專利名稱：一種低溫燒結(jié)的ZnO-Bi₂O₃-B₂O₃系壓敏電阻材料及其制備方法
一種低溫燒結(jié)的ZnO-Bi2O3-IO3系壓敏電阻材料及其制備
方法
背景技術：
本發(fā)明屬于壓敏電阻材料技術領域，具體涉及一種低溫燒結(jié)的SiO-Bi2O3-B2O3系壓敏電阻材料及其制備方法。
背景技術：
氧化鋅壓敏電阻由于其優(yōu)異的壓敏特性，自問世以來一直備受研究者的注意，并在世界各國避雷器中得到廣泛應用。通常的氧化鋅壓敏電阻材料都是以ZnO為主要成分， 通過添加Bi203、Sb203> MnO2, Co2O3> Cr2O3等金屬氧化物(一般含8-10種)按普通電子陶瓷工藝制造而成的燒結(jié)體(或陶瓷)。這些添加劑按作用機理可分為三類(1)促進氧化鋅壓敏陶瓷形成晶界結(jié)構(gòu)的添加物，如Bi203、BaO, SrO、PbO, Pr2O3等，它們主要的影響是促進液相燒結(jié)并形成陷阱和表面態(tài)而使氧化鋅壓敏電阻材料具有非線性；(2)改善氧化鋅壓敏陶瓷電氣性能非線性特性的添加物，如Mn0、CO203、Cr203、Al203等，它們的一部分為施主雜質(zhì)所固溶于SiO晶粒中提供載流子，其余部分則在晶界上形成陷阱和受主態(tài)而提高了勢壘的高度；(3)提高可靠性的添加物，如Sb203、Si02、Ni0、CeA和少量玻璃料，它們的主要作用是提高氧化鋅壓敏陶瓷對電壓負荷和環(huán)境(如溫度和濕度)的影響的穩(wěn)定性。根據(jù)添加劑的不同，氧化鋅壓敏電阻一般分成不同的材料體系，其中應用最廣泛的是SiO-Bi2O3-Sb2O3系壓敏電阻材料，該材料體系中除Bi203、Sb2O3用作添加劑外，還添加了少量的MnO、Co2O3> NiO, Cr2O3等過渡金屬氧化物。該材料體系中氧化鉍(Bi2O3)主要起促進氧化鋅晶粒生長和提高晶界電阻的作用；氧化銻(Sb2O3)則是通過其在燒結(jié)過程中能夠吸附于氧化鋅(ZnO)晶粒表面的特點來抑制晶粒的生長，提高晶粒的均勻性。 SiO-Bi2O3-Sb2O3系壓敏電阻材料一般具有較好的電壓敏綜合性能，但由于存在一定量抑制晶粒生長的Sb2O3，其燒結(jié)溫度較高，一般在1100°C -1300°C之間，高的燒結(jié)溫度不但容易使陶瓷片發(fā)生形變，影響陶瓷片電極的涂覆質(zhì)量，從而影響到產(chǎn)品率，而且容易使低熔點組分如Bi203、Sb2O3過量揮發(fā)，導致器件電壓敏參數(shù)下降。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種低溫燒結(jié)的SiO-Bi2O3-B2O3系壓敏電阻材料，該材料綜合性能優(yōu)越、成本低廉。本發(fā)明還提供了一種低溫燒結(jié)的SiO-Bi2O3-B2O3系壓敏電阻材料的制備方法，該方法制備工藝簡單、燒結(jié)溫度低，適于工業(yè)化生產(chǎn)。本發(fā)明利用硼的氧化物一方面具有較低的熔點，這種低熔點氧化物在陶瓷材料燒結(jié)過程中能夠有效的促進晶粒生長和降低燒結(jié)溫度；另一方面又分別能與ZnO-Bi2O3-B2O3 系壓敏電阻材料中的ZnO和Bi2O3發(fā)生反應(通過硼的氧化物與Bi2O3之間的低溫液相反應可以促進添加劑材料在氧化鋅晶界的均勻分布改善壓敏陶瓷的微觀結(jié)構(gòu)，通過硼的氧化物與SiO晶粒在界面的反應可以控制晶粒的均勻生長)的特點。用適量硼的氧化物取代SiO 壓敏陶瓷中傳統(tǒng)的晶粒生長抑制劑Sb2O3，實現(xiàn)既降低燒結(jié)溫度，同時又進一步優(yōu)化材料的電壓敏綜合性能的目的。一種低溫燒結(jié)的SiO-Bi2O3-B2O3系壓敏電阻材料，由如下原料制成&i0、Bi203、 TiO2, Co2O3、Cr2O3> MnCO3、NiO、Al2O3 和硼的氧化物；所述的ai0、Bi203、Ti02、Co203、Cr203、MnC03、Ni0 和 Al2O3 中各原料的摩爾百分比組成為ZnO90. 5%' 96. 5%
Bi2O30. 3% 5% ；
TiO20.■ 3% ；
Co2O30. 2% ；
Cr2O30. 1% ；
MnCO30. 2%~■ 2% ；
NiO0. 1%--1% ；
Al2O30. 005% 0. 05%相對于100重量份aiO，所述的硼的氧化物的添加量以化03換算計為2. 2 20重量份。本發(fā)明在Zn0、Bi203、Ti02、Co203、Cr203、MnC03、Ni0、Al203 組成的主料(即 ZnO-Bi2O3 系壓敏電阻材料)中添加適量的低熔點硼的氧化物，其作用機理在于與氧化鋅壓敏電阻材料兼容較好的低熔點硼的氧化物在燒結(jié)過程中能夠有效促進氧化鋅晶粒的生長，同時通過與Bi2O3和ZnO的反應改善壓敏陶瓷微觀結(jié)構(gòu)，最終實現(xiàn)SiO-Bi2O3系壓敏電阻材料燒結(jié)溫度降低，同時材料的電壓敏綜合性能進一步優(yōu)化。為了達到更好的發(fā)明效果，所述的硼的氧化物優(yōu)選為三氧化二硼或硼酸。所述的低溫燒結(jié)的ZnO-Bi2O3-B2O3系壓敏電阻材料的微觀結(jié)構(gòu)中含有硼鉍玻璃和硼酸鋅相。所述的低溫燒結(jié)的SiO-Bi2O3-B2O3系壓敏電阻材料的制備方法，包括以下步驟將SiO、Bi203、TiO2, Co2O3> Cr2O3> MnCO3> NiO、Al2O3 和硼的氧化物混合均勻后經(jīng)過濕法球磨、干燥、加壓成型和燒結(jié)，制得低溫燒結(jié)的氧化鋅壓敏電阻材料。所述的濕法球磨的條件優(yōu)選為以去離子水為溶劑，球磨2小時 5小時。所述的干燥的條件優(yōu)選為在80°C 95°C干燥10小時 15小時。所述的燒結(jié)的條件優(yōu)選為以120°C /小時 300°C /小時的升溫速率升溫至 750°C 950°C保溫2小時 5小時。本發(fā)明低溫燒結(jié)的ZnO-Bi2O3-B2O3系壓敏電阻材料具有高的電壓梯度 (VlfflA ^ 230V/mm)和很好的電壓敏綜合性能。其在輸電線路保護領域特別是高壓避雷器方面有十分重要的應用潛能。與現(xiàn)有氧化鋅壓敏材料相比，本發(fā)明具有以下優(yōu)點本發(fā)明低溫燒結(jié)的ZnO-Bi2O3-B2O3系壓敏電阻材料不含SId2O3，具有低的燒成溫度， 其在750°C 950°C條件下即能燒成。本發(fā)明低溫燒結(jié)的ZnO-Bi2O3-B2O3系壓敏電阻材料具有很好的電壓敏綜合性能 ⑴該低溫燒結(jié)的ZnO-Bi2O3-B2O3系壓敏電阻材料具有合適的電位梯度、高的非線性系數(shù)和低的漏電流密度在750°C _950°C燒結(jié)的該ZnO-Bi2O3-B2O3系壓敏電阻材料的電位梯度VlmA=230 420V/mm，非線性系數(shù)α大于50，漏電流0. 75VlmA下小于0. 5 μ A ；合適的電位梯度、高的非線性系數(shù)和低的漏電流密度使得其在實際應用中不僅功耗小、用電量低，同時難以發(fā)生由自己失控造成的發(fā)熱破壞；(2)該低溫燒結(jié)的SiO-Bi2O3-B2O3系壓敏電阻材料具有高的電流通流容量和低的壓敏電壓變化率在750°C _950°C燒結(jié)的該ZnO-Bi2O3-B2O3系氧化鋅壓敏電阻材料(以直徑35mm圓片為例)的電流通流容量(GB-10193中規(guī)定的8/20 μ S 波形兩次脈沖實驗)大于lOOOA/cm3，通流后壓敏電壓V1im變化率為士 O. O 4. 0) %。高的通流容量和低的壓敏電壓變化率，使得其在處理雷電沖擊、點火沖擊、甩負沖擊等脈沖性大電流沖擊時的浪涌吸收能力和穩(wěn)定性大幅提高。(3)該低溫燒結(jié)的SiO-Bi2O3-B2O3系壓敏電阻材料具有很好的耐老化性能在750°C -950°C燒結(jié)的該氧化鋅壓敏電阻材料的耐老化系數(shù)小于0. 85。本發(fā)明低溫燒結(jié)的ZnO-Bi2O3-B2O3系壓敏電阻材料制備時僅需將所有原料均勻混合、球磨、加壓成型后一次燒結(jié)而成，制備方法簡單、無需特殊的設備和控制、周期短，操作方便，且所需的原料十分容易獲得，成本低廉，適于工業(yè)化生產(chǎn)。


圖1是實施例1中低溫燒結(jié)的ZnO-Bi2O3-B2O3系壓敏電阻材料的粉末XRD物相圖譜；其中，橫坐標為2 θ角，縱坐標為相對強度(intensity)。
具體實施例方式本發(fā)明主要是在Sio-Bi2O3-TiO2-Co2O3-Cr2O3-MnCO3-NiO-Al2O3 主成分材料中添加適量的低熔點硼的氧化物，使與氧化鋅壓敏電阻材料兼容較好的低熔點硼的氧化物在燒結(jié)過程中能夠有效促進氧化鋅晶粒的生長，同時通過與Bi2O3和ZnO的反應改善壓敏陶瓷微觀結(jié)構(gòu)。下面結(jié)合實施例對本發(fā)明進一步說明。實施例1主成分材料由如下摩爾百分比的原料組成94. 5% ZnO, 1. 18% Bi2O3,0. 1% TiO2, 2% Co2O3,0. 1% Cr2O3'2% MnCO3,0. 1% NiO 和 0. 02% A1203。硼的氧化物為硼酸，硼酸的添加量，相對于100重量份氧化鋅，以化03換算計為3. 0重量份。按上述用量將硼酸與主成分材料混合均勻后用去離子水和鋯球在行星球磨機中球磨3小時，然后90°C下干燥12小時得到低溫燒結(jié)的SiO-Bi2O3-B2O3系壓敏電阻粉料。 將低溫燒結(jié)的SiO-Bi2O3-B2O3系壓敏電阻粉料加壓成圓片狀的成形體，置于大氣氣氛中以 3000C /小時升溫速率升溫到850°C，保溫2小時后隨爐冷卻得到低溫燒結(jié)的ZnO-Bi2O3-B2O3 系壓敏電阻材料(即燒結(jié)體)。燒結(jié)體的試料尺寸為厚度10mm，直徑為35mm。為了測量燒結(jié)體樣品的電性能，將燒結(jié)體在1200目SiC砂紙上打磨，然后將其用超聲波在酒精中清洗，得到樣品。在樣品的上下表面上均勻地涂上電極銀漿后，放入電阻爐中，在300°C條件下燒銀，保溫30分鐘，再在燒成的電極銀漿面上焊接電極引線，得到氧化鋅變阻器，用于測量上述低溫燒結(jié)的SiO-Bi2O3-B2O3系壓敏電阻材料的電性能。電性能的測試,采用GB/T165^-1996和GB 11032-2000中相關測試方法。電性能測試結(jié)果為該低溫燒結(jié)的ZnO-Bi2O3-B2O3系壓敏電阻材料電位梯度VlmA 為380V/mm，非線性系數(shù)α達55，漏電流0. 75VlmA下小于0. 3 μ Α，電流通流容量(GB-10193中規(guī)定的8/20 μ S波形兩次脈沖實驗)大于1050A/cm3，通流后壓敏電壓VllM變化率為士2. 0% ；材料耐老化系數(shù)小于0. 8。電性能測試結(jié)果表明該低溫燒結(jié)的SiO-Bi2O3-B2O3系壓敏電阻材料不僅具有高的非線性系數(shù)和低的漏電流密度而且還具有高的電流通流容量、 低的壓敏電壓變化率和低的耐老化系數(shù)，其綜合電壓敏特性優(yōu)越。同時，該低溫燒結(jié)的SiO-Bi2O3-B2O3系壓敏電阻材料的粉末經(jīng)X射線衍射分析 (X-ray diffraction，簡稱XRD)得XRD圖譜，如圖1所示，從圖1可以明顯看到硼酸鋅相的特征衍射峰，同時該圖譜中沒有Bi2O3相的特征衍射峰，這說明該壓敏材料中的低熔點硼氧化物不僅能有效促進氧化鋅晶粒的生長降低燒結(jié)溫度，而且能通過與Bi2O3和ZnO的反應在晶界形成硼鉍玻璃和硼酸鋅相，從而改善低溫燒結(jié)的SiO-Bi2O3-B2O3系壓敏電阻材料的微觀結(jié)構(gòu)，并優(yōu)化材料的綜合性能。實施例2主成分材料由如下摩爾百分比的原料組成96. 5% ZnO,0. 3% Bi2O3,0. 895 % TiO2,0. 1% Co2O3,1% Cr2O3,0. 2% MnCO3,1 % NiO 禾口 0. 005% Al2O30 硼的氧化物為三氧化二硼，三氧化二硼的添加量，相對于100重量份氧化鋅，以化03換算計為2. 2重量份。按上述用量將三氧化二硼與主成分材料混合均勻后用去離子水和鋯球在行星球磨機中球磨5小時，然后80°C下干燥15小時得到低溫燒結(jié)的SiO-Bi2O3-B2O3系壓敏電阻粉料。將低溫燒結(jié)的SiO-Bi2O3-B2O3系壓敏電阻粉料加壓成圓片狀的成形體，置于大氣氣氛中以120°C /小時升溫速率升溫到950°C，保溫3小時后隨爐冷卻得到低溫燒結(jié)的 ZnO-Bi2O3-B2O3系壓敏電阻材料(即燒結(jié)體)。燒結(jié)體的試料尺寸為厚度10mm，直徑為35mm。為了測量燒結(jié)體樣品的電性能，將燒結(jié)體在1200目SiC砂紙上打磨，然后將其用超聲波在酒精中清洗，得到樣品。在樣品的上下表面上均勻地涂上電極銀漿后，放入電阻爐中，在300°C條件下燒銀，保溫30分鐘，再在燒成的電極銀漿面上焊接電極引線，得到氧化鋅變阻器，用于測量上述低溫燒結(jié)的SiO-Bi2O3-B2O3系壓敏電阻材料的電性能。電性能的測試采用GB/T165^-1996和GB 11032-2000中相關測試方法。電性能測試結(jié)果為該低溫燒結(jié)的ZnO-Bi2O3-B2O3系壓敏電阻材料電位梯度V1im為 230V/mm，非線性系數(shù)α達52，漏電流0. 75VlmA下小于0. 4_，電流通流容量(GB-10193中規(guī)定的8/20 μ S波形兩次脈沖實驗)大于lOOOA/cm3，通流后壓敏電壓V1im變化率為士3.0%; 材料耐老化系數(shù)小于0. 8。電性能測試結(jié)果表明該低溫燒結(jié)的SiO-Bi2O3-B2O3系壓敏電阻材料不僅具有高的非線性系數(shù)和低的漏電流密度，而且還具有高的電流通流容量、低的壓敏電壓變化率和低的耐老化系數(shù)，其綜合電壓敏特性優(yōu)越。同時，該壓敏電阻材料的粉末XRD 分析結(jié)果說明其微觀結(jié)構(gòu)中含有一定的硼鉍玻璃和硼酸鋅相。實施例3主成分材料由如下摩爾百分比的原料組成92.5% ZnO, 5% Bi2O3,0. 55% TiO2, 0. 5% Co2O3,0. 5% Cr2O3，0. 5% MnCO3,0. 4% NiO 和 0. 05% A1203。硼氧化物為硼酸，硼酸的添加量，相對于100重量份氧化鋅，以化03換算計為10重量份。按上述用量將硼酸與主成分材料混合均勻后用去離子水和鋯球在行星球磨機中球磨3小時，然后95°C下干燥10小時得到低溫燒結(jié)的SiO-Bi2O3-B2O3系壓敏電阻粉料。 將低溫燒結(jié)的SiO-Bi2O3-B2O3系壓敏電阻粉料加壓成圓片狀的成形體，置于大氣氣氛中以 1800C /小時升溫速率升溫到900°C，保溫3小時后隨爐冷卻得到低溫燒結(jié)的ZnO-Bi2O3-B2O3系壓敏電阻材料(即燒結(jié)體)。燒結(jié)體的試料尺寸為厚度10mm，直徑為35mm。為了測量燒結(jié)體樣品的電性能，將燒結(jié)體在1200目SiC砂紙上打磨，然后將其用超聲波在酒精中清洗，得到樣品。在樣品的上下表面上均勻地涂上電極銀漿后，放入電阻爐中，在300°C條件下燒銀，保溫30分鐘，再在燒成的電極銀漿面上焊接電極引線，得到氧化鋅變阻器，用于測量上述低溫燒結(jié)的SiO-Bi2O3-B2O3系壓敏電阻材料的電性能。電性能的測試采用GB/T165^-1996和GB 11032-2000中相關測試方法。電性能測試結(jié)果為該低溫燒結(jié)的ZnO-Bi2O3-B2O3系壓敏電阻材料電位梯度V1im為 280V/mm，非線性系數(shù)α達58，漏電流0. 75VlmA下小于0. 3_，電流通流容量(GB-10193中規(guī)定的8/20 μ S波形兩次脈沖實驗)大于lOOOA/cm3，通流后壓敏電壓V1im變化率為士2. 5%; 材料耐老化系數(shù)小于0. 8。電性能測試結(jié)果表明該低溫燒結(jié)的SiO-Bi2O3-B2O3系壓敏電阻材料不僅具有高的非線性系數(shù)和低的漏電流密度，而且還具有高的電流通流容量、低的壓敏電壓變化率和低的耐老化系數(shù)，其綜合電壓敏特性優(yōu)越。同時，該壓敏電阻材料的粉末XRD 分析結(jié)果說明其微觀結(jié)構(gòu)中含有一定的硼鉍玻璃和硼酸鋅相。實施例4主成分材料由如下摩爾百分比的原料組成90. 5% ZnO, 4. 5% Bi2O3, 3.0% TiO2, 0. 5% Co2O3,0. 5% Cr2O3,0. 5% MnCO3,0. 48% NiO和 0. 02% Al2O30 硼氧化物為三氧化二硼， 三氧化二硼的添加量，相對于100重量份氧化鋅，以化03換算計為20重量份。按上述用量將三氧化二硼與主成分材料混合均勻后用去離子水和鋯球在行星球磨機中球磨2小時，然后90°C下干燥15小時得到低溫燒結(jié)的SiO-Bi2O3-B2O3系壓敏電阻粉料。將低溫燒結(jié)的SiO-Bi2O3-B2O3系壓敏電阻粉料加壓成圓片狀的成形體，置于大氣氣氛中以240°C /小時升溫速率升溫到750°C，保溫5小時后隨爐冷卻得到低溫燒結(jié)的 ZnO-Bi2O3-B2O3系壓敏電阻材料(即燒結(jié)體)。燒結(jié)體的試料尺寸為厚度10mm，直徑為35mm。為了測量燒結(jié)體樣品的電性能，將燒結(jié)體在1200目SiC砂紙上打磨，然后將其用超聲波在酒精中清洗，得到樣品。在樣品的上下表面上均勻地涂上電極銀漿后，放入電阻爐中，在300°C條件下燒銀，保溫30分鐘，再在燒成的電極銀漿面上焊接電極引線，得到氧化鋅變阻器，用于測量上述低溫燒結(jié)的SiO-Bi2O3-B2O3系壓敏電阻材料的電性能。電性能的測試采用GB/T165^-1996和GB 11032-2000中相關測試方法。電性能測試結(jié)果為該低溫燒結(jié)的ZnO-Bi2O3-B2O3系壓敏電阻材料電位梯度VlmA 為420V/mm，非線性系數(shù)α達50，漏電流0. 75VlmA下小于0. 5 μ Α，電流通流容量(GB-10193 中規(guī)定的8/20 μ S波形兩次脈沖實驗)大于lOOOA/cm3，通流后壓敏電壓VllM變化率為士4. 0% ；材料耐老化系數(shù)小于0. 85。電性能測試結(jié)果表明該低溫燒結(jié)的SiO-Bi2O3-B2O3 系壓敏電阻材料不僅具有高的非線性系數(shù)和低的漏電流密度，而且還具有高的電流通流容量、低的壓敏電壓變化率和低的耐老化系數(shù)，其綜合電壓敏特性優(yōu)越。同時，該壓敏電阻材料的粉末XRD分析結(jié)果說明其微觀結(jié)構(gòu)中含有一定的硼鉍玻璃和硼酸鋅相。
權(quán)利要求
1. 一種低溫燒結(jié)的SiO-Bi2O3-B2O3系壓敏電阻材料，由如下原料制成Zn0、Bi203、Ti02、 Co2O3> Cr2O3> MnCO3> NiO、Al2O3 和硼的氧化物；所述的&i0、Bi203、TiO2, Co2O3> Cr2O3> MnCO3> NiO和Al2O3中各原料的摩爾百分比組成為ZnO90. 5% 96. 5%Bi2O30. 3% 5% ；TiO20. ‘3% ；Co2O30. 2% ；Cr2O30. 1% ；MnCO30. 2% ‘2% ；NiO0. 1%--1% ；AU0,0. 005% 0. 05%相對于100重量份&10，所述的硼的氧化物的添加量以化03換算計為2. 2 20重量份。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫燒結(jié)的SiO-Bi2O3-B2O3系壓敏電阻材料，其特征在于，所述的硼的氧化物為三氧化二硼或硼酸。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的低溫燒結(jié)的SiO-Bi2O3-B2O3系壓敏電阻材料，其特征在于，所述的低溫燒結(jié)的ZnO-Bi2O3-B2O3系壓敏電阻材料的微觀結(jié)構(gòu)中含有硼鉍玻璃和硼酸鋅相。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3任一項所述的低溫燒結(jié)的ZnO-Bi2O3-B2O3系壓敏電阻材料的制備方法，包括以下步驟將aiO、Bi203、TiO2, Co2O3> Cr2O3> MnCO3> NiO、Al2O3和硼的氧化物混合均勻后經(jīng)過濕法球磨、干燥、加壓成型和燒結(jié)，制得低溫燒結(jié)的氧化鋅壓敏電阻材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的低溫燒結(jié)的ZnO-Bi2O3-B2O3系壓敏電阻材料的制備方法，其特征在于，所述的濕法球磨的條件為以去離子水為溶劑，球磨2小時 5小時。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的低溫燒結(jié)的ZnO-Bi2O3-B2O3系壓敏電阻材料的制備方法，其特征在于，所述的干燥的條件為在80°C 95°C干燥10小時 15小時。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的低溫燒結(jié)的ZnO-Bi2O3-B2O3系壓敏電阻材料的制備方法，其特征在于，所述的燒結(jié)的條件為以120°C /小時 300°C /小時的升溫速率升溫至750V 950°C保溫2小時 5小時。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種低溫燒結(jié)的ZnO-Bi2O3-B2O3系壓敏電阻材料，由如下原料制成ZnO、Bi2O3、TiO2、Co2O3、Cr2O3、MnCO3、NiO、Al2O3和硼的氧化物；相對于100重量份ZnO，所述的硼的氧化物的添加量以B2O3換算計為2.2～20重量份。該材料不含Sb2O3，燒結(jié)溫度較低，電壓敏綜合性能優(yōu)良。本發(fā)明還公開了該材料的制備方法，工藝簡單易于操作。
文檔編號C04B35/622GK102167579SQ20101060975
公開日2011年8月31日 申請日期2010年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月28日
發(fā)明者劉豐華, 崔平, 李勇, 段雷, 許高杰 申請人:中國科學院寧波材料技術與工程研究所