專利名稱：非接觸式裂片方法、設(shè)備及切割和裂片的方法、設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示面板的切割エ藝，尤其涉及ー種非接觸式裂片的方法、設(shè)備，以及ー種切割和裂片的方法、設(shè)備。
背景技術(shù)：
平板顯示器(Flat Panel Display,FPD)與傳統(tǒng)的陰極射線管(CRT)顯示器相比，具有薄、輕、功耗小、輻射低、沒有閃爍、對人體健康損害小等優(yōu)點，已成為主流的顯示器。平板顯示器包括液晶顯示器(LCD)、等離子體顯示器(TOP)和發(fā)光二極管顯示器(LED)等多種類型。制造平板顯示器的關(guān)鍵エ藝之一就是玻璃面板切割以及切割之后的裂片エ藝。以IXD顯示器為例，目前業(yè)界廣泛使用的玻璃面板切割エ藝為鉆石砂輪(Diamond wheel)切割,Diamond wheel包括標準(Normal)型和高滲透(Penett)型。通過Diamond wheel切割エ藝對玻璃材質(zhì)的陣列基板進行切割后，在陣列基板的表面將會形成一道深切槽，產(chǎn)生橫向裂紋和垂直裂紋。如圖I所示，為Diamond wheel切割后以切割線為剖面的斷面示意圖，從圖I中可以看出，利用切割輪在陣列基板表面完成切割劃片作業(yè)后，切割線下已形成垂直于陣列基板表面的垂直裂紋，垂直裂紋從上到下分為三個區(qū)域，包括切割后直接形成的破裂區(qū)域(Damage Zone)、切割過程中在壓力作用下形成的肋狀斷裂區(qū)域(Median Crack)、肋狀斷裂后的延伸斷裂區(qū)域(Median Crack Extension)。如圖2所示，為Diamond wheel切割后的正視圖，從圖2中可以看出在切割后，垂直裂紋從上到下分為三個區(qū)域的深度，在切割作業(yè)完成吋，垂直裂紋沒有貫穿整個陣列基板，陣列基板還未完全裂開。在對陣列基板切割后將進行裂片エ藝，利用裂片カ矩使在切割時形成的垂直裂紋縱向貫穿整個陣列基板，使陣列基板裂開，達到使玻璃分離的目的。裂片エ藝主要有接觸式裂片和非接觸式裂片，目前常用的非接觸式裂片エ藝有以下兩種第一種非接觸式裂片エ藝是蒸汽裂片(Steam Break)エ藝，首先采用溫度和壓カ較高的水蒸氣噴射在陣列基板的切割線所在的表面，使得陣列基板的玻璃材質(zhì)表面體積迅速膨脹，切割形成的垂直裂紋受壓擴張，垂直裂紋貫穿整個陣列基板，最終使陣列基板裂開。Steam Breakエ藝利用水的高效熱傳導(dǎo)率，使垂直裂紋受壓明顯，且水蒸氣噴射后水的蒸發(fā)帶走表面熱量，加速玻璃表面溫度下降，這種短時間內(nèi)的熱脹冷縮過程可以加強垂直裂紋的直行性，使陣列基板的斷裂面盡量垂直。Steam Breakエ藝中，噴射用的水蒸氣中水的摻雜量很難控制，若水的摻雜量過少，容易使裂片操作不充分，陣列基板不易完全裂開；若水的摻雜量過多，則會使玻璃表面有水潰殘留；另外，在水分蒸發(fā)后，切割過程中產(chǎn)生的玻璃碎屑會附著在玻璃表面，很難被 去除，從而影響后續(xù)的偏光片貼附等エ藝效果，且這些玻璃碎屑會容易附著在陣列基板附近的其它設(shè)備上，造成設(shè)備內(nèi)部污染，加速傳動部件的磨損。第二種非接觸式裂片エ藝是加熱裂片(Heat Break)エ藝,是對Steam Breakエ藝的改進方案。Heat Breakエ藝采用高溫高壓空氣噴射陣列基板的切割線所在的表面，使玻璃表面體積迅速膨脹，切割形成的垂直裂紋受壓擴張，進而使陣列基板裂開。Heat Breakエ藝由于沒有摻雜水，因此克服了水潰殘留以及附著玻璃碎屑的問題，但熱空氣吹過切割線周圍區(qū)域后，由于沒有水分蒸發(fā)帶走大量熱量的效力，在室溫環(huán)境下玻璃表面的溫度不能快速降低，熱脹冷縮過程緩慢，使垂直裂紋的直行性較差，裂片效果不佳。綜上所述，陣列基板切割后的裂片エ藝中，由于Steam Breakエ藝使用高溫、高壓的水蒸氣噴射，存在水潰殘留以及玻璃碎屑附著的問題，Heat Breakエ藝又存在熱脹冷縮過程緩慢，使垂直裂紋的直行性較差的問題，因此，目前需要找到ー種能夠同時克服上述問題的裂片方式。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例提供ー種非接觸式裂片方法、設(shè)備及切割和裂片的方法、設(shè)備，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在水潰殘留以及玻璃碎屑附著或垂直裂紋的直行性較差的問題。ー種非接觸式裂片設(shè)備，包括用于沿陣列基板被切割后在上表面形成的切割線噴射第一溫度氣體的第一噴嘴，和用于在第一噴嘴噴射第一溫度氣體的設(shè)定時長后，沿所述切割線噴射第二溫度氣體的第二噴嘴；其中，第一溫度高于第二溫度。ー種非接觸式裂片的方法，所述方法包括控制第一噴嘴沿陣列基板被切割后在上表面形成的切割線噴射第一溫度氣體；在第一噴嘴噴射第一溫度氣體的設(shè)定時長后，控制第二噴嘴沿所述切割線噴射第~■溫度氣體。ー種玻璃切割和裂片的設(shè)備，包括用于切割陣列基板的切割輪；沿陣列基板切割后在上表面形成的切割線噴射第一溫度氣體的第一噴嘴；以及在第一噴嘴噴射第一溫度氣體的設(shè)定時長后，沿所述切割線噴射第二溫度氣體的第二噴嘴，第一溫度高于第二溫度。ー種玻璃切割和裂片的方法，所述方法包括控制所述切割輪切割陣列基板；以及控制所述非接觸式裂片設(shè)備中的第一噴嘴沿陣列基板被切割后在上表面形成的切割線噴射第一溫度氣體；在第一噴嘴噴射第一溫度氣體的設(shè)定時長后，控制所述非接觸式裂片設(shè)備中的第ニ噴嘴沿所述切割線噴射第二溫度氣體。本發(fā)明有益效果如下本發(fā)明實施例使用第一噴嘴沿切割后的切割線噴射第一溫度氣體，隨后再使用第ニ噴嘴沿切割線噴射第二溫度氣體，其中，第一溫度高于第二溫度，由于使用氣體噴射代替現(xiàn)有的Steam Breakエ藝中的水蒸氣噴射,克服了 Steam Breakエ藝中存在水潰殘留以及玻璃碎屑附著的問題；同時，通過第一噴嘴噴射溫度較高的第一溫度氣體后，能夠使陣列基板的玻璃材質(zhì)表面體積迅速膨脹，切割過程形成的垂直裂紋受壓擴張，進而使陣列基板裂開，隨后在短時間內(nèi)通過第二噴嘴噴射溫度較低的第二溫度氣體，使陣列基板迅速冷縮，這種快速熱脹冷縮的過程又能夠加強垂直裂紋的直行性，克服了現(xiàn)有的Heat Breakエ藝中由于不能快速冷縮導(dǎo)致垂直裂紋的直行性較差的問題。


圖I為現(xiàn)有技術(shù)中Diamond wheel切割后以切割線為剖面的斷面示意圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)中Diamond wheel切割后的正視圖；圖3為本發(fā)明實施例一中非接觸式裂片設(shè)備示意圖；圖4為本發(fā)明實施例一中切割和裂片的設(shè)備結(jié)構(gòu)示意圖；圖5(a)、圖5(b)和圖5(c)為本發(fā)明實施例ニ中裂片過程的立體圖、沿切割線的剖面圖以及俯視圖；圖6為本發(fā)明實施例ニ中貼合后的雙層陣列基板分別進行裂片時，以切割線為剖面的不意圖；圖7為本發(fā)明實施例ニ中切割和裂片操作吋，以切割線為剖面的示意圖。
具體實施例方式為了實現(xiàn)本發(fā)明實施例的目的，本發(fā)明實施例提出一種新的在玻璃切割后的非接觸式裂片エ藝，使用第一噴嘴沿切割后的切割線噴射第一溫度氣體，隨后再使用第二噴嘴沿切割線噴射第二溫度氣體，其中，第一溫度高于第二溫度，由于使用氣體噴射代替現(xiàn)有的Steam Breakエ藝中的水蒸氣噴射，克服了 Steam Breakエ藝中存在水潰殘留以及玻璃碎屑附著的問題；同時，通過第一噴嘴噴射溫度較高的第一溫度氣體后，能夠使陣列基板的玻璃材質(zhì)表面體積迅速膨脹，切割過程形成的垂直裂紋受壓擴張，進而使陣列基板裂開，隨后在短時間內(nèi)通過第二噴嘴噴射溫度較低的第二溫度氣體，使陣列基板迅速冷縮，這種快速熱脹冷縮的過程又能夠加強垂直裂紋的直行性，克服了現(xiàn)有的Heat Breakエ藝中由于不能快速冷縮導(dǎo)致垂直裂紋的直行性較差的問題。下面結(jié)合說明書附圖對本發(fā)明實施例進行詳細描述。本發(fā)明各實施例中涉及的裂片操作優(yōu)選地是在玻璃材質(zhì)的陣列基板進行切割(如Diamond wheel切割)后進行的。實施例一如圖3所示，為本發(fā)明實施例一中非接觸式裂片設(shè)備示意圖，所述非接觸式裂片設(shè)備包括噴射第一溫度氣體的第一噴嘴11和噴射第二溫度氣體的第二噴嘴12。第一噴嘴11噴射出的第一溫度氣體是高溫高壓的氣體，達到使陣列基板的玻璃材質(zhì)表面體積膨脹，切割過程形成的垂直裂紋受壓擴張，進而使陣列基板裂開的目的；第ニ噴嘴12噴射出的第ニ溫度氣體是低溫高壓氣體，以達到陣列基板表面短時間內(nèi)的熱脹冷縮使垂直裂紋的直行性提聞的目的。第一噴嘴11和第二噴嘴12沿沿陣列基板切割后形成的切割線噴射氣體時，第一噴嘴11先于第二噴嘴12噴射氣體，但第一噴嘴11先于第二噴嘴12噴射氣體的時長應(yīng)設(shè)定在ー個合理的時長內(nèi)，若第一噴嘴11噴射高溫高壓氣體后等待過長的時間后第二噴嘴12才噴射低溫高壓氣體，則達不到短時間內(nèi)熱脹冷縮的目的；若第一噴嘴11噴射高溫高壓氣體后等待過短的時間后第二噴嘴12就噴射低溫高壓氣體，則由于兩個噴嘴距離較近，噴射的高溫高壓氣體和低溫高壓氣體容易相互影響，例如低溫高壓氣體噴射到陣列基板表面后，低溫氣體折射到高溫高壓氣體噴射的范圍內(nèi)，會影響高溫高壓氣體到達陣列基板表面的溫度。為此，本發(fā)明實施例一中的非接觸式裂片設(shè)備設(shè)計如圖3所示的連接件13結(jié)構(gòu)，利用連接件13將兩個噴嘴的頂部連接在一起，由連接件13控制兩個噴嘴之間的夾角大小，進而控制兩個噴嘴的氣體出ロ之間的距離。連接件13控制的兩個噴嘴之間的夾角設(shè)計為圖3所示的反方向夾角形式，即連接件13控制第一噴嘴11噴射出第一溫度氣體的方向投影到切割線上的方向與沿切割線進行噴射的方向相同，控制第二噴嘴12噴射出第二溫度氣體的方向投影到切割線上的方向與沿切割線進行噴射的方向相反。此外，連接件13還可以控制兩個噴嘴沿切割線移動噴射的速度，例如，可以通過外部機械傳動設(shè)備帶動連接件13按一定的速度沿切割線運動，進而帶動兩個噴嘴以相同的運行速度沿切割線運動。在每個噴嘴的頂部還可以分別設(shè)計壓カ控制閥門，分別用于對第一噴嘴11和第ニ噴嘴12噴射出的氣體的氣壓進行調(diào)節(jié)。第一噴嘴11和第二噴嘴12的氣體出口的形狀可以相同，例如分別呈沿長軸和短軸對稱的形狀。如矩形的氣體出ロ或圓角矩形的氣體出口，這兩種氣體出口的形狀都是分別沿長軸和短軸對稱的形狀。在使用兩個噴嘴沿切割線噴射氣體時，氣體出口的長軸與切割線平行，短軸與切割線垂直。以第一噴嘴11的氣體出口為例，在向切割線上的A點噴射高溫高壓氣體時，氣體出口的長軸方向剛到達A點吋，A點處開始預(yù)加熱，在第一噴嘴11的氣體出口按一定的速度掃過A點吋，A點處的溫度逐漸升高，且由于是沿長軸方向掃過A點，因此，A點接受高溫高壓的氣體時間較長，使A點處的玻璃材質(zhì)表面體積充分膨脹，裂片效果較好。類似地，第二噴嘴12的氣體出ロ也設(shè)計為長軸與切割線平行，短軸與切割線垂直，可以使A點處的溫度持續(xù)降低，直至降低到最優(yōu)的狀態(tài)，使垂直裂紋的直行性較好。氣體出口的大小可以根據(jù)陣列基板的厚度、材質(zhì)以及形成切割線的刀輪規(guī)格(刀輪規(guī)格不同，切割后的垂直裂紋形態(tài)不同)設(shè)定，如可以設(shè)計長軸的長度為6mm 10mm，短軸的長度為Imm 3mm。由于裂片過程是在切割過程后執(zhí)行的，因此，本發(fā)明實施例還可以將切割以及裂片過程的設(shè)備整合在一起，形成玻璃切割和裂片的設(shè)備，如圖4所示，將非接觸式裂片設(shè)備和切割過程中使用的切割輪14連接在一起，由于切割過程先于非接觸式裂片過程，因此，在沿切割以及裂片的方向上，切割輪14的位置在非接觸式裂片設(shè)備之前。實施例ニ本發(fā)明本實施例ニ還提供ー種利用實施例一中非接觸式裂片設(shè)備進行裂片操作的方法，實施例一中的非接觸式設(shè)備以及玻璃切割和裂片的設(shè)備可以通過エ業(yè)控制來達到較好的切割、裂片エ藝效果。由于在裂片過程中，陣列基板的玻璃厚度不同，裂片時使用的參數(shù)也不同，本實施 例ニ以陣列基板厚度為0. 5mm I. Imm為例，來說明本實施例的裂片過程。
如圖5(a)、圖5(b)和圖5(c)所示，分別為本實施例中裂片過程的立體圖、沿切割線方向的剖面圖以及沒有連接件13情況下的俯視圖，具體包括以下步驟步驟ー控制噴射第一溫度氣體的第一噴嘴11沿陣列基板21切割后形成的切割線22噴射第一溫度氣體。在進行非接觸式裂片操作之前，已對陣列基板21進行過切割操作，在陣列基板21的上表面形成一條切割線22。步驟ニ 控制噴射第二溫度氣體的第二噴嘴12沿陣列基板21切割后形成的切割線22噴射第二溫度氣體。第一噴嘴11噴射出的是高溫高壓氣體，第二噴嘴12噴射出的是低溫高壓氣體。為了便于實現(xiàn)，第一噴嘴11噴射出的第一溫度氣體是空氣，第二噴嘴12噴射出的第二溫度氣體也可以是空氣，較優(yōu)地，由于氮氣具有沸點低的特性，因此，本發(fā)明實施例中第二噴嘴12 噴射的氣體也可以是氮氣，利用液態(tài)氮轉(zhuǎn)換為氣態(tài)沸點低的特性，噴射出低溫的氣態(tài)氮。由于兩個噴嘴的氣體出口與陣列基板21上表面有一定距離，如相距50mm，因此，第一噴嘴11噴射出的高溫高壓氣體在到達陣列基板21上表面時溫度有所下降，第二噴嘴12噴射出的低溫高壓氣體在到達陣列基板21上表面時溫度有所上升，為了使第一溫度氣體到達陣列基板表面的溫度和第二溫度氣體到達陣列基板表面的溫度之差較大(如溫差不小于50°C )，因此，第一噴嘴11噴射出的其他溫度與第二噴嘴12噴射出的氣體溫度之差要更大ー些，如第一噴嘴11噴射出氣體的第一溫度為150°C 180°C (到達陣列基板表面的溫度大致為60で 70°C )，第二噴嘴12噴射出氣體的第二溫度為0°C 5°C (到達陣列基板表面的溫度低于io°c)。第一噴嘴11噴射第一溫度氣體以及第ニ噴嘴12噴射第二溫度氣體的氣壓都可以為 0. 2MPa 0. 3MPa。若第一噴嘴11和第二噴嘴以相同速度沿切割線進行噴射，則步驟一可以從先于步驟ニ的設(shè)定時長T開始。在本實施例的方案中，設(shè)定時長T的大小與兩個噴嘴噴射氣體到達陣列基板上表面的溫差、兩個噴嘴的氣體出ロ之間的距離L以及兩個噴嘴沿切割線進行噴射的速度V相關(guān)。設(shè)定時長T為第一噴嘴的氣體出口和第二噴嘴的氣體出口之間的距離L與沿切割線進行噴射的速度V之比，若L取值較大，表示兩個氣體出ロ相隔較遠，為了保證陣列基板表面快速熱脹冷縮的效果，需要提高噴嘴沿切割線的運行速度。而第一溫度氣體到達切割線的溫度和第二溫度氣體到達切割線的溫度之差越大，則第一噴嘴11的氣體出口和第二噴嘴12的氣體出口之間的距離即使比較大，也能夠滿足熱脹冷縮狀態(tài)需求。或者，第一溫度氣體到達切割線的溫度和第二溫度氣體到達切割線的溫度之差越大，即使兩個噴嘴沿切割線的運行速度稍慢，也能夠滿足熱脹冷縮狀態(tài)需求。因此，第一溫度氣體到達陣列基板上表面的溫度和第二溫度氣體到達陣列基板上表面的溫度之差越大，所述設(shè)定時長設(shè)置稍長也可以。例如，第一噴嘴11的氣體出口和第二噴嘴12的氣體出ロ之間的距離為20mm 50mm，第一噴嘴11的氣體出口和第二噴嘴12的氣體出口與陣列基板上表面的距離都為50mm,第一噴嘴11和第二噴嘴12沿沿切割線的運行速度為50mm/s 100mm/s。
需要說明的是，利用本發(fā)明實施例一的非接觸式裂片設(shè)備進行本發(fā)明實施例ニ所描述的裂片操作后，根據(jù)陣列基板裂片后的處理過程不同，對陣列基板的裂片程度要求也不完全相同。例如，對于尺寸較小的陣列基板，裂片后直接由人手工分揀，則可以利用本發(fā)明實施例的方案將延伸斷裂區(qū)域延伸到陣列基板的下表面，使陣列基板完全分裂；對于尺寸較大的陣列基板，通常需要在裂片后使用傳送帶將其傳輸?shù)綑C械手撿取単元，這種情況下，要求經(jīng)過裂片エ藝的陣列基板不能完全分裂，否則，在傳輸過程中已經(jīng)分裂開的陣列基板斷裂面相互摩擦，影響斷裂面品質(zhì)。因此，可以將裂片エ藝后需要傳送帶傳輸?shù)年嚵谢宀煌耆验_，只延伸斷裂區(qū)域使之相對于切割后的狀態(tài)更 深入。本發(fā)明實施例ニ的方案是以陣列基板厚度為0. 5mm I. Imm為例來進行說明的，在實際エ藝過程中，根據(jù)陣列基板厚度以及陣列基板材質(zhì)的不同，各項參數(shù)也會有所不同。本發(fā)明實施例ニ是以ー層陣列基板為例來說明非接觸式裂片過程的，本發(fā)明實施例也不限于利用類似的裂片過程對貼合后的雙層陣列基板進行裂片作業(yè)，如圖6所示，為對貼合后的雙層陣列基板分別進行裂片時，以切割線為剖面的示意圖。雙層陣列基板可以看作是兩個單層陣列基板分別進行裂片的過程。另外，如圖7所示，是使用實施例一中圖4記載的玻璃切割和裂片的設(shè)備進行切割和裂片操作吋，以切割線為剖面的示意圖。切割輪14在沿切割方向上位于第一噴嘴11之前，而第一噴嘴11又位于第二噴嘴12之前，在切割、裂片過程中，首先連接件13受外部機械傳動設(shè)備帶動按一定的速度以及方向運動時，帶動切割輪14按相同速度切割陣列基板，在陣列基板的上表面形成切割線；在切割輪14開始切割陣列基板的一段時間后，連接件13帶動的第一噴嘴運動達到切割線，并沿著切割輪14切割形成的切割線噴射高溫高壓氣體；在短時間內(nèi)，帶動的第二噴嘴也達到切割形成的切割線，通過第二噴嘴向切割線噴射低溫高壓氣體。此時，切割、裂片操作在陣列基站上同時進行，有效提聞了切割、裂片效率。通過本發(fā)明實施例提供的設(shè)備以及方法，利用第一噴嘴和第二噴嘴沿陣列基板的切割線分別噴射的高溫高壓氣體以及低溫高壓氣體，使得切割線周圍區(qū)域局部先受熱，然后迅速冷卻，形成短時間內(nèi)的熱脹冷縮，使得切割形成的垂直于陣列基板上表面的垂直裂紋能夠得到充分延伸的情況下，提高垂直裂紋的直行性。本發(fā)明實施例的方案可以有效降低裂片過程的不良情況發(fā)生，不會對液晶面板表面造成污染；且本發(fā)明實施例的結(jié)構(gòu)也比較簡單，降低了設(shè)備維護作業(yè)的難度，且設(shè)備的參數(shù)調(diào)節(jié)方便，耗能較低。盡管已描述了本申請的優(yōu)選實施例，但本領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對這些實施例做出另外的變更和修改。所以，所附權(quán)利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實施例以及落入本申請范圍的所有變更和修改。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.ー種非接觸式裂片設(shè)備，其特征在于，包括 用于沿陣列基板被切割后在上表面形成的切割線噴射第一溫度氣體的第一噴嘴，和 用于在第一噴嘴噴射第一溫度氣體的設(shè)定時長后，沿所述切割線噴射第二溫度氣體的第二噴嘴； 其中，第一溫度高于第二溫度。
2.如權(quán)利要求I所述的設(shè)備，其特征在于，還包括 與所述第一噴嘴和第二噴嘴分別連接、用于調(diào)節(jié)所述第一噴嘴的氣體出口和第二噴嘴的氣體出ロ之間距離的連接件。
3.如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其特征在于，所述連接件，還用于控制第一噴嘴噴射出第一溫度氣體投影到切割線上的方向與噴射進行方向相同，以及控制第二噴嘴噴射出第二溫度氣體投影到切割線上的方向與噴射進行方向相反。
4.如權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其特征在于，所述連接件，還用于控制第一噴嘴和第二噴嘴以相同運行速度沿所述切割線進行噴射。
5.如權(quán)利要求I所述的設(shè)備，其特征在于，所述第一噴嘴和第二噴嘴上還分別設(shè)置有壓カ控制閥門，用于調(diào)節(jié)第一噴嘴噴和第二噴嘴噴射出的氣體的氣壓。
6.如權(quán)利要求I所述的設(shè)備，其特征在于，所述第一噴嘴和第二噴嘴的氣體出口都呈分別沿長軸和短軸對稱的形狀，所述長軸與切割線平行，所述短軸與切割線垂直。
7.ー種利用權(quán)利要求I 6任一所述的設(shè)備進行非接觸式裂片的方法，其特征在于，所述方法包括 控制第一噴嘴沿陣列基板被切割后在上表面形成的切割線噴射第一溫度氣體； 在第一噴嘴噴射第一溫度氣體的設(shè)定時長后，控制第二噴嘴沿所述切割線噴射第二溫度氣體。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，控制第一噴嘴和第二噴嘴以相同運行速度沿切割線進行噴射； 所述設(shè)定時長為第一噴嘴的氣體出口和第二噴嘴的氣體出ロ之間的距離與沿切割線的運行速度之比。
9.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一溫度氣體和第二溫度氣體滿足 第一溫度氣體到達陣列基板上表面的溫度和第二溫度氣體到達陣列基板上表面的溫度之差不小于50°C。
10.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，第一噴嘴噴射的氣體為空氣，第二噴嘴噴射的氣體為空氣或氮氣； 第一噴嘴噴射氣體的第一溫度為150°C 180°C，第二噴嘴噴射氣體的第二溫度為(TC 5°C ； 第一噴嘴噴射氣體以及第ニ噴嘴噴射氣體的氣壓為0. 2MPa 0. 3MPa。
11.如權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述陣列基板的厚度為0.5mm I. Imm ； 控制第一噴嘴噴射氣體和第二噴嘴噴射氣體的過程中，具體包括 控制第一噴嘴的氣體出口和第二噴嘴的氣體出ロ之間的距離為20mm 50mm ;以及 控制第一噴嘴的氣體出口和第二噴嘴的氣體出ロ與陣列基板上表面的距離為50mm ； 控制第一噴嘴和第二噴嘴沿沿切割線的運行速度為50mm/s 100mm/s。
12.—種切割和裂片設(shè)備，其特征在于，包括 用于切割陣列基板的切割輪； 與所述切割輪連接的如權(quán)利要求I 6任一所述的非接觸式裂片設(shè)備。
13.ー種利用權(quán)利要求12所述的設(shè)備進行切割和裂片的方法，其特征在于，所述方法包括 控制所述切割輪切割陣列基板；以及 控制所述非接觸式裂片設(shè)備中的第一噴嘴沿陣列基板被切割后在上表面形成的切割線噴射第一溫度氣體； 在第一噴嘴噴射第一溫度氣體的設(shè)定時長后，控制所述非接觸式裂片設(shè)備中的第二噴嘴沿所述切割線噴射第二溫度氣體。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種非接觸式裂片方法、設(shè)備及切割和裂片的方法、設(shè)備，使用第一噴嘴沿切割后的切割線噴射第一溫度氣體，再使用第二噴嘴沿切割線噴射第二溫度氣體，第一溫度高于第二溫度，由于使用氣體噴射代替SteamBreak工藝中的水蒸氣，克服了Steam Break工藝中存在水漬殘留及玻璃碎屑附著的問題；同時，通過第一噴嘴噴射溫度較高的第一溫度氣體后，使陣列基板的玻璃材質(zhì)表面體積迅速膨脹，垂直裂紋受壓擴張，使陣列基板裂開，隨后在短時間內(nèi)通過第二噴嘴噴射溫度較低的第二溫度氣體，使陣列基板迅速冷縮，加強垂直裂紋的直行性，克服了現(xiàn)有的Heat Break工藝中由于不能快速冷縮導(dǎo)致垂直裂紋的直行性較差的問題。
文檔編號C03B33/02GK102643017SQ20111006101
公開日2012年8月22日 申請日期2011年3月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月14日
發(fā)明者曹斌, 朱載榮, 賈書學(xué), 郭宏雁 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司