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      在玻璃基板表面形成壓應力層圖案的方法及依該方法制成玻璃基板的制作方法

      文檔序號:1852871閱讀:326來源:國知局
      專利名稱:在玻璃基板表面形成壓應力層圖案的方法及依該方法制成玻璃基板的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種在玻璃基板表面形成壓應力層圖案的方法及依該方法制成的玻璃基板,尤指一種以化學離子強化手段在設(shè)有預定圖案屏蔽的玻璃基板表面形成壓應力層圖案,使該玻璃基板表面具有經(jīng)強化的局部區(qū)域及非強化的局部區(qū)域。
      背景技術(shù)
      現(xiàn)有的玻璃強化方式主要有兩種,一種是熱強化方式,另一種是化學離子強化方式;其中,熱強化方式是將玻璃片加熱到大于玻璃應變點但在玻璃軟化點以下的溫度迅速冷卻到璃應變點以下的溫度,在玻璃表面產(chǎn)生壓應力層,以增加玻璃抗性;至于化學離子強化,其將待強化的玻璃片(例如鈉玻璃)浸浴在熔融的玻璃強化液(例如鉀鹽)中,使強化液中的大型離子(例如K+,鉀離子)取代玻璃片上小型離子(例如Na+,鈉離子),由于這種置換作用,將其抵抗拉應力的壓應力層預先置入玻璃表面,實現(xiàn)了玻璃強化的目的。
      目前無論是哪一種玻璃強化方式,都是對玻璃板的”全部表面”進行強化加工,甚包含無實益或不需要的玻璃板表面部分。但因強化玻璃板體內(nèi)的壓應力會使切割或分裂的加工更加困難,尤其使用機械刀具來切割強化層深度超過約20微米、壓縮應力大于約 400MPa的強化玻璃時,通常會造成無法控制的裂隙傳播,導致玻璃的碎裂,而且即使玻璃板體被順利分割,也可能會產(chǎn)生很差的邊緣質(zhì)量,特別是在較厚玻璃片。
      誠如前述,經(jīng)強化后的玻璃會使加工性變差,所以對玻璃板的切割、鉆孔或打磨等相關(guān)的加工大多必須在強化處理前事先進行,否則經(jīng)強化后的玻璃板將難以再進行加工; 這結(jié)果已嚴重限縮了強化玻璃板在各式面板制程方面的應用,例如在面板制作時只能采用個別單元逐一生產(chǎn)方式,即,預先將玻璃基板切割成個別單元所需尺寸規(guī)格的小片料,然后再分別對該等已分割的小片料各別實施配置所需的電路等面板生產(chǎn)制程;但因面板制程具有精密性及繁復性,所以前述個別單元逐一生產(chǎn)面板的方式其生產(chǎn)效率低,且因玻璃基板被分割成小尺寸的片料,導致在面板制程中的對位操作愈形困難,這結(jié)果不僅形成生產(chǎn)技術(shù)上的瓶頸,更造成使產(chǎn)品不良率高居不下的缺點。發(fā)明內(nèi)容
      本發(fā)明提供一種可在玻璃基板表面形成壓應力層圖案的方法,其主要是利用在玻璃基板表面形成預定圖案的屏蔽,再對玻璃基板進行化學離子強化制程,以在玻璃基板表面形成壓應力層圖案。
      為了達成上述目的,本發(fā)明所提供的在玻璃基板表面形成壓應力層圖案的方法, 其步驟如下(I)提供一玻璃基板,其上、下表面至少之一為平坦面,而該平坦面的另一對應表面可為平坦面或非平坦面,最好,板體厚度小于5_ ; (2)在玻璃基板表面形成預定圖案的屏蔽,該預定圖案具有多個鏤空區(qū)域及遮蔽區(qū)域;(3)對玻璃基板進行化學離子強化制程,將前述設(shè)有屏蔽的玻璃基板浸 潰在充滿熔態(tài)強化液的鹽浴池中來進行離子交換處理,使玻璃基板表面層的離子被具有同價或氧化狀態(tài)的大型離子取代或交換,在該玻璃基板的未受屏蔽遮蔽區(qū)域的表面形成壓應力層;以及(4)去除玻璃基板表面的屏蔽,以獲得一表面具有所欲的壓應力層圖案的玻璃基板。
      特別是,前述屏蔽是使用具備耐酸蝕性以及可耐高溫380°C以上的合成橡膠材料所制成的,所述的合成橡膠材料選自于娃膠(Silicone)、多硫化物(polysulfide)等,但實施的材料范圍不以前述材料為限;該屏蔽的設(shè)置方式可使用熔融的合成橡膠材料以模板印刷法、狹縫式涂布法或是毛細管涂布法等技術(shù)手段布設(shè)到玻璃基板表面,也可使用由合成橡膠材料制成的薄膜以覆貼等技術(shù)手段,在該玻璃基板表面形成屏蔽圖案,但屏蔽的設(shè)置方式并不以上述設(shè)置手段為限;設(shè)置在玻璃基板表面形成屏蔽圖案可經(jīng)由加熱烘烤的方式,促進屏蔽的定型及增進在基板表面的附著力。
      特別是,該玻璃基板材料可選用鈉鈣硅酸鹽玻璃,當然實施的材料范圍并不以此為限,例如其他各種堿金屬鋁硅酸鹽玻璃也可適用。而前述強化液系選自于硝酸鹽、硫酸鹽或大型堿金屬離子的氯化物的溶液之一或其混合物,但實施的材料范圍不以前述溶液為限;例如為對前述的鈉鈣硅酸鹽玻璃進行化學離子強化制程,該強化液可采用硝酸鉀 (KNO3)溶液。
      在一可行實施例中,該玻璃基板在上、下表面分別具一均勻壓應力層,令該均勻壓應力層的壓應力層深度范圍約在20 μ m以下。
      本發(fā)明也提供一種表面具壓應力層圖案的玻璃基板,可在玻璃基板表面形成預設(shè)的強化面及非強化面之局部區(qū)域,因此在該玻璃基板表面的強化面局部區(qū)域可增加玻璃抗性,促進抵擋碎裂和刮痕的效能,而在非強化面之局部區(qū)域則可保持加工性,使玻璃基板便于進行切割、分裂或研磨等加工。
      根據(jù)本發(fā)明,該表面具壓應力層圖案的玻璃基板可由本發(fā)明的前述方法制成;其于玻璃基板上的至少一表面具有壓應力層圖案,該圖案(pattern)可在該表面界定出多個具備不同壓應力的局部區(qū)域,在一可行實施例中,該壓應力層圖案具有若干個高壓應力區(qū)域由低壓應力區(qū)域予分隔開來,而高壓應力區(qū)域與低壓應力區(qū)域之間的壓應力差異值在IOOMPa以上,或是壓應力層深度差異值在5μπι以上;其中,該低壓應力區(qū)域的壓應力值在400MPa以下,最好是等于或趨近OMPa,該高壓應力區(qū)域的壓應力值范圍約在IOOMPa到 800Mpa,或是令該低壓應力區(qū)域的壓應力層深度范圍約O到20 μ m,而該高壓應力區(qū)域的壓應力層深度范圍約5 μ m到90 μ m ;因此本發(fā)明的玻璃基板在高壓應力區(qū)域形成高強度的局部區(qū)域可供制作各式面板的透明基板或蓋板,而在該等低壓應力區(qū)域則仍可保持優(yōu)良的加工性,使玻璃基板即使經(jīng)強化處理后,仍可由對玻璃基板的低壓應力區(qū)域進行切割、分裂或研磨等加工,據(jù)此可克服現(xiàn)有強化玻璃板應用在面板制程方面的限制,達提升生產(chǎn)效率及質(zhì)量良率的目的。
      前述玻璃基板的上、下表面至少之一為平坦面,而該平坦面的另一對應表面可為平坦面或非平坦面,例如是凸面、凹面或凸凹面等,理想的玻璃基板是選用一平板玻璃,且其板體厚度小于5_ ;該玻璃基板材料是選自于鈉鈣硅酸鹽玻璃、鋁硅酸鹽玻璃等,但實施的材料范圍不以前述材料為限。
      在通常的實施態(tài)樣 中,該玻璃基板于設(shè)有壓應力層圖案的表面的相對應表面上設(shè)有一均勻壓應力層,以避免玻璃基板的二表面之間的壓應力差異過大產(chǎn)生翹曲變形,而該均勻壓應力層約略與前述低壓應力區(qū)域相同,其壓應力層深度范圍約在20μπι以下。
      在本發(fā)明的另一可行實施例中,該玻璃基板的上、下表面可分別設(shè)有壓應力層圖案,其中,在該上、下表面的壓應力層圖案系可選擇的呈彼此對應或不對應地設(shè)置。


      圖1系本發(fā)明之玻璃基板與屏蔽分離狀態(tài)的立體示意圖2系本發(fā)明之玻璃基板與屏蔽組合的立體示意圖3系本發(fā)明之玻璃基板設(shè)置在鹽浴池的正面圖,顯示在化學離子強化制程中該夾持裝置及往復式運動機構(gòu)的運作示意圖4系本發(fā)明之鹽浴池的側(cè)面剖視示意圖5為本發(fā)明之一種玻璃基板成品之立體圖6為本發(fā)明之一種玻璃基板成品之側(cè)視剖面圖7為本發(fā)明另一種玻璃基板成品之側(cè)視剖面圖8為本發(fā)明再一種玻璃基板成品之立體圖;以及
      圖9為本發(fā)明再一種玻璃基板成品之側(cè)視剖面圖。
      圖中
      I,玻璃基板;
      12、12’,高壓應力區(qū)域;
      13、13’,低壓應力區(qū)域;
      14, 均勻壓應力層;
      2,屏蔽;
      21,鏤空區(qū)域;
      22,遮蔽區(qū)域;
      61,夾持裝置;
      62,鹽浴池;
      63,強化液;
      64,循環(huán)過濾器;
      65,往復式運動機構(gòu);
      F、F’,壓應力層圖案;具體實施方式
      有關(guān)本發(fā)明的前述及其他技術(shù)內(nèi)容、特點與功效,在以下配合參考圖式的實施例的詳細說明中,將可清楚的呈現(xiàn)。本發(fā)明實施例提供的在玻璃基板表面形成壓應力層圖案的方法之流程步驟如下
      首先,取一玻璃基板1,該玻璃基板上具有較大面積的上表面或下表面;玻璃基板不一定要是平面的,但至少在上、下表面之一為平坦面,而該平坦面的另一對應表面可為平坦面或非平坦面,例如是凸面、凹面或凸凹面等。在這個實施例中,該玻璃基板材料是采用鈉鈣硅酸鹽玻璃,其板體厚度約為Imm(毫米)、且其上、下表面均為平坦面的素玻璃板。
      然后,如圖1、圖2所示,在玻璃基板I的上表面設(shè)置屏蔽2,該屏蔽具有預定圖案,該圖案由多個鏤空區(qū)域21及遮蔽區(qū)域22共同構(gòu)成;該屏蔽的遮蔽區(qū)域22部位可緊密附著于該玻璃基板的表面;該屏蔽采用具備耐酸蝕特性且可耐高溫約380°C以上的硅膠材料, 其利用模板印刷的技術(shù)手段將熔融的硅膠印刷在玻璃基板I表面以形成屏蔽圖案。將硅膠材料設(shè)置到玻璃基板表面后,最好,再將玻璃基板I置入于熱風烤箱中進行低溫烘烤,然后徐徐降溫至常溫(約25°C左右),以促進該屏蔽的定型,并以增加該屏蔽2在基板表面的附著力。
      接續(xù)前述屏蔽設(shè)置制程之后,對該玻璃基板I進行化學離子強化制程;請參閱圖3、圖4所示,該玻璃基板I被鎖固安裝在一夾持裝置61上,使玻璃基板I的板體上、下面呈敞露狀態(tài),該夾持裝置系呈可升降位移的設(shè)置在一鹽浴池62上方,該鹽浴池內(nèi)盛裝有溫度范圍約380°C到450°C的熔態(tài)強化液63,且令該鹽浴池內(nèi)的強化液63容量在制程中均應保持在一特定的液面高度,且該高度至少要能讓該欲化學離子強化加工的玻璃基板可完全被浸潰在該強化液內(nèi);在這個實施例中,為對前述的鈉鈣硅酸鹽玻璃進行化學離子強化制程, 該強化液是采用硝酸鉀(KNO3)溶液。最好,在該鹽浴池中設(shè)一循環(huán)過濾器64,以便在制程中可將混雜在強化液中的殘屑和塵粒濾除,并利用此循環(huán)過程產(chǎn)生攪拌效應,以增進強化液的均勻度;以及,該夾持裝置61可樞接于一組往復式運動機構(gòu)65,使該夾持裝置可做上、 下、左、右方位的往復式位移;進行化學離子強化制程時,該挾持裝置61將玻璃基板I挾持固定并以略呈垂直矗立態(tài)樣浸沒入鹽浴池62內(nèi)的強化液63中,同時利用該往復式運動機構(gòu)65驅(qū)動該夾持裝置61,使該玻璃基板在強化液63中以順沿其板面的平行方向作上、下及(或)左、右方位的往復式位移,據(jù)此促進化學離子強化作用的均勻度,并提升加工的效率。
      在化學離子強化制程中,在玻璃基板I上的屏蔽的鏤空區(qū)域21的表面將會與強化液63之間進行離子交換處理,使玻璃表面層的鈉離子(Na+)被強化液中同價的鉀離子(K+) 取代,由強化液中的大型離子(鉀離子,K+)取代玻璃基板上小型離子(鈉離子,Na+),因此在前述鏤空區(qū)域21的玻璃基板表面形成壓應力層,達成玻璃強化的目的,而于遮蔽區(qū)域22 的玻璃基板表面因未進行離子交換處理,不會表面形成壓應力層,所以仍然保持原有的可加工性。
      通常玻璃基板浸潰在強化液中的時間從約O. 5小時到約7小時。離子交換處理產(chǎn)生的強化玻璃,其壓應力層深度的深度范圍從約1(^111(微米)到50 μ m,壓應力范圍約從 200MPa 到 800MPa。
      熟悉此項技術(shù)的人知道,離子交換處理的參數(shù)包括但不限定如上述的鹽浴池的成分和溫度,浸潰時間,鹽浴池中浸潰玻璃的個數(shù),多個鹽浴池的使用,譬如退火的額外步驟, 沖洗等,這些通??筛鶕?jù)玻璃的成分和所需要壓應力層的深度、表面的壓應力數(shù)值等因素, 作為強化作業(yè)參數(shù)的設(shè)定。
      最后,再進行剝膜加工制程以將玻璃基板I上的屏蔽2剝除,使玻璃基板表面上的壓應力圖案呈現(xiàn)出來;其實施方式略對該玻璃基板表面上設(shè)置屏蔽2的部位進行噴灑剝膜劑或輕量拋磨,使屏蔽可順利地由玻璃基板表面被剝離去除,再以洗滌液(例如清水)對該玻璃基板施予清洗。
      經(jīng)過完成前述各加工步驟,即可在玻璃基板的表面形成所欲的壓應力層圖案 F (如圖5所示),使設(shè)置壓應力層圖案的局部區(qū)域表面增加玻璃 抗性,促進抵擋碎裂和刮痕的效能,而其他的局部區(qū)域表面則仍保持優(yōu)良的加工性,使玻璃基板便于進行切割、分裂或研磨等加工。特別是,當玻璃基板的板體厚度在5mm以下時,最能彰顯本發(fā)明的特色與優(yōu)
      另外,上述本發(fā)明實施例中,該玻璃基板I除了選用素玻璃板外,也可采用一經(jīng)預先強化處理的玻璃基板,使其在板體的上、下表面分別形成一均勻的壓應力層,而該均勻壓應力層的壓應力層深度范圍約在20 μ m以下;另外,當該屏蔽2設(shè)置在玻璃基板I的上表面時,可在玻璃基板的下表面設(shè)置一密封屏蔽,將該下表面全部遮蔽;也可在玻璃基板的下表面可不設(shè)置屏蔽,使下表面呈敞露的狀態(tài),以便在化學離子強化制程中,該敞露的下表面會與強化液63進行離子交換處理,并獲得一具備均勻壓應力層的玻璃表面。除此之外,在本發(fā)明的其他應用方式,可對具有同一屏蔽的玻璃基板進行一次以上的化學離子強化制程, 也可對一玻璃基板進行多次前述化學離子強化制程但每次都配置不同屏蔽,以便在玻璃基板上形成所需的壓應力圖案。
      再請參閱圖5、圖6所示,依據(jù)本發(fā)明前述方法所制成的玻璃基板,在一實施例中, 該玻璃基板I是在上表面形成壓應力層圖案F,該壓應力層圖案中包含若干高壓應力區(qū)域 12與低壓應力區(qū)域13,低壓應力區(qū)域13將該等高壓應力區(qū)域12彼此之間分隔設(shè)置;因此該壓應力層圖F可在該玻璃基板I的表面上界定出具備可抵擋碎裂和刮痕的高壓應力區(qū)域12(即,強化區(qū)域),以及具備切割、分裂和研磨加工性的低壓應力區(qū)域13(即,非強化或低強化區(qū)域)。理想的,在該玻璃基板表面的低壓應力區(qū)域13,其壓應力層深度范圍約O到 20 μ m(微米)以下,壓應力值在400MPa以下,而該高壓應力區(qū)域12的壓應力層深度范圍從約5 μ m到90 μ m,壓應力范圍約在IOOMPa到800MPa。特別是,該玻璃基板的壓應力層圖案 F的表面被區(qū)分成高、低壓應力區(qū)域12、13,但在表面上任意二相鄰的區(qū)域之間的壓應力差異值在IOOMPa以上,或是壓應力層深度差異值在5 μ m以上。
      不同于現(xiàn)有強化玻璃的應用方式,本發(fā)明的玻璃基板可以預先進行玻璃強化制程,也不會減損其切割、分裂和研磨等加工性;例如本發(fā)明的玻璃基板可應用在各式面板的生產(chǎn)制造,將面板結(jié)構(gòu)的相關(guān)電路及組件制作在該等高壓應力區(qū)域12內(nèi)的表面上,然后利用對低壓應力區(qū)域13進行切割、分裂和研磨等后加工,以克服現(xiàn)有強化玻璃板應用在面板制程方面的限制,并達提升生產(chǎn)效率及質(zhì)量良率的目的。
      在前述實施例中,該玻璃基板的上表面具有壓應力層圖案F,而與其相對應的下表面也可設(shè)置一均勻壓應力層14(詳如圖7所示),以防玻璃板體表面壓應力差異過大產(chǎn)生翹曲變形,通常該均勻壓應力層14約略與前述低壓應力區(qū)域13相同,其壓應力層深度范圍約在20μπι以下。
      圖8、圖9中顯示本發(fā)明的另一實施例,該玻璃基板在上、下表面均設(shè)有壓應力層圖案F、F’,且該等上、下表面的壓應力層圖案呈彼此對應設(shè)置,即在玻璃基板上表面的高壓應力區(qū)域12與下表面的高壓應力區(qū)域12’位置對應,而在玻璃基板上表面的低壓應力區(qū)域13與下表面的低壓應力區(qū)域13’位置對應;因此除可保持玻璃板體上下表面的壓應力平衡、避免產(chǎn)生翹曲變形之外,在該玻璃基板的高壓應力區(qū)域表面可倍增玻璃抗性,而其他的低壓應力區(qū)域表面則仍可保持優(yōu)良的切割加工性。
      本發(fā)明并非局限于以上所述形式,很明顯參考上述說明后,能有更多技術(shù)均等性的改良與變化;是以,舉凡熟悉本案技藝的人士,有在相同的創(chuàng)作精神下所作有關(guān)本發(fā)明的任何修飾或變更,皆仍應包括 在本發(fā)明意圖保護的范疇。
      權(quán)利要求
      1.一種在玻璃基板表面形成壓應力層圖案的方法,其特征在于包括以下步驟a.提供一玻璃基板;b.在玻璃基板表面形成預定圖案的屏蔽,該預定圖案具有多個鏤空區(qū)域及遮蔽區(qū)域;c.對玻璃基板進行化學離子強化制程,將前述設(shè)有屏蔽的玻璃基板浸潰在充滿熔態(tài)強化液的鹽浴池中來進行離子交換處理,使玻璃基板表面層的離子被具有同價或氧化狀態(tài)的大型離子取代或交換,在該玻璃基板的未受屏蔽遮蔽區(qū)域的表面形成壓應力層;以及d.去除玻璃基板表面的屏蔽,以獲得一表面具有所欲的壓應力層圖案的玻璃基板。
      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在玻璃基板表面形成壓應力層圖案的方法,其特征在于其中,該玻璃基板的材料是選自于鈉鈣硅酸鹽玻璃、鋁硅酸鹽玻璃其中之一。
      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在玻璃基板表面形成壓應力層圖案的方法,其特征在于其中,該玻璃基板的上、下表面至少之一為平坦面,而該平坦面的另一對應表面可為平坦面或非平坦面。
      4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的在玻璃基板表面形成壓應力層圖案的方法,其特征在于其中,該玻璃基板的板體厚度小于5_。
      5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在玻璃基板表面形成壓應力層圖案的方法,其特征在于其中,該玻璃基板在上、下表面分別具一均勻壓應力層,令該均勻壓應力層的壓應力層深度范圍約在20 μ m以下。
      6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在玻璃基板表面形成壓應力層圖案的方法,其特征在于其中,該屏蔽是使用具備耐酸蝕性以及可耐高溫380°C以上的合成橡膠材料。
      7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的在玻璃基板表面形成壓應力層圖案的方法,其特征在于其中,該合成橡膠材料為硅膠。
      8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的在玻璃基板表面形成壓應力層圖案的方法,其特征在于其中,該硅膠以模板印刷手段設(shè)置到該玻璃基板表面以形成屏蔽。
      9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在玻璃基板表面形成壓應力層圖案的方法,其特征在于其中,該強化液選自于硝酸鹽、硫酸鹽或大型堿金屬離子的氯化物溶液其中之一或其混合物。
      10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的在玻璃基板表面形成壓應力層圖案的方法,其特征在于其中,該強化液為硝酸鉀溶液。
      11.一種表面具壓應力層圖案的玻璃基板,其特征在于于玻璃基板的至少一表面具有壓應力層圖案,而該圖案可在該表面界定出多個具備不同壓應力的局部區(qū)域,其包含若干高壓應力區(qū)域與低壓應力區(qū)域,由低壓應力區(qū)域而將該等高壓應力區(qū)域彼此之間分隔設(shè)置,并令高壓應力區(qū)域與低壓應力區(qū)域之間的壓應力差異值在IOOMPa以上。
      12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的表面具壓應力層圖案的玻璃基板,其特征在于其中,該低壓應力區(qū)域的壓應力值在400MPa以下。
      13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的表面具壓應力層圖案的玻璃基板,其特征在于其中,該高壓應力區(qū)域的壓應力值范圍約在IOOMPa到800MPa。
      14.一種表面具壓應力層圖案的玻璃基板,其特征在于于玻璃基板的至少一表面具有壓應力層圖案,而該圖案可在該表面界定出多個具備不同壓應力的局部區(qū)域,其包含若干高壓應力區(qū)域與低壓應力區(qū)域,由低壓應力區(qū)域而將該等高壓應力區(qū)域彼此之間分隔設(shè)置,令高壓應力區(qū)域與低壓應力區(qū)域分別具有不同的壓應力層深度,且高壓應力區(qū)域與低壓應力區(qū)域之間的壓應力層深度差異值在5 μ m以上。
      15.根據(jù)權(quán)利要求14表面具壓應力層圖案的玻璃基板,其特征在于其中,該低壓應力區(qū)域的壓應力層深度范圍約O到20 μ m以下。
      16.根據(jù)權(quán)利要求14表面具壓應力層圖案的玻璃基板,其特征在于其中,該高壓應力區(qū)域的壓應力層深度范圍約5 μ m到90 μ m。
      17.根據(jù)權(quán)利要求11或14表面具壓應力層圖案的玻璃基板,其特征在于其中,前述玻璃基板的上、下表面至少之一為平坦面,而該平坦面的另一對應表面可為平坦面或非平坦面。
      18.根據(jù)權(quán)利要求17表面具壓應力層圖案的玻璃基板,其特征在于其中,該玻璃基板的上、下表面均為平坦面,且其板體厚度小于5mm。
      19.根據(jù)權(quán)利要求11或14表面具壓應力層圖案的玻璃基板,其特征在于其中,該玻璃基板材料是選自于鈉韓娃酸鹽玻璃、招娃酸鹽玻璃其中之一。
      20.根據(jù)權(quán)利要求11或14表面具壓應力層圖案的玻璃基板,其特征在于其中,還包含一均勻壓應力層被設(shè)置在前述玻璃基板設(shè)有壓應力層圖案的表面的相對應表面上。
      21.根據(jù)權(quán)利要求20表面具壓應力層圖案的玻璃基板,其特征在于其中,該均勻壓應力層的壓應力層深度范圍約在20 μ m以下。
      22.根據(jù)權(quán)利要求11或14表面具壓應力層圖案的玻璃基板,其特征在于其中,還包含在該玻璃基板的上、下表面分別設(shè)有壓應力層圖案。
      23.根據(jù)權(quán)利要求22表面具壓應力層圖案的玻璃基板,其特征在于其中,前述上、下表面的壓應力層圖案呈彼此對應地設(shè)置。
      全文摘要
      一種可在玻璃基板表面形成壓應力層圖案的方法,包括在玻璃基板表面形成預定圖案的屏蔽,該預定圖案具有復數(shù)鏤空區(qū)域及遮蔽區(qū)域,再對玻璃基板進行化學離子強化制程,于該玻璃基板的未受屏蔽遮蔽區(qū)域的表面形成壓應力層,據(jù)此制成一表面具壓應力層圖案的玻璃基板;特別是,該玻璃基板的至少一表面設(shè)有壓應力層圖案,該圖案可在該表面界定出多個具備不同壓應力的局部區(qū)域,其包含若干高壓應力區(qū)域與低壓應力區(qū)域,該玻璃基板的高壓應力區(qū)域可增加玻璃抗性,促進抵擋碎裂和刮痕的效能,而在低壓應力區(qū)域則可保持加工性,使玻璃基板便于進行切割、分裂或研磨等加工。
      文檔編號C03C21/00GK103058506SQ20111032127
      公開日2013年4月24日 申請日期2011年10月20日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月20日
      發(fā)明者梁乃悅 申請人:雅士晶業(yè)股份有限公司
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