專利名稱：單晶/多晶硅片多線切割自動(dòng)脫膠方法及其裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及多線切割領(lǐng)域加工半導(dǎo)體用單晶硅片和太陽能電池用單晶/多晶硅片的脫膠控制技術(shù)，尤其是單晶/多晶硅片多線切割自動(dòng)脫膠方法及其裝置。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體用單晶硅片和太陽能電池用單晶/多晶硅片的多線切割加工過程中，都涉及到脫膠。目前，針對(duì)選用的粘膠劑不同，常規(guī)的脫膠方法有兩種
一種是采用冷水脫膠法(如使用美國紅膠)，將切割完了的工件(硅片)倒掛連同工件連接板一同移到預(yù)清洗槽內(nèi)，用大量自來水反復(fù)沖洗硅片，連續(xù)沖洗40分鐘以上，直到硅片自動(dòng)脫落；這種方法受水溫、水壓、粘膠手法等因素影響比較多，膠不易完全自動(dòng)脫落，往往需要手工去瓣片，用手瓣片中由于瓣片手法掌握不當(dāng)(用力往下按壓或前后用力拽搖作倒)，被瓣下來的硅片粘膠面易產(chǎn)生崩邊和碎邊，甚至裂紋片而降低合格率；而本方法沖水的時(shí)間很長，水的浪費(fèi)大，很不經(jīng)濟(jì)。另一種是采用熱水脫膠法(如使用日本Q膠、U膠，W膠)，將切割完了的工件(硅片)倒掛連同工件連接板一同移到預(yù)清洗槽內(nèi)，用大量自來水反復(fù)沖洗硅片，連續(xù)沖洗15 20分鐘，然后移出預(yù)清洗槽，將倒掛的工件(硅片)翻轉(zhuǎn)180°朝上豎立，搬到70 SOtlC的熱水去膠槽內(nèi)，浸泡或不斷澆淋10 15分鐘，達(dá)到軟化粘膠并傾倒脫落手工瓣取；這種方法存在的問題是將倒掛的工件(硅片)翻轉(zhuǎn)180°朝上豎立時(shí)，會(huì)發(fā)生硅片傾倒，硅片粘膠面易產(chǎn)生撕裂、崩邊和碎邊，甚至掉片問題而降低合格率。

發(fā)明內(nèi)容
為了克服現(xiàn)有的脫膠方法存在的脫膠后的單晶/多晶多線切割硅片脫膠時(shí)粘膠面易產(chǎn)生崩邊、碎邊的問題，本發(fā)明提供了一種單晶/多晶多線切割硅片的安全脫膠方法及裝置。本發(fā)明解決現(xiàn)有問題的技術(shù)方案，一種單晶/多晶硅片多線切割自動(dòng)脫膠裝置， 包括粘接于連接板上待脫膠的工件(硅片)，作為本發(fā)明的改進(jìn)，還包括一可容納懸置工件 (硅片)的承載框架，所述的承載框架包括底板、分別設(shè)置于前側(cè)面、后側(cè)面與定位工件(硅片)配合的擋板，所述的前側(cè)面、后側(cè)面的兩擋板上設(shè)有間隔穿插于工件(硅片)間的定位插條，所述的連接板懸置于承載框架上，所述的粘接于連接板上待脫膠的工件(硅片)底部相對(duì)于底板懸空，所述的底板上鋪設(shè)有工件(硅片)脫膠后下落的緩沖層。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述的承載框架前側(cè)面、后側(cè)面所設(shè)的兩擋板設(shè)有若干對(duì)應(yīng)的插槽，所述的定位插條定位于插槽內(nèi)。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述的承載框架上設(shè)有提把。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述的提把設(shè)置于承載框架的前、后兩側(cè)面的頂端。作為本發(fā)明的進(jìn)一步改進(jìn)，所述的連接板上設(shè)有把手。本發(fā)明還提供了一種單晶/多晶硅片多線切割自動(dòng)脫膠的方法，其步驟為1)將粘接于連接板上待脫膠的工件(硅片)懸掛于一可容納懸置工件(硅片)的承載框架上，并與承載框架前側(cè)面、后側(cè)面分別所設(shè)的工件(硅片)配合的擋板配合，工件(硅片)底部懸空于鋪設(shè)緩沖層的底板上；
2)待脫膠的工件(硅片)懸置于承載框架上后，從工件(硅片)兩側(cè)起，間隔穿插設(shè)置定位插條，定位插條定位于承載框架前側(cè)面、后側(cè)面的兩擋板上；
3)將上一步的懸掛有工件(硅片)的承載框架放入預(yù)沖洗槽，用水噴淋沖洗1(Γ15分鐘至排出水無黑色污染物；
4)將上一步預(yù)沖洗好懸掛有工件(硅片)的承載框架放入加熱脫膠槽，在水與乳酸配制的混合液中加熱浸泡并完成自動(dòng)脫膠，脫膠后工件(硅片)下落至底板所鋪設(shè)的緩沖層上。作為本發(fā)明方法的進(jìn)一步改進(jìn)，所述的承載框架前側(cè)面、后側(cè)面所設(shè)的兩擋板設(shè)有若干對(duì)應(yīng)的插槽，所述的定位插條定位于插槽內(nèi)。作為本發(fā)明方法的進(jìn)一步改進(jìn)，承載框架上設(shè)有提把，所述的提把設(shè)置于承載框架的前、后兩端。作為本發(fā)明方法的進(jìn)一步改進(jìn)，所述的連接板上設(shè)有把手。作為本發(fā)明方法的進(jìn)一步改進(jìn)，所述的緩沖層為鋪設(shè)于底板上的海綿體。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比較，其有益效果是創(chuàng)造性地將原先長時(shí)間沖洗(40分鐘以上)，冷水脫膠改成工件(硅片)及工件連接板從承載框架頂部放入后短時(shí)間沖洗(10 15 分鐘)后取出，放入加熱去膠槽，在水與乳酸配制的混合液中加熱浸泡10 15分鐘，工件 (硅片)自動(dòng)脫落，以自重下落到承載框架底板的鋪設(shè)緩沖層上，避免了冷水脫膠時(shí)膠不易完全自動(dòng)脫落，手工去瓣片，易產(chǎn)生崩邊和碎邊，甚至裂紋片而降低合格率的問題，同時(shí)，可減少用水量60%。本發(fā)明將原先熱水脫膠法，工件(硅片)經(jīng)過預(yù)清洗后，需要將倒掛的工件(硅片) 翻轉(zhuǎn)180°朝上，改成工件(硅片)及工件連接板從承載框架頂部放入后短時(shí)間沖洗(10 15 分鐘)后取出直接放入加熱去膠槽，在水與乳酸配制的混合液中浸泡加熱10 15分鐘，工件(硅片)自動(dòng)脫落，以自重下落到自動(dòng)脫膠裝置底板的鋪設(shè)緩沖層上，避免了原先方法工件(硅片)在翻轉(zhuǎn)180°時(shí)會(huì)發(fā)生傾倒和掉片，硅片粘膠面易產(chǎn)生撕裂、崩邊和碎邊而產(chǎn)生不合格片問題。本發(fā)明自動(dòng)脫膠方法及其裝置，經(jīng)實(shí)踐證明，可完全消除人為因素的影響，方法可行，操作安全，且裝置制作簡單，應(yīng)用方便，效果明顯。


圖1是本發(fā)明裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本發(fā)明預(yù)沖洗槽的示意圖。圖3是本發(fā)明加熱脫膠槽的示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖進(jìn)一步闡述本發(fā)明裝置及方法。參見圖1，本實(shí)施案例包括粘接于連接板2玻璃條上待脫膠的工件(硅片)1，可容納懸置工件(硅片)1的承載框架3，承載框架3包括底板31、分別設(shè)置于前側(cè)面、后側(cè)面與工件(硅片)1配合的擋板4，前側(cè)面、后側(cè)面的兩擋板4上設(shè)有間隔穿插于工件(硅片)1內(nèi)片狀定位插條5，連接板2懸置于承載框架3上，粘接于連接板2玻璃條上待脫膠的工件(硅片)1底部相對(duì)于底板31懸空，底板31上鋪設(shè)有工件(硅片)自動(dòng)脫膠后下落的緩沖層32。其中，承載框架3前側(cè)面、后側(cè)面所設(shè)的兩擋板4上端對(duì)應(yīng)處開設(shè)有插槽，定位插條5定位于兩擋板4對(duì)應(yīng)的若干插槽內(nèi)，不銹鋼鋼板或者黃臘板材料制成的定位插條5用于保持工件(硅片)1朝下處于垂立狀態(tài)，定位插條5之間間隔2(T35mm。承載框架3上設(shè)有π形提把33。π形提把33設(shè)置于承載框架3的前、后兩側(cè)上端大致中間的位置。連接板2上螺接或焊接有圓鋼或不銹鋼鋼管制成的工字把手21，本實(shí)施案例中左、右兩條工字把手21通過螺栓連接于連接板2上，工字把手21下端擱置于承載框架3上，連接板2玻璃板上粘接的工件(硅片)1懸空于承載框架3底板31緩沖層32上部，緩沖層32為鋪設(shè)于不銹鋼底板31上的海綿體。下面通過單晶/多晶硅片多線切割自動(dòng)脫膠的方法，具體的實(shí)施案例進(jìn)一步闡述本發(fā)明。參見圖1-3，單晶/多晶硅片多線切割自動(dòng)脫膠的方法的步驟為，
1)將工字形把手21連接于粘接有工件(硅片)1的連接板2玻璃條上，工字形把手21 下“工”字條兩頭通孔與連接板2兩頭螺絲孔對(duì)正，并插入螺絲連接擰緊。2)通過工字把手21將粘接于連接板2玻璃條上待脫膠的工件(硅片)1懸掛于一可容納懸置工件(硅片)1的承載框架3上，工字提把手21擱置于承載框架3上端面，工件 (硅片)1底部懸空于鋪設(shè)緩沖層32的底板31上。3)待脫膠工件(硅片)1懸置于承載框架3上，從工件(硅片)1兩側(cè)起，在兩擋板4 上端開設(shè)的插槽內(nèi)設(shè)置定位插條5，間隔25mm穿插定位插條5，保持工件(硅片)1自動(dòng)脫膠下落時(shí)朝下垂立。4)通過設(shè)置于承載框架3的前、后兩端π形提把33，將上一步的懸掛有工件(硅片)1的承載框架3放入預(yù)沖洗槽6，用水噴淋沖洗1(Γ15分鐘至排出水無黑色污染物；
5)將上一步預(yù)沖洗好懸掛有工件(硅片)的承載框架3放入加熱脫膠槽7，在水與乳酸配制的混合液中加熱浸泡并完成自動(dòng)脫膠。以上列舉的僅是本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例，顯然，本發(fā)明不限于以上實(shí)施例，還可以有許多變形。本發(fā)明申請(qǐng)人在實(shí)際生產(chǎn)中對(duì)半導(dǎo)體用單晶硅片和太陽能電池用單晶/多晶硅片的各類規(guī)格的多線切割加工硅片產(chǎn)品，都使用本發(fā)明的自動(dòng)脫膠方法和裝置進(jìn)行了生產(chǎn)，本領(lǐng)域的技術(shù)人員能從本發(fā)明公開的內(nèi)容直接導(dǎo)出或聯(lián)想到的所有變形，均應(yīng)認(rèn)為是本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種單晶/多晶硅片多線切割自動(dòng)脫膠裝置，包括粘接于連接板上待脫膠的工件 (硅片)，其特征在于還包括一可容納懸置工件(硅片)的承載框架，所述的承載框架包括底板、分別設(shè)置于前側(cè)面、后側(cè)面與定位工件(硅片)配合的擋板，所述的前側(cè)面、后側(cè)面的兩擋板上設(shè)有間隔穿插于工件(硅片)間的定位插條，所述的連接板懸置于承載框架上，所述的粘接于連接板上待脫膠的工件(硅片)底部相對(duì)于底板懸空，所述的底板上鋪設(shè)有工件 (硅片)脫膠后下落的緩沖層。
2.如權(quán)利要求1所述的單晶/多晶硅片多線切割自動(dòng)脫膠裝置，其特征在于所述的承載框架前側(cè)面、后側(cè)面所設(shè)的兩擋板設(shè)有若干對(duì)應(yīng)的插槽，所述的定位插條定位于插槽內(nèi)。
3.如權(quán)利要求1所述的單晶/多晶硅片多線切割自動(dòng)脫膠裝置，其特征在于所述的承載框架上設(shè)有提把。
4.如權(quán)利要求3所述的單晶/多晶硅片多線切割自動(dòng)脫膠裝置，其特征在于所述的提把設(shè)置于承載框架的前、后兩端。
5.如權(quán)利要求1所述的單晶/多晶硅片多線切割自動(dòng)脫膠裝置，其特征在于所述的連接板上設(shè)有把手。
6.一種單晶/多晶硅片多線切割自動(dòng)脫膠的方法，其特征在于其步驟為1)將粘接于連接板上待脫膠的工件(硅片)懸掛于一可容納懸置工件(硅片)的承載框架上，并與承載框架前側(cè)面、后側(cè)面分別所設(shè)的工件(硅片)配合的擋板配合，工件(硅片)底部懸空于鋪設(shè)緩沖層的底板上；2)待脫膠的工件(硅片)懸置于承載框架上后，從工件(硅片)兩側(cè)起，間隔穿插設(shè)置定位插條，定位插條定位于承載框架前側(cè)面、后側(cè)面的兩擋板上；3)將上一步的懸掛有工件(硅片)的承載框架放入預(yù)沖洗槽，用水噴淋沖洗1(Γ15分鐘至排出水無黑色污染物；4)將上一步預(yù)沖洗好的懸掛有工件(硅片)的承載框架放入加熱脫膠槽，在水與乳酸配制的混合液中加熱浸泡并完成自動(dòng)脫膠，脫膠后工件(硅片)下落至底板所鋪設(shè)的緩沖層上。
7.如權(quán)利要求6所述的單晶/多晶硅片多線切割自動(dòng)脫膠的方法，其特征在于所述的承載框架前側(cè)面、后側(cè)面所設(shè)的兩擋板設(shè)有若干對(duì)應(yīng)的插槽，所述的定位插條定位于插槽內(nèi)。
8.如權(quán)利要求6所述的單晶/多晶硅片多線切割自動(dòng)脫膠的方法，其特征在于所述的承載框架上設(shè)有提把，所述的提把設(shè)置于承載框架的前、后兩端。
9.如權(quán)利要求6所述的單晶/多晶硅片多線切割自動(dòng)脫膠的方法，其特征在于所述的連接板上設(shè)有把手。
10.如權(quán)利要求6所述的單晶/多晶硅片多線切割自動(dòng)脫膠的方法，其特征在于所述的緩沖層為鋪設(shè)于底板上的海綿體。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種單晶/多晶硅片多線切割自動(dòng)脫膠方法及裝置，包括粘接于連接板上待脫膠的工件(硅片)，可容納懸置工件(硅片)的承載框架，所述的承載框架包括底板、分別設(shè)置于前側(cè)面、后側(cè)面與定位工件(硅片)配合的擋板，所述的前側(cè)面、后側(cè)面的兩擋板上設(shè)有間隔穿插于工件(硅片)間的定位插條，所述的連接板懸置于承載框架上，所述的粘接于連接板上待脫膠的工件(硅片)底部相對(duì)于底板懸空，所述的底板上鋪設(shè)有工件(硅片)脫膠后下落的緩沖層。本發(fā)明自動(dòng)脫膠方法及其裝置，可完全消除人為因素的影響，方法可行，操作安全，且裝置制作簡單，應(yīng)用方便，效果明顯。
文檔編號(hào)B28D7/00GK102275234SQ20111017934
公開日2011年12月14日 申請(qǐng)日期2011年6月29日 優(yōu)先權(quán)日2011年6月29日
發(fā)明者汪貴發(fā), 蔣建松 申請(qǐng)人:浙江光益硅業(yè)科技有限公司