專利名稱:高強致密硅莫磚及其制作方法
技術領域:
本發(fā)明涉及高強致密硅莫磚及其制作方法,尤其是水泥回轉(zhuǎn)窯次燒成帶、過渡帶等部位所用高強致密硅莫磚及其制作方法。
背景技術:
水泥回轉(zhuǎn)窯的次燒成帶,即燒成帶的后部, 一般是與燒成帶一樣全部用直接結(jié)合鎂鉻磚,這樣會使得窯皮很難穩(wěn)定,由于直接結(jié)合鎂鉻磚熱震穩(wěn)定性差,抗磨強度低,磚與窯皮結(jié)合部分易隨窯皮剝落,影響該部位的使用壽命。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種抗熱震,耐磨性好的高強致密硅莫磚及其制作方法。
為解決上述技術問題,本發(fā)明采用如下技術方案高強致密硅莫磚,包括以下組分,各組分的重量百分比為
粒徑d>3 mm的高鋁砜土熟料18—-28%
lmm〈粒徑d《3mm的高鋁砜土熟料30-—32%
0.1 mnK粒徑d《1皿的高鋁礬土熟料9--10%
粒徑d<0.1 mm的高鋁磯土熟料10-—12%
粒徑d<5mm的a —A12032_-4%
粒徑cKlmm的氧化硅微粉4_-6%
水玻璃干料2_-4%
0. 074 mm〈粒徑d《1咖的碳化硅9_-10%
粒徑d〈0.1mm的硅石粉5—-6% 。
5作為優(yōu)選,各組分的重量百分比為
粒徑d>3 mm的高鋁礬土熟料 20%
liraiK粒徑d《3nm的高鋁砜土熟料 32%
0.1 raiK粒徑d《1 mm的高鋁帆土熟料 10。/。
粒徑d<0.1 mm的高鋁礬土熟料 12%
粒徑d<5mm的a ^A1203 3%
粒徑d< 1 mm的氧化硅微粉 4%
水玻璃千料 3%
0. 074咖<粒徑d《1 mm的碳化硅 10%
粒徑cKO.lmm的硅石粉 6% 。 作為優(yōu)選,各組分的重量百分比為
粒徑d>3 mm的高鋁礬土熟料 28%
limiK粒徑d《3咖的高鋁砜土熟料 30%
0. 1 mk粒徑d《1咖的高鋁礬土熟料 10%
粒徑d<0.1 mm的高鋁砜土熟料 10%
粒徑d<5mm的a —A1203 2%
粒徑d< 1 mm的氧化硅微粉 4%
水玻璃干料 2%
0. 074鵬<粒徑d《1咖的碳化硅 9%
粒徑d〈0.1mm的硅石粉 5% 。 作為優(yōu)選,各組分的重量百分比為
粒徑d〉3 mm的高鋁砜土熟料 22%
1 mk粒徑d《3鵬的高鋁砜土熟料 30%0. 1 tmiK粒徑d《1 mm的高鋁礬土熟料 10%
粒徑d<0.1 mm的高鋁礬土熟料 12%
粒徑d<5mm的a —A1203 4%
粒徑d< 1 mm的氧化硅微粉 4%
水玻璃干料 4%
0. 074咖<粒徑d《1腿的碳化硅 9%
粒徑d<0.1mm的硅石粉 5% 。
制作上述高強致密硅莫磚的方法,包括以下步驟
a混練,將稱量配料好的原料卸入濕碾機,然后加入水玻璃溶液混練;
b成型,使用摩擦壓磚機成型;
c干燥,成型后的磚坯在干燥烘房內(nèi)進行干燥;
d燒成,干燥后的磚坯在隧道窯內(nèi)燒成。
步驟a中混練時間為10—12分鐘。
步驟b中成型是在公稱壓力為315噸的摩擦壓磚機上沖壓20次以上。 步驟c中所述干燥烘房的溫度為60—9(TC 。 步驟d中所述隧道窯溫度為1350—1400°C 。
本發(fā)明由于釆用了上述技術方案,成品高強致密硅莫磚耐壓強度高,熱震 穩(wěn)定性好。采用本發(fā)明高強致密硅莫磚制作方法所得制品具備低氣孔率(<15%), 高密度(>2.75g/cm3),抗熱震,耐磨性好,其使用壽命一般都超過400天,甚 至達到一年,是建造水泥回轉(zhuǎn)窯的理想材料。
具體實施例方式
實施例一
高強致密硅莫磚,包括以下組分,各組分的重量百分比為粒徑d>3 mm的高鋁礬土熟料 20%
lMK粒徑d《3imn的高鋁礬土熟料 32%
0. 1咖<粒徑d《1咖的高鋁礬土熟料 10%
粒徑d<0.1 mm的高鋁砜土熟料 12%
粒徑d<5mm的a —A1203 3%
粒徑d< 1 mm的氧化硅微粉 4%
水玻璃干料 3%
0. 074咖<粒徑d《1 mm的碳化硅 10%
粒徑dKO.lmm的硅石粉 6% 。 實施例二
高強致密硅莫磚,包括以下組分,各組分的重量百分比為:
粒徑d>3 mm的高鋁礬土熟料 28%
1 mk粒徑d《3鵬的高鋁砜土熟料 30%
0. 1咖<粒徑d《1咖的高鋁砜土熟料 10%
粒徑d<0.1 mm的高鋁礬土熟料 10%
粒徑d<5mm的a —A1203 2%
粒徑d< 1 mm的氧化硅微粉 4%
水玻璃干料 2%
0. 074 imiK粒徑d《1 mm的碳化硅 9%
粒徑d〈0.1mm的硅石粉 5% 。 實施例三
高強致密硅莫磚,包括以下組分,各組分的重量百分比為:
粒徑d〉3 mm的高鋁礬土熟料 22%1 mk粒徑d《3 mm的高鋁礬土熟料 30%
0. 1咖<粒徑d《1咖的高鋁礬土熟料 10%
粒徑d<0.1 mm的高鋁礬土熟料 12%
粒徑d<5mm的a —A1203 4%
粒徑d< 1 mm的氧化硅微粉 4%
水玻璃干料 4%
0. 074 mk粒徑d《1 mm的碳化硅 9%
粒徑d〈0.1mm的硅石粉 5% 。
其中,所述碳化硅的主要成分SiC的重量百分比》95%,所述氧化硅微粉的 主要成分Si02的重量百分比>94%。
制作上述高強致密硅莫磚的方法,包括以下步驟
a混練,將稱量配料好的原料卸入濕碾機,然后加入水玻璃溶液混練,混練 時間為10—12分鐘;
b成型,使用摩擦壓磚機成型,在公稱壓力為315噸的摩擦壓磚機上沖壓 20次以上;
c干燥,成型后的磚坯在干燥烘房內(nèi)進行干燥,磚坯的體積密度》2.8g/cm3, 磚坯氣孔率《22%,干燥烘房的溫度為60"90。C;
d燒成,干燥后的磚坯在隧道窯內(nèi)燒成,隧道窯溫度為1350—140(TC。
9
權(quán)利要求
1.高強致密硅莫磚,其特征在于包括以下組分,各組分的重量百分比為粒徑d>3mm的高鋁礬土熟料 18-28%1mm<粒徑d≤3mm的高鋁礬土熟料 30-32%0.1mm<粒徑d≤1mm的高鋁礬土熟料9-10%粒徑d<0.1mm的高鋁礬土熟料 10-12%粒徑d<5mm的α-Al2O3 2-4%粒徑d<1mm的氧化硅微粉 4-6%水玻璃干料 2-4%0.074mm<粒徑d≤1mm的碳化硅9-10%粒徑d<0.1mm的硅石粉 5-6%。
2. 如權(quán)利要求1所述高強致密硅莫磚,其特征在于包括以下組分,各組分的 重量百分比為粒徑d〉3 mm的髙鋁礬土熟料 20% 1 mk粒徑d《3 ,的高鋁礬土熟料 32% 0. 1咖<粒徑d《1咖的高鋁礬土熟料 10%粒徑d<0.1 mm的高鋁礬土熟料 12%粒徑d<5mm的a —A1203 3%粒徑d< 1 mm的氧化硅微粉 4%水玻璃干料 3% 0. 074咖<粒徑d《1咖的碳化硅 10%粒徑d〈0.1mm的硅石粉 6% 。
3. 如權(quán)利要求1所述高強致密硅莫磚,其特征在于包括以下組分,各組分的 重量百分比為粒徑d〉3 mm的高鋁fL土熟料 28%1 imk粒徑d《3 mm的高鋁礬土熟料 30%0.1 mk粒徑d《1咖的高鋁礬土熟料 10%粒徑d<0.1 mm的高鋁礬土熟料 10%粒徑d<5mm的a —A1203 2%粒徑d< 1 mm的氧化硅微粉 4%水玻璃干料 2%0. 074順<粒徑d《1咖的碳化硅 9%粒徑d〈0.1mm的硅石粉 5% 。
4.如權(quán)利要求1所述高強致密硅莫磚,其特征在于包括以下組分,各組分的 重量百分比為粒徑d〉3 mm的高鋁礬土熟料 22%lmm〈粒徑d《3咖的高鋁礬土熟料 30%0. 1咖<粒徑d《1鵬的高鋁砜土熟料 10%粒徑d<0.1 mm的高鋁礬土熟料 12%粒徑d<5mm的a —A1203 4%粒徑d< 1 mm的氧化硅微粉 4%水玻璃干料 4%0. 074 mm〈粒徑d《1咖的碳化硅 9%粒徑d<0.1mm的硅石粉 5% 。
5.制作如權(quán)利要求1所述高強致密硅莫磚的方法,其特征在于包括以下步驟: a混練,將按配比稱量好的原料卸入濕碾機,然后加入水玻璃溶液混練; b成型,使用摩擦壓磚機成型;c干燥,成型后的磚坯在干燥烘房內(nèi)進行干燥; d燒成,干燥后的磚坯在隧道窯內(nèi)燒成。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述制作高強致密硅莫磚的方法,其特征在于步驟a中混 練時間為10—12分鐘。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述制作高強致密硅莫磚的方法,其特征在于步驟b中成 型是在公稱壓力為315噸的摩擦壓磚機上沖壓20次以上。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5所述制作高強致密硅莫磚的方法,其特征在于步驟c中所 述干燥烘房的溫度為60_90°C。
9. 根據(jù)權(quán)利要求5所述制作高強致密硅莫磚的方法,其特征在于步驟d中所 述隧道窯溫度為1350—1400°C。
全文摘要
本發(fā)明公開了高強致密硅莫磚及其制作方法,其原料包括d>3mm的高鋁礬土熟料18-28%;1mm<d≤3mm的高鋁礬土熟料30-32%;0.1mm<d≤1mm的高鋁礬土熟料9-10%;d<0.1mm的高鋁礬土熟料10-12%;d<5mm的α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub> 2-4%;d<1mm的氧化硅微粉4-6%;水玻璃干料2-4%;0.074mm<d≤1mm的碳化硅9-10%;d<0.1mm的硅石粉5-6%。其制作方法包括以下步驟a混練;b成型;c干燥;d燒成。本發(fā)明由于采用了上述技術方案,可以得到耐壓強度高,熱震穩(wěn)定性好的高強致密硅莫磚。
文檔編號C04B35/66GK101492301SQ20091009568
公開日2009年7月29日 申請日期2009年1月15日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月15日
發(fā)明者范圣良 申請人:范圣良