專利名稱：一種氧化鎂涂層高溫坩堝的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及涂覆侵蝕技術，特別涉及一種氧化鎂涂層高溫坩堝的制造方法。
背景技術：
對于以氧化鎂為主要成分的陶瓷材料的燒結，通常使用氧化鋁、氧化鎂、氧化鋯、 珍珠巖、莫來石等材料制成的坩堝作為容器。但氧化鋁坩堝、氧化鋯陶瓷坩堝在高溫下易吸附氧化鎂燒結材料蒸發(fā)排出的水分而破裂、高純度氧化鎂坩堝市面上沒有供應。一些以氧化鎂為主要成分的特殊陶瓷材料的燒結，在高溫環(huán)境下制作坩堝的材料因蒸發(fā)易對燒結物料帶來一定程度的污染。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種氧化鎂涂層高溫坩堝的制造方法，既對氧化鎂為主要成分的陶瓷材料在高溫燒結過程中起到不受污染的保護作用，又使珍珠巖坩堝的強度得到加強之外，還使珍珠巖坩堝的韌性不變，在較長的隧道窯里不易開裂破碎的高溫坩堝的制造方法。采用的技術方案提供一種氧化鎂涂層高溫坩堝的制造方法，包括以下步驟第一步在坩堝內(nèi)壁涂覆一層氧化鎂粉末，經(jīng)過1560°C至1600°C高溫燒結，使氧化鎂粉末侵蝕進坩堝內(nèi)壁；第二步再一次涂覆氧化鎂粉末，并經(jīng)過高溫1500°C至1650°C高溫燒結，在已經(jīng)侵蝕氧化鎂的坩堝內(nèi)壁表面再形成一層燒結氧化鎂層。其中，所述第一步涂覆的氧化鎂材料要求燒矢量控制在1%以內(nèi)，涂層厚度在 3-6mm，在100°C至200°C范圍內(nèi)干燥后再經(jīng)過1500°C至1650°C燒結形成燒結氧化鎂層。其中，所述第一步中第一次燒結自然冷卻至30°C至50°C時再進行第二次涂敷燒結。其中，所述第一步使用MgO 99. 99%以上，粒度范圍在325-600目之間的高純氧化鎂粉末，加入20-30%的純水進行攪拌得到的漿料涂覆于坩堝內(nèi)壁形成5-8mm厚涂層，在 1500°C至1550°C范圍內(nèi)進行第一次燒結，升溫至預定溫度時恒溫2小時后自然冷卻至30°C 至50°C時再進行第二次涂敷燒結。其中，所述第二步第二次涂敷使用MgO 99. 99%以上，粒度范圍在325-600目之間的高純氧化鎂粉末，加入20-30%的純水進行攪拌得到的漿料涂覆于坩堝內(nèi)壁形成3-6mm厚涂層，在1600°C至1650°C范圍內(nèi)進行第二次燒結，升溫至預定溫度時恒溫1小時，完成氧化鎂涂層高溫坩堝的制造。其中，所述的氧化鎂涂層高溫坩堝的制造方法還包括以下步驟在兩次燒結過程中如出現(xiàn)涂層龜裂現(xiàn)象時，可用MgO 99. 99%以上，粒度范圍在325-600目之間的高純氧化鎂粉末，加入20-30%的純水進行攪拌得到的漿料進行修補，尤其是第二次燒結后出現(xiàn)龜裂現(xiàn)象時，修補后的涂層不再進行高溫燒結，在氧化鎂涂層高溫坩堝裝入燒結物料進行燒結時涂層可以隨之固化。
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其中，所述坩堝本體為珍珠巖坩堝。有益的技術效果本發(fā)明工藝技術簡單易行，高純氧化鎂浸蝕層具有耐高溫、不易脫落并可反復涂敷的特點，因浸蝕層的保護作用，避免了珍珠巖坩堝本體在高溫下蒸發(fā)的其他元素對于燒結物的污染。經(jīng)過兩次涂覆燒結形成的浸蝕層和燒結氧化鎂層還具有增加珍珠巖坩堝強度的作用。
具體實施例方式下面結合實施例對本發(fā)明進行詳細說明。本實施例的氧化鎂涂層高溫坩堝的制造方法，包括以下步驟第一步在坩堝內(nèi)壁涂覆一層氧化鎂粉末，經(jīng)過1560°C至1600°C高溫燒結，使氧化鎂粉末侵蝕進坩堝內(nèi)壁； 第二步再一次涂覆氧化鎂粉末，并經(jīng)過高溫1500°C至1650°C高溫燒結，在已經(jīng)侵蝕氧化鎂的坩堝內(nèi)壁表面再形成一層燒結氧化鎂層。其中，所述第一步涂覆的氧化鎂材料要求燒矢量控制在1%以內(nèi)，涂層厚度在 3-6mm，在100°C至200°C范圍內(nèi)干燥后再經(jīng)過1500°C至1650°C燒結形成燒結氧化鎂層。其中，所述第一步中第一次燒結自然冷卻至30°C至50°C時再進行第二次涂敷燒結。其中，所述第一步使用MgO 99. 99%以上，粒度范圍在325-600目之間的高純氧化鎂粉末，加入20-30%的純水進行攪拌得到的漿料涂覆于坩堝內(nèi)壁形成5-8mm厚涂層，在 1500°C至1550°C范圍內(nèi)進行第一次燒結，升溫至預定溫度時恒溫2小時后自然冷卻至30°C 至50°C時再進行第二次涂敷燒結。其中，所述第二步第二次涂敷使用MgO 99. 99%以上，粒度范圍在325-600目之間的高純氧化鎂粉末，加入20-30%的純水進行攪拌得到的漿料涂覆于坩堝內(nèi)壁形成3-6mm厚涂層，在1600°C至1650°C范圍內(nèi)進行第二次燒結，升溫至預定溫度時恒溫1小時，完成氧化鎂涂層高溫坩堝的制造。其中，所述的氧化鎂涂層高溫坩堝的制造方法還包括以下步驟在兩次燒結過程中如出現(xiàn)涂層龜裂現(xiàn)象時，可用MgO 99. 99%以上，粒度范圍在325-600目之間的高純氧化鎂粉末，加入20-30%的純水進行攪拌得到的漿料進行修補，尤其是第二次燒結后出現(xiàn)龜裂現(xiàn)象時，修補后的涂層不再進行高溫燒結，在氧化鎂涂層高溫坩堝裝入燒結物料進行燒結時涂層可以隨之固化。其中，所述坩堝本體為珍珠巖坩堝。小結本發(fā)明是一種涂覆浸蝕技術，通過在珍珠巖坩堝內(nèi)壁涂覆一層高純氧化鎂粉末，經(jīng)過高溫燒結使氧化鎂粉末浸蝕進坩堝內(nèi)壁后，再一次涂覆高純氧化鎂粉末，并經(jīng)過高溫燒結，在已經(jīng)浸蝕氧化鎂的坩堝內(nèi)壁表面再形成一層燒結氧化鎂層，這樣既對氧化鎂為主要成分的陶瓷材料在高溫燒結過程中起到不受污染的保護作用，又使珍珠巖坩堝的強度得到加強之外，還使珍珠巖坩堝的韌性不變，在較長的隧道窯里不易開裂破碎。以上內(nèi)容是結合優(yōu)選技術方案對本發(fā)明所做的進一步詳細說明，不能認定發(fā)明的具體實施僅限于這些說明。對本發(fā)明所屬技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明的構思的前提下，還可以做出簡單的推演及替換，都應當視為本發(fā)明的保護范圍。
權利要求
1.一種氧化鎂涂層高溫坩堝的制造方法，其特征在于，包括以下步驟步驟A 在坩堝內(nèi)壁涂覆一層氧化鎂粉末，經(jīng)過1560°C至1600°c高溫燒結，使氧化鎂粉末侵蝕進坩堝內(nèi)壁；步驟B 再一次涂覆氧化鎂粉末，并經(jīng)過高溫1500°C至1650°C高溫燒結，在已經(jīng)侵蝕氧化鎂的坩堝內(nèi)壁表面再形成一層燒結氧化鎂層。
2.根據(jù)權利要求1所述的氧化鎂涂層高溫坩堝的制造方法，其特征在于，所述步驟A涂覆的氧化鎂材料要求燒矢量控制在1%以內(nèi)，涂層厚度在3-6mm，在100°C至200°C范圍內(nèi)干燥后再經(jīng)過1500°C至1650°C燒結形成燒結氧化鎂層。
3.根據(jù)權利要求1所述的氧化鎂涂層高溫坩堝的制造方法，其特征在于，所述步驟A中第一次燒結自然冷卻至30°C至50°C時再進行第二次涂敷燒結。
4.根據(jù)權利要求1所述的氧化鎂涂層高溫坩堝的制造方法，其特征在于，所述步驟A 使用MgO 99. 99%以上，粒度范圍在325-600目之間的高純氧化鎂粉末，加入20-30%的純水進行攪拌得到的漿料涂覆于坩堝內(nèi)壁形成5-8mm厚涂層，在1500°C至1550°C范圍內(nèi)進行第一次燒結，升溫至預定溫度時恒溫2小時后自然冷卻至30°C至50°C時再進行第二次涂敷燒結。
5.根據(jù)權利要求1所述的氧化鎂涂層高溫坩堝的制造方法，其特征在于，所述步驟B 第二次涂敷使用MgO 99. 99%以上，粒度范圍在325-600目之間的高純氧化鎂粉末，加入 20-30%的純水進行攪拌得到的漿料涂覆于坩堝內(nèi)壁形成3-6mm厚涂層，在1600°C至1650°C 范圍內(nèi)進行第二次燒結，升溫至預定溫度時恒溫1小時，完成氧化鎂涂層高溫坩堝的制造。
6.根據(jù)權利要求1所述的氧化鎂涂層高溫坩堝的制造方法，其特征在于，所述氧化鎂涂層高溫坩堝的制造方法還包括以下步驟在兩次燒結過程中如出現(xiàn)涂層龜裂現(xiàn)象時，可用MgO 99. 99%以上，粒度范圍在325-600目之間的高純氧化鎂粉末，加入20-30%的純水進行攪拌得到的漿料進行修補，尤其是第二次燒結后出現(xiàn)龜裂現(xiàn)象時，修補后的涂層不再進行高溫燒結，在氧化鎂涂層高溫坩堝裝入燒結物料進行燒結時涂層可以隨之固化。
7.根據(jù)權利要求1所述的氧化鎂涂層高溫坩堝的制造方法，其特征在于，所述坩堝本體為珍珠巖坩堝。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種氧化鎂涂層高溫坩堝的制造方法，包括以下步驟第一步在坩堝內(nèi)壁涂覆一層氧化鎂粉末，經(jīng)過1560℃至1600℃高溫燒結，使氧化鎂粉末侵蝕進坩堝內(nèi)壁；第二步再一次涂覆氧化鎂粉末，并經(jīng)過高溫1500℃至1650℃高溫燒結，在已經(jīng)侵蝕氧化鎂的坩堝內(nèi)壁表面再形成一層燒結氧化鎂層。本發(fā)明工藝技術簡單易行，高純氧化鎂浸蝕層具有耐高溫、不易脫落并可反復涂敷的特點，因浸蝕層的保護作用，避免了珍珠巖坩堝本體在高溫下蒸發(fā)的其他元素對于燒結物的污染。經(jīng)過兩次涂覆燒結形成的浸蝕層和燒結氧化鎂層還具有增加珍珠巖坩堝強度的作用。
文檔編號C04B41/85GK102241527SQ201110101410
公開日2011年11月16日 申請日期2011年4月22日 優(yōu)先權日2011年4月22日
發(fā)明者張百平, 林宇, 潘中藝, 王寧會, 穆卓藝 申請人:遼寧中大超導材料有限公司