專利名稱：用于制造玻璃材料的裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于制造玻璃材料的裝置，尤其是用于制造摻雜玻璃的裝置。
背景技術(shù)：
摻雜玻璃通常用于例如光波導(dǎo)的制造。光波導(dǎo)是指一種用來(lái)傳遞光能量的設(shè)備。生產(chǎn)光纖包括以下步驟制造玻璃預(yù)制體——在該過(guò)程中確定了纖維的光學(xué)屬性，和將玻 璃預(yù)制體拉絲制為光纖。制造玻璃預(yù)制體的現(xiàn)有工藝有OVD (Outside Vapour D印osition，外汽象 沉積，以下簡(jiǎn)稱0VD)、VAD (VapourAxial Deposition,軸向汽相沉積，以下簡(jiǎn)稱VAD)、 MCVD(ModifiedChemical Vapour D印osition，改進(jìn)的化學(xué)汽相沉積，以下簡(jiǎn)稱 MCVD)、 PCVD (PlasmaActivated Chemical Vapour D印osition，等離子體激活化學(xué)汽相沉積，以下 簡(jiǎn)稱PCVD)和DND (Direct Nanoparticle D印osition，納米顆粒直接摻雜，以下簡(jiǎn)稱DND)。 0VD,VAD和MCVD法是基于在預(yù)制階段使用了一種在室溫下具有高蒸汽壓的材料，在該階段 液體汽化成載氣，并被輸送入熱反應(yīng)器。在反應(yīng)器內(nèi)，汽化的原料同氧氣反應(yīng)生成氧化物。 通過(guò)團(tuán)聚和燒結(jié)，氧化物顆粒不斷形成，并被驅(qū)趕到一聚集表面，在該表面形成了由玻璃顆 粒組成的多孔玻璃層。該多孔玻璃層稍后燒結(jié)成玻璃固體。石英玻璃的主要原料為四氯化 硅SiCl4。其他代表性原料為四氯化鍺和磷酸三氯氧磷，前者會(huì)增加折射率，后者會(huì)降低玻 璃黏度、便于燒結(jié)。但OVD，VAD和MCVD法存在著一個(gè)問(wèn)題——該類方法無(wú)法用于制造摻雜有稀土礦 物質(zhì)的光纖。稀土金屬不含有任何在室溫下有足夠高蒸汽壓的化合物。對(duì)于生產(chǎn)摻雜稀土礦物質(zhì)的光纖，現(xiàn)有技術(shù)是通過(guò)使用一種所謂的溶液摻雜法來(lái) 解決的，該方法如下將由基礎(chǔ)材料制成的光纖預(yù)制體浸入含有摻雜物的溶液，隨后進(jìn)行燒 結(jié)。通過(guò)溶液摻雜法制成的光纖存在光纖預(yù)制體間均質(zhì)性和重復(fù)性差的問(wèn)題。這是因?yàn)橐?體對(duì)于光纖孔的滲入、鹽類向材料表面的逐層分解、氣體的滲入、鹽類的反應(yīng)等因素都難以 控制。從公開專利的WO 0020346，可以獲知制造摻雜稀土金屬光纖的DND方法。在該DND 方法中，液體原料得以注入反應(yīng)器，在這種情況下，玻璃顆粒是在一種火焰反應(yīng)器內(nèi)完成摻 雜過(guò)程。這樣，由沉淀的玻璃顆粒形成的玻璃預(yù)制體就制成了，該預(yù)制體相較溶液摻雜法制 成的預(yù)制體有著更好的均一性質(zhì)量。然而，DND方法的缺點(diǎn)在于，該方法無(wú)法同常用的，即 從投資成本來(lái)講，便宜的MCVD方法共同使用。公開文獻(xiàn)FI117243B 和 FI119028B 揭示了一 種結(jié)合 ALD (Atomic Layer Deposition，原子層沉積，以下簡(jiǎn)稱ALD)摻雜玻璃管多孔內(nèi)壁的方法，該玻璃管由MCVD方 法制得。ALD是一種CVD(化學(xué)汽相沉積)法，該方法一次摻雜一摻雜物得向基層摻雜摻雜 物。通過(guò)ALD法，摻雜物可以以原子級(jí)的精確程度進(jìn)行添加。因此，摻雜物可以很精準(zhǔn)的植 入多孔玻璃材料的表面。因?yàn)锳LD方法中摻雜物的層厚度非常的薄，例，為原子數(shù)量級(jí)，所 以在光纖制造應(yīng)用中基管的表面區(qū)域必須非常的大以達(dá)到一可行的工藝速度。出于這個(gè)原因，MVCD工藝中更傾向于使用大內(nèi)徑的基管。除此之外，基管內(nèi)壁的多空玻璃材料更傾向 于由微粒構(gòu)成，從而使得某特定表面形成較大面積。除此之外，ALD工藝要求將幾乎整個(gè)纖 維預(yù)制體長(zhǎng)度的基管溫度提升至大約30(TC左右。由于其工藝簡(jiǎn)單和投資成本低廉，MCVD是制造纖維預(yù)制體的最常用工藝。然而， MCVD工藝涉及很多缺陷，這使得該工藝十分經(jīng)濟(jì)的應(yīng)用，如上述ALD方法，變得十分困難。MCVD的最大弱點(diǎn)在于傳統(tǒng)的氫/氧噴燈火力不足且難以調(diào)節(jié)。由于火力不足， 基管管壁的熱交換十分微弱，導(dǎo)致了沉積工藝中顆粒尺寸較大。大顆粒尺寸削弱了制造的 纖維預(yù)制體的穩(wěn)定性，尤其是軸向長(zhǎng)度上的均一性，且破壞了燒結(jié)，增加了不必要的基管熱 阻。尤其是在基管熔縮階段，氫/氧噴燈火力不足的問(wèn)題就變得很明顯。由于前述原因，所 用基管的尺寸限制至外徑小于30mm。除此之外，對(duì)作為反應(yīng)室的玻璃管進(jìn)行溫度控制會(huì)使 得所制造纖維預(yù)制體的屬性無(wú)法精確。MCVD方法中，在注入管體的汽體的熱作用下，硅顆粒 不斷形成，之后由于熱泳作用，硅粒附著于管壁之上。熱泳是熱顆粒在兩個(gè)冷表面間來(lái)回運(yùn) 動(dòng)而形成的一種現(xiàn)象。MCVD工藝中的沉積出現(xiàn)在管體溫度小于顆粒溫度的管體部分。熱泳 的強(qiáng)度和沉積的距離取決于管體灼熱部和管體灼熱部之后部分間的溫差。由于這個(gè)原因， 從工藝角度來(lái)講，管體溫度的良好控制是一個(gè)很重要的因素。從工藝角度來(lái)講，通常希望每 一個(gè)獨(dú)立火力源點(diǎn)上的管體灼熱部和管體灼熱部之后部分的溫差越恒定越好。管體冷熱部 分的溫差越大，決定著顆粒附著效果的熱泳效應(yīng)就越強(qiáng)。圖1通過(guò)簡(jiǎn)化框圖描述了在熱泳 作用下玻璃顆粒的形成。通過(guò)使用CVD爐可以解決氫/氧噴燈火力不足和難以調(diào)節(jié)的問(wèn)題。CVD爐是一窄 型熱源，通常為200mm寬，包括很多小孔，基管可以在該爐中穿行。由于它的大火力和調(diào)節(jié) 精確性，在一些MCVD工藝中選用CVD爐作為熱源。當(dāng)CVD爐沿著基管移動(dòng)時(shí)，管體的每個(gè) 位于爐中心位置的狹窄部分，通常為50mm左右，會(huì)處于爐子的灼熱區(qū)。CVD灼熱區(qū)的溫度通 常在2000°C左右。然而，CVD爐也帶來(lái)了其他新問(wèn)題，其中之一就是在沉積結(jié)束后爐子必須 迅速返回預(yù)制體的初始端，所謂初始端為圖1中原料進(jìn)入基管的基管左端。如果爐子的返 回動(dòng)作不夠迅速，會(huì)導(dǎo)致由于纖維預(yù)制體初始端距離較長(zhǎng)而使得折射系數(shù)無(wú)法達(dá)到預(yù)期要 求，且會(huì)形成一個(gè)過(guò)長(zhǎng)的所謂的斜坡，使得工業(yè)制造不再可行，纖維預(yù)制體只有部分可以用 于光纖制造。但另一方面，如果爐子得以十分迅速地返回纖維預(yù)制體初始端，氧氣就會(huì)進(jìn)入 爐子，從而使得爐子灼熱區(qū)燃燒，因?yàn)檠杆俜祷貏?dòng)作使空氣進(jìn)入爐子并替代爐子內(nèi)的保護(hù) 氣幕。除此之外，因?yàn)楣荏w穿過(guò)爐子，爐子無(wú)法從基管周身移除。并且，在工藝過(guò)程中間，因 為在管體內(nèi)沉積的玻璃材料會(huì)受到污染并吸收空氣中的濕氣，增加所制造纖維的衰減，所 以基管也無(wú)法從系統(tǒng)中移出。因此CVD爐在解決了 MCVD工藝一些缺陷的同時(shí)也制造了新的問(wèn)題。且在研發(fā)和MCVD法生產(chǎn)纖維的實(shí)際制造過(guò)程中，還發(fā)現(xiàn)長(zhǎng)度通常為1 1. 4m的 基管由于管體不同部分的溫差難以控制，會(huì)引起摻雜玻璃均一性很差的問(wèn)題。除此之外，還 發(fā)現(xiàn)存在CVD爐快速移動(dòng)引起灼熱部燃燒的現(xiàn)象。在實(shí)施方式中，還必須保持對(duì)整個(gè)預(yù)制體基管長(zhǎng)度保持350°C的處理溫度，這對(duì)于 現(xiàn)有技術(shù)來(lái)說(shuō)十分困難，因?yàn)镸CVD火力源是針對(duì)高溫窄區(qū)進(jìn)行加熱所設(shè)計(jì)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種新型用于制造玻璃材料的裝置，以解決上述現(xiàn)有技術(shù)所存在的 問(wèn)題。本發(fā)明的技術(shù)方案如下所示用于制造玻璃材料的裝置，其包括一將原料注入作為反應(yīng)器的基管的部件和從外 部對(duì)基管進(jìn)行加熱的可移動(dòng)熱源，作為反應(yīng)器的基管設(shè)置于可封閉的腔室內(nèi)，且該裝置包 括一借助媒質(zhì)控制腔室內(nèi)部溫度——至少基管附近溫度或基管局部溫度的部件。所述控制腔室溫度的部件包括至少一個(gè)用于將媒質(zhì)注入腔室的噴嘴?？刂魄皇覝囟鹊牟考梢哉{(diào)節(jié)以控制基管局部長(zhǎng)度或整體長(zhǎng)度周圍的腔室溫度?？刂魄皇覝囟鹊牟考梢哉{(diào)節(jié)以借助加熱或冷卻媒質(zhì)來(lái)控制溫度，其中該媒質(zhì)為 一種惰性氣體，包括氮?dú)饣驓鍤狻Ｋ鲅b置包括至少一個(gè)熱交換部件，媒質(zhì)通過(guò)該熱交換部件實(shí)現(xiàn)循環(huán)。所述裝置包括至少一個(gè)媒質(zhì)通道以實(shí)現(xiàn)媒質(zhì)離開腔室至熱交換部件再返回腔室 的循環(huán)。所述控制腔室溫度的部件包括多個(gè)噴嘴，通過(guò)該多個(gè)噴嘴媒質(zhì)注入腔室。所述控制腔室溫度的部件包括多個(gè)噴嘴，該多個(gè)噴嘴沿基管長(zhǎng)度方向分散設(shè)置。所述可移動(dòng)熱源為一設(shè)置在腔室內(nèi)的電磁爐。本發(fā)明的有益效果是通過(guò)本發(fā)明裝置可以消除MCVD所涉及的預(yù)制管體的溫度控制問(wèn)題。除此之外，還可以解決由于MCVD快速返回引起的爐子灼熱部燃燒的問(wèn)題。本發(fā)明裝置改進(jìn)了 MCVD工藝的重復(fù)性，使得使用低廉大型基管成為可能。除此之外，本發(fā)明可以實(shí)現(xiàn)全程對(duì)基管以更高的溫度加熱。


以下將通過(guò)附圖并結(jié)合具體實(shí)施方式
對(duì)發(fā)明進(jìn)行描述圖1為熱泳效應(yīng)下玻璃顆粒沉積的原理圖。圖2為本發(fā)明實(shí)施例制造裝置圖。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明裝置可以廣泛應(yīng)用于玻璃材料的制造，尤其是應(yīng)用于摻雜玻璃材料的制造。 例如，如圖1中所揭示的應(yīng)用，以及在現(xiàn)有技術(shù)解釋部分描述中熱泳在制造工藝中的應(yīng)用。在MCVD工藝中，原料汽體32注入一旋轉(zhuǎn)的基管31，而反應(yīng)生成物33在基管的另 一端去除。在熱源38的作用下，原料汽體在灼熱區(qū)34處形成顆粒。而在緊接灼熱區(qū)后的 管體35區(qū)域形成的顆粒的溫度低于管體溫度，由于熱泳效應(yīng)，沉積并不發(fā)生。在區(qū)域36，顆 粒溫度高于管體溫度，由于熱泳效應(yīng)39，管壁上出現(xiàn)沉積。在區(qū)域37，顆粒溫度等于管體溫 度，僅由于重力作用而出現(xiàn)沉積。如圖2所示的本發(fā)明實(shí)施例裝置，包括一將原料導(dǎo)入反應(yīng)器基管1的部件和一從 外部對(duì)基管1進(jìn)行加熱的可移動(dòng)熱源6?；?作為一反應(yīng)器設(shè)置在一幾乎全封閉的腔室 2內(nèi)部。該裝置還包括一借助媒質(zhì)來(lái)控制腔室2溫度的部件7，該部件至少控制接近基管1部分或基管1局部的溫度。用以控制腔室2溫度的部件7、13、14、15包括至少一個(gè)噴嘴7， 通過(guò)該噴嘴7媒質(zhì)注入腔室2。部件7、13、14、15還包括一些必要的媒質(zhì)通道13、14以輸送 來(lái)自媒質(zhì)源15的媒質(zhì)，一可選的連接媒質(zhì)源15和腔室空間2的傳送部件，如泵類裝置，和 可選的用以打開/關(guān)閉媒質(zhì)通道的閥門部件16。部件7、13、14、15可進(jìn)行調(diào)節(jié)以控制腔室2內(nèi)基管1局部長(zhǎng)度或全長(zhǎng)度周身的溫
度。部件7、13、14、15可進(jìn)行調(diào)節(jié)借助加熱或冷卻媒質(zhì)以控制溫度。如優(yōu)選實(shí)施方式 所示，部件7、13、14借助加熱或冷卻媒質(zhì)以控制溫度，該煤質(zhì)為一惰性氣體如氮?dú)狻鍤饣?其他能達(dá)成該目的的氣體。媒質(zhì)源15在此實(shí)施方式中可以是一蓄儲(chǔ)部件，如氣瓶或相應(yīng)裝 置，氣體從該蓄儲(chǔ)部件注入腔室2。如實(shí)施方式所示，該裝置至少包括一個(gè)熱交換部件10，通過(guò)該部件媒質(zhì)得以循環(huán)。 該裝置至少包括一個(gè)媒質(zhì)通道11、12、13以供腔室2排出的媒質(zhì)進(jìn)入熱交換部件10最后再 回入腔室2進(jìn)行循環(huán)。媒質(zhì)循環(huán)可以通過(guò)一傳送部件實(shí)現(xiàn)，如噴射泵17，該泵可以通過(guò)壓 力手段，如空氣壓縮，進(jìn)行使用。噴射泵17的吸入側(cè)通過(guò)媒質(zhì)通道11同腔室2的媒質(zhì)出口 孔19連接。噴射泵17的壓力側(cè)通過(guò)媒質(zhì)通道12同媒質(zhì)蓄儲(chǔ)部件15相連接，媒質(zhì)從蓄儲(chǔ) 部件15被注入媒質(zhì)通道13、14抵達(dá)有至少一個(gè)噴嘴7的腔室2。在如圖2所示的實(shí)施方式 中，媒質(zhì)通道包括一如調(diào)節(jié)閥的閥門部件16，該調(diào)節(jié)閥設(shè)置于媒質(zhì)蓄儲(chǔ)部件15和可以控制 媒質(zhì)向腔室空間2注入的噴嘴7之間。通過(guò)管道20，作為蓄儲(chǔ)部件的媒質(zhì)源15可以接收更 多的媒質(zhì)。管道20通常包括一開關(guān)閥。如優(yōu)選實(shí)施方式所示，控制腔室2溫度的部件7、13、14、15包括多個(gè)噴嘴7，通過(guò)該 多個(gè)噴嘴，媒質(zhì)注入腔室2?？刂魄皇?溫度的部件7、13、14、15包括多個(gè)噴嘴7，該多個(gè)噴嘴7沿基管1的長(zhǎng) 度方向分散排列。可以認(rèn)為該多個(gè)噴嘴為一一間隔排列。每一噴嘴7同其專用媒質(zhì)通道 13、14連接，或者在腔室2內(nèi)的一管道或相應(yīng)裝置內(nèi)設(shè)置多個(gè)噴嘴7。如圖2所示實(shí)施方式中，媒質(zhì)在注入腔室2之前先通過(guò)熱交換部件10。可移動(dòng)熱源為設(shè)置在腔室2內(nèi)的電磁爐6。如圖2所示的裝置，基管1總體設(shè)置于腔室2內(nèi)，這樣，基管可以沿其縱軸軸向旋 轉(zhuǎn)。管體兩端或至少臨近兩端的區(qū)域通過(guò)旋轉(zhuǎn)連接部件3、4同腔室固定。管體可以通過(guò)一 個(gè)驅(qū)動(dòng)設(shè)備(未在圖中表示)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。原料汽體注入的媒質(zhì)通道8，例如一處理管，通過(guò) 旋轉(zhuǎn)連接部件3固定于進(jìn)口側(cè)，所謂的煙盒5通過(guò)旋轉(zhuǎn)連接部件4固定于出口側(cè)，該煙盒5 用以收集工藝中多余的、未附著于基管上的多孔玻璃材料，如煙塵。煙盒5收集的工藝中多 余玻璃材料和有害氣體從媒質(zhì)通道9排出，例如，排出至一凈化器?；軆?nèi)部可以使用不同 的促動(dòng)機(jī)通過(guò)煙盒5將抽成真空。熱源，如一 CVD爐6，設(shè)置于腔室2內(nèi)沿基管1軸向方向線性移動(dòng)，以在玻璃材料摻 雜過(guò)程中提供熱能。通?；?的長(zhǎng)度在1 1. 5米，CVD爐6經(jīng)過(guò)的來(lái)回長(zhǎng)度也在同一 數(shù)量級(jí)。CVD爐在玻璃材料摻雜時(shí)運(yùn)動(dòng)速度通常為每分鐘100 200mm，在熔縮摻雜纖維預(yù) 制體時(shí)，速度通常為每分鐘5 50mm。裝置包括一控制腔室2溫度的部件，更確切的說(shuō)是控制基管1的溫度或部分基管 1的溫度。如發(fā)明實(shí)施方式所示，溫度控制部件包括一將媒質(zhì)注入腔室的部件。通常，該部件包括一噴嘴7，該噴嘴7激活后用以向腔室注入媒質(zhì)。如圖2所示的實(shí)施方式中，腔室2 內(nèi)的幾乎基管1全長(zhǎng)跨度間設(shè)置了多個(gè)噴嘴。媒質(zhì)，更確切的說(shuō)是氣體，通過(guò)噴嘴7注入到 腔室2。媒質(zhì)，更確切的說(shuō)是氣體，在到達(dá)噴嘴7之前經(jīng)過(guò)至少一個(gè)熱交換部件10。進(jìn)入腔 室的媒質(zhì)，更確切的說(shuō)是氣體，對(duì)基管1進(jìn)行加熱或冷卻，以達(dá)到所期望的溫度。熱交換部 件可以是例如一渦流管，通過(guò)該渦流管媒質(zhì)得到冷卻。相反的，熱交換部件也可以是一加熱 媒質(zhì)的部件。腔室2內(nèi)放置至少一高溫計(jì)以測(cè)量基管1不同點(diǎn)上的溫度，除此之外，電磁爐 6也含有一高溫計(jì)測(cè)量爐內(nèi)基管溫度。這樣，就掌握了基管的溫度分布情況。在常規(guī)的玻璃材料預(yù)制工藝中，保持基管1溫度恒定是十分重要的，這樣管體1處 于爐6內(nèi)部部分或處于爐6前端部分的溫差就保持恒定。在本實(shí)施方式中，溫度為預(yù)期值 的氣體在管體軸向不同位置從噴嘴噴出，這樣管體軸向長(zhǎng)度的溫差就不會(huì)產(chǎn)生了。在優(yōu)選實(shí)施方式中，噴嘴7中的氣體是惰性氣體，這樣，離開腔室頂部的惰性氣體 循環(huán)回?zé)峤粨Q部件，再通過(guò)噴嘴以正確的溫度返回至腔室。這樣整個(gè)工藝可以以低成本在 惰性環(huán)境中進(jìn)行。當(dāng)CVD爐在惰性環(huán)境下工作的時(shí)候，腔室內(nèi)它可以以非常高的速度(每分鐘1-10 米)進(jìn)行工藝處理且杜絕CVD爐灼熱部空氣滲透使該部分燃燒的現(xiàn)象。在本實(shí)施方式中，依 本發(fā)明設(shè)置，爐子在沉積過(guò)程結(jié)束后可以返回初始位置，這樣纖維預(yù)制體初始端(即如圖2 所示原料進(jìn)入基管的基管左端)的所謂斜坡就會(huì)減短。斜坡是纖維預(yù)制體的一部分，該部 分長(zhǎng)度纖維的折射系數(shù) 為非預(yù)期值，無(wú)法達(dá)到抽絲作光纖的質(zhì)量要求。爐子的快速回轉(zhuǎn)對(duì) 于減短斜坡意義重大。在實(shí)施過(guò)程中，整個(gè)基管的溫度必須控制在平穩(wěn)的、大約300 400°C的低溫。該 實(shí)施方式中，根據(jù)測(cè)量所得溫度數(shù)據(jù)得出的結(jié)果，爐子可以根據(jù)需要快速移動(dòng)對(duì)基管的不 同位置進(jìn)行加熱。顯然對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員，可以通過(guò)編程達(dá)到控制爐子以一適當(dāng)溫度、不 同速度在基管不同位置間移動(dòng)，并在每個(gè)位置停留預(yù)期時(shí)間長(zhǎng)。當(dāng)管體溫度接近預(yù)期值，可 以通過(guò)控制氣流的溫度和體積流率，來(lái)保持和細(xì)調(diào)管體溫度。這樣，可以根據(jù)應(yīng)用的需要將 基管長(zhǎng)時(shí)間精確保持在正確的溫度下。顯然，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員，發(fā)明不受上述實(shí)施方式的限制，且在權(quán)利要求保護(hù)范 圍內(nèi)變化也應(yīng)屬本發(fā)明范疇。說(shuō)明書中聯(lián)合描述之技術(shù)特征，在需要時(shí)也可分別應(yīng)用。
權(quán)利要求
用于制造玻璃材料的裝置，其包括一將原料注入作為反應(yīng)器的基管(1)的部件和從外部對(duì)基管(1)進(jìn)行加熱的可移動(dòng)熱源，其特征在于，作為反應(yīng)器的基管(1)設(shè)置于可封閉的腔室(2)內(nèi)，且該裝置包括一借助媒質(zhì)控制腔室(2)內(nèi)部溫度——至少基管附近溫度或基管局部溫度的部件(7、13、14、15)。
2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，控制腔室⑵溫度的部件(7、13、14、15)包 括至少一個(gè)用于將媒質(zhì)注入腔室(2)的噴嘴(7)。
3.如權(quán)利要求1或權(quán)利要求2所述裝置，其特征在于，控制腔室(2)溫度的部件(7、13、 14,15)可以調(diào)節(jié)以控制基管(1)局部長(zhǎng)度或整體長(zhǎng)度周圍的腔室(2)溫度。
4.如權(quán)利要求1-3之一所述的裝置，其特征在于，控制腔室(2)溫度的部件(7、13、14、 15)可以調(diào)節(jié)以借助加熱或冷卻媒質(zhì)來(lái)控制溫度。
5.如權(quán)利要求1-4之一所述的裝置，其特征在于，控制腔室(2)溫度的部件(7、13、14、 15)可以調(diào)節(jié)以借助加熱或冷卻媒質(zhì)來(lái)控制溫度，其中該媒質(zhì)為一種惰性氣體，包括氮?dú)饣?氛氣o
6.如權(quán)利要求1-5之一所述的裝置，其特征在于，該裝置包括至少一個(gè)熱交換部件 (10)，媒質(zhì)通過(guò)該熱交換部件實(shí)現(xiàn)循環(huán)。
7.如權(quán)利要求1-6之一所述的裝置，其特征在于，該裝置包括至少一個(gè)媒質(zhì)通道(11、 12、13)以實(shí)現(xiàn)媒質(zhì)離開腔室至熱交換部件(10)再返回腔室的循環(huán)。
8.如權(quán)利要求1-7之一所述的裝置，其特征在于，控制腔室(2)溫度的部件(7、13、14、 15)包括多個(gè)噴嘴(7)，通過(guò)該多個(gè)噴嘴媒質(zhì)注入腔室(2)。
9.如權(quán)利要求1-8之一所述的裝置，其特征在于，控制腔室(2)溫度的部件(7、13、14、 15)包括多個(gè)噴嘴(7)，該多個(gè)噴嘴(7)沿基管長(zhǎng)度(1)方向分散設(shè)置。
10.如權(quán)利要求1-9之一所述的裝置，其特征在于，可移動(dòng)熱源為一設(shè)置在腔室(2)內(nèi) 的電磁爐。
全文摘要
用于制造玻璃材料的裝置，包括一將原料注入作為反應(yīng)器的基管(1)的部件和從外部對(duì)基管(1)進(jìn)行加熱的可移動(dòng)熱源，其特征在于，作為反應(yīng)器的基管(1)設(shè)置于可以封閉的腔室(2)內(nèi)，且該裝置包括一借助媒質(zhì)控制腔室(2)內(nèi)部溫度——至少基管附近或基管局部溫度的部件(7、13、14、15)。
文檔編號(hào)C03B37/018GK101830635SQ201010128220
公開日2010年9月15日 申請(qǐng)日期2010年2月11日 優(yōu)先權(quán)日2009年2月16日
發(fā)明者麥迪蘭 申請(qǐng)人:芬蘭奧普拓光波設(shè)備有限公司