專利名稱:一種具有復相結構低損耗微波介質(zhì)陶瓷及其制備方法
技術領域:
本發(fā)明涉及一種低損耗微波介質(zhì)陶瓷材料及其制備方法,特別是具有復相結構與
中等介電常數(shù)的低損耗微波介質(zhì)陶瓷的配方及其制備方法。
背景技術:
高性能微波介質(zhì)陶瓷廣泛地使用于現(xiàn)代3G移動通訊關鍵部件,如微波濾波器、微 波天線和介質(zhì)導波回路中,是這些微波器件小型化、高品質(zhì)化和集成化的重要保障。衡量 微波介質(zhì)陶瓷材料性能優(yōu)劣的三個重要的電學參數(shù)分別是相對介電常數(shù)e 。品質(zhì)因數(shù)Qf 及諧振頻率溫度系數(shù)Tf,其中相對介電常數(shù)決定著微波器件的最終尺寸,高介電常數(shù)的微 波介質(zhì)陶瓷是微波器件小型化的重要保證。 目前在覆蓋整個微波頻率段的陶瓷材料中,人們對10cm以上微波波段(數(shù)百 MHz 3GHz)所用的微波介質(zhì)材料已研究得比較成熟,開發(fā)出了一系列e r > 70的高介電 常數(shù)微波介質(zhì)陶瓷材料,但由于微波介質(zhì)陶瓷介電常數(shù)e r和品質(zhì)因數(shù)Qf之間內(nèi)在物理制 約機制,使得這些高介電常數(shù)微波介質(zhì)陶瓷的品質(zhì)因數(shù)Qf往往小于10000GHz。而與此同 時,隨著民用移動通訊技術,包括手機、GPS、衛(wèi)星電視等,不斷向著高頻(第四代)、大信息 量,高穩(wěn)定度方向的發(fā)展,對微波介質(zhì)陶瓷的品質(zhì)因數(shù)Qf和諧振頻率溫度系數(shù)t f勢必會 提出越來越嚴格的要求。目前移動通訊市場對于3cm 10cm波段下(3 10GHz)的超低 損耗(Qf > 30000GHz)、高溫度穩(wěn)定(t f < 15卯m廣C )的中等介電常數(shù)(30 60)陶瓷材 料的需求很大。它們可望在衛(wèi)星電視、無線基站、雷達導航及微波振蕩器中獲得廣泛應用。
目前國內(nèi)外研發(fā)的 一 些中等介電常數(shù)的微波介質(zhì)材料,如(l-x) Ca061Nd0 26Ti03+xNd(Mg1/2Ti1/2)03(胡明哲等,J. Appl. Phys. 104 (2008) 124104)、 (l_x)CaTi03+xNdA103(E. R. Kipkoech et al. , Acta Materialia, 54 (2006) 2305) 及xNd (Zn1/2Ti1/2) 03-(1-x) CaTi03 (Ching-Fang Tseng et al. , MaterialsLetters, 61(2007)4054-4057)等單一f丐鈦礦結構的材料,盡管它們均具有超低的介電損耗,但當其 諧振頻率溫度系數(shù)t f " 0時,相對介電常數(shù)均難以超過50,阻礙了微波濾波器等通訊元 器件的進一步小型化?;诖思夹g背景,本發(fā)明公開了一種具有復相結構(multiphase structure)的微波介質(zhì)陶瓷材料,它除了主相鈣鈦礦相外,還含有一種化學成分較為復雜 的焦綠石相,其A位包含Ca2+及Sr2+離子,B位則包含Nb5+、 Ta5+、 Ti4+、 Al3+等離子。該陶瓷 具有超低的介電損耗和穩(wěn)定的諧振頻率溫度系數(shù),尤其是它具有相對介電常數(shù)大于50的 電學特性。 —般認為,在鈣鈦礦結構的微波介質(zhì)陶瓷中,焦綠石相這一副相的存在往往會對 陶瓷的最終微波介電性能產(chǎn)生嚴重的惡化作用。因為焦綠石相往往具有大的諧振頻率溫度 系數(shù)和極低的Qf值。但本發(fā)明的復相陶瓷中的焦綠石相卻具有很高的Qf值和大的相對 介電常數(shù),對最終陶瓷的Qf值和介電常數(shù)起到有益的貢獻。并且,通過合理地控制陶瓷中 鈣鈦礦相和焦綠石相的相對含量,即可用前者的負溫度系數(shù)去"中和"后者的大的正溫度系 數(shù),從而得到溫度穩(wěn)定性良好的微波介質(zhì)陶瓷。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提出一種具有復相結構、中等介電常數(shù)、低損耗、溫度特性穩(wěn)定的微波介質(zhì) 陶瓷及其制備方法。 本發(fā)明是這樣實現(xiàn)的該復相陶瓷采用(li) (Cai—xSrx) (Al。.25Ta。.25Ti。.5) 03+wCa2Nb207(0《x《0. 5,0《w《0. 2)為化學配比通式,采用調(diào)節(jié)鈣鈦礦相中A位Ca2+、 Sr2+離子的相對摩爾含量(x值)或調(diào)節(jié)兩種物質(zhì)的相對摩爾含量(w值),從而調(diào)節(jié)最終陶 瓷中主相與副相的相對含量,來裁剪其微波介電性能。并且,針對同一化學成分,可采用調(diào) 節(jié)燒結溫度來優(yōu)化最終陶瓷樣品的品質(zhì)因數(shù)Qf值及諧振頻率溫度系數(shù)特性。
本發(fā)明的制備工藝步驟為 1 、采用高純CaC03 (99 . 0%)、 SrC03 (99 . 0 % ) A1203 ( > 99. 5 % ) 、 Ta205 (99.99%)、 Nb205(99. 5% )和Ti。2(99. 0% )等粉體為原料,并分別按照(Ca卜xSrx) (Al。.25Ta。.25Ti。.5)0^P Ca2Nb207兩種化學式用電子天平進行精確地稱量配料。
2、原料粉末混合后,按照料球水體積比i : i : i的原則,加入去離子水,在
行星球磨機上球磨5小時混合均勻。 3、漿料烘干后過60目篩,獲得粒徑分布相對均勻的混合粉末。
4、兩種物料分別在空氣中130(TC及125(TC下預燒2h 6h。 5、預燒后的粉末按照(li) (Cai—xSrx) (Al。.25Ta。.25Ti。.5)03+WCa2Nb207的化學配比, 再次精確稱量混合,并按步驟2中的原則與去離子水及l(fā)wt^的表面活性劑一起球磨5小 時,烘干后得到最終均勻的預處理粉末。 6、再加入適量的5wt% PVA作為粘合劑,混合均勻后過40目篩形成尺寸 均勻流動性好的球形顆粒。這些經(jīng)過造粒的粉料,在150MPa的單軸壓力下壓制成
014mmX (6 8mm)的圓柱形試樣。最后圓柱坯體在1400 152(TC的空氣中燒結3 12小時,制成致密的陶瓷樣品。 陶瓷樣品的物相組成采用XRD(BRUKE, D8)測試,所制得樣品的表面及內(nèi)部的微觀 形貌采用掃描電子顯微鏡SEM觀察,并用EDS對晶粒及晶界處的組成進行化學成分分析,確 定復相陶瓷顆粒的化學組成。樣品表面經(jīng)打磨拋光后采用Hakki-Coleman開式腔圓柱介質(zhì) 諧振法,并連接雙端口微波網(wǎng)絡分析儀(ADVANTEST R3767C),根據(jù)TE。n諧振模的峰位及相 應的微波測試軟件來計算微波介質(zhì)參數(shù)、及Qf值。諧振頻率溫度系數(shù)的測量是通過數(shù) 字溫控恒溫箱在25 9(TC條件下獲得。 用本發(fā)明的配方及工藝制備的微波介質(zhì)陶瓷具有超低的微波介電損耗,穩(wěn)定的諧 振頻率溫度系數(shù),特別是超過50的相對介電常數(shù)等優(yōu)點。
附圖及說明
圖1為6 8號樣品的XRD圖譜,
圖2為7號陶瓷樣品的表面晶粒形貌,
圖3為7號陶瓷樣品內(nèi)部晶粒形貌。
具體實施例方式
復相陶瓷的制備:采用高純CaC03(99 . 0% )、 SrC03(99 . 0% )A1203( > 99.5% )、Ta205(99. 99% ) 、 Nb205(99. 5% )和Ti02(99. 0% )等粉體為原料,首先分別按照(Ca卜xSrx) (Al。.25Ta。.25Ti。.5)03(x值按表1確定)和Ca2Nb207兩種化學式,用電子天平進行精確地稱量 配料,原料粉末混合后按上述步驟2中的原則加去離子水,在行星球磨機上球磨5小時混合 均勻。漿料烘干后過60目篩,獲得粒徑分布相對均勻的混合粉末。兩種物料分別在空氣 中130(TC及125(TC下預燒2h 6h。預燒后的粉末按照xSrx) (Al。.25Ta。.25Ti0.5) 03+界&2吣207 值按表1確定)再次精確稱量混合,并與去離子水及l(fā)wt^的表面活性劑一 起球磨5h,烘干后得到最終的預處理粉末。再加入適量的5wt% PVA作為粘合劑,經(jīng)過造粒
后的粉料在150MPa的單軸壓力下壓制成0l4mmX (6 8mm)的圓柱形試樣。最后圓柱
坯體在1400 152(TC的空氣中燒結3 12小時,制成致密的陶瓷樣品。
陶瓷樣品經(jīng)檢測,其微波介電性能結果見表一。 表一 (li) (Ca卜xSrx) (Al。.25Ta。.25Ti。.5)03+WCa2Nb207實驗樣品的化學配比及微波 介電性能。樣品X值w值燒結溫度相對介品質(zhì)因溫度系數(shù)
編號Onol)(mol)士5(。C )電常數(shù)數(shù)(GHz)(ppm/°C )
1#00152025.128970-79.52#0.10150029.5113250-65.73#0.10. 05150032.2217450-21.14#0.20148031.5915560-50.15#0.20. 05148038.8517740-13.56#0.20. 1145051.4720430+37.77#0.20. 1148052.1130120+15.48#0.20. 1152053.6227340+29.59#0.20. 2148060.3722320+86.510#0.30. 05145042.1415120+17.511#0.40. 05145048.2529870+29.612#0.450142042.2617670+13.313#0.450. 1142054.1721870+65.214#0.50. 05140053.2624250+54.5 本發(fā)明通過形成復相陶瓷,可以有效地提高體系的相對介電常數(shù),并通過主相與 副相的諧振頻率溫度系數(shù)相互補償?shù)玫綔囟认禂?shù)穩(wěn)定的(li) (Cai—xSrx) (Al。.25Ta。.25Ti。.5) 03+wCa2Nb207陶瓷材料。其中,制備出的7號樣品(x = 0. 2, w = 0. l,燒結溫度為1480±5°C ) 微波介電性能為最佳,可達到相對介電常數(shù)、=52. 11 ;品質(zhì)因數(shù)Qf = 30120GHz ;諧振 頻率溫度系數(shù)t f = 15. 4ppm/°C 。 本發(fā)明所提供的這種新型低損耗、中介電常數(shù)微波介質(zhì)陶瓷材料可廣泛地應用于 制備L波段 X波段的微波基站諧振器、無繩電話濾波器、微波合路器及微波震蕩器等通訊 元件中,具有極大的工程價值。
權利要求
一種具有復相結構低損耗微波介質(zhì)陶瓷,其特征在于采用(1-w)(Ca1-xSrx)(Al0.25Ta0.25Ti0.5)O3+wCa2Nb2O7為化學配比通式,式中0≤x≤0.5,0≤w≤0.2,并通過燒結最終形成鈣鈦礦相、焦綠石相共存的復相陶瓷。
2. 根據(jù)權利要求1所述的一種具有復相結構低損耗微波介質(zhì)陶瓷,其特征在于所述的 化學配比通式為(1-w) (Ca。.8Sr。.2) (Al。.25Ta。.25Ti。.5)03+0. lCa2Nb207,燒結溫度為1480±5°C。
3. —種具有復相結構低損耗微波介質(zhì)陶瓷的制備方法,其特征在于工藝步驟為1) 、采用高純CaC03 (99 . 0 % ) 、 SrC03 (99 . 0 % ) A1203 ( > 99. 5 % ) 、 Ta205 (99. 99 % )、 Nb205(99. 5% )和Ti02(99. 0% )等粉體為原料,并分別按照(Ca卜xSrx) (Al。.25Ta。.25Ti。.25)03 和Ca2Nb207兩種化學式,用電子天平進行精確地稱量配料,2) 、原料粉末混合后,按照料球水體積比i : i : i的原則,加入去離子水,在行星球磨機上球磨5h混合均勻,3) 、漿料烘干后過60目篩,獲得粒徑分布相對均勻的混合粉末,4) 、兩種混合粉末分別在空氣中130(TC及125(TC下預燒2h 6h,5) 、預燒后的粉末按照(1-w) (Cai—xSrx) (Al。.25Ta。.25Ti。.5)03+WCa2Nb207的化學配比再次精確稱量混合,并按照料球水體積比i : i : i的原則加入去離子水及l(fā)wt^的表面活性劑一起球磨5h,烘干后得到最終的預處理粉末,6) 、再加入適量的5wt% PVA作為粘合劑,混合均勻并過40目篩形成尺寸均勻流動性好 的球形顆粒,并在150MPa的單軸壓力下壓制成0l4mmX (6 8mm)的圓柱形試樣。最后 圓柱坯體在1400 152(TC的空氣中燒結3 12小時,制成致密的陶瓷樣品。
全文摘要
本發(fā)明提出一種具有復相結構、中等介電常數(shù)、低損耗、溫度特性穩(wěn)定的微波介質(zhì)陶瓷及其制備方法。該陶瓷的化學配比通式為(1-w)(Ca1-xSrx)(Al0.25Ta0.25Ti0.5)O3+wCa2Nb2O7,其中,0≤x≤0.5,0≤w≤0.2。經(jīng)過燒結,最終陶瓷形成同時含有以鈣鈦礦為主相,以焦綠石相和其它物相為副相的復相陶瓷。通過調(diào)節(jié)該陶瓷化學配比通式中的x值和w值可控制最終陶瓷中主、副相的相對含量,從而對其微波介電性能進行裁剪,并通過調(diào)節(jié)燒結溫度可進一步優(yōu)化其微波介電性能。本發(fā)明中當x=0.2,w=0.1,燒結溫度為1480±5℃時,可制備出相對介電常數(shù)εr=52.11,品質(zhì)因數(shù)Qf=30120GHz,諧振頻率溫度系數(shù)τf=15.4ppm/℃的性能優(yōu)異的微波介電陶瓷材料。該材料可廣泛地應用于L波段~X波段的微波基站諧振器、無繩電話濾波器、微波合路器及微波震蕩器等通訊元件中。
文檔編號C04B35/495GK101786879SQ20101002890
公開日2010年7月28日 申請日期2010年1月5日 優(yōu)先權日2010年1月5日
發(fā)明者付洋, 羅春婭, 胡明哲, 顧豪爽 申請人:湖北大學