專利名稱：一種延長pdp浮法玻璃窯爐碹頂壽命的方法
技術領域：
本發(fā)明屬于等離子玻璃制造工藝技術領域，涉及到一種可以延長浮法玻璃窯爐碹 頂壽命的方法，特別是涉及通過精確形位測量及控制碹頂硅磚的溫度實施有效的監(jiān)控措施 進而延長碹頂壽命的措施。
背景技術：
在普通浮法玻璃生產(chǎn)現(xiàn)線中，窯爐碹頂一般采用優(yōu)質硅磚砌筑以保證質量和使用 壽命。在正常使用下的最高溫度為1610°C，這與硅磚的最高使用溫度1680°C相差70°C，因 此在普通浮法生產(chǎn)工藝中，使用優(yōu)質硅磚砌筑碹頂比較安全，其使用周期也比較長，最高達 到15年；而在PDP等離子浮法玻璃生產(chǎn)過程中，其碹頂也采用優(yōu)質硅磚，但是其正常使用 的最高溫度達到1660°C，與硅磚的最高使用溫度1680°C相差僅20°C。在1660°C溫度下，硅 磚被高溫侵蝕的速度也比普通浮法玻璃的最高使用溫度1610°C快3倍，因此要保證熔窯安 全正常運行、延長PDP玻璃窯爐使用壽命，必須要對PDP浮法硅質熔窯碹頂進行處理。因為 PDP窯爐采用了和普通浮法生產(chǎn)工藝中同樣的硅質磚作為碹頂磚，而PDP窯爐的使用溫度 比普通浮法溫度要高60°C，達到1660°C，此溫度已經(jīng)接近硅磚的使用溫度極限。所以，對硅 磚內部溫度的掌控非常重要。因此在PDP浮法工藝中如何延長碹頂壽命則成為了值得研究 的難題。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的是為了解決在PDP浮法玻璃生產(chǎn)中延長窯爐碹頂壽命的技術難題， 通過長時間的試驗摸索設計出了一種延長PDP浮法玻璃窯爐碹頂壽命的方法，借助精確測 量碹頂?shù)臏囟?、以及對測量出碹頂?shù)臏囟冗M行在線監(jiān)控，進而得到快速有效的控制措施使 得準確維持硅質磚處在極限溫度之內，延長了碹頂壽命。本發(fā)明為實現(xiàn)發(fā)明目的采用的技術方案是，一種延長PDP浮法玻璃窯爐碹頂壽命 的方法，以上方法應用于PDP等離子液晶玻璃制造工藝的生產(chǎn)線中，包括對窯爐碹頂硅磚 的溫度進行在線監(jiān)控，根據(jù)窯爐內的侵蝕程度的數(shù)據(jù)進行的維護、修補措施，對窯爐碹頂硅 磚的溫度進行監(jiān)測與控制的方法是在窯爐入口端的窯爐前臉吊墻以及窯爐內的各個小爐 的截面中心線位置分別設置電偶磚和熱電偶、形成橫向至少三個測溫點，測溫點的測溫模 式為熱電偶A穿透碹頂硅磚或熱電偶B嵌入碹頂硅磚中、或者熱電偶A穿透碹頂硅磚和熱 電偶B嵌入碹頂硅磚中。本發(fā)明考慮到因為窯爐整體溫度很高，需要對窯爐整體溫度有一個比較詳細的 了解；所以測量碹頂硅磚的測量點比普通浮法要多，布點的原則是在高溫區(qū)域既要注重 中心部位的溫度，最高溫度區(qū)在中心，所以中心部位采用了“穿透”、“半穿透”管理，“穿透” 即熱電偶A穿透碹頂硅磚的結構，“半穿透”即熱電偶B嵌入碹頂硅磚中的結構；也要注意 邊部溫度，邊部溫度靠近噴火口，距離火焰比較近，所以在窯爐的高溫區(qū)的小爐附近，也采 用了“穿透”、“半穿透”管理；在前臉吊墻中心線的位置，也采用了橫向三點測溫，主要是通
3過觀察其與高溫區(qū)小爐中心線處各測點溫度差來判斷熔窯內玻璃液可能的對流情況。本發(fā)明對窯爐碹頂?shù)臏囟葴y量采用多測量點布局測溫，以及采用了穿透與半穿透 的混合測量，通過監(jiān)控兩者測量的溫度差范圍，進而采取相應措施進行防護，另外也對碹頂 硅磚的結構、加工精度、尺寸進行改進，很好的延長了 PDP浮法玻璃窯爐碹頂?shù)膲勖?，進一 步降低了生產(chǎn)成本；延長PDP浮法玻璃窯爐的使用周期，顯著提高了生產(chǎn)效益。下面結合附圖對本發(fā)明進行詳細說明。


圖1是對碹頂硅磚進行測溫的測溫點的布局示意圖。圖2是窯爐碹頂截面的結構示意圖。圖3和圖4分別是本發(fā)明中熱電偶和碹頂硅磚的兩種位置關系。附圖中，1是窯爐入口端的窯爐前臉吊墻的中心線位置，2是窯爐內的各個小爐的 中心線位置，3是碹頂硅磚，4是熱電偶A，5是熱電偶B，6是外保溫層，7是內保溫層。
具體實施例方式一種延長PDP浮法玻璃窯爐碹頂壽命的方法，以上方法應用于PDP等離子液晶玻 璃制造工藝的生產(chǎn)線中，包括對窯爐碹頂硅磚的溫度進行在線監(jiān)控，根據(jù)窯爐內的侵蝕程 度的數(shù)據(jù)進行的維護、修補措施，對窯爐碹頂硅磚的溫度進行監(jiān)測與控制的方法是在窯爐 入口端的窯爐前臉吊墻以及窯爐內的各個小爐的截面中心線位置分別設置電偶磚和熱電 偶、形成橫向至少三個測溫點，測溫點的測溫模式為熱電偶A4穿透碹頂硅磚3或熱電偶 B5嵌入碹頂硅磚3中、或者熱電偶A4穿透碹頂硅磚3和熱電偶B5嵌入碹頂硅磚3中。上述的方法還包括對窯爐碹頂結構進行改進碹頂硅磚3層的厚度增加50 70mmo上述的碹頂硅磚3的加工精度是士0. 1 0. 3mm。在碹頂硅磚3上設置厚度為80 IOOmm的雙層保溫層。上述的雙層保溫層的保溫材料是輕質硅鈣板。將窯爐碹頂分為三個區(qū)域，小于1500°C區(qū)域，1500°C 1600°C區(qū)域，大于1600°C 區(qū)域，從低溫度到高溫度區(qū)域，雙層保溫層的厚度依次減薄20mm。在某200噸/天PDP浮法玻璃生產(chǎn)線上，其熔窯采用利用硅質進行了碹頂，其體積 約為15660cm3，采用了硅質承重硅磚，其體積比普通浮法玻璃碹頂?shù)捏w積大約增加了 1倍 左右；重量至少達到15公斤。該承重硅質材料的表面的加工精度在0 0. 5mm ；其熔窯碹 頂硅磚3整體厚度比普通浮法線增加了 50mm ；其所用的熔窯碹頂保溫材料輕質硅質保溫材 料和硅鈣板的密度要比普通浮法小；由于PDP浮法玻璃生產(chǎn)線熔窯碹頂整體溫度要比普通 浮法生產(chǎn)線熔窯整體溫度高80°C左右，在碹頂縱向采用了比普通浮法多的測量點，參看圖 1，圖中圓圈代表測量點的位置，在窯爐入口端的窯爐前臉吊墻的中心線位置1橫向設置三 個測量點，在窯爐內的各個小爐的中心線位置2也設置有一個或三個測量點，而在碹頂橫 向重要區(qū)域均采用了三測量點布局的模式；在碹頂硅磚3最高溫度點所在區(qū)域，在同一塊 測量磚上設置了兩個測量點，一個采用穿透模式，另一個采用2/3穿透模式，根據(jù)二者所測 量的溫度差，來對碹頂硅磚3的侵蝕情況進行判斷，并采取相應的處理措施，其措施具體如
4下當溫度差大于20°C時，保持現(xiàn)狀；當溫度差15°C 20°C時，將碹頂整個熱端區(qū)域的外保 溫材料拆除；當溫度差10°C 15°C時，將碹頂整個熱端區(qū)域的內保溫材料拆除；當溫度差 5°C 10°C時，對碹頂整個熱端區(qū)域進行適當?shù)娘L冷；當溫度差低于5°C時，說明碹頂侵蝕 將近1/3，需要用內窺式觀察鏡進行確認熔窯內侵蝕情況，同時考慮生產(chǎn)線的冷修。
通過采取了科學具體管理方式和處理措施，最大程度的保證了生產(chǎn)線的安全正常 運行，延長PDP浮法玻璃窯爐的使用周期，顯著提高了生產(chǎn)效益。
權利要求
一種延長PDP浮法玻璃窯爐碹頂壽命的方法，以上方法應用于PDP等離子液晶玻璃制造工藝的生產(chǎn)線中，包括對窯爐碹頂硅磚的溫度進行在線監(jiān)控，根據(jù)窯爐內的侵蝕程度的數(shù)據(jù)進行的維護、修補措施，其特征在于對窯爐碹頂硅磚的溫度進行監(jiān)測與控制的方法是在窯爐入口端的窯爐前臉吊墻以及窯爐內的各個小爐的截面中心線位置分別設置電偶磚和熱電偶、形成橫向至少三個測溫點，測溫點的測溫模式為熱電偶A(4)穿透碹頂硅磚(3)或/和熱電偶B(5)嵌入碹頂硅磚(3)中。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種延長PDP浮法玻璃窯爐碹頂壽命的方法，其特征在于 所述的方法還包括對窯爐碹頂結構進行改進碹頂硅磚(3)層的厚度增加50 70mm。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的一種延長PDP浮法玻璃窯爐碹頂壽命的方法，其特征在 于所述的碹頂硅磚(3)的加工精度是士0. 1 0. 3mm。
4.根據(jù)權利要求1所述的一種延長PDP浮法玻璃窯爐碹頂壽命的方法，其特征在于 在碹頂硅磚(3)上設置厚度為80 IOOmm的雙層保溫層。
5.根據(jù)權利要求4所述的一種延長PDP浮法玻璃窯爐碹頂壽命的方法，其特征在于 所述的雙層保溫層的保溫材料是輕質硅鈣板。
6.根據(jù)權利要求4所述的一種延長PDP浮法玻璃窯爐碹頂壽命的方法，其特征在于 將窯爐碹頂分為三個區(qū)域，小于1500°C區(qū)域，1500°C 1600°C區(qū)域，大于1600°C區(qū)域，從低 溫度到高溫度區(qū)域，雙層保溫層的厚度依次減薄20mm。
全文摘要
一種延長PDP浮法玻璃窯爐碹頂壽命的方法，解決在PDP浮法玻璃生產(chǎn)中延長窯爐碹頂壽命的技術難題，采用的技術方案是，以上方法應用于PDP等離子液晶玻璃制造工藝的生產(chǎn)線中，通過對窯爐碹頂硅磚的溫度進行監(jiān)控，根據(jù)窯爐內的侵蝕情況進行及時維護、延長窯爐碹頂?shù)膲勖P鍵是在窯爐入口端的窯爐前臉吊墻以及窯爐內的各個小爐的截面中心線位置分別設置電偶磚和熱電偶、形成橫向至少三個測溫點，測溫點的測溫模式為熱電偶A穿透碹頂硅磚或熱電偶B嵌入碹頂硅磚中、或者熱電偶A穿透碹頂硅磚和熱電偶B嵌入碹頂硅磚中。
文檔編號C03B5/42GK101941790SQ20101023677
公開日2011年1月12日 申請日期2010年7月27日 優(yōu)先權日2010年7月27日
發(fā)明者李兆廷, 王耀君, 陳發(fā)偉 申請人:河北東旭投資集團有限公司