專(zhuān)利名稱(chēng)：一種用于計(jì)算機(jī)領(lǐng)域的低熔點(diǎn)玻璃粉及其制備方法
一種用于計(jì)算機(jī)領(lǐng)域的低熔點(diǎn)玻璃粉及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬計(jì)算機(jī)技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及
熔點(diǎn)玻璃粉及其制備方法。
種用于計(jì)算機(jī)領(lǐng)域中的電子元件封接的低
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的計(jì)算機(jī)電子元件常用到低熔封接玻璃，在低熔封接玻璃中，含鉛封接玻璃 具有電阻大、介電損耗小、折射率和色散高以及吸收高能輻射、軟化溫度低、化學(xué)穩(wěn)定性好 等一系列特性，在低熔封接方面有著廣泛的用途。 由于目前使用的商用封接玻璃中大多數(shù)為含鉛玻璃，鉛對(duì)人體和環(huán)境的危害極 大。歐美、日都制定了電子產(chǎn)品無(wú)鉛化的強(qiáng)制性實(shí)施日期。我國(guó)信息產(chǎn)業(yè)部也發(fā)布了相關(guān) 規(guī)定。因此，無(wú)鉛無(wú)鎘等無(wú)公害低熔點(diǎn)封接玻璃的成功開(kāi)發(fā)將形成產(chǎn)品技術(shù)壁壘，其涉及的 產(chǎn)業(yè)面十分廣泛，用量大，對(duì)我國(guó)家電、精密零部件、3C(計(jì)算機(jī)、通訊、消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品)類(lèi) 電子產(chǎn)品等產(chǎn)業(yè)具有十分重要的戰(zhàn)略意義。 隨著人類(lèi)環(huán)保意識(shí)的日益增強(qiáng)，鉛已被環(huán)境保護(hù)機(jī)構(gòu)列入前17種對(duì)人類(lèi)和環(huán)境 危害很大的化學(xué)物質(zhì)之一，它對(duì)人類(lèi)健康危害較大，能夠在體內(nèi)積聚而引起鉛中毒，鉛中毒 的作用相當(dāng)緩慢而且毒性隱蔽，在毒性呈現(xiàn)之前不容易被覺(jué)察。人體內(nèi)的鉛主要來(lái)自食物 或經(jīng)鉛煙及鉛塵的形式通過(guò)呼吸道進(jìn)入人體。鉛是一種累積性毒物，它很容易被胃腸道吸 收，其中一部分破壞血液使紅血球分解，部分通過(guò)血液擴(kuò)散到全身器官和組織并進(jìn)入骨骼。 而沉積在內(nèi)臟器官及骨髓中的鉛化合物由體內(nèi)排出的速度極慢，逐漸形成慢性中毒。慢性 鉛中毒最初只感到疲倦、食欲不振、體重減輕等。當(dāng)慢性中毒再發(fā)展時(shí)，就會(huì)呈現(xiàn)頭痛、耳 鳴、視力障礙、流產(chǎn)、貧血、精神錯(cuò)亂、早死等。因此，大范圍內(nèi)禁止使用含鉛物質(zhì)的呼聲越來(lái) 越高。鉛在飲水管道焊接、汽油、油畫(huà)中的使用早有嚴(yán)格的規(guī)定?，F(xiàn)在電子行業(yè)中全面實(shí)現(xiàn) 無(wú)鉛封接的需要越來(lái)越迫切，已經(jīng)對(duì)整個(gè)行業(yè)形成巨大的沖擊。近年來(lái)，隨著微電子技術(shù)、 電子顯示、光電子技術(shù)的發(fā)展。對(duì)封接制品的性能和工藝的要求越來(lái)越高，也使封接玻璃產(chǎn) 業(yè)得到了一定的發(fā)展。我國(guó)在封接玻璃方面的研究與日本、韓國(guó)、歐美還有一定的距離。
為了更好的維護(hù)人類(lèi)賴(lài)以生存的生活環(huán)境，實(shí)現(xiàn)社會(huì)經(jīng)濟(jì)的可持續(xù)發(fā)展，發(fā)達(dá)國(guó) 家紛紛制定適合自己的環(huán)保政策，對(duì)其生產(chǎn)和進(jìn)口的電子產(chǎn)品進(jìn)行環(huán)保限制。日本在90年 代末率先發(fā)起制造無(wú)鉛電子產(chǎn)品，而今歐盟更以嚴(yán)格的法律加以強(qiáng)制執(zhí)行歐盟于2003年 在第L37期《官方公報(bào)》上公布了歐洲議會(huì)和歐盟部長(zhǎng)理事會(huì)共同批準(zhǔn)的《報(bào)廢電子電氣設(shè) 備指令》(簡(jiǎn)稱(chēng)WEEE指令)禾P《關(guān)于在電子電氣設(shè)備中禁止使用某些有害物質(zhì)指令》(簡(jiǎn)稱(chēng) RoHS指令)，以降低電子設(shè)備所含有害物質(zhì)對(duì)環(huán)境的影響。其中RoHS指令(Restriction of Use of Hazardous Substances)也被稱(chēng)為"無(wú)鉛條例"，該條例要求在2006年7月1日 之后在歐盟地區(qū)上市銷(xiāo)售的電子產(chǎn)品一律不得超標(biāo)含有以鉛為首的6種有害物質(zhì)。
當(dāng)今主要的電子制造和設(shè)計(jì)不斷轉(zhuǎn)移到我國(guó)，我國(guó)相關(guān)政府部門(mén)積極應(yīng)對(duì)歐盟 RoHS指令，并于2005年1月公布了中國(guó)版RoHS指令，期望于2005年12月實(shí)施，中國(guó)版 RoHS與歐盟版RoHS內(nèi)容大體相同，其不同之處在于所限制的設(shè)備種類(lèi)要少一些。歐盟版RoHS內(nèi)容符合RoHS要求的產(chǎn)品，任何一種下列物質(zhì)含量應(yīng)當(dāng)滿(mǎn)足均質(zhì)材料中該物質(zhì)含量 不超過(guò)下面規(guī)定的最大值，除非這種物質(zhì)是RoHS指令豁免的物質(zhì)鉛(Pb)、汞(Hg)、六價(jià)鉻 (Cr6+)、聚合溴化聯(lián)笨(PBB)，以及聚合溴化聯(lián)笨乙醚(PBDE)含量不超過(guò)總重量的0. 1%;鎘 (Cd)含量不超過(guò)總重量的0. 01%。 康寧公司Beall等人的USP5122484提出了一類(lèi)R20-ZnO_P205系統(tǒng)低熔點(diǎn)玻璃，其 重量百分比為P205 (38-50% ) 、Mo03 (0-10% ) 、A1203 (0-5% ) 、W03 (0-10% ) 、Na20 (2-10% )、 Li20(0. 75-5% )、Sn0(0-10% )、K20(2_10% )、C1(0_8% )，組成中以NaCl的形式引入Cl， 氯的加入明顯的增加玻璃的流動(dòng)性，但NaCl在熔化時(shí)損失50-70%，W03的引入也是增加流 動(dòng)性。上述玻璃封接溫度低于475t:，膨脹系數(shù)a為(100-105) X 10—7t:，為降低膨脹系 數(shù)，可加入填充劑，上述封接玻璃的不足是化學(xué)穩(wěn)定性不好，特別是在耐酸性方面或在潮濕
的環(huán)境下，此外添加填充劑時(shí)影響玻璃封接時(shí)的流動(dòng)性和氣密性。 德國(guó)卡爾 蔡司公司專(zhuān)利特公平7-108786提出含Cu0的Zn0_Pb0-B203-Si02系統(tǒng) 微晶玻璃，用于氣密性密封氧化鋅陶瓷壓敏電阻，密封溫度< 54(TC，為了防止這種壓敏電 阻電流-電壓性質(zhì)的劣化，要將表面氣密性密封，阻止大氣、水等，本專(zhuān)利使用性能優(yōu)異，但 含有較多的鉛(45%左右)，不能滿(mǎn)足環(huán)保性的要求。 美國(guó)專(zhuān)利USP :20020019303提出了 一種磷錫鋅系統(tǒng)的封接玻璃，封接溫度 430°C 500°C，由于需要在還原氣氛下生產(chǎn)和封接，不利于產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用，同時(shí)由于含有大量 的成本較貴Sn0，因而這種封接玻璃的應(yīng)用有很大的局限性。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于克服現(xiàn)有電子元件封接低熔點(diǎn)玻璃粉的不足，提供了一種
用于計(jì)算機(jī)電子元件封接的低熔點(diǎn)玻璃粉及其制備方法，本發(fā)明的低熔點(diǎn)玻璃粉不含鉛， 可以在保持較低的玻璃軟化溫度下實(shí)現(xiàn)電子元件封接的無(wú)鉛化，具有軟化溫度低、膨脹系 數(shù)可調(diào)整范圍大、化學(xué)穩(wěn)定性及電性能好、流動(dòng)性好等優(yōu)點(diǎn)。適宜于多種計(jì)算機(jī)電子元件的 封接，以及大功率管，繼電器插座等的封接，具有良好的封接氣密性。本發(fā)明的目的是通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的 —種用于計(jì)算機(jī)領(lǐng)域的低熔點(diǎn)玻璃粉，原料按重量百分比組成為V205為30 50%， P205為5 30%， Zn0為1 20%， B203為1 20%， A1203為1 10%， Ba0為1 10%， Mn02為1 10%， Sr0為1 10%， Ti02為1
所述的V205優(yōu)選為35 45%，最佳為44%
10%， Sb203為1 10% 所述的^05優(yōu)選為10 所述的2!10優(yōu)選為3- 所述的8203優(yōu)選為3- 所述的八1203優(yōu)選為2 所述的Ba0優(yōu)選為2 - 所述的Mn02優(yōu)選2 所述的Sr0優(yōu)選為1 所述的1102優(yōu)選為1- 所述的Sb203優(yōu)選為2
25%，最佳為18% - 15%，最佳為8% 15%，最佳為9% 7%，最佳為3% -7%，最佳為5% ; 7%，最佳為3% ; -5%，最佳為2% ; 5%，最佳為4% ; 7%，最佳為4%
4
所述的Al203、Mn02和Ti02的總的重量百分比為5 20%。 本發(fā)明的另一 目的在于提供一種用于計(jì)算機(jī)領(lǐng)域的低熔點(diǎn)玻璃粉的制備方法，具 體步驟為 (1)按照各組分的重量百分比稱(chēng)取各原料；
(2)將所稱(chēng)取的原料充分混合； (3)將混合后的混合料放入坩堝中，然后放入爐溫為1000°C 120(TC的電爐中， 保溫50 150min ; (4)將熔化后的玻璃液倒入壓片機(jī)壓成薄片或者倒入冷水中或澆鑄成一定的形 狀； (5)將片狀或者顆粒狀玻璃放入球磨機(jī)球磨；
(6)將球磨后的玻璃粉過(guò)篩、檢測(cè)、包裝。 本發(fā)明的一種用于計(jì)算機(jī)領(lǐng)域的低熔點(diǎn)玻璃粉適用范圍廣，除了應(yīng)用于計(jì)算機(jī)電 子元件封接之外，同時(shí)還可以和在此溫度和膨脹系數(shù)相符的玻璃、陶瓷、金屬封接，封接性 能良好。 本發(fā)明的一種用于計(jì)算機(jī)領(lǐng)域的低熔點(diǎn)玻璃粉及其制備方法的積極效果是
(1)本發(fā)明不含鉛，滿(mǎn)足WEEE、RoHS指令的環(huán)保要求，可以在保持較低的玻璃軟化 溫度下用于導(dǎo)電漿料中的粘結(jié)相； (2)本發(fā)明的適用范圍廣，具有較寬的性能調(diào)整范圍，同時(shí)還可以和在此溫度和膨 脹系數(shù)相符的玻璃、陶瓷、金屬封接，封接性能良好； (3)本發(fā)明測(cè)試結(jié)果表明，不僅具有適宜且易于調(diào)整的熱膨脹系數(shù)，合適的軟化溫 度，還具有優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性，特別在無(wú)鉛化和性能優(yōu)異方面具有很強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力，具有性?xún)r(jià) 比高的優(yōu)點(diǎn)，具有廣泛的市場(chǎng)發(fā)展前景。 本發(fā)明的一種用于計(jì)算機(jī)領(lǐng)域的低熔點(diǎn)玻璃粉不僅具有適宜且易于調(diào)整的熱膨 脹系數(shù)，合適的軟化溫度，還具有優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性，特別在無(wú)鉛化和性能優(yōu)異方面具有很 強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力，具有廣泛的市場(chǎng)發(fā)展前景。
具體實(shí)施方式
以下通過(guò)具體的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。 應(yīng)理解，這些實(shí)施例僅用于說(shuō)明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍。此外應(yīng)理解， 在閱讀了本發(fā)明講授的內(nèi)容之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明作各種改動(dòng)或修改，這些
等價(jià)形式同樣落于本申請(qǐng)所附權(quán)利要求書(shū)所限定的范圍。 本發(fā)明提供了一種可廣泛應(yīng)用于計(jì)算機(jī)領(lǐng)域的低熔點(diǎn)玻璃粉，具有低熔點(diǎn)、無(wú)毒、 無(wú)污染的優(yōu)點(diǎn)，以滿(mǎn)足市場(chǎng)對(duì)電子元件封接的低熔點(diǎn)玻璃粉的需求。 本發(fā)明的一種用于計(jì)算機(jī)領(lǐng)域的低熔點(diǎn)玻璃粉，原料按重量百分比組成為V205 為30 50%，P205為5 30%，Zn0為1 20%，B203為1 20%，A1203為1 10%，Ba0 為1 10%， Mn02為1 10%， Sr0為1 10%， Ti02為1 10%， Sb203為1 10% ;
所述的V205優(yōu)選為35 45%，最佳為44% ;
所述的P205優(yōu)選為10 25%，最佳為18% ;
所述的Zn0優(yōu)選為3 15%，最佳為8% ;
所述的B203優(yōu)選為3 15%，最佳為9% ; 所述的A1203優(yōu)選為2 7%，最佳為3% ; 所述的Ba0優(yōu)選為2 7% ，最佳為5% ; 所述的Mn02優(yōu)選2 7 % ，最佳為3 % ; 所述的SrO優(yōu)選為1 5% ，最佳為2% ; 所述的Ti02優(yōu)選為1 5%，最佳為4% ; 所述的Sb203優(yōu)選為2 7%，最佳為4% ; 所述的Al203、Mn02和Ti02的總的重量百分比為5 20%。 本發(fā)明的一種用于計(jì)算機(jī)領(lǐng)域的低熔點(diǎn)玻璃粉適用范圍廣，除了應(yīng)用于計(jì)算機(jī)電 子元件封接之外，同時(shí)還可以和在此溫度和膨脹系數(shù)相符的玻璃、陶瓷、金屬封接，封接性 能良好。 本發(fā)明的一種用于計(jì)算機(jī)領(lǐng)域的低熔點(diǎn)玻璃粉不僅具有適宜且易于調(diào)整的熱膨 脹系數(shù)，合適的軟化溫度，還具有優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性，特別在無(wú)鉛化和性能優(yōu)異方面具有很 強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力，具有廣泛的市場(chǎng)發(fā)展前景。 實(shí)施例1 —、原料組成按重量百分比為 V205為44%， P205為18%， Zn0為8%， B203為9%， A1203為3%， Ba0為5%， Mn02
為3%， SrO為2%， Ti02為4%， Sb203為4%。 二、制備方法 (1)按照各組分的重量百分比稱(chēng)取各原料； (2)將所稱(chēng)取的原料充分混合； (3)將混合后的混合料放入坩堝中，然后放入爐溫為110(TC的電爐中，保溫 50min ; (4)將熔化后的玻璃液倒入壓片機(jī)壓成薄片或者倒入冷水中或澆鑄成一定的形 狀； (5)將片狀或者顆粒狀玻璃放入球磨機(jī)球磨； (6)將球磨后的玻璃粉過(guò)篩、檢測(cè)、包裝。 三、測(cè)試結(jié)果 Tg(。C ) :< 300°C Tf (°C ) :< 400°C 膨脹系數(shù)98X 10—7°C (300°C ) 耐水性良。 實(shí)施例2 —、原料組成按重量百分比為 V205為31%， P205為25%， Zn0為8%， B203為15%， A1203為4%， Ba0為6%，Mn02 為2X，Sr0為1%， Ti02為5%， Sb203為3%。 二、制備方法 (1)按照各組分的重量百分比稱(chēng)取各原料； (2)將所稱(chēng)取的原料充分混合；
(3)將混合后的混合料放入坩堝中，然后放入爐溫為120(TC的電爐中，保溫 140min ; (4)將熔化后的玻璃液倒入壓片機(jī)壓成薄片或者倒入冷水中或澆鑄成一定的形 狀； (5)將片狀或者顆粒狀玻璃放入球磨機(jī)球磨； (6)將球磨后的玻璃粉過(guò)篩、檢測(cè)、包裝。 三、測(cè)試結(jié)果 Tg(。C ) :< 300°C Tf (°C ) :< 400°C 膨脹系數(shù)92X 10—7°C (300°C ) 耐水性良。 實(shí)施例3 —、原料組成按重量百分比為 V205為40%， P205為18%， ZnO為8%， B203為10%， A1203為4%， BaO為9%， Mn02 為4%， SrO為2%， Ti02為3%， Sb203為2%。 二、制備方法 (1)按照各組分的重量百分比稱(chēng)取各原料； (2)將所稱(chēng)取的原料充分混合； (3)將混合后的混合料放入坩堝中，然后放入爐溫為IIO(TC的電爐中，保溫 75min ; (4)將熔化后的玻璃液倒入壓片機(jī)壓成薄片或者倒入冷水中或澆鑄成一定的形 狀； (5)將片狀或者顆粒狀玻璃放入球磨機(jī)球磨； (6)將球磨后的玻璃粉過(guò)篩、檢測(cè)、包裝。 三、測(cè)試結(jié)果 Tg(。C ) :< 300°C Tf (°C ) :< 400°C 膨脹系數(shù)94X 10—7°C (300°C ) 耐水性良。 實(shí)施例4 —、原料組成按重量百分比為 V205為45%， P205為16%， ZnO為6%， B203為12%， A1203為3%， BaO為8%， Mn02 為3X，SrO為2X，Ti02為4X，Sb203為1%。 二、制備方法 (1)按照各組分的重量百分比稱(chēng)取各原料； (2)將所稱(chēng)取的原料充分混合； (3)將混合后的混合料放入坩堝中，然后放入爐溫為112(TC的電爐中，保溫 lOOmin ; (4)將熔化后的玻璃液倒入壓片機(jī)壓成薄片或者倒入冷水中或澆鑄成一定的形
7狀； (5)將片狀或者顆粒狀玻璃放入球磨機(jī)球磨； (6)將球磨后的玻璃粉過(guò)篩、檢測(cè)、包裝。
三、測(cè)試結(jié)果<formula>formula see original document page 8</formula>
膨脹系數(shù)99X10—7°C (300°C ) 耐水性良。 實(shí)施例5 —、原料組成按重量百分比為V205為50%， P205為15%， Zn0為3%， B203為12%， A1203為2%， Ba0為5%，Mn02 為2%， Sr0為3%， Ti02為5%， Sb203為3%。
二、制備方法 (1)按照各組分的重量百分比稱(chēng)取各原料；
(2)將所稱(chēng)取的原料充分混合； (3)將混合后的混合料放入坩堝中，然后放入爐溫為102(TC的電爐中，保溫 110min j (4)將熔化后的玻璃液倒入壓片機(jī)壓成薄片或者倒入冷水中或澆鑄成一定的形 狀； (5)將片狀或者顆粒狀玻璃放入球磨機(jī)球磨； (6)將球磨后的玻璃粉過(guò)篩、檢測(cè)、包裝。 三、測(cè)試結(jié)果 Tg(。C ) :< 300°C Tf (°C ) :< 400°C 膨脹系數(shù)103X10—7°C (300°C ) 耐水性良。 值得注意的是，本發(fā)明可根據(jù)具體封接材料的特性以及對(duì)溫度及膨脹系數(shù)的具體
要求提供與之匹配的一種用于計(jì)算機(jī)領(lǐng)域的低熔點(diǎn)玻璃粉，其方法在于選用不同的組分構(gòu)
成玻璃從而獲得多種具有不同膨脹系數(shù)的一種用于計(jì)算機(jī)領(lǐng)域的低熔點(diǎn)玻璃粉。 最后所應(yīng)說(shuō)明的是以上實(shí)施例僅用于說(shuō)明而非限制本發(fā)明的技術(shù)方案，盡管參
照上述實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，依然可以對(duì)本
發(fā)明進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明的精神和范圍的任何修改或局部替換，其均
應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。
權(quán)利要求
一種用于計(jì)算機(jī)領(lǐng)域的低熔點(diǎn)玻璃粉，其特征在于，原料按重量百分比組成的組分為，V2O5為30～50％，P2O5為5～30％，ZnO為1～20％，B2O3為1～20％，Al2O3為1～10％，BaO為1～10％，MnO2為1～10％，SrO為1～10％，TiO2為1～10％，Sb2O3為1～10％。
2. 如權(quán)利要求1所述的一種用于計(jì)算機(jī)領(lǐng)域的低熔點(diǎn)玻璃粉，其特征在于，所述的V205為35 45%;所述的？205為10 25%;所述的ZnO為3 15%;所述的B203為3 15%。
3. 如權(quán)利要求2所述的一種用于計(jì)算機(jī)領(lǐng)域的低熔點(diǎn)玻璃粉，其特征在于，所述的V205 為44% ;所述的P205為18% ;所述的ZnO為8% ;所述的B203為9%。
4. 如權(quán)利要求1所述的一種用于計(jì)算機(jī)領(lǐng)域的低熔點(diǎn)玻璃粉，其特征在于，所述的A1203為2 7% ;所述的BaO為2 7% ;所述的Mn02為2 7%。
5. 如權(quán)利要求4所述的一種用于計(jì)算機(jī)領(lǐng)域的低熔點(diǎn)玻璃粉，其特征在于，所述的A1203為3% ;所述的BaO為5% ;所述的Mn02為3%。
6. 如權(quán)利要求1所述的一種用于計(jì)算機(jī)領(lǐng)域的低熔點(diǎn)玻璃粉，其特征在于，所述的SrO為1 5% ;所述的Ti02為1 5% ;所述的Sb203為2 7%。
7. 如權(quán)利要求6所述的一種用于計(jì)算機(jī)領(lǐng)域的低熔點(diǎn)玻璃粉，其特征在于，所述的SrO為2% ;所述的Ti02為4% ;所述的Sb203為4%。
8. 如權(quán)利要求1所述的一種用于計(jì)算機(jī)領(lǐng)域的低熔點(diǎn)玻璃粉，其特征在于，所述的Al203、Mn02和Ti02的總的重量百分比為5 20%。
9. 如權(quán)利要求1所述的一種用于計(jì)算機(jī)領(lǐng)域的低熔點(diǎn)玻璃粉的制備方法，其特征在于，包括如下步驟(1) 按照各組分的重量百分比稱(chēng)取各原料；(2) 將所稱(chēng)取的原料充分混合；(3) 將混合后的混合料放入坩堝中，然后放入爐溫為1000°C 120(TC的電爐中，保溫50 150min ;(4) 將熔化后的玻璃液倒入壓片機(jī)壓成薄片或者倒入冷水中或澆鑄成一定的形狀；(5) 將片狀或者顆粒狀玻璃放入球磨機(jī)球磨；(6) 將球磨后的玻璃粉過(guò)篩、檢測(cè)、包裝。
全文摘要
本發(fā)明的一種用于計(jì)算機(jī)領(lǐng)域的低熔點(diǎn)玻璃粉及其制備方法，原料按重量百分比組成為V2O5為30～50％，P2O5為5～30％，ZnO為1～20％，B2O3為1～20％，Al2O3為1～10％，BaO為1～10％，MnO2為1～10％，SrO為1～10％，TiO2為1～10％，Sb2O3為1～10％；制備過(guò)程包括稱(chēng)量、混料、熔制、壓片、球磨、過(guò)篩；本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)具有軟化溫度低、膨脹系數(shù)可調(diào)整范圍大、化學(xué)穩(wěn)定性及電性能好、流動(dòng)性好等優(yōu)點(diǎn)。適宜于多種計(jì)算機(jī)電子元件的封接，以及大功率管，繼電器插座等的封接，具有良好的封接氣密性。
文檔編號(hào)C03C12/00GK101708956SQ20091019837
公開(kāi)日2010年5月19日 申請(qǐng)日期2009年11月6日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月6日
發(fā)明者劉榮輝, 張玉花, 李勝春, 薛冰, 邵國(guó)金, 陳紅軍 申請(qǐng)人:鄭慶云