專利名稱：線鋸的再次開始運(yùn)轉(zhuǎn)方法及線鋸的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種線鋸，一邊對鋼線供給漿液一邊壓抵半導(dǎo)體晶棒等的工件來進(jìn)行 切斷；特別涉及一種利用鋼線進(jìn)行切斷時的線鋸的再次開始運(yùn)轉(zhuǎn)方法及其線鋸。
背景技術(shù)：
以往，作為從半導(dǎo)體晶棒等的工件切出芯片的裝置，已知有線鋸。在該線鋸中，切 斷用鋼線多數(shù)次地卷繞在多個帶凹槽滾筒的周圍而形成鋼線列，該切斷用鋼線往軸向被高 速驅(qū)動，且一邊適當(dāng)?shù)毓┙o漿液一邊相對于鋼線列切入進(jìn)給工件，由此，該工件可在各鋼線 位置同時地被切斷。另外，線鋸的鋼線采用一種擁有耐磨耗性、耐張力性而且高硬度的線材，例如鋼琴 線等；另外，為了防止鋼線的損傷，帶凹槽滾筒使用一種規(guī)定硬度的樹脂滾筒，但是由于鋼 線持續(xù)地磨耗或金屬疲勞等，在切斷工件時，鋼線會發(fā)生斷線，而有無法繼續(xù)切斷芯片的情 況。此種情況，以往，在進(jìn)行使工件的切入從鋼線脫離的脫離作業(yè)之后，以手動的方 式將鋼線拉出，或利用手控的方式來操作帶凹槽滾筒驅(qū)動裝置，將鋼線的斷線處拉至其中 一方的帶凹槽滾筒的適當(dāng)外側(cè)位置為止，然后將該斷線部彼此連結(jié)起來，之后，進(jìn)行拉出作 業(yè)，將斷線后的鋼線的連接部，再次拉至不與工件的切斷直接相關(guān)的位置，或著在不能使用 的情況，進(jìn)行交換作業(yè)而換成新的鋼線。而且，此種鋼線修補(bǔ)處理之后，使工件的各切入處對應(yīng)于鋼線列的各列，并使其卡 合來進(jìn)行恢復(fù)原狀作業(yè)，然后使工件的切斷再次開始(再開)，由此，來進(jìn)行使工件的切片 切斷完成這樣的恢復(fù)原狀作業(yè)。但是，除了從開始進(jìn)行鋼線的恢復(fù)原狀作業(yè)至再次開始工件的切斷為止所需要的 時間極短的情況，例如，當(dāng)鋼線的斷線并不是發(fā)生在與帶凹槽滾筒嵌合之處，則只要連接鋼 線的兩斷線之間，便能完成鋼線處理；在鋼線修補(bǔ)處理需要長時間(1小時以上)的情況下， 由于上述帶凹槽滾筒的軸承部和鋼線等的摩擦熱，原本熱膨脹中的帶凹槽滾筒會冷卻而收 縮，由于鋼線列的間距(pitch)會比原先進(jìn)行切斷的狀態(tài)更狹窄，所以在此狀態(tài)下，若再次 開始工件的切斷，則在切出來的芯片的切斷面，會有產(chǎn)生無法修正的段差這樣的問題。對于此種問題，公開了一種再次開始運(yùn)轉(zhuǎn)方法及裝置，在帶凹槽滾筒的至少軸承 部內(nèi)，形成用以導(dǎo)入熱交換介質(zhì)的通路，在鋼線斷裂時，先停止帶凹槽滾筒的旋轉(zhuǎn)及漿液的 供給，并將用以限制熱收縮的熱交換介質(zhì)導(dǎo)入上述熱交換介質(zhì)的通路內(nèi)，之后，進(jìn)行鋼線恢 復(fù)原狀作業(yè)(參照專利文獻(xiàn)1)。若根據(jù)此種方法及裝置，即便在鋼線修補(bǔ)處理需要長時間的情況下，也可以將芯 片的段差，降低至1/4以內(nèi)的程度，該芯片的段差是切斷中斷后的滾筒的收縮造成鋼線間 距偏移而引起的。專利文獻(xiàn)1 日本特開平10-202497號公報。

發(fā)明內(nèi)容
然而，近年來，由于半導(dǎo)體組件的微細(xì)化而對于半導(dǎo)體芯片的質(zhì)量要求變高，伴隨 著此趨勢，芯片檢查方法也高靈敏度化，于是，在剛利用線鋸切斷后的段差測定中無法檢測 出來的微小段差，也會在芯片加工后的納米形貌(納米級形貌)測定中被檢測出來。而且，利用上述以往的方法，并無法完全地避免此種微小段差。因此，要求更進(jìn)一 步的質(zhì)量改善。本發(fā)明是鑒于上述問題而開發(fā)出來的，其目的在于提供一種線鋸的再次開始 運(yùn)轉(zhuǎn)方法及其線鋸，在根據(jù)線鋸而實(shí)行的半導(dǎo)體晶棒等的工件切斷中，即便在由于鋼線 的斷線等而使工件的切斷在途中被中斷的情況下，也能抑制加工后的芯片的納米形貌 (Nanotopography)的惡化，制品芯片不會發(fā)生質(zhì)量的問題，并能使切斷再次開始(再開)而 完成切斷。為了達(dá)成上述目的，根據(jù)本發(fā)明提供一種線鋸的再次開始運(yùn)轉(zhuǎn)方法，在使卷繞在 二個以上的帶凹槽滾筒上的鋼線在軸向上作往復(fù)行進(jìn)，一邊將切斷用漿液供給至上述鋼 線，一邊將工件相對地壓下，使其壓抵作往復(fù)行進(jìn)的上述鋼線來進(jìn)行切入進(jìn)給，將上述工件 切斷成芯片狀的線鋸的運(yùn)轉(zhuǎn)中，在切斷途中暫時中斷上述工件的切斷之后，再次開始該切 斷，其特征在于，在上述工件的切斷中，一邊測定上述帶凹槽滾筒的軸向的變位量和上述工 件的溫度并加以記錄，一邊切斷上述工件；在中斷上述工件的切斷之后，在再次開始上述工 件的切斷之前，通過對上述帶凹槽滾筒與上述工件供給分別獨(dú)立地控制溫度后的溫度調(diào)整 介質(zhì)，將上述帶凹槽滾筒的軸向的變位量與上述工件的溫度，以分別與中斷上述工件的切 斷時所記錄的上述變位量和溫度成為相同的方式來進(jìn)行調(diào)整，之后，再次開始進(jìn)行切斷。如此，在上述工件的切斷中，一邊測定上述帶凹槽滾筒的軸向的變位量和上述工 件的溫度并加以記錄，一邊切斷上述工件，而在中斷上述工件的切斷之后，在再次開始上述 工件的切斷之前，通過對上述帶凹槽滾筒與上述工件供給分別獨(dú)立地控制溫度后的溫度調(diào) 整介質(zhì)，將上述帶凹槽滾筒的軸向的變位量與上述工件的溫度，以分別與中斷上述工件的 切斷時所記錄的變位量和溫度成為相同的方式來進(jìn)行調(diào)整，之后，再次開始進(jìn)行切斷。若如 此進(jìn)行則帶凹槽滾筒與工件的熱膨脹的狀態(tài)，在中斷切斷之前與再次開始之后，并不會成 為不連續(xù)的狀態(tài)，因而能一邊抑制在切斷后的芯片的表面上產(chǎn)生段差、納米形貌惡化等，一 邊完成工件的切斷。此時，優(yōu)選作為供給至上述帶凹槽滾筒與上述工件上的溫度調(diào)整介質(zhì)采用在切斷 上述工件時所使用的漿液。如此，若作為供給至帶凹槽滾筒與工件上的溫度調(diào)整介質(zhì)是在切斷工件時所使用 的漿液，則不用另外準(zhǔn)備溫度調(diào)整介質(zhì)，所以能使裝置的構(gòu)成簡單化，并且在調(diào)整帶凹槽滾 筒的軸向的變位量與工件的溫度后，不用停止供給漿液，而能迅速地再次開始切斷工件，并 能有效地抑制在切斷后的芯片表面上發(fā)生段差或是納米形貌惡化等的情況。另外，此時，優(yōu)選作為供給至上述帶凹槽滾筒上的溫度調(diào)整介質(zhì)采用在切斷上述 工件時所使用的漿液；作為供給至上述工件上的溫度調(diào)整介質(zhì)使用氣體。如此，若作為供給至上述帶凹槽滾筒上的溫度調(diào)整介質(zhì)是在切斷上述工件時所使 用的漿液，而且，作為供給至上述工件上的溫度調(diào)整介質(zhì)使用氣體，由此，則不用新增加往 工件的漿液供給管路，能使用更簡單的裝置來作溫度調(diào)整，且在調(diào)整帶凹槽滾筒的軸向的變位量與工件的溫度后，能迅速地再次開始切斷工件，并能更有效地抑制在切斷后的芯片 表面上發(fā)生段差或是納米形貌惡化等的情況。另外，根據(jù)本發(fā)明提供一種線鋸，使卷繞在二個以上的帶凹槽滾筒上的鋼線在軸 向上作往復(fù)行進(jìn)，一邊將切斷用漿液供給至上述鋼線，一邊將工件相對地壓下，使其壓抵作 往復(fù)行進(jìn)的上述鋼線來進(jìn)行切入進(jìn)給，將上述工件切斷成芯片狀，其特征在于，具有測定 上述工件切斷中的上述帶凹槽滾筒的軸向的變位量并加以記錄的裝置；測定切斷中的上述 工件的溫度并加以記錄的裝置；對上述帶凹槽滾筒與上述工件供給分別獨(dú)立地控制溫度后 的溫度調(diào)整介質(zhì)的裝置；其中，在上述工件的切斷中，根據(jù)上述變位量的記錄裝置與上述溫 度的記錄裝置，一邊測定上述帶凹槽滾筒的軸向的變位量和上述工件的溫度并加以記錄， 一邊切斷上述工件；在切斷途中暫時中斷上述工件的切斷之后，在再次開始該切斷之前，利 用上述溫度調(diào)整介質(zhì)的供給裝置，將上述介質(zhì)供給至上述帶凹槽滾筒與上述工件上，由此， 將上述帶凹槽滾筒的軸向的變位量與上述工件的溫度，以分別與中斷上述工件的切斷時所 記錄的變位量和溫度成為相同的方式來進(jìn)行調(diào)整，之后，再次開始進(jìn)行切斷。如此，如果一種線鋸具備測定上述工件切斷中的上述帶凹槽滾筒的軸向的變位 量并加以記錄的裝置；測定切斷中的上述工件的溫度并加以記錄的裝置；對上述帶凹槽滾 筒與上述工件，供給分別獨(dú)立地控制溫度后的溫度調(diào)整介質(zhì)的裝置；且在上述工件的切斷 中，根據(jù)上述變位量的記錄裝置與上述溫度的記錄裝置，一邊測定上述帶凹槽滾筒的軸向 的變位量和上述工件的溫度并加以記錄，一邊切斷上述工件；在切斷途中暫時中斷上述工 件的切斷之后，在再次開始該切斷之前，利用上述溫度調(diào)整介質(zhì)的供給裝置，將上述介質(zhì)供 給至上述帶凹槽滾筒與上述工件上，由此，將上述帶凹槽滾筒的軸向的變位量與上述工件 的溫度，以分別與中斷上述工件的切斷時所記錄的變位量和溫度成為相同的方式來進(jìn)行調(diào) 整，之后，再次開始進(jìn)行切斷。由此，成為一種裝置，其帶凹槽滾筒與工件的熱膨脹的狀態(tài)， 在中斷切斷之前與再次開始之后，并不會成為不連續(xù)的狀態(tài)，因而能一邊抑制在切斷后的 芯片的表面上產(chǎn)生段差、納米形貌惡化等，一邊完成工件的切斷。此時，優(yōu)選作為供給至上述帶凹槽滾筒與上述工件上的溫度調(diào)整介質(zhì)采用在切斷 上述工件時所使用的漿液。如此，若一種裝置，其供給至帶凹槽滾筒與工件上的溫度調(diào)整介質(zhì)是在切斷工件 時所使用的漿液，則能使構(gòu)成簡單化，并且在調(diào)整帶凹槽滾筒的軸向的變位量與工件的溫 度后，能迅速地再次開始切斷工件，并能有效地抑制在切斷后的芯片表面上發(fā)生段差或是 納米形貌惡化等的情況。另外，此時，優(yōu)選供給至上述帶凹槽滾筒上的溫度調(diào)整介質(zhì)采用在切斷上述工件 時所使用的漿液；供給至上述工件上的溫度調(diào)整介質(zhì)是氣體。如此，若供給至上述帶凹槽滾筒上的溫度調(diào)整介質(zhì)是在切斷上述工件時所使用的 漿液，而且，供給至上述工件上的溫度調(diào)整介質(zhì)是氣體，由此，則成為一種裝置，不用新增加 往工件的漿液供給管路，能構(gòu)成更簡單的裝置，且在調(diào)整帶凹槽滾筒的軸向的變位量與工 件的溫度后，能迅速地再次開始切斷工件，并能更有效地抑制在切斷后的芯片表面上發(fā)生 段差或是納米形貌惡化等的情況。在本發(fā)明中，針對線鋸，在工件的切斷中，根據(jù)變位量的測定裝置與溫度的記錄裝 置，一邊測定帶凹槽滾筒的軸向的變位量和工件的溫度并加以記錄，一邊切斷工件，而在中斷上述工件的切斷之后，在再次開始上述工件的切斷之前，利用溫度調(diào)整介質(zhì)的供給裝置， 對帶凹槽滾筒與工件，供給溫度調(diào)整介質(zhì)，由此，將帶凹槽滾筒的軸向的變位量與工件的溫 度，以分別與中斷上述工件的切斷時所記錄的變位量和溫度成為相同的方式來進(jìn)行調(diào)整， 之后，再次開始進(jìn)行切斷，所以，帶凹槽滾筒與工件的熱膨脹的狀態(tài)，在中斷切斷之前與再 次開始之后，并不會成為不連續(xù)的狀態(tài)，因而能一邊抑制在切斷后的芯片的表面上產(chǎn)生段 差、納米形貌惡化等，一邊完成工件的切斷。


圖1是表示本發(fā)明的線鋸的一例的概略圖。圖2是表示本發(fā)明的線鋸的另一例的概略圖。圖3是本發(fā)明的線鋸的再次開始運(yùn)轉(zhuǎn)方法的流程圖。圖4是表示實(shí)施例1、實(shí)施例2、比較例1、比較例2的結(jié)果的圖。圖5是表示以往(比較例1)的線鋸的一例的概略圖。
具體實(shí)施例方式以下，說明本發(fā)明的實(shí)施方式，但本發(fā)明不限定于此實(shí)施方式。以往，根據(jù)線鋸而實(shí)行的半導(dǎo)體芯片等的工件的切斷，例如在由于鋼線的斷線等， 切斷途中暫時中斷工件的切斷，先進(jìn)行恢復(fù)原狀處理，之后再次開始(再開)該切斷的情況 下，若直到再次開始切斷為止需要長時間(1小時以上)的情況，由于帶凹槽滾筒的軸承部 和鋼線等的摩擦熱，原本熱膨脹中的帶凹槽滾筒和工件會冷卻而收縮，由于鋼線列的間距 會比原先進(jìn)行切斷的狀態(tài)更狹窄，所以在此狀態(tài)下，若再次開始工件的切斷，則會有在切出 來的芯片的切斷面產(chǎn)生無法修正的段差這樣的問題。根據(jù)以往的方法，此種段差雖然能降低至某種程度，但是并無法完全地避免在芯 片加工后的納米形貌測定中會被檢測出來的微小段差的發(fā)生。因此，要求更進(jìn)一步改善切 斷芯片的質(zhì)量。對此，本發(fā)明人為了解決此種問題而進(jìn)行深入的研究。其結(jié)果，想到了以下的技術(shù) 內(nèi)容而完成本發(fā)明，即，當(dāng)再次開始工件的切斷時，如果使帶凹槽滾筒的變位量與切斷的中 斷前的狀態(tài)相同，并且使晶棒的熱膨脹狀態(tài)也與中斷前相同，則能更靠近斷線前的狀態(tài)，而 能改善切斷后的芯片的納米形貌。圖1是表示本發(fā)明的線鋸的一例的概略圖。如圖1所示，本發(fā)明的線鋸1主要包括用以切斷工件W的鋼線2、卷繞有鋼線2的 帶凹槽滾筒3、用以賦予鋼線2張力的鋼線張力賦予機(jī)構(gòu)4、將要切斷的工件W相對地向下 方送出的工件進(jìn)給機(jī)構(gòu)5、在切斷時用以供給漿液至鋼線2上的漿液槽10、漿液冷卻器11 及噴嘴12等。鋼線2從一側(cè)的線滾動條7送出，經(jīng)由移車臺8，再經(jīng)過由粉粒離合器(定轉(zhuǎn)矩馬 達(dá)9)或上下跳動滾筒(靜重(deadweight))(未圖示)等所組成的鋼線張力賦予機(jī)構(gòu)4， 進(jìn)入帶凹槽滾筒3。鋼線2通過卷繞于此帶凹槽滾筒3上約300 400次，而形成鋼線列。 鋼線2經(jīng)過另一側(cè)的鋼線張力賦予機(jī)構(gòu)4’而被卷繞在線滾動條7’上。另外，在工件切斷時，通過鋼線張力賦予機(jī)構(gòu)4，能對鋼線2賦予適當(dāng)?shù)膹埩Α?br> 工件W粘接于抵板上，并經(jīng)由抵板和用以保持該抵板的工件板，而通過工件進(jìn)給 機(jī)構(gòu)5而被保持。此工件進(jìn)給機(jī)構(gòu)5可利用計算機(jī)控制而以預(yù)先程序化的進(jìn)給速度將保持 著的工件W推送。另外，具備一種記錄裝置15，其測定切斷中的工件W的溫度并加以記錄。記錄裝置 15具有用以測定切斷中的工件W的溫度的溫度計13。此處，作為溫度計13，例如能使用放 射式溫度計。如此，若使用放射式溫度計來測定工件W的溫度，則能以非接觸的方式進(jìn)行高 精度的測定，所以優(yōu)選放射式溫度計。當(dāng)進(jìn)行切斷時，工件W通過工件進(jìn)給機(jī)構(gòu)5，往位于下方的鋼線2進(jìn)給。此工件進(jìn) 給機(jī)構(gòu)5通過將工件W相對地往下方推壓，直到鋼線2到達(dá)抵板14，從而使工件W壓抵鋼 線2來進(jìn)行切入進(jìn)給。而且，完成工件W的切斷之后，通過使工件W的推送方向相反，將切 斷結(jié)束的工件W從鋼線列拔出。另外，帶凹槽滾筒3是在鋼鐵制圓筒的周邊壓入聚胺酯樹脂并于其表面以恒定的 間距切出凹溝而成的滾筒，卷繞的鋼線2可被驅(qū)動用馬達(dá)(未圖標(biāo))驅(qū)動，而在往復(fù)方向上 作移動(運(yùn)動)。另外，如圖1所示，線鋸1具備記錄裝置16，用以測定帶凹槽滾筒3的軸向的變位 量并加以記錄。此記錄裝置16具有變位傳感器14，用以測定帶凹槽滾筒3的軸向的變位 量。此處，作為變位傳感器14例如能使用渦電流式變位傳感器。如此，若使用渦電流式變 位傳感器來進(jìn)行帶凹槽滾筒3的變位的測定，則能以非接觸的方式進(jìn)行高精度的測定，所 以優(yōu)選渦電流式變位傳感器。另外，工件溫度的記錄裝置15和帶凹槽滾筒的變位量的記錄裝置16與控制裝置 17連接；控制裝置17能讀取在記錄裝置15、16中所記錄的規(guī)定時間內(nèi)的溫度與變位量。另外，噴嘴12被配置在鋼線2的上方，該鋼線2被卷繞于帶凹槽滾筒3上，在切斷 時，在軸向上作往復(fù)行進(jìn)；當(dāng)進(jìn)行工件W的切斷時，可供給切斷用漿液至鋼線2上。此噴嘴 12通過漿液冷卻器11而被連接至漿液槽10，所供給的漿液通過漿液冷卻器11而被控制供 給溫度，并能從噴嘴12供給至帶凹槽滾筒3 (鋼線2)上。此處，在切斷中所使用的漿液的種類并無特別限定，可使用與以往相同的漿液，例 如可為將GC(碳化硅)磨粒分散于液體而成者。另外，如圖1所示，線鋸1具備一種分別對帶凹槽滾筒3與工件W供給溫度控制后 的溫度調(diào)整介質(zhì)的裝置6。通過這些溫度調(diào)整介質(zhì)的供給裝置6，對帶凹槽滾筒3與工件W供給溫度控制后的 介質(zhì)，而能調(diào)整帶凹槽滾筒3的軸向的變位量與工件W的溫度。另外，此供給裝置6與控制裝置17連接，通過此控制裝置17，能夠?qū)О疾蹪L筒3 的軸向的變位量與工件W的溫度控制為分別與控制裝置17讀取的在記錄裝置15、16中所 記錄的帶凹槽滾筒3的軸向的變位量與工件W的溫度相同。例如，利用控制漿液冷卻器11、 11’，將已調(diào)整溫度后的漿液從噴嘴12、12’供給至帶凹槽滾筒3和工件W等處，便能調(diào)整帶 凹槽滾筒3的軸向的變位量、工件W的溫度。而且，本發(fā)明的線鋸，在工件W的切斷中，通過記錄裝置15、16，以規(guī)定的時間間隔 來測定帶凹槽滾筒3的軸向的變位量和工件W的溫度，并一邊做記錄一邊切斷工件W，而在 切斷途中暫時中斷工件W的切斷之后，在再次開始(再開)該切斷之前，利用溫度調(diào)整介質(zhì)的供給裝置6，將介質(zhì)供給至帶凹槽滾筒3與工件W上，由此，將帶凹槽滾筒3的軸向的變位 量與工件W的溫度，以分別與中斷工件W的切斷時所記錄的變位量和溫度成為相同的方式 來進(jìn)行調(diào)整后，再次開始進(jìn)行切斷。若是此種線鋸，帶凹槽滾筒3與工件W的熱膨脹的狀態(tài)，在中斷切斷之前與再次開 始之后，并不會成為不連續(xù)的狀態(tài)，因而能一邊抑制在切斷后的芯片的表面上產(chǎn)生段差、納 米形貌惡化等，一邊完成工件的切斷。此處，將帶凹槽滾筒3的變位量與工件W的溫度，以分別與中斷工件W的切斷時所 記錄的變位量和溫度相同的方式來進(jìn)行調(diào)整時，優(yōu)選調(diào)整后的變位量與中斷時所記錄的變 位量的誤差在士 1 μ m以內(nèi)，且調(diào)整后的溫度與中斷時所記錄的溫度的誤差在士 1°C以內(nèi)。 若是在此設(shè)定范圍內(nèi)，對于在切斷后的芯片表面上發(fā)生段差或納米形貌惡化的情況，本發(fā) 明能充分地發(fā)揮抑制這些缺陷的效果。此時，如圖1所示，優(yōu)選供給至帶凹槽滾筒3與工件W上的溫度調(diào)整介質(zhì)是在切斷 工件W時所使用的漿液。如此，若供給至帶凹槽滾筒3與工件W上的溫度調(diào)整介質(zhì)是在切斷工件W時所使 用的漿液，則不用另外準(zhǔn)備溫度調(diào)整介質(zhì)，所以能使裝置的構(gòu)成簡單化，并且在調(diào)整帶凹槽 滾筒3的軸向的變位量與工件W的溫度后，不用停止供給漿液，而能在該狀態(tài)下迅速地再次 開始切斷工件W，并能有效地抑制在切斷后的芯片表面上發(fā)生段差或是納米形貌惡化等的 情況?；蛘?，如圖2所示，可以將供給至帶凹槽滾筒3上的溫度調(diào)整介質(zhì)，設(shè)為在切斷工 件W時所使用的漿液，并可以設(shè)置一種用以將溫度控制后的氣體供給至工件W上的調(diào)溫氣 體供給裝置18，而將從調(diào)溫氣體供給裝置18所供給的氣體，作為要供給至工件W上的溫度 調(diào)整介質(zhì)。如此，若供給至帶凹槽滾筒3上的溫度調(diào)整介質(zhì)是在切斷工件W時所使用的漿液， 而且，供給至工件W上的溫度調(diào)整介質(zhì)是氣體，則不用新增加往工件W的漿液供給管路，能 作成更簡單的裝置，且在調(diào)整帶凹槽滾筒3的軸向的變位量與工件W的溫度后，不用停止供 給漿液，而能在該狀態(tài)下迅速地再次開始切斷工件W，并能更有效地抑制在切斷后的芯片表 面上發(fā)生段差或是納米形貌惡化等的情況。接著，說明有關(guān)本發(fā)明的線鋸的再次開始運(yùn)轉(zhuǎn)方法。此處，圖3是表示有關(guān)本發(fā)明的線鋸的再次開始運(yùn)轉(zhuǎn)方法的流程圖。作為前提，為了進(jìn)行工件W的切斷，首先，將抵板粘接于工件W上，并通過工件板來 保持該抵板。而且，經(jīng)由這些抵板、工件板，并通過工件進(jìn)給機(jī)構(gòu)5來保持工件W。接著，對鋼線2賦予張力并使其往軸向作往復(fù)行進(jìn)，在已進(jìn)行對鋼線2供給漿液的 狀態(tài)下，使被保持在工件進(jìn)給機(jī)構(gòu)5上的工件W相對地下降，而使該工件W相對地往鋼線列 切入進(jìn)給，來切斷工件W。此處，本發(fā)明，在進(jìn)行工件W的切斷時，通過記錄裝置15、16，以規(guī)定的時間間隔來 測定帶凹槽滾筒3的軸向的變位量與工件W的溫度。而且，在由于鋼線2發(fā)生斷線等，中斷工件W的切斷，要再次開始該切斷時，在切斷 中斷后，首先，去除中斷的原因來進(jìn)行恢復(fù)原狀作業(yè)。例如，在發(fā)生鋼線2的斷線的情況，進(jìn) 行鋼線2的修補(bǔ)作業(yè)，之后，使工件的各切入處對應(yīng)于鋼線列的各列，并使其卡合來進(jìn)行恢復(fù)原狀作業(yè)。此恢復(fù)原狀作業(yè)完成后，將分別獨(dú)立地控制溫度后的溫度調(diào)整介質(zhì)，供給至帶 凹槽滾筒3與工件W上。而且，根據(jù)控制裝置17，以將帶凹槽滾筒3的軸向的變位量與工件W的溫度，控制 成與工件W的切斷中斷時所記錄的變位量和溫度分別相同的方式，來進(jìn)行調(diào)整。此處，優(yōu)選調(diào)整后的變位量與中斷時所記錄的變位量的誤差在士 Iym以內(nèi)，且調(diào) 整后的溫度與中斷時所記錄的溫度的誤差在士 1°C以內(nèi)。如此，當(dāng)帶凹槽滾筒3的軸向的變位量與工件W的溫度都調(diào)整完成后，再次開始工 件W的切斷。此情況，優(yōu)選在再次開始切斷前，保持恒定時間，使工件W的溫度、帶凹槽滾筒 3的變位量安定。如此，在工件W的切斷中，一邊測定帶凹槽滾筒3的軸向的變位量和工件W的溫度 并加以記錄，一邊切斷工件W，而且，在中斷工件W的切斷后，且在再次開始工件W的切斷前， 通過將分別獨(dú)立控制溫度后的溫度調(diào)整介質(zhì)供給至溫度調(diào)整介質(zhì)與工件W上，將帶凹槽滾 筒3的軸向的變位量與工件W的溫度，調(diào)整成與在中斷工件W的切斷時所記錄的變位量與 溫度分別相同，之后，再次開始進(jìn)行切斷，由此帶凹槽滾筒3與工件W的熱膨脹狀態(tài)在中斷 切斷之前與再次開始之后并不會成為不連續(xù)的狀態(tài)，因而能一邊抑制在切斷后的芯片的表 面上產(chǎn)生段差、納米形貌惡化等，一邊完成工件的切斷。此時，優(yōu)選作為供給至帶凹槽滾筒3與工件W上的溫度調(diào)整介質(zhì)采用在切斷工件 W時所使用的漿液。如此，若作為供給至帶凹槽滾筒3與工件W上的溫度調(diào)整介質(zhì)采用在切斷工件W 時所使用的漿液，則不用另外準(zhǔn)備介質(zhì)，所以能簡單地實(shí)施，并且在調(diào)整帶凹槽滾筒3的軸 向的變位量與工件W的溫度后，不用停止供給漿液，而能在該狀態(tài)下迅速地再次開始切斷 工件W，并能更有效地抑制在切斷后的芯片表面上發(fā)生段差或是納米形貌惡化等的情況。另外，此時，優(yōu)選作為供給至帶凹槽滾筒3上的溫度調(diào)整介質(zhì)采用在切斷工件W時 所使用的漿液；優(yōu)選作為供給至工件W上的溫度調(diào)整介質(zhì)使用氣體。如此，作為供給至帶凹槽滾筒3上的溫度調(diào)整介質(zhì)采用在切斷工件W時所使用的 漿液，而作為供給至工件W上的溫度調(diào)整介質(zhì)使用氣體，由此，不用新增加往工件W的漿液 供給管路，便能使用更簡單的裝置來調(diào)整溫度，且在調(diào)整帶凹槽滾筒3的軸向的變位量與 工件W的溫度后，也能迅速地再次開始切斷工件W，并能更有效地抑制在切斷后的芯片表面 上發(fā)生段差或是納米形貌惡化等的情況。以下，表示本發(fā)明的實(shí)施例及比較例，更具體地說明本發(fā)明，但本發(fā)明不限定于這 些例子。(實(shí)施例1)使用圖1所示的本發(fā)明的線鋸，切斷直徑300mm的硅晶棒，在該切斷的途中，使切 斷中斷，而在1小時后，利用圖3所示的本發(fā)明的再次開始運(yùn)轉(zhuǎn)方法，再次開始切斷，而得到 232片硅芯片。然后，將以此種方法而得到的切斷后的芯片，進(jìn)行磨光、拋光加工后，測定納 米形貌來進(jìn)行評價。測定而得到的納米形貌的結(jié)果表示于圖4中。如圖4所示，納米形貌的平均值是 13. 71nm，相較于后述的比較例1、比較例2的結(jié)果，得知納米形貌會被改善。另外，納米形貌的不良率也能抑制在5 10%的低值。
如此，本發(fā)明的線鋸的再次開始運(yùn)轉(zhuǎn)方法及線鋸，已經(jīng)確認(rèn)能一邊抑制在切斷后 的芯片表面上發(fā)生段差或是納米形貌惡化，一邊完成工件的切斷。(實(shí)施例2)除了使用圖2所示的本發(fā)明的線鋸，與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行工件切斷的中斷、再次 開始，并進(jìn)行與實(shí)施例1同樣的評價。測定而得到的納米形貌的結(jié)果，表示于圖4中。如圖4所示，納米形貌的平均值是 13. 96nm，相較于后述的比較例1、比較例2的結(jié)果，得知納米形貌會被改善。另外，納米形貌的不良率也能抑制在5 10%的低值。如此，本發(fā)明的線鋸的再次開始運(yùn)轉(zhuǎn)方法及線鋸，已經(jīng)確認(rèn)能一邊抑制在切斷后 的芯片表面上發(fā)生段差或是納米形貌惡化，一邊完成工件的切斷。(比較例1)使用圖5所示的以往的線鋸，切斷直徑300mm的硅晶棒，在該切斷的途中，使切斷 中斷，而在1小時后，沒有調(diào)整帶凹槽滾筒的軸向的變位量與工件的溫度，便直接再次開始 進(jìn)行切斷，而得到231片硅芯片。然后，將以此種方法而得到的切斷后的芯片，進(jìn)行磨光、拋 光加工后，測定納米形貌來進(jìn)行評價。將結(jié)果表示于圖4中。如圖4所示，納米形貌的平均值是20. 86nm，相較于實(shí)施例 1、實(shí)施例2的結(jié)果，得知納米形貌惡化。另外，在切斷后的芯片表面上會發(fā)生段差，全部芯片的納米形貌成為不良。(比較例2)將用以供給漿液至帶凹槽滾筒上的供給路徑，增設(shè)在圖5所示的以往的線鋸中， 利用在再次開始切斷前供給漿液，將帶凹槽滾筒的變位量調(diào)整成切斷中斷前的狀態(tài)，但是 并沒有對工件供給溫度調(diào)整介質(zhì)，并且，與比較例1同樣地切出芯片，且進(jìn)行與比較例1同 樣的評價。其結(jié)果，如圖4所示，納米形貌的平均值是19. 43nm，相較于實(shí)施例1、實(shí)施例2的 結(jié)果，得知納米形貌惡化。另外，在切斷后的芯片表面上會發(fā)生微小的段差。另外，本發(fā)明不限定于上述實(shí)施方式。上述實(shí)施方式僅為例示，凡是具有與本發(fā)明 的權(quán)利要求書中所記載的技術(shù)思想實(shí)質(zhì)上相同的構(gòu)成且都能產(chǎn)生相同的效果，不論為如何 的形態(tài)，皆應(yīng)包含于本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種線鋸的再次開始運(yùn)轉(zhuǎn)方法，在使卷繞在二個以上的帶凹槽滾筒上的鋼線在軸向 上作往復(fù)行進(jìn)，一邊將切斷用漿液供給至上述鋼線，一邊將工件相對地壓下，使其壓抵作往 復(fù)行進(jìn)的上述鋼線來進(jìn)行切入進(jìn)給，將上述工件切斷成芯片狀的線鋸的運(yùn)轉(zhuǎn)中，在切斷途 中暫時中斷上述工件的切斷之后，再次開始該切斷，其特征在于，在上述工件的切斷中，一邊測定上述帶凹槽滾筒的軸向的變位量和上述工件的溫度并 加以記錄，一邊切斷上述工件；在中斷上述工件的切斷之后，在再次開始上述工件的切斷之前，通過對上述帶凹槽滾 筒與上述工件供給分別獨(dú)立地控制溫度后的溫度調(diào)整介質(zhì)，將上述帶凹槽滾筒的軸向的變 位量與上述工件的溫度，以分別與中斷上述工件的切斷時所記錄的上述變位量和溫度成為 相同的方式來進(jìn)行調(diào)整，之后，再次開始進(jìn)行切斷。
2.如權(quán)利要求1所述的線鋸的再次開始運(yùn)轉(zhuǎn)方法，其中，作為供給至上述帶凹槽滾筒與上述工件上的溫度調(diào)整介質(zhì)采用在切斷上述工件時所 使用的漿液。
3.如權(quán)利要求1所述的線鋸的再次開始運(yùn)轉(zhuǎn)方法，其中，作為供給至上述帶凹槽滾筒上的溫度調(diào)整介質(zhì)采用在切斷上述工件時所使用的漿液; 作為供給至上述工件上的溫度調(diào)整介質(zhì)使用氣體。
4.一種線鋸，使卷繞在二個以上的帶凹槽滾筒上的鋼線在軸向上作往復(fù)行進(jìn)，一邊將 切斷用漿液供給至上述鋼線，一邊將工件相對地壓下，使其壓抵作往復(fù)行進(jìn)的上述鋼線來 進(jìn)行切入進(jìn)給，將上述工件切斷成芯片狀，其特征在于，具有測定上述工件切斷中的上述帶凹槽滾筒的軸向的變位量并加以記錄的裝置，測定切斷中的上述工件的溫度并加以記錄的裝置，對上述帶凹槽滾筒與上述工件供給分別獨(dú)立地控制溫度后的溫度調(diào)整介質(zhì)的裝置；其中，在上述工件的切斷中，根據(jù)上述變位量的記錄裝置與上述溫度的記錄裝置，一邊 測定上述帶凹槽滾筒的軸向的變位量和上述工件的溫度并加以記錄，一邊切斷上述工件；在切斷途中暫時中斷上述工件的切斷之后，在再次開始該切斷之前，利用上述溫度調(diào) 整介質(zhì)的供給裝置，將上述介質(zhì)供給至上述帶凹槽滾筒與上述工件上，由此，將上述帶凹槽 滾筒的軸向的變位量與上述工件的溫度，以分別與中斷上述工件的切斷時所記錄的變位量 和溫度成為相同的方式來進(jìn)行調(diào)整，之后，再次開始進(jìn)行切斷。
5.如權(quán)利要求4所述的線鋸，其中，供給至上述帶凹槽滾筒與上述工件上的溫度調(diào)整介質(zhì)是在切斷上述工件時所使用的 漿液。
6.如權(quán)利要求4所述的線鋸，其中，供給至上述帶凹槽滾筒上的溫度調(diào)整介質(zhì)是在切斷上述工件時所使用的漿液；供給至 上述工件上的溫度調(diào)整介質(zhì)是氣體。
全文摘要
本發(fā)明是一種線鋸的再次開始運(yùn)轉(zhuǎn)方法，在工件的切斷中，一邊測定帶凹槽滾筒的軸向的變位量和工件的溫度并加以記錄，一邊切斷工件；在中斷工件的切斷之后，在再次開始工件的切斷之前，通過對帶凹槽滾筒與工件供給分別獨(dú)立地控制溫度后的溫度調(diào)整介質(zhì)，將帶凹槽滾筒的軸向的變位量與工件的溫度分別調(diào)整為與中斷工件的切斷時所記錄的變位量和溫度成為相同，之后，再次開始進(jìn)行切斷。由此，提供一種線鋸的再次開始運(yùn)轉(zhuǎn)方法及其線鋸，在根據(jù)線鋸來實(shí)行的半導(dǎo)體晶棒等的工件的切斷中，即便由于鋼線斷線等原因，鋼線的切斷在途中被中斷，也能再次開始進(jìn)行切斷而完成切斷，且可抑制加工后的納米形貌發(fā)生惡化，制品芯片不會發(fā)生質(zhì)量方面的問題。
文檔編號B28D5/04GK102105265SQ20098012880
公開日2011年6月22日 申請日期2009年6月25日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月25日
發(fā)明者北川幸司 申請人:信越半導(dǎo)體股份有限公司