專利名稱:可靠性佳的紅外線反射鍍膜及其制作方法和節(jié)能玻璃裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種紅外線反射鍍膜(infrared reflection coating),特別是涉及一種可靠性(reliability)佳的紅外線反射鍍膜、節(jié)能玻璃裝置(low_emissivity glassunit)及其鍍膜的制作方法。
背景技術(shù):
紅外線反射鍍膜具有提供可見光(visible light)穿透(transmission),并阻隔紅外線穿透的功用。當(dāng)處于冬天時節(jié),紅外線反射鍍膜更可將室內(nèi)人體所產(chǎn)生的體熱局限在室內(nèi)環(huán)境中以維持室內(nèi)溫度處于室溫狀態(tài)。相反地,當(dāng)夏天的室內(nèi)需使用到空調(diào)設(shè)備以維持室溫時,紅外線反射鍍膜便可阻隔外界紅外線的穿透,避免因外界紅外線的輻射 (radiation)熱能的穿透而導(dǎo)致室內(nèi)溫度居高不下,并借此省下空調(diào)設(shè)備所需消耗的電能。因此,紅外線反射鍍膜一般常被鍍制于透明玻璃基板上以供做為節(jié)能玻璃使用。請參閱圖I所示,是說明US 7,906, 203B2所公開的紅外線反射鍍膜的剖視示意圖。US 7,906, 203B2公開了一種紅外線反射鍍膜I,是形成于一玻璃基板11上。該紅外線反射鍍膜I包含一形成于該玻璃基板11的一表面110上的透明介電層(transparentdielectric layer) 12,及三層紅外線反射膜13。其中每一層紅外線反射膜13自該透明介電層12朝遠(yuǎn)離該玻璃基板11的方向依序具有一由Ag、Cu或Au等高導(dǎo)電性(conductivity)金屬材質(zhì)所制成的紅外線反射層131、一阻障層(blocke rlayer) 132,及一透明介電層133。該些透明介電層133可以是由單一層氧化物(oxide)所構(gòu)成,也可以是由三層、五層或七層不同的氧化物(如,ZnO及SnO2)所構(gòu)成,其主要目的是在于,提升可見光的穿透率(transmittance)。該些阻障層132可以是由Ti、Ni、Cr、NiCr,或Nb等金屬材料所制成。由于在鍍制該些透明介電層133時,需在反應(yīng)室里引入氧氣(O2)以鍍制氧化物;因此,該些阻障層132的主要目的是在于,阻隔氧氣與Ag或Cu等金屬材料產(chǎn)生氧化反應(yīng),并維持該紅外線反射鍍膜I整體的可靠性。雖然該紅外線反射鍍膜I的紅外線穿透率可降低至I. 5%左右;然而,該紅外線反射鍍膜I仍需使用到氧化物;因此,其整體可靠性仍然必免不了氧氣的破壞。經(jīng)上述說明可知,改善紅外線反射鍍膜的氧化問題并借此提升紅外線反射鍍膜的可靠性,是此技術(shù)領(lǐng)域所需改進(jìn)的課題。由此可見,上述現(xiàn)有的紅外線反射鍍膜在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、制造方法與使用上,顯然仍存在有不便與缺陷,而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決上述存在的問題,相關(guān)廠商莫不費(fèi)盡心思來謀求解決之道,但長久以來一直未見適用的設(shè)計被發(fā)展完成,而一般產(chǎn)品及方法又沒有適切的結(jié)構(gòu)及方法能夠解決上述問題,此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新的可靠性佳的紅外線反射鍍膜、節(jié)能玻璃裝置及其鍍膜的制作方法,實屬當(dāng)前重要研發(fā)課題之一,亦成為當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于,克服現(xiàn)有的紅外線反射鍍膜存在的缺陷,而提供一種可靠性佳的紅外線反射鍍膜,所要解決的技術(shù)問題是使其借由一第一金屬基(metal-based)膜層結(jié)構(gòu)的第二金屬層來提升可見光的穿透率,以避免傳統(tǒng)的透明介電層所產(chǎn)生的氧化問題,從而提升紅外線反射鍍膜的可靠性,非常適于實用。本發(fā)明的另一目的在于,提供一種新的節(jié)能玻璃裝置,所要解決的技術(shù)問題是使其具有上述可靠性佳的紅外線反射鍍膜,以提升節(jié)能玻璃裝置的透光性及可靠性,從而更加適于實用。本發(fā)明的再一目的在于,提供一種新的可靠性佳的紅外線反射鍍膜的制作方法,所要解決的技術(shù)問題是使其用于制作上述可靠性佳的紅外線反射鍍膜,并利用微波等離子體處理提升紅外線反射鍍膜的附著性及使其其表面的呈疏水性(hydrophobic property),以利于阻隔水氣的進(jìn)入而增加紅外線反射鍍膜的可靠性,從而更加適于實用?!け景l(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種可靠性佳的紅外線反射鍍膜,是形成于一透光(transparent)基板上。該紅外線反射鍍膜包含一形成于該透光基板上的緩沖層(buffer layer),及一形成于該緩沖層上的第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)。該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)自該緩沖層朝遠(yuǎn)離該透光基板的方向依序具有一第一金屬層、一第二金屬層及一第三金屬層。該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第一金屬層是由Ag所制成。該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第二金屬層是由一選自下列所構(gòu)成的群組的第二金屬所制成Zn、Sn、Ti、Ni、ZnSn合金、ZnTi合金、ZnNi合金、SnTi合金,及SnNi合金。該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第三金屬層是一阻障層。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實現(xiàn)。較佳地,前述的可靠性佳的紅外線反射鍍膜,其中該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第三金屬層是由一選自下列所構(gòu)成的群組的第三金屬所制成Al、AlTi合金、AlNi合金,及AlZn合金;該緩沖層是由一選自下列所構(gòu)成的群組的材料所制成Zn、ZnO、SnO2,及Ti02。較佳地,前述的可靠性佳的紅外線反射鍍膜,其中該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第一金屬層的厚度是介于14nm 32nm間;該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第二金屬層的厚度是介于IOnm 35nm 間。較佳地,前述的可靠性佳的紅外線反射鍍膜,還包含一層第二金屬基膜層結(jié)構(gòu),該第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)夾置于該緩沖層與該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)間,該第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)自該緩沖層朝遠(yuǎn)離該透光基板的方向依序具有一層第一金屬層及一層第二金屬層,該第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第一金屬層是由Ag所制成,該第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第二金屬層是由一選自下列所構(gòu)成的群組的第二金屬所制成Zn、Sn、Ti、Ni、ZnSn合金、ZnTi合金、ZnNi合金、SnTi合金,及SnNi合金。較佳地,前述的可靠性佳的紅外線反射鍍膜,其中該第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)還具有一層第三金屬層,該第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第三金屬層夾置于該第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第二金屬層與該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)間,且是由一選自下列所構(gòu)成的群組的第三金屬所制成=AUAlTi合金、AlNi合金,及AlZn合金。較佳地,前述的可靠性佳的紅外線反射鍍膜,其中該第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第一金屬層的厚度是介于14nm 32nm間;該第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第二金屬層的厚度是介于44nm 60nm 間。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種節(jié)能玻璃裝置,包含一第一元件、一第二元件,及一間隔件(spacer)。該第一元件具有一透光基板,及一形成于該透光基板上的如前面所述的可靠性佳的紅外線反射鍍膜。該第二元件具有另一透光基板,且該另一透光基板面向該透光基板并與該透光基板間隔設(shè)置。該間隔件夾置于該第一元件與第二元件間,并與該第一元件及第二元件共同界定出一封閉空間。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實現(xiàn)。較佳地,前述的節(jié)能玻璃裝置,還包含一填置于該封閉空間的惰性氣體(inertgas)。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題另外再采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提 出的一種可靠性佳的紅外線反射鍍膜的制作方法,是形成于一透光基板上。該制作方法包含以下步驟(a)在該透光基板上形成一緩沖層;(b)在該緩沖層上形成一第一金屬基膜層結(jié)構(gòu),該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)自該緩沖層朝遠(yuǎn)離該透光基板的方向依序具有一第一金屬層、一第二金屬層及一第三金屬層;及(C)在該步驟(b)后,將該形成有該緩沖層及該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)的透光基板設(shè)置于一真空腔體(vacuum chamber)的一基底上,以對該緩沖層及該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)施予微波等離子體處理(microwave plasma treatment),并提升該緩沖層及該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)的附著性(adhesion);其中,該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第一金屬層是由Ag所制成;其中,該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第二金屬層是由一選自下列所構(gòu)成的群組的第二金屬所制成Zn、Sn、Ti、Ni、ZnSn合金、ZnTi合金、ZnNi合金、SnTi合金,及SnNi合金;其中,該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第三金屬層是一阻障層;及其中,該步驟(C)的基底是由一選自下列所構(gòu)成的群組的材料所制成碳纖維(carbon fiber)、石墨(graphite)及半導(dǎo)體(semiconductor)材料。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實現(xiàn)。較佳地,前述的可靠性佳的紅外線反射鍍膜的制作方法,其中該基底的面積是大于或等于該透光基板上的緩沖層的面積,并大于或等于該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)的面積,且該基底的面積與該透光基板上的緩沖層的面積相互重疊,并與該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)的面積相互重疊。較佳地,前述的可靠性佳的紅外線反射鍍膜的制作方法,其中在實施該步驟(C)時,該真空腔體的工作壓力(working pressure)是小于或等于O. 5托(Torr)。較佳地,前述的可靠性佳的紅外線反射鍍膜的制作方法,其中該步驟(C)的微波等離子體處理是經(jīng)由一個電源供應(yīng)器(power supply)提供一介于750W 2000W間的輸出功率(output power)。較佳地,前述的可靠性佳的紅外線反射鍍膜的制作方法,其中該半導(dǎo)體材料是硅
(Si)。較佳地,前述的可靠性佳的紅外線反射鍍膜的制作方法,其中該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第三金屬層是由一選自下列所構(gòu)成的群組的第三金屬所制成A1、AlTi合金、AlNi合金,及AlZn合金,且該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第三金屬層的一表面于微波等離子體處理后的一預(yù)定時間后是呈疏水性;該緩沖層是由一選自下列所構(gòu)成的群組的材料所制成Zn、ZnO> SnO2,及 TiO20較佳地,前述的可靠性佳的紅外線反射鍍膜的制作方法,其中該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第一金屬層的厚度是介于14nm 32nm間;該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第二金屬層的厚度是介于IOnm 35nm間。較佳地,前述的可靠性佳的紅外線反射鍍膜的制作方法,其中在該步驟(b)前還包含一步驟(b’),該步驟(b’ )是形成一層夾置于該緩沖層與該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)間的第二金屬基膜層結(jié)構(gòu),該第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)自該緩沖層朝遠(yuǎn)離該透光基板的方向依序具有一層第一金屬層及一層第二金屬層,該第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第一金屬層是由Ag所制成,該第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第二金屬層是由一選自下列所構(gòu)成的群組的第二金屬所制成Zn、Sn、Ti、Ni、ZnSn 合金、ZnTi 合金、ZnNi 合金、SnTi 合金,及 SnNi 合金。
較佳地,前述的可靠性佳的紅外線反射鍍膜的制作方法,其中該第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)還具有一層第三金屬層,該第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第三金屬層夾置于該第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第二金屬層與該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)間,且是由一選自下列所構(gòu)成的群組的第三金屬所制成Al、AlTi合金、AlNi合金,及AlZn合金。較佳地,前述的可靠性佳的紅外線反射鍍膜的制作方法,其中該第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第一金屬層的厚度是介于14nm 32nm間;該第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第二金屬層的厚度是介于44nm 60nm間。本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。借由上述技術(shù)方案,本發(fā)明可靠性佳的紅外線反射鍍膜、節(jié)能玻璃裝置及其鍍膜的制作方法至少具有下列優(yōu)點及有益效果本發(fā)明借由該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第二金屬層來提升可見光的穿透率,以避免傳統(tǒng)的透明介電層所產(chǎn)生的氧化問題,從而提升了紅外線反射鍍膜的可靠性。綜上所述,本發(fā)明是有關(guān)于一種可靠性佳的紅外線反射鍍膜、節(jié)能玻璃裝置及其鍍膜的制作方法。該可靠性佳的紅外線反射鍍膜,是形成于一透光基板上。該紅外線反射鍍膜包含一形成于該透光基板上的緩沖層,及一形成于該緩沖層上的第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)。該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)自該緩沖層朝遠(yuǎn)離該透光基板的方向依序具有一第一金屬層、一第二金屬層及一第三金屬層。該第一金屬層是由Ag所制成;該第二金屬層是由一選自下列所構(gòu)成的群組的第二金屬所制成Zn、Sn、Ti、Ni、ZnSn合金、ZnTi合金、ZnNi合金、SnTi合金及SnNi合金。該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第三金屬層是一阻障層。本發(fā)明也提供了一種節(jié)能玻璃裝置及前述鍍膜的制作方法。本發(fā)明在技術(shù)上有顯著的進(jìn)步,并具有明顯的積極效果,誠為一新穎、進(jìn)步、實用的新設(shè)計。上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述,為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段,而可依照說明書的內(nèi)容予以實施,并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂,以下特舉較佳實施例,并配合附圖,詳細(xì)說明如下。
圖I是說明US 7,906,203B2所公開的紅外線反射鍍膜的剖視示意圖。
圖2是說明本發(fā)明可靠性佳的紅外線反射鍍膜的一第一較佳實施例的主視示意圖。圖3是說明本發(fā)明該第一較佳實施例的可靠性佳的紅外線反射鍍膜的制作方法的流程圖。圖4是圖3的步驟(C),說明本發(fā)明在實施該第一較佳實施例的制作方法時的微波與一基底、一透光基板及一第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)間的傳遞關(guān)系的局部放大圖。圖5是說明本發(fā)明可靠性佳的紅外線反射鍍膜的一第二較佳實施例的主視示意圖。圖6是說明本發(fā)明可靠性佳的紅外線反射鍍膜的一第三較佳實施例的主視示意圖。圖7是說明本發(fā)明運(yùn)用該些較佳實施例的紅外線反射鍍膜以構(gòu)成一節(jié)能玻璃裝置的局部主視示意圖。圖8是說明本發(fā)明可靠性佳的紅外線反射鍍膜的一具體例I (El)的穿透率的穿透率曲線圖。圖9是說明本發(fā)明可靠性佳的紅外線反射鍍膜的一具體例2 (E2)的穿透率的穿透率曲線圖。圖10是說明本發(fā)明可靠性佳的紅外線反射鍍膜的一具體例3 (E3)的穿透率的穿透率曲線圖。圖11是說明本發(fā)明可靠性佳的紅外線反射鍍膜的一具體例4(E4)的穿透率的穿透率曲線圖。圖12是說明本發(fā)明可靠性佳的紅外線反射鍍膜的一具體例5 (E5)的穿透率的穿透率曲線圖。圖13是說明本發(fā)明可靠性佳的紅外線反射鍍膜的一具體例6 (E6)的穿透率的穿透率曲線圖。圖14是說明本發(fā)明可靠性佳的紅外線反射鍍膜的一具體例7 (E7)的穿透率的穿透率曲線圖。圖15是說明本發(fā)明可靠性佳的紅外線反射鍍膜的一具體例8 (ES)的穿透率的穿透率曲線圖。圖16是說明本發(fā)明可靠性佳的紅外線反射鍍膜的一具體例9 (E9)的穿透率的穿透率曲線圖。圖17是說明本發(fā)明該具體例6 (E6)在微波等離子體處理前的表面結(jié)構(gòu)的掃描式電子顯微鏡(scanning electron microscope, SEM)表面形貌影像圖。圖18是說明本發(fā)明該具體例6 (E6)在微波等離子體處理后的表面結(jié)構(gòu)的SEM表面形貌影像圖。
具體實施例方式為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效,以下結(jié)合附圖及較佳實施例,對依據(jù)本發(fā)明提出的可靠性佳的紅外線反射鍍膜、節(jié)能玻璃裝置及其鍍膜的制作方法其具體實施方式
、結(jié)構(gòu)、方法、步驟、特征及其功效,詳細(xì)說明如后。有關(guān)本發(fā)明的前述及其他技術(shù)內(nèi)容、特點及功效,在以下配合參考圖式的較佳實施例的詳細(xì)說明中將可清楚的呈現(xiàn)。為了方便說明,在以下的實施例中,相同的元件以相同的編號表不。請參閱圖2所示,是說明本發(fā)明可靠性佳的紅外線反射鍍膜的一第一較佳實施例的主視示意圖。本發(fā)明可靠性佳的紅外線反射鍍膜20的一第一較佳實施例,是形成于一透光基板2上。該紅外線反射鍍膜20的第一較佳實施例包含一形成于該透光基板2上的緩沖層3,及一形成于該緩沖層3上的第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)4。該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)4自該緩沖層3朝遠(yuǎn)離該透光基板2的方向依序具有一第一金屬層41、一第二金屬層42及一第三金屬層43。該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)4的第一金屬層41是由Ag所制成。該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)4的第二金屬層42是由一選自下列所構(gòu)成的群組的第二金屬所制成Zn、Sn、Ti、Ni、ZnSn合金、ZnTi合金、ZnNi合金、SnTi合金,及SnNi合金。該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)4的第三金屬層43是一阻障層。較佳地,該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)4的第三金屬層43是由一選自下列所構(gòu)成的群組的第三金屬所制成Al、AlTi合金、AlNi合金,及AlZn合金;該緩沖層3是由一選自下列所·構(gòu)成的群組的材料所制成Zn、Zn0、Sn02,及Ti02。此處需說明的是,該緩沖層3的主要目的是在于提升該透光基板2與該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)4的第一金屬層41間的附著性,另一方面是在于提升可見光的穿透率。又值得一提的是,本發(fā)明主要是利用該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)4中的第二金屬層42及第三金屬層43來取代現(xiàn)有的金屬阻障層及氧化物透明介電層,進(jìn)而避免在本發(fā)明的紅外線反射鍍膜20內(nèi)因產(chǎn)生氧化物而影響鍍膜品質(zhì)及可靠性。本發(fā)明該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)4的第二金屬層42的主要作用在于,調(diào)整可見光的穿透率。在一具體例中,該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)4的第二金屬層42是由Zn所制成,其中,選用Zn的主要原因在于,實施磁控派鍍(magnetron sputtering)時所需的輸出功率低且濺鍍率高,因此,制作成本低。本發(fā)明該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)4的第三金屬層43的主要作用是在于,阻隔水氣(moisture)、氧氣的擴(kuò)散,借以避免水氣、氧氣與該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)4產(chǎn)生氧化反應(yīng)并影響其可靠性。在一具體例中,該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)4的第三金屬層43是由AlTi合金所制成;其中,選用AlTi合金的原因在于,其能夠提供足夠的機(jī)械強(qiáng)度[如,硬度(hardness)]及調(diào)整可見光的穿透率。值得一提的是,在不影響可見光穿透率的條件下,本發(fā)明在該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)4的第三金屬層43上更可進(jìn)一步地根據(jù)需求以另外形成一頂層(top layer)。如,使用溶膠-凝膠法(sol-gel)制備厚度為IOOnm以上的各種顏色的氧化物、碳化物(carbide)或氮化物(nitride)以包覆于該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)4的第三金屬層43上,借此達(dá)到色彩豐富且提升整體結(jié)構(gòu)的耐磨性、抗氧化性等功效,并達(dá)到單片玻璃使用的目的。為有效地阻隔紅外線波段的光源并使可見光波段的光源穿透,因此,較佳地,該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)4的第一金屬層41的厚度是介于14nm 32nm間;該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)4的第二金屬層42的厚度是介于IOnm 35nm間;該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)4的第三金屬層43的厚度是介于3nm 20nm間。請參閱圖3與圖4所示,圖3是說明本發(fā)明該第一較佳實施例的可靠性佳的紅外線反射鍍膜的制作方法的流程圖。圖4是圖3的步驟(c),說明本發(fā)明在實施該第一較佳實施例的制作方法時的微波與一基底、一透光基板及一第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)間的傳遞關(guān)系的局部放大圖。本發(fā)明該第一較佳實施例的可靠性佳的紅外線反射鍍膜20的制作方法,是形成于該透光基板2上。該第一較佳實施例的制作方法包含以下步驟(a)在該透光基板2上形成該緩沖層3 ;(b)在該緩沖層3上形成該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)4,該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)4自該緩沖層3朝遠(yuǎn)離該透光基板2的方向依序具有該第一金屬層41、該第二金屬層42及該第三金屬層43 ;及(c)在該步驟(b)后,將該形成有該緩沖層3及該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)4的透光基板2設(shè)置于一真空腔體91的一基底92上,以對該緩沖層3及該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)4施予微波等離子體處理,并提升該緩沖層3及該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)4的附著性。其中,該步驟(C)的基底92是由一選自下列所構(gòu)成的群組的材料所制成碳纖維、石墨及半導(dǎo)體材料。 適用于本發(fā)明的半導(dǎo)體材料是硅。由于碳纖維、石墨及硅等材料具有高的熱傳系數(shù)(thermal conductivity);此外,此些材料對于微波MW的吸收性(absorptivity)佳。因此,可以迅速將微波MW轉(zhuǎn)化成高溫的熱能H。本發(fā)明該第一較佳實施例的制作方法主要是借由碳纖維、石墨及半導(dǎo)體材料具備有迅速吸收微波MW以將所吸收的微波MW轉(zhuǎn)換成熱能H,及迅速地分散并傳遞熱能H等特質(zhì),以使微波MW迅速地被該基底92所吸收并轉(zhuǎn)換成熱能H,且由該基底92迅速地分散以傳遞熱能H至該透光基板2上的緩沖層3與第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)4。借此,微波MW經(jīng)該基底92迅速吸收所轉(zhuǎn)換的熱能H,可為該透光基板2、該緩沖層3及該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)4三者介面(interface)間的原子(atom)提供良好的交互擴(kuò)散(interdiffusion)及快速的微波熱燒結(jié)(sintering),進(jìn)而提升其三者間的附著性。為使得微波MW得以有效地分散并傳遞至該緩沖層3及該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)4,較佳地,由俯視方向觀察時,該基底92的面積是大于或等于該透光基板2上的緩沖層3的面積,并大于或等于該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)4的面積,且該基底92的面積與該透光基板2上的緩沖層3的面積相互重疊,并與第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)4的面積相互重疊。此處需說明的是,當(dāng)工作壓力越小時(如,O. 05Torr),該真空腔體91所欲產(chǎn)生微波等離子體的時間越長(也就是說,較不易產(chǎn)生微波等離子體);相反地,當(dāng)工作壓力越大時(如,5Torr),該真空腔體91則越容易產(chǎn)生微波等離子體。此外,為避免該真空腔體91因處于常壓(atmospheric pressure)下而使該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)4產(chǎn)生氧化的問題;因此,較佳地,在實施該步驟(c)時,該真空腔體91的工作壓力是小于或等于0. 5Torr。較佳地,該步驟(C)的微波等離子體處理是經(jīng)由一電源供應(yīng)器提供一介于750W 2000W間的輸出功率。又需說明的是,電源供應(yīng)器所提供的輸出功率的大小主要是與產(chǎn)生微波等離子體的速度快慢有關(guān);換句話說,輸出功率越大,產(chǎn)生微波等離子體的速度越快;此外,由上段說明已可了解,工作壓力越低越不易產(chǎn)生微波等離子體,而工作壓力的大小主要是涉及抽氣系統(tǒng)[如,泵(pump)]的抽氣能力,因此,適用于本發(fā)明該步驟(c)的真空腔體91的工作壓力的下限值是取決于抽氣系統(tǒng)的抽氣能力,只要是可將該真空腔體91的工作壓力降低至高真空狀態(tài),皆適合實施于本發(fā)明的該步驟(C)。但是須說明的是,當(dāng)該步驟(c)的真空腔體91處于高真空狀態(tài)時,其所提供的輸出功率不是需相對提高,就是該步驟
(c)所實施的時間需相對延長,才可達(dá)到提升表面疏水性的目的。
較佳地,該步驟(c)的微波等離子體處理的等離子體源(plasma source)是氮?dú)?N2)、氬氣(Ar),或乙炔(C2H2)。經(jīng)前述說明可知,本發(fā)明該第一較佳實施例的第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)4的第三金屬層43,較佳是由一選自下列所構(gòu)成的群組的第三金屬所制成A1、AlTi合金、AlNi合金,及AlZn合金;因此,該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)4的第三金屬層43的一表面在微波等離子體處理后的一預(yù)定時間后是呈疏水性。此處需說明的是,該預(yù)定時間在本發(fā)明中的定義是30分鐘以上。請參閱圖5所示,是說明本發(fā)明可靠性佳的紅外線反射鍍膜的一第二較佳實施例的主視示意圖。本發(fā)明可靠性佳的紅外線反射鍍膜20的一第二較佳實施例,大致上是相同于該第一較佳實施例,其不同處是在于,本發(fā)明該第二較佳實施例的可靠性佳的紅外線反射鍍膜20還包含一第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)5。該第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)5夾置于該緩沖層3與該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)4間。該第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)5自該緩沖層3朝遠(yuǎn)離該透光基板2的方向依序具有一第一金屬層51及一第二金屬層52。該第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)5的第一金屬層51是由Ag所制成,該第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)5的第二金屬層52是由一選自下列所構(gòu)成 的群組的第二金屬所制成Zn、Sn、Ti、Ni、ZnSn合金、ZnTi合金、ZnNi合金、SnTi合金,及SnNi合金。此外,為有效地阻隔紅外線波段的光源并使可見光波段的光源穿透,較佳地,該第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)5的第一金屬層51的厚度是介于14nm 32nm間;該第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)5的第二金屬層52的厚度是介于44nm 60nm間。本發(fā)明該第二較佳實施例的可靠性佳的紅外線反射鍍膜20的制作方法大致上是相同于該第一較佳實施例,其不同處是在于,該第二較佳實施例的制作方法在該步驟(b)前還包含一步驟(b’ )。該步驟(b’ )是形成該夾置于該緩沖層3與該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)4間的第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)5。該第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)5自該緩沖層3朝遠(yuǎn)離該透光基板2的方向依序具有該第一金屬層51及該第二金屬層52。該第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)5的第一金屬層51與第二金屬層52的金屬材料已說明于前,故在此不再多加贅述。請參閱圖6所示,是說明本發(fā)明可靠性佳的紅外線反射鍍膜的一第三較佳實施例的主視示意圖。本發(fā)明可靠性佳的紅外線反射鍍膜20的一第三較佳實施例,大致上是相同于該第二較佳實施例,其不同處是在于,本發(fā)明該第三較佳實施例的該第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)5還具有一第三金屬層53。該第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)5的第三金屬層53夾置于該第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)5的第二金屬層52與該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)4間,且是由一選自下列所構(gòu)成的群組的第三金屬所制成Al、AlTi合金、AlNi合金,及AlZn合金。需說明的是,本發(fā)明該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)4與第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)5是經(jīng)由磁控派鍍所制成。熟悉派鍍相關(guān)技術(shù)的人員皆知,當(dāng)派鍍室(sputtering chamber)里的背景壓力(base pressure)過大時,將在濺鍍室里殘留微量的水氣及氧氣,因此,即便是所鍍制的鍍膜為純金屬膜,其純金屬膜內(nèi)也可能含有微量的氧成分。經(jīng)前述說明可知,本發(fā)明該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)4與第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)5內(nèi)是容許含有微量的氧成分。請參閱圖7所示,是說明本發(fā)明運(yùn)用該些較佳實施例的紅外線反射鍍膜以構(gòu)成一節(jié)能玻璃裝置的局部主視示意圖。本發(fā)明的節(jié)能玻璃裝置,包含一第一元件200、一第二元件6,及一間隔件7。
該第一元件200具有該透光基板2,及該形成于該透光基板2上的該些較佳實施例的可靠性佳的紅外線反射鍍膜20。該第二兀件6具有另一透光基板61,且該另一透光基板61面向該透光基板2并與該透光基板2間隔設(shè)置。該間隔件7夾置于該第一元件200與第二元件6間,并與該第一元件200及第二元件6共同界定出一封閉空間8。此外,本發(fā)明該節(jié)能玻璃裝置還包含一填置于該封閉空間8的惰性氣體。此處須說明的是,本發(fā)明的主要技術(shù)特征是在于,該紅外線反射鍍膜20的第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)4與第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)5是由金屬材料所制成,該節(jié)能玻璃裝置的封裝方式屬于此技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員所知悉的概念,并非本發(fā)明的技術(shù)重點,故在此不再多加贅述。〈具體例I (El) >本發(fā)明可靠性佳的紅外線反射鍍膜的一具體例I (El)是根據(jù)該第一較佳實施例來實施。本發(fā)明該具體例I(El)是使用一磁控濺鍍系統(tǒng)以在一透光基板上依序形成一緩沖層及一依序具有一第一金屬層、一第二金屬層及一第三金屬層的第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)?!ぴ诒景l(fā)明該具體例I (El)中,該透光基板是購自中國臺灣玻璃工業(yè)股份公司(Taiwan GlassInd. Corp.)的一般清玻璃,且該透光基板的厚度與面積分別為6mm與IOcmX IOcm ;該緩沖層、該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第一金屬層、第二金屬層與第三金屬層分別是一 Zn層、一 Ag層、一 Zn層與一 AlTi合金層,且厚度分別為20nm、28nm、20nm與15nm。進(jìn)一步地,該形成有該緩沖層及第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)的透光基板是被放置于一工作壓力為O. 5Torr的真空腔體中的一碳纖維布上,以1100W的輸出功率對該緩沖層及第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)施予50秒的氮?dú)馕⒉ǖ入x子體處理。在本發(fā)明該具體例I(El)中,該碳纖維布是購自日本東麗(TORAY)公司所產(chǎn)的型號為3K T300B Ixl平織210g/m2的碳纖維。< 具體例 2 (E2) >本發(fā)明可靠性佳的紅外線反射鍍膜的一具體例2(E2)大致上是相同于該具體例1(E1),其不同處是在于,該具體例2(E2)的一第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)的一第二金屬層及一第三金屬層的厚度分別為35nm及7nm。< 具體例 3 (E3) >本發(fā)明可靠性佳的紅外線反射鍍膜的一具體例3(E3)大致上是相同于該具體例1(E1),其不同處是在于,該具體例3(E3)的一第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)的一第一金屬層及一第二金屬層的厚度分別為18nm及10nm。< 具體例 4 (E4) >本發(fā)明可靠性佳的紅外線反射鍍膜的一具體例4(E4)大致上是相同于該具體例I (El),其不同處是在于,該具體例4(E4)的一緩沖層是一厚度IOnm的TiO2層。< 具體例 5 (E5) >本發(fā)明可靠性佳的紅外線反射鍍膜的一具體例5(E5)大致上是相同于該具體例4(E4),其不同處是在于,該具體例5(E5)的一緩沖層是一厚度IOnm的SnO2層。〈具體例6(E6)>
本發(fā)明可靠性佳的紅外線反射鍍膜的一具體例6(E6)的制作條件大致上是相同于該具體例I (El),其不同處是在于,該具體例6 (E6)是依據(jù)該第三較佳實施例來實施。在該具體例6(E6)中,該可靠性佳的紅外線反射鍍膜在一透光基板上是依序形成有一緩沖層、一依序具有一第一金屬層、一第二金屬層、一第三金屬層的第二金屬基膜層結(jié)構(gòu),及一依序具有一第一金屬層、一第二金屬層、一第三金屬層的第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)。其中,該緩沖層是一 Zn層,且厚度為20nm ;該第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第一金屬層、第二金屬層與第三金屬層分別是一 Ag層、一 Zn層與一 AlTi合金層,且厚度分別為28nm、48nm與3nm ;該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第一金屬層、第二金屬層與第三金屬層分別是一 Ag層、一 Zn層與一 AlTi合金層,且厚度分別為24nm、15nm與12nm?!淳唧w例7(E7)>本發(fā)明可靠性佳的紅外線反射鍍膜的一具體例7(E7)的制作方法大致上是相同于該具體例6 (E6),其不同處是在于,該具體例7 (E7)的是根據(jù)該第二較佳實施例來實施。在本發(fā)明該具體例7(E7)中,該可靠性佳的紅外線反射鍍膜在一透光基板上是依序形成有 一緩沖層、一依序具有一第一金屬層、一第二金屬層的第二金屬基膜層結(jié)構(gòu),及一依序具有一第一金屬層、一第二金屬層、一第三金屬層的第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)。其中,該緩沖層是一Zn層,且厚度為30nm;該第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第一金屬層與第二金屬層分別是一Ag層與一 Zn層,且厚度分別為24nm與58nm ;該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第一金屬層、第二金屬層與第三金屬層分別是一 Ag層、一 Zn層與一 AlTi合金層,且厚度分別為18nm、25nm與5nm?!淳唧w例8(E8)>本發(fā)明可靠性佳的紅外線反射鍍膜的一具體例8(E8)大致上是相同于該具體例6 (E6),其不同處是在于,該具體例8 (E8)的一緩沖層是一厚度IOnm的TiO2層;該具體例
8(ES)的一第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)的一第二金屬層的厚度為44nm;該具體例8 (ES)的一第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)的一第二與第三金屬層的厚度分別為20nm與20nm?!淳唧w例9(E9)>本發(fā)明可靠性佳的紅外線反射鍍膜的一具體例9(E9)大致上是相同于該具體例8(E8),其不同處是在于,該具體例9(E9)的一緩沖層是一厚度IOnm的SnO2層;該具體例
9(E9)的一第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)的一第二金屬層的厚度為47nm。本發(fā)明該些具體例(El E9)的各緩沖層、各金屬基膜層結(jié)構(gòu)及其對應(yīng)的厚度,簡單地匯整于下列表I.中。表I.
權(quán)利要求
1.一種可靠性佳的紅外線反射鍍膜,是形成于一個透光基板上,其特征在于,該紅外線反射鍍膜包含 一層形成于該透光基板上的緩沖層;以及 一層形成于該緩沖層上的第一金屬基膜層結(jié)構(gòu),該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)自該緩沖層朝遠(yuǎn)離該透光基板的方向依序具有一層第一金屬層、一層第二金屬層及一層第三金屬層; 其中,該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第一金屬層是由Ag所制成; 其中,該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第二金屬層是由一選自下列所構(gòu)成的群組的第二金屬所制成Zn、Sn、Ti、Ni、ZnSn合金、ZnTi合金、ZnNi合金、SnT i合金,及SnNi合金 '及 其中,該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第三金屬層是一層阻障層。
2.如權(quán)利要求I所述的可靠性佳的紅外線反射鍍膜,其特征在于該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第三金屬層是由一選自下列所構(gòu)成的群組的第三金屬所制成A1、AlTi合金、AlNi合金,及AlZn合金;該緩沖層是由一選自下列所構(gòu)成的群組的材料所制成Zn、ZnO、SnO2,及 Ti02。
3.如權(quán)利要求2所述的可靠性佳的紅外線反射鍍膜,其特征在于該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第一金屬層的厚度是介于14nm 32nm間;該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第二金屬層的厚度是介于IOnm 35nm間。
4.如權(quán)利要求3所述的可靠性佳的紅外線反射鍍膜,其特征在于其還包含一層第二金屬基膜層結(jié)構(gòu),該第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)夾置于該緩沖層與該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)間,該第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)自該緩沖層朝遠(yuǎn)離該透光基板的方向依序具有一層第一金屬層及一層第二金屬層,該第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第一金屬層是由Ag所制成,該第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第二金屬層是由一選自下列所構(gòu)成的群組的第二金屬所制成Zn、Sn、Ti、Ni、ZnSn合金、ZnTi合金、ZnNi合金、SnTi合金,及SnNi合金。
5.如權(quán)利要求4所述的可靠性佳的紅外線反射鍍膜,其特征在于該第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)還具有一層第三金屬層,該第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第三金屬層夾置于該第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第二金屬層與該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)間,且是由一選自下列所構(gòu)成的群組的第三金屬所制成Al、AlTi合金、AlNi合金,及AlZn合金。
6.如權(quán)利要求4所述的可靠性佳的紅外線反射鍍膜,其特征在于該第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第一金屬層的厚度是介于14nm 32nm間;該第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第二金屬層的厚度是介于44nm 60nm間。
7.一種節(jié)能玻璃裝置,其特征在于,其包含 一個第一元件,其具有一個透光基板,及一層形成于該透光基板上的如權(quán)利要求I 6中任一權(quán)利要求所述的可靠性佳的紅外線反射鍍膜; 一個第二元件,具有另一個透光基板,該另一個透光基板面向該透光基板并與該透光基板間隔設(shè)置;以及 一個間隔件,夾置于該第一元件與第二元件間,并與該第一元件及該第二元件共同界定出一個封閉空間。
8.如權(quán)利要求7所述的節(jié)能玻璃裝置,其特征在于其還包含一填置于該封閉空間的惰性氣體。
9.一種可靠性佳的紅外線反射鍍膜的制作方法,是形成于一個透光基板上,其特征在于,該制作方法包含以下步驟 (a)在該透光基板上形成一層緩沖層; (b)在該緩沖層上形成一層第一金屬基膜層結(jié)構(gòu),該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)自該緩沖層朝遠(yuǎn)離該透光基板的方向依序具有一層第一金屬層、一層第二金屬層及一層第三金屬層;以及 (C)在該步驟(b)后,將該形成有該緩沖層及該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)的透光基板設(shè)置于一個真空腔體的一個基底上,以對該緩沖層及該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)施予微波等離子體處理,并提升該緩沖層及該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)的附著性; 其中,該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第一金屬層是由Ag所制成; 其中,該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第二金屬層是由一選自下列所構(gòu)成的群組的第二金屬所制成Zn、Sn、Ti、Ni、ZnSn合金、ZnTi合金、ZnNi合金、SnTi合金,及SnNi合金;·· 其中,該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第三金屬層是一阻障層 '及 其中,該步驟(c)的基底是由一選自下列所構(gòu)成的群組的材料所制成碳纖維、石墨及半導(dǎo)體材料。
10.如權(quán)利要求9所述的可靠性佳的紅外線反射鍍膜的制作方法,其特征在于該基底的面積是大于或等于該透光基板上的緩沖層的面積,并大于或等于該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)的面積,且該基底的面積與該透光基板上的緩沖層的面積相互重疊,并與該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)的面積相互重疊。
11.如權(quán)利要求9所述的可靠性佳的紅外線反射鍍膜的制作方法,其特征在于在實施該步驟(c)時,該真空腔體的工作壓力是小于或等于O. 5托。
12.如權(quán)利要求11所述的可靠性佳的紅外線反射鍍膜的制作方法,其特征在于該步驟(c)的微波等離子體處理是經(jīng)由一個電源供應(yīng)器提供一介于750W 2000W間的輸出功率。
13.如權(quán)利要求9所述的可靠性佳的紅外線反射鍍膜的制作方法,其特征在于該半導(dǎo)體材料是娃。
14.如權(quán)利要求9所述的可靠性佳的紅外線反射鍍膜的制作方法,其特征在于該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第三金屬層是由一選自下列所構(gòu)成的群組的第三金屬所制成A1、AlTi合金、AlNi合金,及AlZn合金,且該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第三金屬層的一表面在微波等離子體處理后的一預(yù)定時間后是呈疏水性;該緩沖層是由一選自下列所構(gòu)成的群組的材料所制成:Zn、ZnO、SmO2,及 Ti02。
15.如權(quán)利要求14所述的可靠性佳的紅外線反射鍍膜的制作方法,其特征在于該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第一金屬層的厚度是介于14nm 32nm間;該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第二金屬層的厚度是介于IOnm 35nm間。
16.如權(quán)利要求15所述的可靠性佳的紅外線反射鍍膜的制作方法,其特征在于在該步驟(b)前還包含一步驟(b’),該步驟(b’ )是形成一層夾置于該緩沖層與該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)間的第二金屬基膜層結(jié)構(gòu),該第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)自該緩沖層朝遠(yuǎn)離該透光基板的方向依序具有一層第一金屬層及一層第二金屬層,該第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第一金屬層是由Ag所制成,該第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第二金屬層是由一選自下列所構(gòu)成的群組的第二金屬所制成Zn、Sn、Ti、Ni、ZnSn合金、ZnTi合金、ZnNi合金、SnTi合金,及SnNi合金。
17.如權(quán)利要求16所述的可靠性佳的紅外線反射鍍膜的制作方法,其特征在于該第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)還具有一層第三金屬層,該第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第三金屬層夾置于該第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第二金屬層與該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)間,且是由一選自下列所構(gòu)成的群組的第三金屬所制成A1、AlTi合金、AlNi合金,及AlZn合金。
18.如權(quán)利要16所述的可靠性佳的紅外線反射鍍膜的制作方法,其特征在于該第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第一金屬層的厚度是介于14nm 32nm間;該第二金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第二金屬層的厚度是介于44nm 60nm間。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種可靠性佳的紅外線反射鍍膜、節(jié)能玻璃裝置及其鍍膜的制作方法。該可靠性佳的紅外線反射鍍膜,是形成于一透光基板上。該紅外線反射鍍膜包含一形成于該透光基板上的緩沖層,及一形成于該緩沖層上的第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)。該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)自該緩沖層朝遠(yuǎn)離該透光基板的方向依序具有一第一金屬層、一第二金屬層及一第三金屬層。該第一金屬層是由Ag所制成;該第二金屬層是由一選自下列所構(gòu)成的群組的第二金屬所制成Zn、Sn、Ti、Ni、ZnSn合金、ZnTi合金、ZnNi合金、SnTi合金及SnNi合金。該第一金屬基膜層結(jié)構(gòu)的第三金屬層是一阻障層。本發(fā)明也提供了一種節(jié)能玻璃裝置及前述鍍膜的制作方法。
文檔編號C03C17/36GK102910836SQ20111023038
公開日2013年2月6日 申請日期2011年8月5日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月5日
發(fā)明者林寬鋸, 許純淵 申請人:林寬鋸