專利名稱：硅片線切割斷線搶救方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對(duì)在硅片切片機(jī)的加工過程中出現(xiàn)斷線事故進(jìn)行搶救的搶救方法。具體地，本發(fā)明涉及在發(fā)生斷線事故的硅片中保留斷線鋼線，用于固定硅片位置以利于重新布線對(duì)刀的方法。
背景技術(shù)：
隨著全球各國綠色能源的推廣和近年來半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的超常規(guī)發(fā)展，硅片市場(chǎng)的供給已極度不平衡，切割加工能力的落后和產(chǎn)能的嚴(yán)重地制約了產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。近年來出現(xiàn)的新型硅片多線切割技術(shù)現(xiàn)已是硅片(晶圓)上游生產(chǎn)的關(guān)鍵技術(shù)，具有切割表面質(zhì)量高、切割效率高和可切割大尺寸材料、方便后續(xù)加工等特點(diǎn)。目前已有商業(yè)化的多線切片機(jī)上市，例如梅耶博格公司DS264/271型切片機(jī)和應(yīng)用材料公司HCT-B5型切片機(jī)。 但是這些切片機(jī)在加工過程中均不可避免地出現(xiàn)斷線事故，斷線的原因包括(I)發(fā)生在切割室的斷線①鋼線磨損嚴(yán)重；②同一刀硅晶棒斷面不齊，造成鋼線受到側(cè)向力較大變形嚴(yán)重；③嚴(yán)重跳線，造成兩根鋼線纏繞；(2)發(fā)生在繞線室的斷線①為張力太大或張力的變化太大；②排線不好，線輪繞線與機(jī)床排線差別較大；③導(dǎo)向輪過度磨損，造成鋼線受力不均，等等。斷線事故會(huì)大幅增加硅片切割的廢品率，增加生產(chǎn)成本，因此針對(duì)硅片加工過程中出現(xiàn)的斷線事故通常會(huì)進(jìn)行搶救以減少損失。現(xiàn)有的搶救方法通常是直接放棄斷線后段的硅晶棒或者提起已切割的硅片，重新修復(fù)線網(wǎng)后，對(duì)刀(硅片進(jìn)刀口)下壓至原斷線時(shí)的切割位置后重新切割。如此的搶救方法通常不但搶救成功率較差，而且會(huì)帶來色差和線痕。例如在對(duì)刀后鋼線未完全處于原來的切割刀縫位置，造成切割位置偏差形成線痕。特別是對(duì)于切割切深大于或等于硅晶棒加工的總切割行程30%的硅片，由于進(jìn)刀口開始相互粘在一起，造成無法準(zhǔn)確順利對(duì)刀，會(huì)造成大量線痕片或色差片甚至廢片，搶救效果不理想。

發(fā)明內(nèi)容
為此本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種具有較高搶救成功率的硅片切片機(jī)斷線事故的搶救方法，并且該方法能消除或減少搶救的硅片的色差和線痕。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供的斷線事故搶救方法包括如下步驟(I)將硅晶棒升起至進(jìn)刀口位于線網(wǎng)平面下距線網(wǎng)平面的距離為a，除去斷線后的線網(wǎng)，保留硅晶棒中的鋼線；(2)升起硅晶棒至高于線網(wǎng)平面，并重新布置線網(wǎng)；(3)下壓硅晶棒至進(jìn)刀口位于線網(wǎng)平面下距線網(wǎng)平面的距離為b，其中0 < b < a ;(4)清除硅晶棒中保留的鋼線，進(jìn)行切割。在本發(fā)明的實(shí)施方式中，該方法可用于搶救在任何切割深度時(shí)發(fā)生斷線事故，優(yōu)選用于切割深度大于或等于硅晶棒加工的總切割行程30%時(shí)發(fā)生的斷線事故，更優(yōu)選地用于切割深度在硅晶棒加工的總切割行程的30%至90%之間時(shí)發(fā)生的斷線事故。
在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式中，其中在所述步驟⑴中，所述距離a小于發(fā)生斷線時(shí)的切割深度，優(yōu)選地，15mm ^ a ^ 20mm。作為本發(fā)明另一優(yōu)選的方式，在硅晶棒升起至進(jìn)刀口位于線網(wǎng)下距線網(wǎng)的距離為a后，以小于lmm/s的速度走線以調(diào)平線網(wǎng)。作為本發(fā)明另一優(yōu)選的方式，其中在所述步驟(I)中，在硅晶棒升起至進(jìn)刀口位于線網(wǎng)下距線網(wǎng)的距離為a后，打開砂漿沖洗硅片。作為本發(fā)明另一優(yōu)選的方式，在所述步驟(3)中10mm,,優(yōu)選地b =6mm o作為本發(fā)明又一優(yōu)選的方式，在所述步驟(4)中，在硅晶棒下壓至原斷線深度，以小于lmm/s的速度走線調(diào)平線網(wǎng)后，再進(jìn)行切割。優(yōu)選地，在硅晶棒下壓至原斷線深度后， 再繼續(xù)下壓0. 2-0. 5_，優(yōu)選為0. 5_。然后以小于lmm/s的速度走線調(diào)平線網(wǎng)。又優(yōu)選地，在硅晶棒下壓至原斷線深度的過程中盡量保持鋼線靜止。還優(yōu)選地，在所述步驟(4)中，在硅晶棒下壓至原斷線深度的過程中，用砂漿沖洗硅片。任選地，在所述步驟(4)中，在硅晶棒下壓至原斷線深度的過程中，清除線弓，優(yōu)選通過手動(dòng)拔除線弓。


通過閱讀參照以下附圖所作的對(duì)非限制性實(shí)施例所作的詳細(xì)描述，本發(fā)明的其它特征、目的和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得更加明顯圖I是硅片切片機(jī)加工過程的示意圖；圖2是發(fā)生斷線事故時(shí)硅晶棒與線網(wǎng)的截面3是本發(fā)明方法中將硅晶棒下壓至進(jìn)刀口 302位于線網(wǎng)303下距線網(wǎng)303平面的距離為a時(shí)的截面圖；圖4是本發(fā)明方法中重新布線并將硅晶棒下壓進(jìn)刀口 402位于線網(wǎng)404下距線網(wǎng)404的距離為b時(shí)的截面圖。
具體實(shí)施例方式硅片多線切割技術(shù)是目前世界上比較先進(jìn)的硅片加工技術(shù)，它不同于傳統(tǒng)的刀鋸片、砂輪片、內(nèi)圓切割等切割方式，也不同于先進(jìn)的激光切割切割，它的原理是通過一根高速運(yùn)動(dòng)的鋼線帶動(dòng)附著在鋼絲上的切割刃料對(duì)硅晶棒進(jìn)行摩擦，從而達(dá)到切割效果。如圖I所示，在硅片的加工過程中，硅晶棒102安裝在工作臺(tái)101的下表面上，導(dǎo)輪104引導(dǎo)鋼線并在導(dǎo)輪104上形成線網(wǎng)105，工作臺(tái)101沿著與線網(wǎng)105平面垂直的方向上下降，將待加工硅晶棒102下壓至與線網(wǎng)105平面接觸，線網(wǎng)105在導(dǎo)輪104的引導(dǎo)下以一定的速度走線，噴砂嘴103噴灑砂漿，在線網(wǎng)105上形成紗簾，從而與下降的硅晶棒102接觸并摩擦，將硅晶棒切割成硅片。本領(lǐng)域中常用的硅硅晶棒可為長方體形、圓柱形等，目前常見的多晶硅晶棒為8寸(邊長156mmX 156mm),單晶娃晶棒常見的為6寸(邊長125mmX 125mm)以及8寸(邊長156mmX 156mm)兩種,本發(fā)明方法可用于本領(lǐng)域中常用的娃晶棒。導(dǎo)輪104表面刻有等線寬、等深的環(huán)形槽，在硅片切割時(shí)由一根鋼線纏繞在導(dǎo)輪104的環(huán)形槽中形成由平行等距排列的鋼線組成線網(wǎng)105。導(dǎo)輪104的環(huán)形槽的線寬決定了線網(wǎng)105平面上兩相鄰鋼線之間的距離，從而控制了切割硅片的厚度。本發(fā)明方法可應(yīng)用于切割任何厚度的硅片，優(yōu)選用于切割厚度為200 ii mm和180 ii m的硅片。本發(fā)明導(dǎo)輪根據(jù)線切機(jī)型號(hào)不同可安裝成2輪平行，3輪等邊三角形或4輪梯形形式。應(yīng)當(dāng)注意的是本發(fā)明附圖I中采用了 2輪平行的導(dǎo)輪組，其只是本發(fā)明方法的一個(gè)實(shí)例，并不意圖限制本發(fā)明。線網(wǎng)105的走線速度一般設(shè)置在11 13m/s。走線的方向分順時(shí)針、逆時(shí)針方向，本發(fā)明方法可根據(jù)需要任意調(diào)節(jié)走線方向。在本發(fā)明中通常采用順時(shí)針(正向)走線。本發(fā)明中所稱的鋼線可采用本領(lǐng)域任何用于硅片切割的絲狀材料，優(yōu)選使用表面鍍黃銅的高碳鋼絲，其可從例如但不限于凡登或者貝卡爾特等公司購得，型號(hào)可根據(jù)需求進(jìn)行定制，不同型號(hào)的線徑常有:100 ii m、115 ii m、120 ii m、130 ii m、140 ii m等等?？捎糜诒景l(fā)明高碳鋼絲的按線徑在100 u m-140 u m之間，優(yōu)選使用120 u m線徑鋼線。
在硅晶棒102下壓的過程中，設(shè)置在線網(wǎng)兩側(cè)的噴砂嘴103持續(xù)向線網(wǎng)平面噴撒砂漿。本發(fā)明方法中所用的砂漿是由切割液和磨料混合具有一定黏度的流體，切割液和磨料混合比例通常在I. 2 1-0.8 I之間，優(yōu)選為I : 0.95。在切削過程中，砂漿通過噴砂嘴103被均勻噴灑在線網(wǎng)平面的鋼絲切割線上，形成砂漿薄膜，被鋼線帶入切割區(qū)域。碳化硅微粉由于其切削能力強(qiáng)、自銳性好等特點(diǎn)，可用于本發(fā)明的方法。碳化硅是無色透明的晶體，由于含雜質(zhì)而呈不同顏色，磨料行業(yè)按色澤主要分為綠SiC(代號(hào)TL)和黑SiC(代號(hào)TH)兩大品種，在本發(fā)明方法中優(yōu)選使用綠色碳化硅，其例如但不限于從新大新、平頂山、大陽等公司購得的綠色碳化硅。常用于硅晶棒切割的碳化硅粒徑通常有1000#、1200#、1500#等。晶硅切割液是以聚乙二醇(PEG)為主體，添加多種助劑復(fù)配而成，具有適宜的粘度指標(biāo)，有良好的流動(dòng)性和熱傳導(dǎo)性，對(duì)碳化硅微粉具有良好的分散穩(wěn)定性和懸浮作用。晶硅切割液的實(shí)例包括但不限于從奧克、佳宇等公司購得的切割液。常用的PEG切割液包括但不限于購自奧克的0XSi-205、0XSi-303等切割液。在本發(fā)明斷線搶救方法中砂漿需噴入已切割的硅片縫隙中，例如李保軍等人(半導(dǎo)體技術(shù)，2007年，第6期，第512-515頁)說明了砂漿在線網(wǎng)上形成水平薄膜的切割條件下會(huì)取得較好的切片效率和質(zhì)量，在此將該文獻(xiàn)全部內(nèi)容引入本文作為參考。在發(fā)生斷線時(shí)，切片機(jī)自動(dòng)停止運(yùn)行。本發(fā)明的搶救方法通過在已切割的硅片中保留鋼線，給重新對(duì)刀增加了定位效果，固定了已切割的硅片位置，防止硅片間相互粘連，有利于重新對(duì)刀，提高斷線搶救成功率和改善搶救質(zhì)量，減少硅片線痕、色差等異常。如圖2所示，硅晶棒在切割至202深度處時(shí)發(fā)生斷線，斷線點(diǎn)為201，本領(lǐng)域技術(shù)人員公知該斷線點(diǎn)201僅是一種示例，并不意圖限制本發(fā)明。在本發(fā)明中所述的切割深度是指該切割斷線202處距進(jìn)刀口 203的深度，該切割深度可以是小于硅晶棒邊長的任何值，但是當(dāng)切割深度大于或等于硅晶棒加工的總切割行程的30%時(shí)，本發(fā)明方法具有相對(duì)于現(xiàn)有的搶救方法具有更高的出片率和良率。另外當(dāng)切割深度大于硅晶棒加工的總切割行程的90%時(shí)，本領(lǐng)域中由于這類斷線事故通常無法實(shí)施搶救或搶救后成功率極差。使用本發(fā)明方法相對(duì)于現(xiàn)有的搶救方法具有較高的出片率和良率，并且線痕率和色差率低，但是仍低于切割深度在硅晶棒加工的總切割行程的30% 90%之間情況。因此，本發(fā)明方法更進(jìn)一步地優(yōu)選用于斷線切割深度在總切割行程的30%至90%之間時(shí)發(fā)生的斷線事故，更優(yōu)選為總切割行程 35% -85%,40% -80%,45% -75%,50% -70%,55% -65%。
如圖3所示，在發(fā)生斷線事故后，將硅晶棒升起，使進(jìn)刀口 302位于線網(wǎng)303下，并且距線網(wǎng)303的距離為a。清除線網(wǎng)303，優(yōu)選以剪除的方式清除，并保留硅晶棒中的鋼線304。在本發(fā)明中，a可以為小于或等于切割深度的任何值。當(dāng)a< 15mm時(shí)，保留的鋼線304的線頭會(huì)彈出已切割的娃片301,會(huì)影響重新對(duì)刀的定位效果，當(dāng)a > 20mm時(shí)，已切割的娃片301位于保留的鋼線304下方的部分會(huì)粘連在一起，不利于重新布線對(duì)刀。因此在本發(fā)明中優(yōu)選的是15 < a < 20mm。在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式中，在硅晶棒升起至進(jìn)刀口 302位于線網(wǎng)303下距線網(wǎng)303的距離為a后，以小于lmm/s的速度走線以調(diào)平線網(wǎng)303，再清除斷線線網(wǎng)303。如此可消除線網(wǎng)303在硅晶棒提升過程中的上拉力，防止鋼線在剪斷時(shí)因應(yīng)力彈出硅片刀縫，且可調(diào)平所有的鋼線頭在硅片刀縫的同一位置，增加鋼線定位刀縫的效果。在本發(fā)明另一實(shí)施方式中，在硅晶棒升起至進(jìn)刀口位于線網(wǎng)下距線網(wǎng)的距離為a后，或在調(diào)平線網(wǎng)303后，打開砂漿沖洗硅片后再清除斷線線網(wǎng)303。由于硅棒在提升過程 中刀縫里的砂漿被鋼線帶走，用砂漿沖洗已切割的硅片可使砂漿浸入硅片刀縫，緩解硅片粘合程度，并保證硅片在對(duì)刀過程中刀縫中有砂漿對(duì)硅片進(jìn)行保護(hù)，避免鋼線直接摩擦硅片造成色差和線痕。在清除線網(wǎng)并保留其中的鋼線304后，升起工作臺(tái)，使整個(gè)硅晶棒升起至高于原線網(wǎng)所在的線網(wǎng)平面，并重新布置線網(wǎng)。如圖4所示，在重新布置線網(wǎng)404后，重新對(duì)刀，由于保留的鋼線403的定位效果，大大增加了重新對(duì)刀的成功率。對(duì)刀完成后下壓硅晶棒至進(jìn)刀口 402位于線網(wǎng)404下距線網(wǎng)404的距離為b，其中0 < b < a，以使保留的鋼線403不與重新布置的線網(wǎng)404接觸，防止堵塞刀縫。在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式中，優(yōu)選地，5mm ^ 10mm,更優(yōu)選地，b = 6mm。當(dāng)b < 5mm時(shí)，線網(wǎng)中部分鋼線還未完全進(jìn)入刀縫；當(dāng)a > b > IOmm時(shí)，重新布置的線網(wǎng)404容易與保留的鋼線403接觸。硅片刀縫間距橫向只能同時(shí)容納一根鋼線，新布鋼線在進(jìn)入刀縫后會(huì)遇到預(yù)留在刀縫內(nèi)的鋼線頭，如果繼續(xù)下壓，新鋼線會(huì)被刀縫內(nèi)的預(yù)留線頭阻擋無法再下壓，并在隨后的清除保留的鋼線403的步驟中，會(huì)卡住保留的鋼線403，致使其無法清除。當(dāng)b = 6mm時(shí),新布鋼線已經(jīng)基本進(jìn)入娃片刀縫內(nèi)，預(yù)留鋼線在娃片刀縫的10 15mm處，避免新舊鋼線卡死，并可以保證入刀效果。在重新對(duì)刀并且硅晶棒下壓至進(jìn)刀口 402位于線網(wǎng)404下距線網(wǎng)404平面的距離為b后，清除保留的鋼線403，優(yōu)選通過手動(dòng)拔除的方式清除保留的鋼線，再下壓硅晶棒繼續(xù)進(jìn)行切割。在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式中，在清除保留的鋼線403后，先將硅晶棒下壓至原斷線位置401，以小于lmm/s的速度走線，再進(jìn)行切割。如此可消除新布置的線網(wǎng)404在下壓至原斷線位置401的過程中所形成向下的線弓，使線網(wǎng)404的所有鋼線都對(duì)入在發(fā)生斷線時(shí)鋼線原來的位置。優(yōu)選地，在線網(wǎng)404在下壓至原斷線位置401后，再繼續(xù)下壓0. 2-0. 5mm,優(yōu)選再繼續(xù)下壓優(yōu)選0. 5mm,以用于補(bǔ)償新布置的線網(wǎng)404上的張力損失。再優(yōu)選地在硅晶棒下壓至原斷線位置401的過程中，保持線網(wǎng)404靜止，防止下壓過程中的走線對(duì)硅片表面進(jìn)行摩擦而造成的亮線和色差。還優(yōu)選地，在硅晶棒下壓至原斷線位置401處的過程中，用砂漿噴灑硅片。往硅片刀縫內(nèi)噴砂漿對(duì)鋼線有潤滑作用，并且保護(hù)已切割的硅片表面，防止線網(wǎng)404中的鋼線卡在刀縫內(nèi)無法下壓造成大線弓，影響下壓的效果。任選地，在硅晶棒下壓至原斷線位置401的過程中，清除產(chǎn)生的線弓，優(yōu)選通過手動(dòng)拔除線弓。本發(fā)明的方法可用于任何市售的硅片多線切割機(jī)，包括但不限于梅耶博格公司DS264型切片機(jī)、梅耶博格公司DS271型切片機(jī)和應(yīng)用材料公司HCT-B5型切片機(jī)。實(shí)施例以下實(shí)施例結(jié)合本發(fā)明附圖詳細(xì)描述了本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例。這些實(shí)施例僅用于描述本發(fā)明，而不應(yīng)當(dāng)視為對(duì)本發(fā)明的任何限制。以下定義與其本領(lǐng)域中的定義相同 良率=A級(jí)片/理論片X 100% ;出片率=實(shí)際出片數(shù)/理論片X100% ;線痕率=線痕片/理論片X 100% ;色差率=色差片/理論片X 100% ;理論片=加工硅晶棒總長度/導(dǎo)輪槽距；其中A級(jí)片判斷標(biāo)準(zhǔn)與本領(lǐng)域中判斷標(biāo)準(zhǔn)一致；硅片表面線痕> 20 ii m判為線痕。硅片表面目測(cè)發(fā)現(xiàn)硅片具有不同于A級(jí)片顏色的發(fā)亮或發(fā)暗的顏色差異判為色差片。在下文中“MB271”代表梅耶博格公司DS271型切片機(jī)。實(shí)施例I在切割為切至50. 588mm處發(fā)生斷線時(shí)，以10mm/min的速度提升娃晶棒至到進(jìn)刀口位于線網(wǎng)下距線網(wǎng)20mm左右。線速調(diào)到0.5m/s走線0.5米，以調(diào)平線網(wǎng)。打開砂漿均勻沖洗硅片5min，剪除斷線線網(wǎng)，保留硅片縫隙內(nèi)的鋼線，導(dǎo)輪頭部進(jìn)線端預(yù)留10-20_線網(wǎng)，重新布置好線網(wǎng)后開砂漿來回?zé)釞C(jī)，使新布線網(wǎng)上充分布滿砂漿，再將硅晶棒以5_/min的臺(tái)速下壓至進(jìn)刀口位于線網(wǎng)下距線網(wǎng)6mm，抽掉留在硅片縫隙里的鋼線段。然后下壓至原來切割深度處后再下壓0. 5mm,以0. 5m/s的線速再次調(diào)平線網(wǎng)，讓全部線網(wǎng)充分對(duì)入斷線位置內(nèi)，做好以上步驟開始進(jìn)行切割。下壓過程使用砂漿對(duì)硅片不停的沖刷，使硅片內(nèi)能進(jìn)入砂漿，并且在下壓的過程中保持鋼線靜止。搶救后具體數(shù)據(jù)如下表
斷線機(jī)型出片率良率線痕率色差率
MB27194.43% 85.04% 0.20% 0.00%~實(shí)施例2在切割為71. 056mm處發(fā)生斷線時(shí)，以10mm/min的速度提升娃晶棒至到進(jìn)刀口位于線網(wǎng)下距線網(wǎng)16_左右。線速調(diào)到0. 5m/s走線0.5米，以調(diào)平線網(wǎng)。打開砂漿均勻沖洗硅片5min，剪除斷線線網(wǎng)，保留硅片縫隙內(nèi)的鋼線，導(dǎo)輪頭部進(jìn)線端預(yù)留10-20mm線網(wǎng)，重新布置好線網(wǎng)后開砂漿來回?zé)釞C(jī)，使新布線網(wǎng)上充分布滿砂漿，再將硅晶棒以5mm/min的臺(tái)速下壓至進(jìn)刀口位于線網(wǎng)下距線網(wǎng)6mm，抽掉留在硅片縫隙里的鋼線段。然后下壓至原來切割深度處后再下壓0. 5mm,以0. 5m/s的線速再次調(diào)平線網(wǎng)，讓全部線網(wǎng)充分對(duì)入斷線位置內(nèi)，做好以上步驟開始進(jìn)行切割。下壓過程使用砂漿對(duì)硅片不停的沖刷，使硅片內(nèi)能進(jìn)入砂漿，并且在下壓的過程中保持鋼線靜止。搶救后具體數(shù)據(jù)如下表
權(quán)利要求
1.一種硅片線切割的斷線搶救方法，包括如下步驟 (1)將硅晶棒升起至進(jìn)刀口位于線網(wǎng)平面下距線網(wǎng)平面的距離為a，除去斷線后的線網(wǎng)，保留硅晶棒中的鋼線； (2)升起硅晶棒至高于線網(wǎng)平面，并重新布置線網(wǎng)；(3)下壓硅晶棒至進(jìn)刀口位于線網(wǎng)平面下距線網(wǎng)平面的距離為b，其中O< b < a ; (4)清除硅晶棒中保留的鋼線，進(jìn)行切割。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中在所述步驟⑴中，15mm≤a≤20mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中在所述步驟(I)中，在將硅晶棒升起至進(jìn)刀口位于線網(wǎng)平面下距線網(wǎng)平面的距離為a后，以小于lmm/s的速度走線。
4.根據(jù)權(quán)利要求I至3中任一項(xiàng)所述的方法，其中在所述步驟(I)中，在將硅晶棒升起至進(jìn)刀口位于線網(wǎng)下距線網(wǎng)的距離為a后，打開砂漿沖洗硅片。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中在所述步驟(3)中，5mm彡b彡10mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中在所述步驟(3)中，b= 6mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中在所述步驟(4)中，在清除硅晶棒中保留的鋼線后，先將硅晶棒下壓至原斷線深度，以小于lmm/s的速度走線后，再進(jìn)行切割。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中在將硅晶棒下壓至原斷線深度后再繼續(xù)下壓0.2-0. 5mm,然后以小于lmm/s的速度走線后,再進(jìn)行切割。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的方法，其中在所述步驟(4)中，在硅晶棒下壓至原斷線深度的過程中保持鋼線靜止。
10.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的方法，其中在所述步驟(4)中，在硅晶棒下壓至原斷線深度的過程中，用砂漿沖洗硅片。
11.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的方法，其中在所述步驟(4)中，在硅晶棒下壓至原斷線深度的過程中，手動(dòng)拔除線弓。
12.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中斷線時(shí)所述硅片的切割深度大于或等于硅晶棒加工的總切割行程的30%。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中斷線時(shí)所述硅片的切割深度在硅晶棒加工的總切割行程的30%至90%之間。
全文摘要
本發(fā)明涉及對(duì)在硅片切片機(jī)的加工過程中出現(xiàn)斷線事故進(jìn)行搶救的搶救方法。具體地，本發(fā)明涉及在發(fā)生斷線事故的硅片中保留斷線鋼線，用于固定硅片位置以利于重新布線對(duì)刀的方法。
文檔編號(hào)B28D7/00GK102756433SQ20111011092
公開日2012年10月31日 申請(qǐng)日期2011年4月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年4月29日
發(fā)明者陳益冬 申請(qǐng)人:蘇州協(xié)鑫光伏科技有限公司