一定幾何要求的小CSA摻氟石英玻璃管；大套管符合一定幾何要求的大CSA純石英玻璃管；低水峰光纖芯棒匹配純石英外包層后可拉制成水峰(1383士3nm)處衰減不大于0.4dB/km的光纖的芯棒；組合芯棒光纖芯棒和小套管熔縮到一起后所形成的預(yù)制件(如圖2所示1—芯棒芯層；2—芯棒部分包層；3—小套管)a:光纖芯棒芯層直徑，單位為毫米(mm);b:光纖芯棒直徑，單位為毫米(mm);c:組合芯棒直徑，單位為毫米(mm);弓曲度(BOW):對(duì)棒材繞中心軸旋轉(zhuǎn)一周時(shí)，單位長(zhǎng)度內(nèi)棒材中心偏離旋轉(zhuǎn)軸位置的最大值與最小值之和的平均值，單位為毫米/米(mm/m);相對(duì)折射率差△%、ni_nox100%，ni和n。分別為兩種玻璃材料的折射率；2RIC工藝將組合芯棒和大套管經(jīng)過(guò)處理(包括拉錐、延長(zhǎng)、腐蝕、清洗和干燥等)后，將組合芯棒插入大套管中所組成的大尺寸光纖預(yù)制棒的制造工藝；芯/包同心度誤差光纖中芯層的圓心和光纖的圓心之間的距離，單位為微米(Hm);d:光纖預(yù)制棒的有效直徑，對(duì)于實(shí)心預(yù)制棒即為其外徑，對(duì)于RIC預(yù)制棒，=大套管的C&4+組合芯棒的C&4)x4/7T，單位為毫米(mm);摻氟(F)量摻氟(F)石英玻璃相對(duì)于純石英玻璃的相對(duì)折射率差(AF)，以此來(lái)表示摻氟(F)量；組合芯棒與大套管的間隙(Gap):組合芯棒與大套管之間的單側(cè)距離，即Gap呵大套管內(nèi)徑(ID)-組合芯棒外徑(c)]/2;OVD外包沉積工藝用外部氣相沉積和燒結(jié)工藝在芯棒表面制備所需厚度的Si02玻璃；VAD外包沉積工藝用軸向氣相沉積和燒結(jié)工藝在芯棒表面制備所需厚度的Si02玻璃；APVD外包工藝用高頻等離子體焰將天然或合成石英粉熔制于芯棒表面制備所需厚度的Si02玻璃；裸光纖指光纖中不含涂覆層的玻璃絲。本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)存在的不足而提供一種抗彎曲低水峰單模光纖預(yù)制棒及其光纖的制造方法。本發(fā)明進(jìn)一步所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種生產(chǎn)成本較低的大尺寸抗彎曲低水峰單模光纖預(yù)制棒及其光纖的制造方法。本發(fā)明光纖預(yù)制棒的技術(shù)方案為一種光纖預(yù)制棒，包括低水峰光纖芯棒和外包層，其特征在于光纖芯棒的直徑與芯層直徑比值1)/3為2.12.8;光纖芯棒外套摻氟石英玻璃小套管內(nèi)，熔縮到一起得到組合芯棒，所述組合芯棒與光纖芯棒的直徑之差與芯層直徑比值(c-b)/a為0.52.2;所述的摻氟石英玻璃小套管的摻氟量AF為-0.20°/。至-0.35%，羥基含量小于或等于500ppb;組合芯棒外按RIC工藝配置純石英玻璃大套管或在組合芯棒上直接沉積Si02玻璃外包層，光纖預(yù)制棒的有效直徑與組合芯棒的直徑比值d/c為2.0~5.6。本發(fā)明光纖預(yù)制棒制造方法的技術(shù)方案為先制備低水峰光纖芯棒，使得光纖芯棒的直徑與芯層直徑比值b/a為2.12.8;制備摻氟石英玻璃小套管，要求其相對(duì)于純石英玻璃的相對(duì)折射率差，即摻氟量Ap為-0.20%至-0.35%,羥基含量小于或等于500ppb;將一段或多段光纖芯棒插入摻氟石英玻璃小套管內(nèi)，將其熔縮到一起得到組合芯棒，使得組合芯棒與光纖芯棒的直徑之差與芯層直徑比值(c-b)/a為0.52.2;將組合芯棒與純石英玻璃大套管按RIC工藝組裝，或在組合芯棒上直接沉積Si02玻璃外包層，制得光纖預(yù)制棒，使得光纖預(yù)制棒的有效直徑與組合芯棒的直徑比值d/c為2.05.6。按上述方案，所述的低水峰光纖芯棒為低水峰光纖芯棒。按上述方案，所述光纖芯棒芯層直徑a為6mm14mm。按上述方案，所述摻氟石英玻璃小套管可由OVD或VAD方法制成，羥基含量進(jìn)一步的要求為小于或等于50ppb。按上述方案，所述光纖芯棒插入摻氟石英玻璃小套管內(nèi)的配合間隙為0.5-1.5mm;在熔縮組合芯棒的過(guò)程中，使得芯棒和摻氟小套管熔縮到一起后所形成的組合芯棒的弓曲度小于或等于2mm/m。按上述方案，所述的RIC工藝中純石英玻璃管大套管壁厚大于或等于30mm,為了確保最終光纖的芯/包同心度，將組合芯棒固定在大套管的中心，保持同心，控制組合芯棒和大套管內(nèi)孔之間的間隙小于或等于2mm,進(jìn)一步的要求小于或等于1.5mm。按上述方案，所述的直接沉積SiCb玻璃外包層的方法為OVD或VAD或APVD方法，7對(duì)于VAD或OVD方法，組合芯棒與芯層直徑的比值c/a大于或等于4.2;對(duì)于APVD方法，組合芯棒與芯層直徑的比值c/a大于或等于3.5。按上述方案，所述的光纖預(yù)制棒在拉伸前的直徑為100mm200mm。本發(fā)明光纖制造方法的技術(shù)方案為對(duì)于用RIC工藝制備的光纖預(yù)制棒，用大拉絲爐直接將其拉絲成纖，拉絲過(guò)程中，對(duì)組合芯棒和大套管之間抽真空，其內(nèi)壓力為1,000pa10，000pa;或者在拉伸塔上將純石英玻璃大套管和組合芯棒熔縮拉伸成小尺寸預(yù)制棒；熔縮拉伸過(guò)程中，對(duì)組合芯棒和大套管之間抽真空，其內(nèi)壓力為1，000pa10,000pa;再將小尺寸預(yù)制棒拉絲成纖。本發(fā)明的有益效果在于1、通過(guò)設(shè)置摻氟石英玻璃小套管，并控制其摻氟量獲得下陷包層，可制備出抗彎曲低水峰單模光纖；2、本發(fā)明可用于制備同時(shí)滿足ITU-TG652.D和G.657的光纖，所制備的光纖在1310nm處的模場(chǎng)直徑為8.4-9.4微米，在1310nm處哀耗小于或等于0.344dB/km，1383nm處的衰耗小于或等于0.344dB/km,1550nm處的衰耗小于或等于0.214dB/km，1625nm處的衰耗小于或等于0.224dB/km，光纖的芯/包同心度誤差小于或等于0.54微米；在1625nm處，彎曲半徑為10mm時(shí)的彎曲附加哀耗不大于0.2dB/圈，彎曲半徑為7.5mm時(shí)的彎曲附加衰耗不大于1.0dB/圈；3、本發(fā)明能夠制備大尺寸光纖預(yù)制棒，單根預(yù)制棒的拉絲長(zhǎng)度可達(dá)上千公里，從而提高了生產(chǎn)效率，以較低成本生產(chǎn)抗彎曲低水峰單模光纖，在光纖大規(guī)模生產(chǎn)時(shí)效果尤其顯著。此外，用本發(fā)明提供的方法不局限于制備G.652和G.657光纖，任何一種具有外下陷環(huán)結(jié)構(gòu)的光纖都可以用這種方法來(lái)實(shí)現(xiàn)，如G.655光纖。圖1是本發(fā)明制造光纖預(yù)制棒和光纖的工藝流程圖。圖2是本發(fā)明組合芯棒截面示意圖。圖3是本發(fā)明預(yù)制棒或裸光纖截面示意圖。圖4是本發(fā)明組裝好的RIC工藝預(yù)制棒示意圖。圖5是本發(fā)明芯棒折射率剖面結(jié)構(gòu)示意圖。圖6是本發(fā)明RIC工藝內(nèi)壓力與所拉光纖動(dòng)態(tài)疲勞參數(shù)nd的關(guān)系曲線。圖7是本發(fā)明組合芯棒與大套管之間的Gap與光纖的芯/包同心度誤差的關(guān)系曲線。圖8是本發(fā)明采用OVD和APVD制造外包層時(shí)組合芯棒的c/a與光纖水峰衰耗的關(guān)系曲線。具體實(shí)施例方式下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說(shuō)明。8實(shí)施例一以PCVD工藝制備G.652低水峰光纖芯棒，具有光纖芯棒芯層1和光纖芯棒部分包層2;所用襯管的外徑為31毫米，壁厚為2毫米，芯棒的折射率剖面如圖5所示；以O(shè)VD工藝制備的摻氟石英管，經(jīng)機(jī)械加工后再拉伸成所需尺寸的小套管3，摻氟石英小套管中的OH含量為10-500ppb;將光纖芯棒和摻氟石英小套管熔縮到一起制得組合芯棒，然后用氫氟酸(HF)對(duì)其表面進(jìn)行腐蝕，腐蝕厚度(單邊)為0.5mm1.0mm，采用不同外徑(OD)和內(nèi)徑(ID)的石英管作為大套管4，釆用RIC工藝組裝成圖4所示的RIC工藝預(yù)制棒，組合芯棒5套裝在大套管4內(nèi)并使組合芯棒的中心位于大套管的中心，大套管上端接有大套管延長(zhǎng)管6;組合芯棒上端接組合芯棒延長(zhǎng)棒7;在組合芯棒延長(zhǎng)棒和大套管延長(zhǎng)管最上端之間安設(shè)有RIC堵頭8和抽氣口9，RIC預(yù)制棒的主要參數(shù)如表1所示；將RIC預(yù)制棒直接拉絲，采用單模光纖生產(chǎn)用光纖涂覆材料，拉絲速度為1500米/分鐘；所拉光纖的主要參數(shù)如表2所示。表l.RIC預(yù)制棒的基本參數(shù)<table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table>表2.實(shí)施例一光纖結(jié)果<table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>結(jié)果表明，采用本發(fā)明的技術(shù)方案，可制造完全滿足ITU-TG.652.D和G.657的光纖預(yù)制棒和光纖。需要說(shuō)明的是，采用RIC工藝，為避免組合芯棒和大套管之間的界面上產(chǎn)生缺陷，對(duì)組合芯棒和大套管之間抽真空，且其壓力要控制在10,000pa以內(nèi)；對(duì)于抗彎曲光纖，對(duì)光纖內(nèi)缺陷的控制尤為重要，按正C60793-1-33，采用兩點(diǎn)彎曲的方法測(cè)光纖的抗疲勞參數(shù)nd值，對(duì)于同一根預(yù)制棒，采用同樣的拉絲工藝和涂覆材料，RIC內(nèi)壓力與所拉光纖動(dòng)態(tài)疲勞參數(shù)nd的關(guān)系如圖6所示。結(jié)果表明，RIC內(nèi)真空度越高，所拉光纖動(dòng)態(tài)疲勞參數(shù)nd就越高；但需要大套管的管壁厚度大于或等于30mrn，否則，在拉伸或拉絲過(guò)程中將很難保證大套管的均勻收縮以確保其圓度。實(shí)施例二以VAD工藝制備G.652低水峰光纖芯棒母棒，采用H2/02焰將其延伸成所需芯徑的RIC芯棒，然后用氫氟酸(HF)對(duì)表面刻蝕成目標(biāo)外徑的芯棒，采用實(shí)施例一中的小套管和方案制得組合芯棒，采用外徑為200mm和內(nèi)徑為53mm的石英大套管，組裝成RIC預(yù)制棒。組合芯棒相關(guān)參數(shù)如表3所示。在拉伸塔上將組合芯棒和大套管熔縮到一起的同時(shí)拉伸成外徑為80mm的小尺寸實(shí)心預(yù)制棒后再拉絲，采用單模光纖生產(chǎn)用光纖涂覆材料，拉絲速度為1500米/分鐘，裸光纖直徑為124um126um;所拉光纖的主要參數(shù)如表4所示。表3.組合芯棒的相關(guān)參數(shù)序號(hào)VAD芯棒母棒延伸后的芯棒參數(shù)套管△(%)芯徑(mm)外徑Cmm)a(mm)b'-刻蝕前(mm)b-刻蝕后(mm)OH含量(ppb)摻F量(%)ID(mm)OD(mm)90.34416.2566.2012.8152.1432.15350.2836.054.5100.34622.12卯.1012.5350.9232.82350.2836.054.5表4.實(shí)施例二光纖結(jié)果序模場(chǎng)直徑()截止波長(zhǎng)(nm)衰耗(dB/km)芯/包同心度誤差((xm)1625nm處的彎曲附加損耗(dB/圈)號(hào)1310nm1383nm1550nm1625nm0>20腿<I)15mm99.1212630.3270.2710.1870.1950.110.140.36109.0512480.3260.2750.1880.1960.090.130.34試驗(yàn)表明，采用VAD芯棒利用本發(fā)明的技術(shù)方案同樣可獲得完全滿足ITU-TG.652.D和G657的光纖。試驗(yàn)中，由于VAD芯棒母棒經(jīng)延伸后外徑足夠大，用其取代組合芯棒與外徑為200mm、內(nèi)徑為53mm的石英管，組裝成RIC預(yù)制棒，采用不同的氫氟酸(HF)刻蝕量以獲得與大套管之間不同的Gap，在拉伸塔上將組合芯棒和大套管熔縮到一起的同時(shí)拉伸成外徑為80mm的小尺寸實(shí)心預(yù)制棒后再拉絲，組合芯棒與大套管之間的Gap與所拉光纖的芯/包同心度的關(guān)系如圖7所示，要將光纖的芯/包同心度誤差控制在0.54pm以內(nèi)，需要控制組合芯棒和大套管內(nèi)孔之間的間隙小于或等于2mm,進(jìn)一步的要求小于或等于1.5mm。實(shí)施例三在VAD或OVD制造外包層沉積過(guò)程中，由于用到112/02焰，因而對(duì)芯棒的OH污染是顯而易見(jiàn)的；在等離子體外噴技術(shù)中，不僅所沉積的玻璃中OH含量較高，還會(huì)引起環(huán)境中的OH被吸附在靶棒上并向內(nèi)擴(kuò)散；一旦OH擴(kuò)散到預(yù)制棒的芯層就會(huì)引起光纖水峰的增加，OH能否向內(nèi)擴(kuò)散到預(yù)制棒的芯層主要取決于擴(kuò)散距離和擴(kuò)散系數(shù)。增加擴(kuò)散距離的方法就是增加芯棒的c/a值，增加c/a值會(huì)增加芯棒的制造成本。摻氟石英玻璃能有效阻止外部羥基向芯層的擴(kuò)散，相應(yīng)的反應(yīng)方程式為11<image>imageseeoriginaldocumentpage12</image>采用實(shí)施例一中5號(hào)芯棒，增加摻氟小套管的外徑，使制備的組合芯棒的外徑(^50mm，將其接延長(zhǎng)棒后垂直浸入氫氟酸(HF)中進(jìn)行表面刻蝕，控制組合芯棒的提升速度，使同一根組合芯棒具有連續(xù)變化的腐蝕量，使組合芯棒的外直徑c從29rnra(對(duì)應(yīng)的c/a=2.97)至50mm(對(duì)應(yīng)的c/a=5.13)連續(xù)變化，分別采用OVD和APVD工藝制造外包，制造外徑為145_150腿的預(yù)制棒，再拉成光纖，裸光纖直徑為124um126nm，所得光纖的水峰衰耗與c/a的關(guān)系如圖8所示，采用本發(fā)明的技術(shù)，利用OVD或APVD工藝制造外包，同樣可獲得完全滿ITU-TG.652.D和G.657的光纖預(yù)制棒和光纖；由于VAD制造外包的工藝和OVD工藝機(jī)理一樣，因而對(duì)于VAD或OVD外包，需要組合芯棒的c/a大于或等于4.2;對(duì)于APVD外包，需要組合芯棒的c/a大于或等于3.5。權(quán)利要求1、一種光纖預(yù)制棒，包括低水峰光纖芯棒和外包層，其特征在于光纖芯棒的直徑與芯層直徑比值b/a為2.1～2.8；光纖芯棒外套摻氟石英玻璃小套管內(nèi)，熔縮到一起得到組合芯棒，所述組合芯棒與光纖芯棒的直徑之差與芯層直徑比值(c-b)/a為0.5～2.2；所述的摻氟石英玻璃小套管的摻氟量ΔF為-0.20％至-0.35％，羥基含量小于或等于500ppb；組合芯棒外按RIC工藝配置純石英玻璃大套管或在組合芯棒上直接沉積SiO2玻璃外包層，光纖預(yù)制棒的有效直徑與組合芯棒的直徑比值d/c為2.0～5.6。2、一種光纖預(yù)制棒的制造方法，其特征在于先制備低水峰光纖芯棒，使得光纖芯棒的直徑與芯層直徑比值b/a為2.12.8;制備摻氟石英玻璃小套管，要求其相對(duì)于純石英玻璃的相對(duì)折射率差，即摻氟量&為-0.20%至-0.35%，羥基含量小于或等于500ppb;將一段或多段光纖芯棒插入摻氟石英玻璃小套管內(nèi)，將其熔縮到一起得到組合芯棒，使得組合芯棒與光纖芯棒的直徑之差與芯層直徑比值(c-b)/a為0.52.2;將組合芯棒與純石英玻璃大套管按RIC工藝組裝或在組合芯棒上直接沉積Si02玻璃外包層，制得光纖預(yù)制棒，光纖預(yù)制棒的有效直徑與組合芯棒的直徑比值d/c為2.0~5.6。3、按權(quán)利要求2所述的光纖預(yù)制棒的制造方法，其特征在于所述的光纖芯棒為低水峰單模光纖芯棒。4、按權(quán)利要求2或3所述的光纖預(yù)制棒的制造方法，其特征在于所述光纖芯棒芯層直徑a為6mm14mm。5、按權(quán)利要求2或3所述的光纖預(yù)制棒的制造方法，其特征在于所述摻氟石英玻璃套管由OVD或VAD方法制成，羥基含量進(jìn)一步的要求為小于或等于50ppb。6、按權(quán)利要求2或3所述的光纖預(yù)制棒的制造方法，其特征在于在將芯棒和摻氟小套管熔縮到一起后所形成的組合芯棒的弓曲度小于或等于2mm/m。7、按權(quán)利要求2或3所述的光纖預(yù)制棒的制造方法，其特征在于在對(duì)芯棒和摻氟小套管熔縮到一起后所形成的組合芯棒用氫氟酸對(duì)其表面進(jìn)行腐蝕，腐蝕厚度為0.5mm1.0mm。8、按權(quán)利要求2或3所述的光纖預(yù)制棒的制造方法，其特征在于所述的RIC工藝中純石英玻璃管大套管壁厚大于或等于30mm，將組合芯棒固定在大套管的中心，保持同心，控制組合芯棒和大套管內(nèi)孔之間的間隙小于或等于2mm。9、按權(quán)利要求2或3所述的光纖預(yù)制棒的制造方法，其特征在于所述的直接沉積Si02玻璃外包層的方法為OVD或VAD或APVD方法，對(duì)于VAD或OVD方法，組合芯棒與芯層直徑的比值c/a大于或等于4.2;對(duì)于APVD方法，組合芯棒與芯層直徑的比值c/a大于或等于3.5。10、按權(quán)利要求2或3所述的光纖預(yù)制棒的制造方法，其特征在于所述的光纖預(yù)制棒的在拉伸前的直徑為100200mm。11、按權(quán)利要求2或3所述的光纖預(yù)制棒的制造方法，其特征在于對(duì)于用RIC工藝組裝的光纖預(yù)制棒，在拉伸塔上將純石英玻璃管大套管和組合芯棒熔縮拉伸成預(yù)制棒；熔縮拉伸過(guò)程中，對(duì)組合芯棒和大套管之間抽真空，其內(nèi)壓力為1，000pa10，OOOpa。12、按權(quán)利要求2所述的光纖預(yù)制棒制造光纖的方法，其特征在于對(duì)于用RIC工藝制備的光纖預(yù)制棒，用大拉絲爐直接將其拉絲成纖，拉絲過(guò)程中，對(duì)組合芯棒和大套管之間抽真空，其內(nèi)壓力為1，000pa10，000pa。13、一種抗彎曲低水峰單模光纖，其特征在于所述的光纖由權(quán)利要求1所述的光纖預(yù)制棒經(jīng)直接拉絲而成，或經(jīng)拉伸后再拉絲而成。全文摘要本發(fā)明涉及一種光纖預(yù)制棒及其光纖的制造方法，其特征在于光纖芯棒的直徑與芯層直徑比值b/a為2.1～2.8；光纖芯棒外套摻氟石英玻璃小套管內(nèi)，熔縮到一起得到組合芯棒，所述組合芯棒與光纖芯棒的直徑之差與芯層直徑比值(c-b)/a為0.5～2.2；所述的摻氟石英玻璃小套管的摻氟量Δ_F為-0.20％至-0.35％，羥基含量小于或等于500ppb；組合芯棒外按RIC工藝配置純石英玻璃大套管或在組合芯棒上直接沉積SiO₂玻璃外包層，光纖預(yù)制棒的有效直徑與組合芯棒的直徑比值d/c為2.0～5.6。本發(fā)明可制備出抗彎曲低水峰單模光纖；可用于制備同時(shí)滿足ITU-TG.652.D和G.657的光纖。文檔編號(hào)C03B37/027GK101585658SQ20091006280公開(kāi)日2009年11月25日申請(qǐng)日期2009年6月23日優(yōu)先權(quán)日2009年6月23日發(fā)明者劉泳濤,拉吉·馬泰,晨楊,杰羅,韓慶榮申請(qǐng)人:長(zhǎng)飛光纖光纜有限公司