專(zhuān)利名稱：一種磁控濺射可鋼化雙銀low-e 玻璃及制備該玻璃的方法
一種磁控濺射可鋼化雙銀LOW-E玻璃及制備該玻璃的方法技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種磁控濺射可鋼化雙銀LOW-E玻璃，本發(fā)明還涉及一種磁控濺射法制備可鋼化雙銀LOW-E玻璃的方法。背景技術(shù)：
玻璃是在當(dāng)代的生產(chǎn)和生活中扮演著重要角色，建筑物的門(mén)窗汽車(chē)車(chē)窗和擋風(fēng)玻璃等等許多地方都用到玻璃，給生產(chǎn)和生活帶來(lái)了很多的方便。但是現(xiàn)有的鍍膜玻璃的鍍膜層與玻璃基材的結(jié)合力弱、鍍膜層疏松、不均勻。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的是克服了現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種透過(guò)率高，鍍膜層與玻璃基材的結(jié)合力強(qiáng)、鍍膜層致密、均勻的磁控濺射可鋼化雙銀LOW-E玻璃，本發(fā)明還提供一種磁控濺射法制備可鋼化雙銀LOW-E玻璃的方法。
本發(fā)明是通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)的
一種磁控濺射可鋼化雙銀LOW-E玻璃，包括有玻璃基片1，其特征在于在玻璃基片的復(fù)合面上由內(nèi)到外依次相鄰地磁控濺射有十三個(gè)膜層，其中第一膜層即最內(nèi)層為SW2 層21，第二層為T(mén)iA層22，第三層為CrNx層23，第四層為ZnO層M，第五層為Ag層25，第六層為NiCrOy層沈，第七層為T(mén)W2層27，第八層為SiSn3O4層觀，第九層為ZnO層四，第十層為Ag層210，第i^一層為NiCrOy層211，第十二層為T(mén)iO2層212，最外層為Si3N4Oy層 213。
如上所述的磁控濺射可鋼化雙銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第一膜層SW2層21 的厚度為23 27nm，第二層TW2層22的厚度為觀 32nm，第三層CrNx層23的厚度為 1. 5 3nm，第四層ZnO層M的厚度為8 12nm，第五層Ag層25的厚度為8 12nm，第六層NiCrOy層沈的厚度為1. 5 3nm，第七層TW2層27的厚度為觀 32nm，第八層SiSn3O4 層觀的厚度為58 62nm，第九層ZnO層四的厚度為8 12nm，第十層Ag層210的厚度為8 12nm，第i^一層NiCrOy層211的厚度為1. 5 3nm，第十二層TiO2層212的厚度為 18 22nm，最外層Si3N4Oy層213的厚度為28 32nm。
一種磁控濺射法制備上述的可鋼化雙銀LOW-E玻璃的方法，其特征在于包括如下步驟
(1)磁控濺射S^2層，用交流中頻電源、氮?dú)庾鞣磻?yīng)氣體濺射半導(dǎo)體材料重量比 Si Al (90 98 2 10)；
(2)磁控濺射Ti02層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶；
(3)磁控濺射CrNx層，用氮?dú)庾龇磻?yīng)氣體，用直流電源濺射；
(4)磁控濺射ZnO層，平滑CrNx層，用中頻交流電源濺射陶瓷Si靶，為Ag層作鋪墊；
(5)磁控濺射Ag層，交流電源濺射；
(6)磁控濺射N(xiāo)iCrOy層，用氮?dú)庾龇磻?yīng)氣體，滲少量氧氣，用直流電源濺射；
(7)磁控濺射Ti02層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶；
(8)磁控濺射aiSn304層，用中頻交流電流濺射SiSn重量比(Zn Sn = 48 52 48 5 ；
(9)磁控濺射ZnO層，平滑CrNx層，用中頻交流電源濺射陶瓷Si靶，為Ag層作鋪墊；
(10)磁控濺射^Vg層，交流電源濺射；
(11)磁控濺射N(xiāo)iCrOy層，用氮?dú)庾龇磻?yīng)氣體，滲少量氧氣，用直流電源濺射；
(12)磁控濺射Ti02層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶；
(13)磁控濺射Si3N40y層，氮?dú)庾鞣磻?yīng)氣體、用交流中頻電源濺射半導(dǎo)體材料重量比 Si Al (90 98 2 10)。
如上所述的方法，其特征在于所述第一膜層SiA層21的厚度為23 27nm，第二層 TiO2層22的厚度為觀 32nm，第三層CrNx層23的厚度為1. 5 3nm，第四層ZnO層M的厚度為8 12nm，第五層Ag層25的厚度為8 12nm，第六層NiCrOy層沈的厚度為1. 5 3nm，第七層TW2層27的厚度為觀 32nm，第八層SiSn3O4層觀的厚度為58 62nm，第八層ZnO層四的厚度為8 12nm，第十層Ag層210的厚度為8 12nm，第—^一層NiCrOy層 211的厚度為1.5 3nm，第十二層TiO2層212的厚度為18 22nm，最外層Si3N4Oy層213 的厚度為觀 32nm。
與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明有如下優(yōu)點(diǎn)
1、本發(fā)明采用磁控濺射法將鍍膜層濺射在玻璃基材上，鍍膜層
2、本玻璃利用TiO2膜的高折射率，使鍍膜玻璃顏色呈中性，使之具有較高的可見(jiàn)光透過(guò)率，本玻璃透光率T (透過(guò)透明或半透明體的光通量與其入射光通量的百分率達(dá) 84%，輻射率< 0. 04，并利用TiO2降低銀膜的面電阻，減少銀的消耗。
3、本玻璃鋼化前后透過(guò)率偏差小于1. 5%，漂移小，ΔΕ < 1. 0，顏色偏差小，按國(guó)標(biāo)法測(cè)耐磨ΔΕ < 2. 0。

圖1是本發(fā)明結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
—種磁控濺射可鋼化雙銀LOW-E玻璃，包括有玻璃基片1，在玻璃基片的復(fù)合面上由內(nèi)到外依次相鄰地磁控濺射有十三個(gè)膜層，其中第一膜層即最內(nèi)層為SiO2層21，第二層為T(mén)W2層22，第三層為CrNx層23，第四層為ZnO層M，第五層為Ag層25，第六層為NiCrOy 層沈，第七層為T(mén)W2層27，第八層為SiSn3O4層觀，第九層為ZnO層四，第十層為Ag層210， 第—^一層為NiCrOy層211，第十二層為T(mén)iO2層212，最外層為Si3N4Oy層213。
所述第一膜層SW2層21，即二氧化硅層，通過(guò)與TiO2結(jié)合提高折射率，SiO2的厚度為 23 27nm，nm 是納米，Im = 109nm。
所述第二膜層的TW2層22，即鈦的氧化物——二氧化鈦。采用高折射率η = 2. 5的TW2是為了提高玻璃的透光率，而且玻璃呈中性顏色，使之具有較高的可見(jiàn)光透過(guò)率，并利用TiO2降低銀膜的面電阻，減少銀的消耗。TiO2膜表面非常光滑，因而改善了銀膜的導(dǎo)電率。TiO2層厚度為觀 32nm。
第三層CrNx層23，即氮化鉻層，提高耐磨性，CrNx層厚度為1. 5 3nm。CrNx厚度為 1. 5 3nm。
第四層ZnO層24，即氧化鋅層，是減反射的金屬氧化物層，同時(shí)進(jìn)一步提高銀膜的導(dǎo)電率。氧化鋅ZnO可用作助熔劑，降低玻璃的燒結(jié)溫度，用作玻璃涂料，讓可見(jiàn)光通過(guò)的同時(shí)反射紅外線，以達(dá)到保溫或隔熱的效果。ZnO層厚度為8 12nm。
所述第五層Ag層25，即金屬銀層，金屬銀層提供了較低的輻射率，起環(huán)保節(jié)能的作用；Ag層厚度為8 12nm。
第六層，即氧化鎳鉻層，氧化鎳鉻層為了進(jìn)一步保護(hù)銀膜，以避免銀膜在反應(yīng)濺射過(guò)程受到浸蝕，還要在薄的銀膜一側(cè)或兩側(cè)增加所謂的“阻擋層”，對(duì)于鍍層具有非常良好的抗化學(xué)和機(jī)械性能。NiCrOy層的厚度為1. 5 3nm。
第七層TW2層27，即鈦的氧化物——二氧化鈦。TW2層的厚度為觀 32nm。
第八層SiSn3O4層28，即氧化鋅錫層，ZnSn304的的厚度為58 62nm，
第九層ZnO層29，即氧化鋅層，是減反射的金屬氧化物層，同時(shí)進(jìn)一步提高銀膜的導(dǎo)電率。氧化鋅ZnO可用作助熔劑，降低玻璃的燒結(jié)溫度，用作玻璃涂料，讓可見(jiàn)光通過(guò)的同時(shí)反射紅外線，以達(dá)到保溫或隔熱的效果。ZnO層的厚度為8 12nm。
第十層Ag層210，即金屬銀層，金屬銀層提供了較低的輻射率，起環(huán)保節(jié)能的作用；Ag層的厚度為8 12nm。
第十一層NiCrOy層211，即氧化鎳鉻層，氧化鎳鉻層為了進(jìn)一步保護(hù)銀膜，以避免銀膜在反應(yīng)濺射過(guò)程受到浸蝕，還要在薄的銀膜一側(cè)或兩側(cè)增加所謂的“阻擋層”，對(duì)于鍍層具有非常良好的抗化學(xué)和機(jī)械性能。NiCrOy層的厚度為1. 5 3nm。
第十二層TW2層212，即鈦的氧化物——二氧化鈦，厚度為18 22nm。
最外層Si3N40y層29，即氮氧化硅層，氮氧化硅提高鋼化時(shí)抗高溫氧化性，Si3N4Oy 層厚度為觀 32nm。
一種磁控濺射法制備權(quán)上述的可鋼化雙銀LOW-E玻璃的方法，包括如下步驟
(14)磁控濺射SiO2層，用交流中頻電源、氮?dú)庾鞣磻?yīng)氣體濺射半導(dǎo)體材料 Si Al (90 98 2 10)；
(15)磁控濺射Ti02層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶；
(16)磁控濺射CrNx層，用氮?dú)庾龇磻?yīng)氣體，用直流電源濺射；
(17)磁控濺射ZnO層，平滑CrNx層，用中頻交流電源濺射陶瓷Si靴，為Ag層作鋪墊；
(18)磁控濺射Ag層，交流電源濺射；
(19)磁控濺射N(xiāo)iCrOy層，用氮?dú)庾龇磻?yīng)氣體，滲少量氧氣，用直流電源濺射；
(20)磁控濺射Ti02層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶；
磁控濺射aiSn304層，用中頻交流電流濺射SiSn (Zn Sn48 52 48 52)；
(22)磁控濺射ZnO層，平滑CrNx層，用中頻交流電源濺射陶瓷Si靶，為Ag層作鋪墊；
(23)磁控濺射Ag層，交流電源濺射；
(24)磁控濺射N(xiāo)iCrOy層，用氮?dú)庾龇磻?yīng)氣體，滲少量氧氣，用直流電源濺射；
(25)磁控濺射Ti02層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶；
(26)磁控濺射Si3N40y層，氮?dú)庾鞣磻?yīng)氣體、用交流中頻電源濺射半導(dǎo)體材料 Si Al (90 98 2 10)。
本發(fā)明的優(yōu)選方案
所述第一膜層SW2層21的厚度為25nm，第二層TW2層22的厚度為30nm，第三層 CrNx層23的厚度為2nm，第四層ZnO層M的厚度為lOnm，第五層Ag層25的厚度為10nm， 第六層NiCrOy層沈的厚度為2nm，第七層TW2層27的厚度為30nm，第八層SiSn3O4層觀的厚度為60nm，第九層ZnO層四的厚度為lOnm，第十層Ag層210的厚度為lOnm，第—^一層 NiCrOy層211的厚度為2nm，第十二層TiO2層212的厚度為20nm，最外層Si3N4Oy層213的厚度為30nm。
步驟(1)和步驟(13)中半導(dǎo)體材料的配比均為Si Al (90 10)，步驟(8)中鋅和錫配比為Zn Sn (50 50)。
Low-E玻璃也叫做低輻射鍍膜玻璃。
本發(fā)明采用磁控濺射法將鍍膜層濺射在玻璃基材上，鍍膜層與玻璃基材的結(jié)合力強(qiáng)、鍍膜層致密、均勻。本玻璃利用TiO2膜的高折射率，使鍍膜玻璃顏色呈中性，使之具有較高的可見(jiàn)光透過(guò)率，并利用TiA降低銀膜的面電阻，減少銀的消耗。本玻璃鋼化前后透過(guò)率偏差小于1. 5%，漂移小，ΔΕ < 1. 0，顏色偏差小，按國(guó)標(biāo)法測(cè)耐磨ΔΕ < 2. O。
本玻璃利用TiO2膜的高折射率，使鍍膜玻璃顏色呈中性，使之具有較高的可見(jiàn)光透過(guò)率，并利用T^2降低銀膜的面電阻，減少銀的消耗。本玻璃透光率τ(透過(guò)透明或半透明體的光通量與其入射光通量的百分率)達(dá)84% ；本玻璃輻射率< 0. 04，輻射率是某物體的雙位面積輻射的熱量同雙位面積黑體在相同溫度、相同條件下輻射熱量之比。輻射率定義是某物體吸收或反射熱量的能力。玻璃的輻射率越接近于零，其絕熱性能就越好。
權(quán)利要求
1.一種磁控濺射可鋼化雙銀LOW-E玻璃，包括有玻璃基片(1)，其特征在于在玻璃基片的復(fù)合面上由內(nèi)到外依次相鄰地磁控濺射有十三個(gè)膜層，其中第一膜層即最內(nèi)層為SW2 層(21)，第二層為T(mén)iO2層(22)，第三層為CrNx層(23)，第四層為ZnO層(M)，第五層為Ag 層(25)，第六層為NiCrOy層( )，第七層為T(mén)iO2層(27)，第八層為SiSn3O4層( )，第九層為ZnO層( )，第十層為Ag層010)，第i^一層為NiCrOy層Oil)，第十二層為T(mén)iO2層 (212)，最外層為 Si3N4Oy 層(213)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁控濺射可鋼化雙銀LOW-E玻璃，其特征在于所述第一膜層 SiO2層Ql)的厚度為23 27nm，第二層TW2層Q2)的厚度為觀 32nm，第三層CrNx層 (23)的厚度為1.5 3nm，第四層ZnO層Q4)的厚度為8 12nm，第五層Ag層Q5)的厚度為8 12nm，第六層NiCrOy層Q6)的厚度為1. 5 3nm，第七層TW2層、2 )的厚度為 28 32nm，第八層SiSn3O4層Q8)的厚度為58 62nm，第九層ZnO層Q9)的厚度為8 12nm,第十層Ag層QlO)的厚度為8 12nm，第—^一層NiCrOy層Qll)的厚度為1. 5 3nm,第十二層TW2層012)的厚度為18 22nm，最外層Si3N4Oy層Q13)的厚度為洲 32nm。
3.—種磁控濺射法制備權(quán)利要求1所述的可鋼化雙銀LOW-E玻璃的方法，其特征在于包括如下步驟(1)磁控濺射SiO2層，用交流中頻電源、氮?dú)庾鞣磻?yīng)氣體濺射半導(dǎo)體材料重量比51 Al (90 98 2 10)；(2)磁控濺射Ti02層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶；(3)磁控濺射CrNx層，用氮?dú)庾龇磻?yīng)氣體，用直流電源濺射；(4)磁控濺射ZnO層，平滑CrNx層，用中頻交流電源濺射陶瓷Si靶，為Ag層作鋪墊；(5)磁控濺射Ag層，交流電源濺射；(6)磁控濺射MCrOy層，用氮?dú)庾龇磻?yīng)氣體，滲少量氧氣，用直流電源濺射；(7)磁控濺射Ti02層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶；(8)磁控濺射aiSn304層，用中頻交流電流濺射SiSn重量比(Zn Sn = 48 52 48 5 ；(9)磁控濺射ZnO層，平滑CrNx層，用中頻交流電源濺射陶瓷Si靶，為Ag層作鋪墊；(10)磁控濺射Ag層，交流電源濺射；(11)磁控濺射MCrOy層，用氮?dú)庾龇磻?yīng)氣體，滲少量氧氣，用直流電源濺射；(12)磁控濺射Ti02層，用交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶；(13)磁控濺射Si3N40y層，氮?dú)庾鞣磻?yīng)氣體、用交流中頻電源濺射半導(dǎo)體材料重量比 Si Al (90 98 2 10)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于所述第一膜層SiO2層的厚度為23 27nm,第二層TW2層Q2)的厚度為觀 32nm，第三層CrNx層Q3)的厚度為1. 5 3nm，第四層ZnO層04)的厚度為8 12nm，第五層Ag層Q5)的厚度為8 12nm，第六層NiCrOy 層06)的厚度為1. 5 3nm，第七層TW2層、2 )的厚度為觀 32nm，第八層SiSn3O4層 (28)的厚度為58 62nm，第八層ZnO層Q9)的厚度為8 12nm，第十層Ag層QlO)的厚度為8 12nm，第i^一層NiCrOy層Qll)的厚度為1. 5 3nm，第十二層TiO2層Q12)的厚度為18 22nm，最外層Si3N4Oy層Q13)的厚度為沘 32nm。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種磁控濺射可鋼化雙銀LOW-E玻璃，包括有玻璃基片，其特征在于在玻璃基片的復(fù)合面上由內(nèi)到外依次相鄰地磁控濺射有十三個(gè)膜層，其中第一膜層即最內(nèi)層為SiO2層，第二層為T(mén)iO2層，第三層為CrNx層，第四層為ZnO層，第五層為Ag層，第六層為NiCrOy層，第七層為T(mén)iO2層，第八層為ZnSn3O4層，第九層為ZnO層，第十層為Ag層，第十一層為NiCrOy層，第十二層為T(mén)iO2層，最外層為Si3N4Oy層。本發(fā)明目的是克服了現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種透過(guò)率高，鍍膜層與玻璃基材的結(jié)合力強(qiáng)、鍍膜層致密、均勻的磁控濺射可鋼化雙銀LOW-E玻璃，本發(fā)明還提供一種磁控濺射法制備可鋼化雙銀LOW-E玻璃的方法。
文檔編號(hào)C03C17/36GK102503174SQ201110348500
公開(kāi)日2012年6月20日 申請(qǐng)日期2011年11月7日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月7日
發(fā)明者林改 申請(qǐng)人:中山市格蘭特實(shí)業(yè)有限公司火炬分公司