專利名稱：具有抗反射涂層的太陽(yáng)能電池前電極的制作方法
具有抗反射涂層的太陽(yáng)能電池前電極本發(fā)明 涉及一種載體基底，特別應(yīng)用于太陽(yáng)能電池的構(gòu)造尤其是太陽(yáng)能電池的前電極。根據(jù)本發(fā)明的內(nèi)容，太陽(yáng)能電池的前電極是光線穿過(guò)的兩個(gè)電極中的第一個(gè)。眾所周知，在某些太陽(yáng)能電池中電極由透明導(dǎo)電的氧化物(稱做TC0)形成，例如特別是摻雜氟的氧化錫SnO2:F，摻雜鋁的氧化鋅Ζη0:Α1 (稱做ΑΖ0)和ΙΤ0(混合的銦錫氧化物)。這些氧化物具有吸收可見(jiàn)光譜中的藍(lán)色和大部分紅外光譜的缺點(diǎn)，因此，一方面太陽(yáng)光譜中的一部分不能轉(zhuǎn)變?yōu)殡娔?，另一方面，這也排除了使用某些在這些波長(zhǎng)范圍內(nèi)敏感的光電材料。此外，眾所周知，SnO2IF雖然在環(huán)境濕氣中非常穩(wěn)定，但是當(dāng)在沉積例如硅或鍺層的功能層的操作期間暴露于氫等離子體時(shí)，具有還原為金屬錫形式的缺點(diǎn)，ITO層也有相同的缺點(diǎn)。另一方面，在氫等離子體中非常穩(wěn)定的Ζη0:Α1，由于周圍的濕氣的影響在構(gòu)造步驟之后迅速地被腐蝕，當(dāng)儲(chǔ)存玻璃產(chǎn)品時(shí)引起嚴(yán)重的問(wèn)題。另外，就AZO而言，眾所周知，為了導(dǎo)電其層必須處于結(jié)晶的狀態(tài)，其缺點(diǎn)為要么對(duì)于由室溫磁控濺射沉積的層需要進(jìn)行退火操作，所述的操作構(gòu)成增加了操作成本的附加步驟，要么需要高溫沉積，使得沉積過(guò)程更加復(fù)雜和昂貴。最終，形成電極的TCO具有的折射率(η < 1. 9)與它們所接觸的硅的折射率(η = 3.8)相差甚遠(yuǎn)。這意味著，為了減少發(fā)生在兩種元件接觸面之間的反射，TCO例如AZO或 ITO的表面，不得不經(jīng)歷納米組織化步驟，其表現(xiàn)為增加產(chǎn)品成本的附加操作。總而言之，用來(lái)形成諸如太陽(yáng)能電池玻璃體系的電極的透明導(dǎo)電氧化物，每種都具有不同程度的具體缺點(diǎn)。本發(fā)明的目的是為了提供一種能夠避免上述缺點(diǎn)的太陽(yáng)能電池載體基底，其電極能夠在所有的可見(jiàn)光譜和近紅外光譜中實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電功能，另外，其對(duì)于氫等離子體和環(huán)境濕氣不敏感，以及其構(gòu)造允許電極的導(dǎo)電功能與其他的功能分離，因此在選擇材料方面給予了設(shè)計(jì)者極大的自由。因此，本發(fā)明的一個(gè)主題是一種載體基底，包括特別是具有玻璃功能的基底，至少在可見(jiàn)光和近紅外范圍內(nèi)是透明的，和容納至少在可見(jiàn)光和近紅外范圍內(nèi)透明的導(dǎo)電電極，該電極載體基底用來(lái)和其他功能元件一起構(gòu)成太陽(yáng)能電池，該載體基底使得-電極包括具有亞毫米尺寸的由導(dǎo)電材料制備的開(kāi)口微篩，并且優(yōu)選由一個(gè)該開(kāi)口微篩構(gòu)成；和-該微篩與至少輕微導(dǎo)電的抗反射涂層接觸，該抗反射涂層面向其要接觸的功能元件中的一個(gè)。除了本發(fā)明可補(bǔ)救上述的多種缺點(diǎn)之外，應(yīng)當(dāng)注意到，由于其電極與使用金屬氧化物的電極相比具有高導(dǎo)電性，其所支撐的抗反射層可以僅具有低的導(dǎo)電率。事實(shí)上，本發(fā)明使得將由前電極所提供的導(dǎo)電功能與分配到此的其他功能分離(換句話說(shuō)，分開(kāi))變?yōu)榭赡?。因此太?yáng)能電池設(shè)計(jì)者在構(gòu)造所述的電池時(shí)對(duì)材料的選擇和它們的配置具有更多的自由選擇。
因此本發(fā)明允許設(shè)計(jì)者使用除常規(guī)地與電極結(jié)合使用的金屬氧化物以外的吸收體，從而使得將光電轉(zhuǎn)換的范圍特別地延伸到近紅外變得可能。在至少可見(jiàn)光和近紅外線的范圍內(nèi)，本發(fā)明在輻射穿越載體基底的透射與載體基底電極的導(dǎo)電率之間達(dá)成較好的平衡成為了可能。這改善了太陽(yáng)能電池的光電效率，其中根據(jù)本發(fā)明的載體基底被整合為正面，這歸功于在這些元件有用的波長(zhǎng)范圍內(nèi)優(yōu)良的進(jìn)入到太陽(yáng)能電池吸收元件的輻射透射，和從吸收元件獲得的優(yōu)良的電荷收集，源于抗反射涂層和電極的導(dǎo)電率。有益地，微篩可以基于金屬或金屬合金，特別是銀或金。根據(jù)一個(gè)具體實(shí)施方案，微篩包括多層薄膜疊片，該疊片至少包括金屬第一層和一個(gè)在金屬第一層之下、另一個(gè)在金屬第一層之上的兩個(gè)基于電介質(zhì)的涂層，和緊密位于金屬第一層之上并與之接觸的保護(hù)性金屬層。微篩的開(kāi)口優(yōu)選在至少一個(gè)方向是非周期性分布的。所述的亞毫米尺寸開(kāi)口的分布也將優(yōu)選是隨機(jī)的。此外，抗反射涂層可以由多層疊片組成，所述多層疊片包括電介質(zhì)材料制備的至少兩個(gè)薄層，與玻璃基底接觸和打算與功能元件接觸的層分別具有與所述基底和所述元件的折射率相近的折射率?？狗瓷渫繉拥亩鄬盈B片可以由至少三個(gè)薄層組成，其折射率可以交替地高或低。優(yōu)選地，與基底相接觸的抗反射多層疊片的層，是基于混合的基于硅(Si)、錫 (Sn)或鋅(Zn)的氧化物、氮化物或氮氧化物，它們單獨(dú)或作為混合物使用，并且任選地?fù)诫s(氟、鋁或銻)；與功能多層疊片接觸的層是基于至少一種透明導(dǎo)電的氧化物，特別選自二氧化鈦(TiO2)、氧化鋅(ZnO)、氧化錫(SnO2)、混合錫鋅氧化物(SnZnO)、銦錫氧化物 (ITO)、混合銦鋅氧化物(IZO)和混合銦鋅鎵氧化物(IZGO)，并且任選摻雜Nb、Ta、Al、Sb或 F0有益地，與基底相接觸的第一層起阻隔層的作用，用來(lái)阻止來(lái)自基底的堿金屬。在本發(fā)明的一個(gè)特別有利的實(shí)施方案中，基底可以包括在其外表面上的抗反射層。根據(jù)本發(fā)明，抗反射涂層的電阻率等于或小于500微歐姆.cm，優(yōu)選等于或小于50 微歐姆.cm,以及特別優(yōu)選在0. 1到50ohms. cm之間(包括邊界)，更優(yōu)選在5到50ohms. cm 之間(包括邊界)。此外，可以使用過(guò)阻隔(overblocker)元件覆蓋金屬微篩。 在一個(gè)實(shí)施方案中，抗反射元件的層，其將位于功能元件和抗反射元件之間的界面處，是輕微摻雜或甚至是不摻雜的，以便使其功函數(shù)與功能元件的材料相匹配。有益地，由高度摻雜的透明導(dǎo)電的氧化物(TCO)構(gòu)成的該層優(yōu)選具有5到10納米的厚度。本發(fā)明的另一主題是一種太陽(yáng)能電池，包括如上所述的載體基底，再另一主題是如上所述的載體基底用于構(gòu)成太陽(yáng)能電池的用途。本發(fā)明的最后的主題是一種制備如上所述的載體基底的方法，其特征在于包括以下步驟-使用分散在溶劑中的穩(wěn)定膠體顆粒的溶液在載體基底上沉積掩膜層；
-干燥掩膜層直到獲得空隙的二維網(wǎng)絡(luò)；-在這些空隙中沉積導(dǎo)電的、特別是金屬的微篩材料，直到空隙的至少部分深度被填滿；和-沉積至少輕微導(dǎo)電的抗反射涂層，該抗反射涂層面向其要接觸的功能元件中的
一個(gè)。
優(yōu)選地，其上沉積掩膜層的基底在其外表面上具有抗反射涂層。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案通過(guò)下面的非限制性實(shí)例來(lái)描述，參考如下附圖-

圖1是采用根據(jù)本發(fā)明的載體基底的太陽(yáng)能電池的第一示例性實(shí)施方案的垂直截面示意圖；-圖2顯示了載體基底的光的透射和吸收光譜的典型曲線，分別是根據(jù)本發(fā)明的和根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的，其中前電極使用了 TCO ；-圖3是圖1所示的太陽(yáng)能電池的另一實(shí)施方案的垂直截面示意圖；和-圖4分別顯示了根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的(曲線d)和根據(jù)本發(fā)明的載體基底的光反射光譜的典型曲線，根據(jù)本發(fā)明的載體基底的抗反射涂層分別是單層型(曲線b)、雙層型(曲線 c)和具有外抗反射層的三層型(曲線a)。圖1顯示了應(yīng)用于制備太陽(yáng)能電池的根據(jù)本發(fā)明的載體基底1的示例性實(shí)施方案。該載體基底1包括基底2，基底2優(yōu)選由極透明的玻璃制備，具有非常低的鐵氧化物含量，例如由Saint-Gobain Vitrage出售的商標(biāo)名稱為“DIAMANT”的類型，面對(duì)著銀，在其內(nèi)表面沉積結(jié)合元素(tie element)的層3，優(yōu)選由Si3N4制備。接下來(lái)，在該組件上沉積電極，其已知能夠具有導(dǎo)電性和透明性。根據(jù)本發(fā)明，此電極由導(dǎo)電的特別是在至少一個(gè)方向上非周期性設(shè)置的具有亞毫米尺寸開(kāi)口的金屬微篩4 構(gòu)成。微篩4的線具有亞毫米尺寸，優(yōu)選具有幾百納米到數(shù)十微米的級(jí)別。微篩4以透明的、至少在可見(jiàn)光和近紅外線的范圍內(nèi)透明的方式布置在或分布在基底2上。優(yōu)選地，根據(jù)專利申請(qǐng)W0-A-2008/132397 (PCT/FR2008/050505)的教導(dǎo)獲得微篩 4。更精確地，在第一步中，在所述的層上沉積由分散在溶劑中的穩(wěn)定膠體顆粒溶液得到的一層或多層，在覆蓋基底2的層3上首先形成掩膜層，然后干燥該掩膜層。干燥引起較后的層收縮，并導(dǎo)致表面上的納米顆粒摩擦，導(dǎo)致在層中產(chǎn)生拉伸應(yīng)力，所述層通過(guò)釋放形成了空隙，其構(gòu)成了具有基本上是直線邊緣和在至少一個(gè)方向上網(wǎng)孔單元是隨機(jī)和非周期性的二維網(wǎng)。在第二步中，典型地通過(guò)物理汽相淀積并尤其通過(guò)濺射或蒸發(fā)，將特別是基于金屬例如銀的導(dǎo)電的微篩材料沉積在掩膜層的空隙中，直到空隙的部分深度已被填充，然后將掩膜層除去，直到露出基于所用導(dǎo)電微篩材料的微篩。在本發(fā)明的該實(shí)施方案中，優(yōu)選使用銀，但當(dāng)然也可以使用(至少)一層具有良好導(dǎo)電性能的其他的金屬或金屬合金層，尤其例如金。作為一個(gè)方案，微篩4包括薄膜多層疊片，該薄膜多層疊片至少包括金屬第一層和基于氧化物、基于透明導(dǎo)電層和基于電介質(zhì)的兩個(gè)涂層，其中一個(gè)涂層在金屬第一層之下另一個(gè)在其之上，以及保護(hù)性金屬層位于緊密位于金屬第一層之上并與之接觸。此多層疊片結(jié)構(gòu)的實(shí)施方案可以在以下的專利申請(qǐng)中找到EP 718 250、EP 847 965、EP 1 366001、EP 1 412 300、EP 1 151 480或EP 722 913，或可回火的多層疊片包括至少三個(gè)銀層，如專利申請(qǐng)EP 1 689 690所描述的。下面給出的實(shí)例是所述多層疊片圖案的組成層的厚度，所述多層疊片由三層構(gòu)成，所述三層優(yōu)選是ZnO/Ag/· . . ZnO/Si3N4 (7 到 15/10 到 17/. · · 7 到 15/25 到 65nm)以及優(yōu)選ZnO/Ag/Ti/ZnO/Si3N47 到 15/10 到 17/0. 2 到 2/7 到 15/25 到 65nm相似地，所述圖案組成層的厚度，對(duì)于由四層組成的多層疊片，優(yōu)選ZnO/Ag/. . . ZnO/Si3N4 (7 到 15/7 到 15/. · · 7 到 15/23 到 65nm)和優(yōu)選ZnO/Ag/Ti/ ZnO/Si3N47 到 15/7 到 15/0. 2 到 2/7 到 15/23 到 65nm。然后，在構(gòu)成載體基底前電極的金屬微篩4上覆蓋抗反射元件，其可能是單層型， 或優(yōu)選由干涉層構(gòu)成的多層疊片，該元件基于在所需要的波長(zhǎng)范圍內(nèi)是透明的材料，特別是在可見(jiàn)光和近紅外線范圍內(nèi)，至少在400到IlOOnm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)?？狗瓷渫繉又辽俅嬖谟谖⒑Y的開(kāi)口處，在這些開(kāi)口的內(nèi)部和/或之上。在一個(gè)實(shí)施方案中，有利的從易于制造載體基底的觀點(diǎn)來(lái)看，抗反射涂層覆蓋整個(gè)微篩?？狗瓷湓膶踊蚨鄬佑脕?lái)提供兩個(gè)功能， 即一方面減少功能元件7的層與基底2相接觸的界面的反射，和另一方面，在沉淀硅或鍺期間保護(hù)玻璃組件免受氫等離子體影響和保護(hù)其免受環(huán)境空氣的濕氣的影響。包括干涉層的多層疊片由輕微導(dǎo)電的材料制成的薄層形成，即半導(dǎo)體例如輕微摻雜的TC0，優(yōu)選氧化物或氮化物類型，其折射率是交替地高和低。多層疊片可能的類型可以在專利申請(qǐng)WO 01/94989的描述中找到。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方案，對(duì)于和基底2相接觸的干涉多層疊片5的層的折射率規(guī)定，是盡可能地接近所述基底的折射率，即在玻璃杯基底2的情況下，接近于η = 1.5。 相似地，與功能元件7相接觸的干涉多層疊片5的層的折射率具有可能地接近與其接觸的所述疊片的折射率，例如在本實(shí)例中的硅層具有的折射率η = 4。對(duì)于中間層的數(shù)量、厚度和指數(shù)的測(cè)定屬于本領(lǐng)域技術(shù)人員普通技術(shù)知識(shí)的范疇，可以利用處理方法和軟件來(lái)優(yōu)化這些不同參數(shù)。當(dāng)然，透明導(dǎo)電的微篩，盡可能地在至少一個(gè)方向上非周期性的和隨機(jī)的布置亞毫米尺寸的開(kāi)口，可以通過(guò)除了以上所述的工藝來(lái)獲得。圖2顯示了根據(jù)本發(fā)明的載體基底的透射光譜(曲線a)和，作為對(duì)比，具有相同類型的載體基底的透射光譜、其電極包括已知方式的氟摻雜氧化錫Sn02:F(曲線b)。該圖顯示出，一方面，在可見(jiàn)光到近紅外線的區(qū)域(λ = 380到llOOnm)，根據(jù)本發(fā)明的載體基底的透射更加均勻，特別是在近紅外區(qū)域，與根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的載體基底相比更高。另一方面，也可以看出，在圖2中，同時(shí)也分別顯示了該兩種載體基底的吸收光譜 (曲線c 根據(jù)本發(fā)明的載體基底的吸收，和曲線d 具有同類型載體基底的吸收，其電極包括已知方式的氟摻雜氧化錫Sn02:F)，在可見(jiàn)光和近紅外范圍內(nèi)根據(jù)本發(fā)明的載體基底的吸收與參考基底相比非常低。根據(jù)本發(fā)明，取決于所希望的具體應(yīng)用，可以使用如上所述的單層抗反射元件或多層疊片。在本發(fā)明的第一變化實(shí)施方案中，所形成的載體基底中抗反射元件是單層類型的并包括鈮摻雜二氧化鈦Ti02:Nb，摻雜水平為0. 5到10%，從而使其輕微地導(dǎo)電和防止在近紅外范圍內(nèi)的吸收。通過(guò)計(jì)算確定單層的厚度為60nm。因此，得到了折射率為2. 4的單層。 圖4(曲線b)顯示了這樣的載體基底的反射光譜，在其之上已經(jīng)沉積硅層以便模擬太陽(yáng)能電池的活性層。在本發(fā)明的第二變化實(shí)施方案中，形成了同類型的載體基底，其中抗反射涂層是雙層類型的和包括SiOSn = F第一層，其是混合的氧化物，其折射率可以通過(guò)簡(jiǎn)單的混合物定律來(lái)控制調(diào)整，和將該值設(shè)定為η = 1. 7，以及其沉積在玻璃基底2之上。該層是氟摻雜的，摻雜水平為0. 以便使其輕微地導(dǎo)電。第二層，與功能元件6的硅層7相接觸，也是用鈮摻雜的二氧化鈦TiO2 = Nb來(lái)制備，其處于銳鈦礦形式時(shí)折射率為2. 4或處于金紅石形式時(shí)折射率接近于η = 2. 7。通過(guò)計(jì)算以已知的方式?jīng)Q定此多層抗反射疊片的第一和第二層的各自厚度，值分別為70nm和40nm。圖4(曲線c)顯示了根據(jù)本發(fā)明具有這樣雙抗反射層的載體基底的反射光譜，在其之上預(yù)先沉積硅層。在本發(fā)明的第三變化實(shí)施方案中，形成包括三層疊片的抗反射元件的載體基底， 最外層與基底2相接觸和分別具有硅層7以及具有上面實(shí)例所描述的相同性質(zhì)。處于這些層之間的是氟摻雜的二氧化錫SnO2 = F層。通過(guò)計(jì)算使用已知的方式確定這三層的厚度，第一至第三層的厚度分別為155nm、40nm和55nm。預(yù)先在第三層上覆蓋硅層。如圖3所示，基底2不同于先前所用之處在于，其本身容納了抗反射涂層8。圖4中使用曲線顯示了該載體基底的反射光譜。從圖4中可以看出，本發(fā)明(曲線a、b和C)使得同時(shí)在可見(jiàn)光和近紅外范圍內(nèi)提高光的透射成為了可能。在曲線a代表的實(shí)施方案中，該提高在可見(jiàn)光區(qū)域中為10%以及在近紅外區(qū)域中為15%。具有根據(jù)本發(fā)明的電極的基底的光透射率，在可見(jiàn)光范圍和近紅外范圍(λ = 380到llOOnm)內(nèi)都大于75%，優(yōu)選在85%到89%之間(除了抗反射多層疊片之外)。根據(jù)本發(fā)明，可以在微篩的金屬上沉積過(guò)阻隔(overblocker)元件，以便防止其氧化。在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方案中，位于吸收體和抗反射元件之間界面處的層是輕微摻雜的或者是不摻雜的，從而使得其功函數(shù)與功能層的材料相匹配。例如如果與硅接觸的輕微摻雜的層是Al-摻雜ZnO，可以使用本征的ZnO層或輕微摻雜的ZnO層，厚度在幾納米到數(shù)十納米之間。相似地，如果多層疊片以TiO2 Nb層終止， 工函數(shù)匹配層將為不摻雜或輕微摻雜的TiO2層，厚度為幾納米。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方案，為了改善抗反射效果，位于吸收材料界面的抗反射多層疊片的最后一層要進(jìn)行織構(gòu)處理。因此本發(fā)明被證明特別有益地適用于所有應(yīng)用，在這些應(yīng)用中在可見(jiàn)光和近紅外范圍內(nèi)載體基底具有優(yōu)化透射和減少吸收的能力是重要的，和其電極具有的本征電導(dǎo)率足以解除位于其上的抗反射層在有關(guān)導(dǎo)電性方面的束縛。根據(jù)本發(fā)明，抗反射涂層是半導(dǎo)電的，和導(dǎo)電的微篩和太陽(yáng)能電池的吸收元件接觸，與載體基底的前電極集成在一起。因此， 半導(dǎo)電的抗反射涂層能夠在導(dǎo)電的微篩方向上收集來(lái)自吸收元件的電荷。特別地，根據(jù)本發(fā)明，抗反射涂層的至少一層與微篩接觸以及打算與裝備有載體基底的太陽(yáng)能電池的功能元件接觸，所述載體基底是半導(dǎo)電的，載體基底可以包括在具有玻璃功能的基底和抗反射涂層的半導(dǎo)電層之間的其他層 。該其他層或這些其他層可以在微篩之下或放在微篩的開(kāi)口中，以及優(yōu)選也是半導(dǎo)電的。
權(quán)利要求
1.一種載體基底，其包括尤其具有玻璃功能的基底O)，至少在可見(jiàn)光和近紅外范圍內(nèi)是透明的，和容納至少在可見(jiàn)光和近紅外范圍內(nèi)透明的導(dǎo)電電極G)，該電極載體基底用來(lái)和其他功能元件(6) —起構(gòu)成太陽(yáng)能電池，其特征在于-電極包括具有亞毫米尺寸開(kāi)口的由導(dǎo)電材料制備的微篩；和-該微篩(4)與至少輕微導(dǎo)電的抗反射涂層(5)接觸，該抗反射涂層面向其打算要接觸的功能元件(6)中的一個(gè)(7)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的載體基底，其特征在于，微篩(4)基于金屬或金屬合金，特別是銀或金。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的載體基底，其特征在于，微篩(4)包括薄膜多層疊片，該薄膜多層疊片至少包括金屬第一層和一個(gè)在金屬第一層之下、另一個(gè)在金屬第一層之上的兩個(gè)基于電介質(zhì)的層，以及緊密位于金屬第一層之上并與之接觸的保護(hù)性金屬層。
4.根據(jù)權(quán)利要求1到3之一的載體基底，其特征在于，在至少一個(gè)方向上所述亞毫米尺寸的開(kāi)口的分布是非周期性的。
5.根據(jù)權(quán)利要求1到4之一的載體基底，其特征在于，所述亞毫米尺寸的開(kāi)口的分布是隨機(jī)的。
6.根據(jù)前述權(quán)利要求之一的載體基底，其特征在于，抗反射涂層(5)由多層疊片構(gòu)成， 該多層疊片包括至少兩個(gè)由電介質(zhì)材料制備的薄層，與玻璃基底( 接觸的層和打算與功能元件(7)接觸的層的折射率分別與所述基底和所述元件的折射率相近。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的載體基底，其特征在于，抗反射涂層的多層疊片由至少三個(gè)薄層構(gòu)成，它們的折射率交替地高和低。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的載體基底，其特征在于，與基底(2)接觸的抗反射多層疊片的層， 是基于混合的基于硅(Si)、錫(Sn)或鋅(Zn)的氧化物、氮化物或氮氧化物，它們單獨(dú)或作為混合物使用，并且任選地?fù)诫s(氟、鋁或銻)，與功能多層疊片接觸的層是基于至少一種透明導(dǎo)電的氧化物，特別選自TiO2、加0、SnO2、SnZnO、ITO、IZGO、IZO，并且任選摻雜(Nb、Ta、 Al、Sb 或 F)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的載體基底，其特征在于，與基底(2)接觸的第一層起阻隔層的作用，用于阻止來(lái)自基底的堿金屬。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求之一的載體基底，其特征在于，基底( 在其外表面上包括抗反射層⑶。
11.根據(jù)前述權(quán)利要求之一的載體基底，其特征在于抗反射涂層的電阻率在0.1到50 微歐姆.cm之間。
12.根據(jù)前述權(quán)利要求之一的載體基底，其特征在于，金屬微篩(4)用過(guò)阻隔元件覆蓋。
13.根據(jù)前述權(quán)利要求之一的載體基底，其特征在于，抗反射元件的層，其將位于功能元件和抗反射元件之間的界面處，是輕微摻雜或甚至是不摻雜的，以便使其功函數(shù)與功能元件的材料相匹配。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的載體基底，其特征在于，所述層由高度摻雜的透明導(dǎo)電的氧化物(TCO)構(gòu)成，優(yōu)選具有5到10納米的厚度。
15.太陽(yáng)能電池，其包括前述權(quán)利要求之一的載體基底。
16.權(quán)利要求1到14之一的載體基底用于構(gòu)成太陽(yáng)能電池的用途。
17.一種制備權(quán)利要求1到14之一的載體基底的方法，其特征在于包括以下步驟 -使用分散在溶劑中的穩(wěn)定的膠體顆粒的溶液在基底( 上沉積掩膜層；-干燥掩膜層直到獲得空隙的二維網(wǎng)絡(luò)；-在這些空隙中沉積導(dǎo)電的、特別是金屬的微篩材料，直到空隙的至少部分深度被填充；和-沉積輕微導(dǎo)電的抗反射涂層，該抗反射涂層面向其要接觸的功能元件中的一個(gè)。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其特征在于，沉積掩膜層于其上的基底( 在其外表面上具有抗反射涂層(8)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種載體基底，包括特別是具有玻璃功能的基底(2)，至少在可見(jiàn)光和近紅外范圍內(nèi)是透明的，和容納至少在可見(jiàn)光和近紅外范圍內(nèi)透明的導(dǎo)電電極(4)，該電極載體基底用來(lái)和其他功能元件(6)一起構(gòu)成太陽(yáng)能電池。此載體基底使得電極包括具有亞毫米尺寸開(kāi)口的由導(dǎo)電材料制備的微篩(4)；和該微篩(4)與至少輕微導(dǎo)電的抗反射涂層(5)接觸，該抗反射涂層面向其打算要接觸的功能元件(6)中的一個(gè)(7)。本發(fā)明也涉及這樣的載體基底作為太陽(yáng)能電池的組成元件的用途和一種制備所述基底的方法。
文檔編號(hào)C03C17/36GK102159514SQ200980136404
公開(kāi)日2011年8月17日 申請(qǐng)日期2009年9月24日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月24日
發(fā)明者B·恩希姆, E·彼得, E·魯瓦耶, G·扎格杜 申請(qǐng)人:法國(guó)圣-戈班玻璃公司