專利名稱：陶瓷基片表面鍍膜工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種鍍膜工藝，特別涉及一種在陶瓷基片表面進行鍍膜的工藝。
背景技術(shù)：
現(xiàn)代微電子技術(shù)發(fā)展異常迅猛，特別是各種光電子器件逐漸在向微型化、大規(guī)模集成化、高效率、高可靠性等方向發(fā)展。但隨著電子系統(tǒng)集成度的提高，其功率密度隨之增力口，電子元件及系統(tǒng)整體工作產(chǎn)生熱量上升、系統(tǒng)工作溫度升高會引起半導體器件性能惡化、器件破壞、分層等，甚至會使封裝的芯片燒毀，因此有效的電子封裝必須解決電子系統(tǒng)的散熱問題。電子封裝所用的基片是一種底座電子元件，主要為電子元器件及其相互聯(lián)線提供機械承載支撐、氣密性保護并可作為熱沉過渡片給芯片散熱。陶瓷基片具有耐高溫、電絕緣性能高、介電常數(shù)和介質(zhì)損耗低、熱導率大、化學穩(wěn)定性好、與元件的熱膨脹系數(shù)相近等優(yōu)點，并可對光電子器件起到較強的保護作用，因而在航空、航天和軍事工程等領(lǐng)域都得到了非常廣泛的應用。在芯片的封裝過程中，為了方便半導體裸芯片與外接管腳的連接，有時需要在陶瓷基片的表面上鍍金屬膜來形成導電電路，導電電路通過鍵合金絲與半導體裸芯片連接。目前導電電路主要采用傳統(tǒng)的蝕刻方法形成，即通過曝光制版、顯影后，將要蝕刻區(qū)域的保護膜去除，然后使其與化學溶液接觸，使需要去除的部分溶解腐蝕，從而形成導電電路。而在實際應用中，導電電路有時需要使用黃金、鉬金等金屬，這些金屬耐腐蝕性很強，采用現(xiàn)有的這種蝕刻方法很難將陶瓷基片表面不需要的金屬完全蝕刻掉，從而有可能使導電電路短路，這樣采用這種陶瓷基片封裝的芯片就不能正常工作。

發(fā)明內(nèi)容
針對上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種能將陶瓷基片表面上的不需要的金屬完全剝離，進而保證陶瓷基片表面上導電電路質(zhì)量的鍍膜工藝。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案一種陶瓷基片表面鍍膜工藝，其包括如下步驟I)清洗陶瓷基片；2)在清洗后的陶瓷基片上均勻涂布光刻膠；3)根據(jù)導電電路要求制作掩膜板，掩膜板上需遮蔽的部分為導電電路需要去除的部分，掩膜板上需要曝光的部分為導電電路需要保留的部分；4)采用掩膜板對涂有光刻膠的陶瓷基片進行曝光；5)對曝光后的陶瓷基片進行顯影處理；6)清洗顯影后的陶瓷基片；7)在清洗后的陶瓷基片表面鍍金屬層；8)將鍍金屬層的陶瓷基片使用丙酮溶液進行清洗。
優(yōu)選的，在步驟I)中采用超聲波清洗方法清洗陶瓷基片。優(yōu)選的，在步驟2)首先將光刻膠滴在陶瓷基片上，然后使陶瓷基片高速旋轉(zhuǎn)從而使光刻膠均勻的涂布在陶瓷基片上。優(yōu)選的，在步驟6)中采用等離子清洗方法清洗陶瓷基片。優(yōu)選的，在步驟7)中在陶瓷基片表面鍍的金屬層為黃金層、鉬金層或鈦金屬層。優(yōu)選的，在步驟7)中在陶瓷基片表面鍍的金屬層可以為一層或多層。優(yōu)選的，在步驟7)中采用濺射方法在陶瓷基片表面上鍍金屬層。優(yōu)選的，在步驟8)中采用超聲波清洗方法清洗陶瓷基片。
上述技術(shù)方案具有如下有益效果在該陶瓷基片表面鍍膜工藝中，掩膜板上需遮蔽的部分為導電電路需要去除的部分，掩膜板上需要曝光的部分為導電電路需要保留的部分，這樣經(jīng)過曝光、顯影后，陶瓷基片上需要形成導電電路的部分就形呈凹槽，在進行鍍膜時，需要形成導電電路部分的金屬層位于陶瓷基片上，而不需要形成導電電路部分的金屬層則位于光刻膠上，這樣只需通過丙酮將陶瓷基片上的光刻膠清洗干凈，就可在陶瓷基片上形成導電電路。因為光刻膠在陶瓷基片上易于清洗，因此不存在清洗不干凈的問題，這樣就可有效避免陶瓷基片上的導電電路短路，進而可有效保證封裝芯片的質(zhì)量。上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，并可依照說明書的內(nèi)容予以實施，以下以本發(fā)明的較佳實施例并配合附圖詳細說明如后。本發(fā)明的具體實施方式
由以下實施例及其附圖詳細給出。


圖I為本發(fā)明實施例的流程圖。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行詳細介紹。如圖I所示，該陶瓷基片表面鍍膜工藝包括如下步驟I)采用超聲波清洗方法清洗陶瓷基片，保證陶瓷基片表面沒有灰塵和雜質(zhì)；2)在清洗后的陶瓷基片上均勻涂布光刻膠，操作時首先將光刻膠滴在陶瓷基片上，然后通過電機使陶瓷基片高速旋轉(zhuǎn)，從而使光刻膠均勻的涂布在陶瓷基片上；3)根據(jù)導電電路要求制作掩膜板，掩膜板上需遮蔽的部分為導電電路需要去除的部分，掩膜板上需要曝光的部分為導電電路需要保留的部分；4)采用掩膜板對涂有光刻膠的陶瓷基片進行曝光，曝光方法可采用接近式曝光方法、接觸式曝光方法或投影式曝光方法；5)對曝光后的陶瓷基片進行顯影處理，顯影方法可采用浸泡式顯影、噴霧式顯影或水坑式顯影；6)將顯影后的陶瓷基片采用等離子清洗方法進行清洗；7)在清洗后的陶瓷基片表面鍍金屬層，鍍膜方式采用濺射式方法進行，陶瓷基片表面鍍的金屬層可以為一層或多層，該金屬層可以為黃金層、鉬金層、鈦金屬層或其他不宜腐蝕的金屬層；8)將鍍金屬層的陶瓷基片使用丙酮溶液采用超聲波方式進行清洗，陶瓷基片上的光刻膠脫落，這樣在陶瓷基片上即可形成所需要的導電電路。在該陶瓷基片表面鍍膜工藝中，掩膜板上需遮蔽的部分為導電電路需要去除的部分，掩膜板上需要 曝光的部分為導電電路需要保留的部分，這樣經(jīng)過曝光、顯影后，陶瓷基片上需要形成導電電路的部分就形呈凹槽，在進行鍍膜時，需要形成導電電路部分的金屬層位于陶瓷基片上，而不需要形成導電電路部分的金屬層則位于光刻膠上，這樣只需通過丙酮將陶瓷基片上的光刻膠清洗干凈，就可在陶瓷基片上形成導電電路。因為光刻膠在陶瓷基片上易于清洗，因此不存在清洗不干凈的問題，這樣就可有效避免陶瓷基片上的導電電路短路，進而可有效保證封裝芯片的質(zhì)量。以上對本發(fā)明實施例所提供的陶瓷基片表面鍍膜工藝進行了詳細介紹，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明實施例的思想，在具體實施方式
及應用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應理解為對本發(fā)明的限制，凡依本發(fā)明設計思想所做的任何改變都在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種陶瓷基片表面鍍膜工藝，其特征在于，其包括如下步驟 1)清洗陶瓷基片； 2)在清洗后的陶瓷基片上均勻涂布光刻膠； 3)根據(jù)導電電路要求制作掩膜板，掩膜板上需遮蔽的部分為導電電路需要去除的部分，掩膜板上需要曝光的部分為導電電路需要保留的部分； 4)采用掩膜板對涂有光刻膠的陶瓷基片進行曝光； 5)對曝光后的陶瓷基片進行顯影處理； 6)清洗顯影后的陶瓷基片； 7)在清洗后的陶瓷基片表面鍍金屬層； 8)將鍍金屬層的陶瓷基片使用丙酮溶液進行清洗。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陶瓷基片表面鍍膜工藝，其特征在于在步驟I)中采用超聲波清洗方法清洗陶瓷基片。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陶瓷基片表面鍍膜工藝，其特征在于在步驟2)首先將光刻膠滴在陶瓷基片上，然后使陶瓷基片高速旋轉(zhuǎn)從而使光刻膠均勻的涂布在陶瓷基片上。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陶瓷基片表面鍍膜工藝，其特征在于在步驟6)中采用等離子清洗方法清洗陶瓷基片。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陶瓷基片表面鍍膜工藝，其特征在于在步驟7)中在陶瓷基片表面鍍的金屬層為黃金層、鉬金層或鈦金屬層。
6.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陶瓷基片表面鍍膜工藝，其特征在于在步驟7)中在陶瓷基片表面鍍的金屬層可以為一層或多層。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陶瓷基片表面鍍膜工藝，其特征在于在步驟7)中采用濺射方法在陶瓷基片表面上鍍金屬層。
8.根據(jù)權(quán)利要求I所述的陶瓷基片表面鍍膜工藝，其特征在于在步驟8)中采用超聲波清洗方法清洗陶瓷基片。
全文摘要
在該陶瓷基片表面鍍膜工藝中，掩膜板上需遮蔽的部分為導電電路需要去除的部分，掩膜板上需要曝光的部分為導電電路需要保留的部分，這樣經(jīng)過曝光、顯影后，陶瓷基片上需要形成導電電路的部分就形呈凹槽，在進行鍍膜時，需要形成導電電路部分的金屬層位于陶瓷基片上，而不需要形成導電電路部分的金屬層則位于光刻膠上，這樣只需通過丙酮將陶瓷基片上的光刻膠清洗干凈，就可在陶瓷基片上形成導電電路。因為光刻膠在陶瓷基片上易于清洗，因此不存在清洗不干凈的問題，這樣就可有效避免陶瓷基片上的導電電路短路，進而可有效保證封裝芯片的質(zhì)量。
文檔編號C04B41/88GK102731170SQ20111008421
公開日2012年10月17日 申請日期2011年4月6日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月6日
發(fā)明者王喜昌 申請人:蘇州鼎旺科技有限公司