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      氧化硅玻璃坩堝制造裝置的制作方法

      文檔序號(hào):1854075閱讀:234來(lái)源:國(guó)知局
      專(zhuān)利名稱(chēng):氧化硅玻璃坩堝制造裝置的制作方法
      技術(shù)領(lǐng)域
      本發(fā)明涉及一種利用旋轉(zhuǎn)模具法制造氧化硅玻璃坩堝的氧化硅玻璃坩堝制造裝置。
      背景技術(shù)
      如眾所周知,旋轉(zhuǎn)模具法作為單晶硅拉晶用的氧化硅玻璃坩堝的制造方法(例如,參照專(zhuān)利文獻(xiàn)1、專(zhuān)利文獻(xiàn)2、。在該方法中,使用包括旋轉(zhuǎn)模具以及多個(gè)電極的氧化硅玻璃坩堝制造裝置,該旋轉(zhuǎn)模具用于一邊旋轉(zhuǎn),一邊在碗狀的內(nèi)表面堆積氧化硅(silica) 粉,該多個(gè)電極設(shè)置在所述旋轉(zhuǎn)模具上方。
      亦即,在這種氧化硅玻璃坩堝制造裝置中,通過(guò)使旋轉(zhuǎn)模具以其旋轉(zhuǎn)軸為中心旋轉(zhuǎn)的同時(shí),在旋轉(zhuǎn)模具的內(nèi)表面堆積特定層厚的氧化硅粉,以在旋轉(zhuǎn)模具內(nèi)形成由氧化硅粉構(gòu)成碗狀的氧化硅粉層,利用多個(gè)電極的尖端之間產(chǎn)生的電弧放電來(lái)加熱熔化旋轉(zhuǎn)模具內(nèi)的氧化硅粉層使其玻璃化,以制造氧化硅玻璃坩堝。
      然而,為使氧化硅粉層適當(dāng)熔化,需要適當(dāng)調(diào)整電弧放電產(chǎn)生的加熱溫度。為調(diào)整這個(gè)加熱溫度,可以控制供給電極的電力,不過(guò),為匹配氧化硅粉層的形狀而進(jìn)行的加熱熔化僅僅控制供給電力是不夠的,有必要調(diào)整多個(gè)電極尖端的距離等,由此調(diào)整電弧放電的輸出,使電弧放電穩(wěn)定化。對(duì)此,現(xiàn)有的氧化硅玻璃坩堝制造裝置中,通過(guò)在旋轉(zhuǎn)模具的上方設(shè)置移動(dòng)各個(gè)電極的機(jī)構(gòu),以調(diào)整多個(gè)電極尖端的距離。
      另一方面,加熱熔化氧化硅粉層時(shí),在旋轉(zhuǎn)模具內(nèi)有時(shí)會(huì)產(chǎn)生煙塵(氧化硅蒸氣) 等的粉塵。對(duì)此,在現(xiàn)有的氧化硅玻璃坩堝制造裝置中,通過(guò)在旋轉(zhuǎn)模具的上方設(shè)置一板狀的間隔壁,起到對(duì)旋轉(zhuǎn)模具上方把持電極的把持機(jī)構(gòu)等的保護(hù)作用。并且,在間隔壁形成多個(gè)貫穿間隔壁厚度方向的通孔,使各個(gè)電極分別插入穿過(guò)這些多個(gè)通孔。
      [背景技術(shù)文獻(xiàn)]
      [專(zhuān)利文獻(xiàn)]
      專(zhuān)利文獻(xiàn)1 日本專(zhuān)利特公昭59-34659號(hào)公報(bào)
      專(zhuān)利文獻(xiàn)2 日本專(zhuān)利特開(kāi)平11-236233號(hào)公報(bào)發(fā)明內(nèi)容
      發(fā)明要解決的課題
      然而,在現(xiàn)有的氧化硅玻璃坩堝制造裝置中,在設(shè)置使電極移動(dòng)的機(jī)構(gòu)及間隔壁時(shí),為避免電極和通孔干涉,需要設(shè)定通孔的開(kāi)口面積大于電極,此時(shí),可能有粉塵從通孔和電極之間的間隙侵入到間隔壁的上方一側(cè)。
      而且,還存在所述粉塵和未留意的塵埃會(huì)從間隔壁的上方一側(cè)通過(guò)通孔和電極之間的間隙掉落到旋轉(zhuǎn)模具,及在熔化作業(yè)中,熱侵入到間隔壁的上方等問(wèn)題。
      而且,在制造氧化硅玻璃坩堝的過(guò)程中,為使其適當(dāng)?shù)厝刍衫硐氲娜刍癄顟B(tài),需要適當(dāng)調(diào)整電弧放電產(chǎn)生的加熱溫度。為調(diào)整這一加熱溫度,需考量控制供給到電極的電力,但是,對(duì)于坩堝內(nèi)表面狀態(tài)的控制要求更精細(xì),為實(shí)現(xiàn)這個(gè)需要更精細(xì)的熔化狀態(tài)控制,僅僅控制供給電力是不夠的,有必要通過(guò)使多個(gè)電極尖端接近或分離來(lái)更加準(zhǔn)確地調(diào)整電極尖端間的距離。在所述接近或分離時(shí)為避免電極和間隔壁之間的干涉,需要設(shè)置成較大的開(kāi)口。這樣一來(lái),會(huì)產(chǎn)生未留意的塵埃從開(kāi)口落入到熔融室,及在熔化作業(yè)中, 2000 3000°C左右的高溫氣體或熱輻射侵入到間隔壁上方等問(wèn)題。
      有鑒于此,本發(fā)明的目的是提供一種氧化硅玻璃坩堝制造裝置,該氧化硅玻璃坩堝制造裝置具有既能移動(dòng)電極而輕易調(diào)整電弧放電產(chǎn)生的加熱溫度,又能縮小間隔壁的通孔和插入穿過(guò)該通孔的電極之間間隙的結(jié)構(gòu)。
      解決課題的手段
      為解決上述課題,本發(fā)明提供以下手段。
      S卩,本發(fā)明的氧化硅玻璃坩堝制造裝置,是通過(guò)多個(gè)棒狀電極的尖端之間產(chǎn)生的電弧放電來(lái)加熱熔化形成在旋轉(zhuǎn)模具內(nèi)的氧化硅粉層而制造氧化硅玻璃坩堝的氧化硅玻璃坩堝制造裝置。所述旋轉(zhuǎn)模具的上方設(shè)置有板狀的間隔壁,所述電極插入貫穿所述間隔壁厚度方向的通孔,且向所述旋轉(zhuǎn)模具延伸設(shè)置,在所述間隔壁上設(shè)置有使所述電極在虛擬擺動(dòng)軸周?chē)鷶[動(dòng)的擺動(dòng)單元,所述虛擬擺動(dòng)軸是穿過(guò)所述通孔的軸線。
      根據(jù)這種結(jié)構(gòu),以調(diào)整電弧放電產(chǎn)生的熱量為目的而調(diào)整所述多個(gè)電極的尖端間距離,優(yōu)選通過(guò)擺動(dòng)單元使所述各個(gè)電極擺動(dòng)。這時(shí),所述電極的作為擺動(dòng)中心的虛擬擺動(dòng)軸附近的部分只是在微動(dòng)。所以,由于虛擬擺動(dòng)軸處于用于插電極的通孔內(nèi),因此,可以縮小該通孔的尺寸。
      并且,在本發(fā)明的氧化硅玻璃坩堝制造裝置中,所述虛擬擺動(dòng)軸優(yōu)選為沿所述間隔壁厚度方向中央延伸的軸線。為此,可以使通孔的尺寸達(dá)到最小化。
      并且,在本發(fā)明的氧化硅玻璃坩堝制造裝置中,優(yōu)選在所述間隔壁上設(shè)置有使所述電極沿其長(zhǎng)度方向往復(fù)移動(dòng)的往復(fù)移動(dòng)單元。由于通過(guò)所述擺動(dòng)單元可以使電極擺動(dòng), 同時(shí)通過(guò)往復(fù)移動(dòng)單元可以使電極往復(fù)移動(dòng),所以,可以更靈活地調(diào)整多個(gè)電極尖端之間的距離。并且,即使電弧放電電極尖端消耗,也可以通過(guò)往復(fù)移動(dòng)單元來(lái)使電極向旋轉(zhuǎn)模具移動(dòng),由此容易進(jìn)行維護(hù)。并且,在本發(fā)明中,所述擺動(dòng)中心也可以設(shè)定在所述間隔壁的厚度方向,以使其位于所述間隔壁內(nèi)。而且,也可以在這個(gè)擺動(dòng)中心上設(shè)置位于上述間隔壁內(nèi)的擺動(dòng)軸。這時(shí),可以更準(zhǔn)確的進(jìn)行電極的擺動(dòng)操作。
      并且,在本發(fā)明的氧化硅玻璃坩堝制造裝置中,優(yōu)選為所述間隔壁在上下方向移動(dòng)。
      這樣一來(lái),通過(guò)使其可移動(dòng)而支撐,由此,在維持多個(gè)電極尖端之間距離的狀態(tài)下,可以使這些電極接近或遠(yuǎn)離作為加熱對(duì)象的氧化硅粉層。因此,可以更容易地調(diào)整電弧放電產(chǎn)生的熱量。而且,通過(guò)使因電弧放電消耗的電極移動(dòng)更準(zhǔn)確的進(jìn)行電極尖端位置控制,因此,可以更精確的控制電弧放電產(chǎn)生的加熱狀態(tài)。
      并且,在本發(fā)明的氧化硅玻璃坩堝制造裝置中,所述通孔的孔形狀為以沿所述電極的擺動(dòng)方向的方向?yàn)殚L(zhǎng)軸的長(zhǎng)孔形狀,所述通孔短軸的長(zhǎng)度相等或稍大(Imm左右)于所述電極的直徑,所述長(zhǎng)軸的長(zhǎng)度比所述電極的直徑大3mm IOmm左右。
      由此,可以降低在間隔壁內(nèi)外移動(dòng)的氣體、煙塵、熱、塵埃等污染物的絕對(duì)量,可以防止在制造氧化硅玻璃坩堝過(guò)程中的污染,且可以降低制造裝置在制造時(shí)的高溫環(huán)境下受CN 102531342 A到的損傷,降低維護(hù)的次數(shù),降低制造成本。為此,可以簡(jiǎn)單地調(diào)整必要的熔化溫度,同時(shí), 可以縮小為調(diào)節(jié)各電極的間隔和高度方向的位置而使電極擺動(dòng)或在上下方向上移動(dòng)時(shí),所必要的設(shè)置在間隔壁上的電極的通孔之大小,而且,可以防止熔化中的熱從所述通孔穿過(guò)所述間隔壁擴(kuò)散到上部空間。而且,在熔化準(zhǔn)備工作中和熔化工作中,例如可以減少附著或滯留在間隔壁上側(cè)的機(jī)械室以及間隔壁(頂棚)的塵埃通過(guò)所述電極的通孔落入到熔融室的旋轉(zhuǎn)模具內(nèi)。
      發(fā)明效果
      本發(fā)明的氧化硅玻璃坩堝制造裝置,通過(guò)使電極擺動(dòng)可以調(diào)整多個(gè)電極尖端之間的距離,可以輕易調(diào)整電弧放電產(chǎn)生的加熱溫度。并且,插入電極的通孔的尺寸可以做得很小,因此,可以防止熔化中的熱從所述通孔穿過(guò)所述間隔壁擴(kuò)散。而且,在熔化準(zhǔn)備工作中和熔化工作中,例如可以減少附著或滯留在間隔壁上方的塵埃通過(guò)所述通孔落入到熔融室的熔融物。


      圖1是本發(fā)明實(shí)施形態(tài)相關(guān)的氧化硅玻璃坩堝制造裝置的正面剖面圖。
      圖2是氧化硅玻璃坩堝制造裝置中電極配置狀態(tài)的俯視圖。
      圖3是氧化硅玻璃坩堝制造裝置中電極配置狀態(tài)的正面剖面圖。
      圖4是本發(fā)明實(shí)施形態(tài)相關(guān)的電極移動(dòng)機(jī)構(gòu)的正面剖面圖。
      圖5是表示電極和通孔關(guān)系的水平剖面圖。
      圖6是表示電極擺動(dòng)狀態(tài)的間隔壁的正面剖面圖。
      圖7是變形例相關(guān)的電極移動(dòng)機(jī)構(gòu)的正面剖面圖。
      圖8是變形例相關(guān)的電極移動(dòng)機(jī)構(gòu)的正面剖面圖。
      圖9是變形例相關(guān)的電極移動(dòng)機(jī)構(gòu)的正面剖面圖。
      符號(hào)的說(shuō)明
      1氧化硅玻璃坩堝制造裝置
      10旋轉(zhuǎn)模具
      11氧化硅粉層
      13碳電極
      13L 軸線
      15間隔壁
      16 通孔
      20電極移動(dòng)機(jī)構(gòu)
      30往復(fù)移動(dòng)單元
      40,40A擺動(dòng)單元
      50電極移動(dòng)機(jī)構(gòu)
      60往復(fù)移動(dòng)單元
      70擺動(dòng)單元
      P虛擬擺動(dòng)軸
      Tl往復(fù)移動(dòng)方向
      T2擺動(dòng)方向
      T3上下移動(dòng)方向具體實(shí)施方式
      下面將結(jié)合附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明氧化硅玻璃坩堝制造裝置的一實(shí)施形態(tài)。
      圖1是本實(shí)施形態(tài)相關(guān)的氧化硅玻璃坩堝制造裝置的局部示意圖,在圖中,符號(hào)1 是氧化硅玻璃坩堝制造裝置。
      本實(shí)施形態(tài)的氧化硅玻璃坩堝制造裝置1是以作為制造口徑為M英寸以上,32 44 50英寸左右的氧化硅玻璃坩堝時(shí)的熱源為例來(lái)進(jìn)行說(shuō)明的,不過(guò),只要是電弧熔化非導(dǎo)體的裝置,則不限于被熔融物的種類(lèi)、坩堝口徑、裝置輸出能力以及作為熱源的用途,不限于該結(jié)構(gòu)。
      本實(shí)施形態(tài)的氧化硅玻璃坩堝制造裝置1,通過(guò)平行于水平面延伸的板狀的間隔壁15,被劃分成作為該間隔壁15下方空間的熔融室A和作為上方空間的操作室B。并且, 在所述間隔壁15內(nèi),在進(jìn)行電弧熔化處理中為進(jìn)行冷卻,還可以流通水等冷卻劑。而且,熔融室A和操作室B是周?chē)脗?cè)壁等隔開(kāi)的閉塞空間。
      熔融室A是被熔融物進(jìn)行熔化的空間,如圖1所示,該熔融室A內(nèi)設(shè)置有旋轉(zhuǎn)模具 10,該旋轉(zhuǎn)模具10通過(guò)旋轉(zhuǎn)單元(圖未示)可以旋轉(zhuǎn)、且具有限制氧化硅玻璃坩堝外形的碗狀內(nèi)表面。在這個(gè)旋轉(zhuǎn)模具10中,通過(guò)使該旋轉(zhuǎn)模具10旋轉(zhuǎn)的同時(shí),在其內(nèi)表面堆積特定厚度的原料粉(氧化硅粉),以形成氧化硅粉層11。在旋轉(zhuǎn)模具10內(nèi)部設(shè)置有多個(gè)向其內(nèi)表面開(kāi)口,且連接到減壓?jiǎn)卧?圖未示)的通氣口 12,以減小氧化硅粉層11內(nèi)部的壓力。
      并且,相對(duì)熔融室A可自由進(jìn)出的配置旋轉(zhuǎn)模具10。為此,例如,可以在熔融室A 外形成氧化硅粉層11之后,再將旋轉(zhuǎn)模具10配置在熔融室A內(nèi)并進(jìn)行氧化硅粉層11的加熱熔化。
      另一方面,在作為熔融室A頂棚部分的間隔壁15上,形成有三個(gè)貫穿間隔壁15厚度方向(上下方向)的通孔16,該通孔16將熔融室A和操作室B連通。并且,這些通孔16 內(nèi)分別插入穿過(guò)從操作室B到熔融室A,用于電弧加熱的碳電極13。為此,在熔融室A內(nèi)的旋轉(zhuǎn)模具10上方,碳電極13朝向該旋轉(zhuǎn)模具10延伸配置。而且,碳電極13連接到電力供給單元(圖未示),由此可以對(duì)氧化硅粉層11進(jìn)行加熱。
      碳電極13例如是具有相同形狀的碳電極棒,其可以進(jìn)行交流3相(R相,S相,T 相)電弧放電,該碳電極13分別由電極移動(dòng)機(jī)構(gòu)20 (圖1中省略圖示)把持,該電極移動(dòng)機(jī)構(gòu)20設(shè)置在位于間隔壁15上方空間的操作室B。各電極13通過(guò)電纜連接到交流電源 (圖未示)。
      并且,如圖2、圖3所示,在俯視狀態(tài)下,碳電極13位于以電極位置中心線LL為中心的同一圓周上。而且,碳電極13設(shè)置成在下方具有頂點(diǎn)的倒三角錐狀,且各自的軸線13L 成角度Θ1。另外,在如圖所示的例子中,電極位置中心線LL與旋轉(zhuǎn)模具10的旋轉(zhuǎn)中心線 L保持一致,不過(guò),通過(guò)電極移動(dòng)機(jī)構(gòu)20移動(dòng)碳電極13,因此也可以相對(duì)偏離于旋轉(zhuǎn)中心線 L0
      在本發(fā)明中,作為原料使用氧化硅粉,該氧化硅粉可以是合成氧化硅粉也可以是天然氧化硅粉。天然氧化硅粉可以為石英的粉末,也可以為作為氧化硅玻璃坩堝原材料周知的材料粉末,例如水晶、硅砂等。并且,氧化硅粉可以為結(jié)晶狀態(tài)、非結(jié)晶狀態(tài)、玻璃狀態(tài)。
      在這個(gè)結(jié)構(gòu)中,氧化硅玻璃坩堝制造裝置1為在300kVA 12,OOOkVA的輸出范圍內(nèi),通過(guò)多個(gè)碳電極13尖端間產(chǎn)生的電弧放電加熱熔化非導(dǎo)電性對(duì)象物(氧化硅粉)的高輸出裝置。
      并且,碳電極13的數(shù)量不限于圖示的例子,可以任意設(shè)定。而且,對(duì)應(yīng)碳電極13 的數(shù)量可以進(jìn)行交流2相,交流3相,交流4相的電弧放電。此時(shí),通孔16的數(shù)量亦對(duì)應(yīng)碳電極13的數(shù)量相應(yīng)地增加。
      如圖4所示,電極移動(dòng)機(jī)構(gòu)20設(shè)置在位于間隔壁15上方空間的操作室B內(nèi),具有往復(fù)移動(dòng)單元30和擺動(dòng)單元40,其中,該往復(fù)移動(dòng)單元30用于使碳電極13在其軸線13L 方向往復(fù)移動(dòng),該擺動(dòng)單元40用于使碳電極13以特定的虛擬擺動(dòng)軸P為中心擺動(dòng)。
      往復(fù)移動(dòng)單元30由第一氣缸31和往復(fù)移動(dòng)控制部32構(gòu)成。第一氣缸31是利用油壓或氣壓等工作的氣缸,第一導(dǎo)桿31b在第一氣缸本體31a內(nèi)能夠沿第一氣缸31的軸向伸縮。碳電極13的尾端連接到第一導(dǎo)桿31b的尖端,并且,該碳電極13的軸線13L與第一氣缸31的軸向保持一致。并且,通過(guò)往復(fù)移動(dòng)控制部32控制這個(gè)第一氣缸31的第一導(dǎo)桿 31b的位移量。
      因而,通過(guò)第一導(dǎo)桿31b根據(jù)往復(fù)移動(dòng)控制部32的指令發(fā)生位移,使碳電極13可以沿其軸線13L方向即往復(fù)移動(dòng)方向Tl往復(fù)移動(dòng)。
      擺動(dòng)單元40由基臺(tái)41、第二氣缸42、第三氣缸43以及擺動(dòng)控制部44構(gòu)成。
      第二氣缸42具有與所述第一氣缸31相同的結(jié)構(gòu),亦即,第二導(dǎo)桿42b在第二氣缸本體42a內(nèi)能沿第二氣缸42的軸向伸縮。第三氣缸43具有與所述第一氣缸31相同的結(jié)構(gòu),亦即,第三導(dǎo)桿4 在第三氣缸本體43a內(nèi)能沿第三氣缸43的軸向伸縮。
      所述第二氣缸42及第三氣缸43由設(shè)置在間隔壁15的基臺(tái)41支撐。具體的,所述第二氣缸本體4 以及第三氣缸本體43a固定于基臺(tái)41,使第二氣缸42配置在第三氣缸 43的下方,并且使第二導(dǎo)桿42b和第三導(dǎo)桿4 面向斜上方傾斜并可伸縮的方向。
      并且,第二導(dǎo)桿42b的尖端旋轉(zhuǎn)連接到第一氣缸本體31a的尖端側(cè)(連接有碳電極13的一側(cè)),并且,第三導(dǎo)桿4 的尖端連接到第一氣缸本體31a的基端側(cè)(連接有碳電極13 —側(cè)的相反側(cè))。
      并且,這些第二氣缸42的第二導(dǎo)桿42b以及第三氣缸43的第三導(dǎo)桿43b的位移量由擺動(dòng)控制部44控制。在這個(gè)擺動(dòng)控制部44中,通過(guò)第二導(dǎo)桿42b和第三導(dǎo)桿4 設(shè)計(jì)有位移差,使第二導(dǎo)桿42b和第三導(dǎo)桿4 伸縮,就可以使第一氣缸本體31a以虛擬擺動(dòng)軸P為中心擺動(dòng)。
      亦即,第二導(dǎo)桿42b與第一氣缸本體31a的連接處和第三導(dǎo)桿4 與第一氣缸本體31a的連接處設(shè)置在以虛擬擺動(dòng)軸P為中心的圓的同一直徑方向,控制第二導(dǎo)桿42b和第三導(dǎo)桿43b的位移量,使該兩個(gè)連接處的軌跡為以虛擬擺動(dòng)軸P為中心的半徑不同的圓弧。因此,碳電極13以虛擬擺動(dòng)軸P為中心擺動(dòng)。
      這樣一來(lái),連接到第一氣缸31的碳電極13可以以虛擬擺動(dòng)軸P為中心在擺動(dòng)方向T2上擺動(dòng)。而且,這個(gè)擺動(dòng)方向T2是沿著包含電極位置中心線LL與各個(gè)通孔16中心的垂直平面的方向,即,在電極位置中心線LL與電弧放電前的初始位置的碳電極13的軸線13L構(gòu)成的平面內(nèi),以作為該平面法線的虛擬擺動(dòng)軸P為中心的圓弧方向,在俯視狀態(tài)來(lái)看,從電極位置中心線LL以放射狀擴(kuò)散的直徑方向。為此,虛擬擺動(dòng)軸P成為電極位置中心線LL與碳電極13軸線13L的矢量積所表示的方向。在此,所述虛擬擺動(dòng)軸P是通過(guò)間隔壁15之通孔16的虛擬軸。具體的,這個(gè)虛擬擺動(dòng)軸P是通過(guò)碳電極13中心位置,且垂直于碳電極13軸線13L的水平軸,被設(shè)定為與位于間隔壁15厚度范圍內(nèi)延伸的直線一致。在本實(shí)施形態(tài)中,被設(shè)定為沿間隔壁15的厚度方向中央延伸。因而,所述擺動(dòng)単元40是能使碳電極13在擺動(dòng)方向T2上擺動(dòng)的結(jié)構(gòu),該擺動(dòng)以通過(guò)所述通孔16的虛擬擺動(dòng)軸P為中心。而且,為實(shí)現(xiàn)在上述擺動(dòng)方向T2上的擺動(dòng),如圖5所示,在水平剖面視圖中,分別插入三個(gè)碳電極13的通孔16形狀為長(zhǎng)孔形狀,該長(zhǎng)孔形狀的長(zhǎng)度方向?yàn)檠刂髯詳[動(dòng)方向T2的方向,即通過(guò)電極位置中心線LL和各個(gè)通孔16的方向。并且,在本實(shí)施形態(tài)中,各個(gè)碳電極13垂直其軸線13L的剖面形狀為圓形,該圓形的直徑d為40 IOOmm左右。對(duì)此,通孔16短軸的長(zhǎng)度Da相等或稍大于碳電極13的直徑d (Imm左右,0. 5 1. 5mm),長(zhǎng)軸的長(zhǎng)度Db比碳電極13的直徑d大3mm IOmm左右。如前所述,在電極移動(dòng)機(jī)構(gòu)20中,通過(guò)往復(fù)移動(dòng)單元30,碳電極13可以在其軸線 13L方向即往復(fù)移動(dòng)方向Tl上往復(fù)移動(dòng),通過(guò)擺動(dòng)単元40可以在以虛擬擺動(dòng)軸P為中心的擺動(dòng)方向T2上擺動(dòng)。這時(shí),往復(fù)移動(dòng)單元30及擺動(dòng)單元40由于各自動(dòng)作,因此互不干渉。 即,如圖6 (a)、(b)所示,即使通過(guò)往復(fù)移動(dòng)單元30使碳電極13沿往復(fù)移動(dòng)方向Tl的某個(gè)位置發(fā)生位移,也可以通過(guò)擺動(dòng)單元40使碳電極13以虛擬擺動(dòng)軸P為中心擺動(dòng)。因此,碳電極13尖端間距離D(下稱(chēng)電極間距離D),可以通過(guò)碳電極13的往復(fù)移動(dòng)以及擺動(dòng)來(lái)調(diào)整。碳電極13的往復(fù)移動(dòng)是通過(guò)往復(fù)移動(dòng)單元30,使各個(gè)碳電極13在住復(fù)移動(dòng)方向Tl上往復(fù)移動(dòng),碳電極13的擺動(dòng)是通過(guò)擺動(dòng)単元40,使各個(gè)碳電極13在擺動(dòng)方向T2上擺動(dòng)。并且,多個(gè)碳電極13的軸線13L所成的角度Θ1(下稱(chēng)張開(kāi)角度Θ1),可以通過(guò)各個(gè)碳電極13利用擺動(dòng)單元在擺動(dòng)方向T2上的擺動(dòng)來(lái)調(diào)整。并且,在本實(shí)施形態(tài)中,設(shè)置有所述電極移動(dòng)機(jī)構(gòu)20的間隔壁15自身可以在上下移動(dòng)方向T3上移動(dòng)。而且,這個(gè)間隔壁15在上下移動(dòng)方向T3上的移動(dòng),例如可以通過(guò)齒輪齒條等傳動(dòng)機(jī)構(gòu)較容易實(shí)現(xiàn)。因此,碳電極13相對(duì)旋轉(zhuǎn)模具10的高度位置可以通過(guò)使間隔壁15在上下移動(dòng)方向T3上的移動(dòng)來(lái)調(diào)整。下面,在具有上述結(jié)構(gòu)的氧化硅玻璃坩堝制造裝置1中,有關(guān)利用加熱熔化氧化硅粉層11來(lái)制造氧化硅玻璃坩堝的方法進(jìn)行說(shuō)明。當(dāng)加熱熔化形成在旋轉(zhuǎn)模具10內(nèi)表面的碗狀的氧化硅粉層11吋,在電弧開(kāi)始放電前,作為中心電弧,以與旋轉(zhuǎn)模具10的旋轉(zhuǎn)中心線L 一致的電極位置中心線LL為對(duì)稱(chēng)軸設(shè)置碳電極13。具體的,如圖2、圖3所示,預(yù)先設(shè)置碳電極13,使得各個(gè)碳電極13形成下方具有頂點(diǎn)的倒三角錐形狀,而且,使各自的軸線13L形成ー張開(kāi)角度θ 1,而且,使產(chǎn)生電弧放電的多個(gè)碳電極13的尖端相互接觸。接著,通過(guò)電カ供給單元(圖未示)開(kāi)始對(duì)碳電極13供給電カ(電カ供給開(kāi)始エ 序)。這時(shí),由于多個(gè)碳電極13的尖端相互接觸,所以,不會(huì)產(chǎn)生電弧放電。之后,一邊通過(guò)電極移動(dòng)機(jī)構(gòu)20維持碳電極13的下方具有頂點(diǎn)的倒三角錐形狀, ー邊擴(kuò)大電極間距離D(碳電極距離擴(kuò)大工序)。同吋,在碳電極13間開(kāi)始放電。這時(shí),通過(guò)電カ供給單元控制供給電力,使各碳電極13的電カ密度為40kVA/cm2 1,700kVA/cm2。并且,通過(guò)電極移動(dòng)機(jī)構(gòu)20調(diào)節(jié)電極間距離D (碳電極距離調(diào)整エ序),使其滿足作為熔化氧化硅粉層11的熱源的加熱溫度。這時(shí),通過(guò)電カ供給單元維持供給電カ控制, 使各碳電極13的電カ密度為40kVA/cm2 1,700kVA/cm2。為此,可以穩(wěn)定電弧放電的狀態(tài), 持續(xù)產(chǎn)生穩(wěn)定的電弧火焰。并且,通過(guò)使間隔壁15在上下移動(dòng)方向T3上移動(dòng)來(lái)調(diào)節(jié)碳電極13相對(duì)于旋轉(zhuǎn)模具10的高度位置(碳電極高度設(shè)定エ序),使其滿足作為熔化氧化硅粉層11的熱源的加熱溫度。這時(shí),通過(guò)電カ供給單元維持供給電カ控制,使各碳電極13的電カ密度為40kVA/ cm2 l,700kVA/cm2。最后,由于氧化硅粉層11熔化成為特定的狀態(tài)后,停止電カ供給單元的電カ供給 (電カ供給結(jié)束エ序),所以,制造氧化硅玻璃坩堝結(jié)束。而且,在上述各エ序中,也可以通過(guò)連接到通氣ロ 12的減壓?jiǎn)卧獊?lái)控制氧化硅粉層11附近的壓力。如上所述,在本實(shí)施形態(tài)的氧化硅玻璃坩堝制造裝置1中,調(diào)整電弧放電的狀態(tài)吋,通過(guò)利用電極移動(dòng)機(jī)構(gòu)20使各碳電極13移動(dòng)來(lái)調(diào)整碳電極13間的電極間距離D。在這里,特別是通過(guò)電極移動(dòng)機(jī)構(gòu)20的擺動(dòng)單元40使碳電極13擺動(dòng)來(lái)調(diào)節(jié)電極間距離D吋, 如圖6(a)、(b)所示,碳電極13的尖端的位置發(fā)生變化,不過(guò),碳電極13的虛擬擺動(dòng)軸P附近的部分即碳電極13在通孔16內(nèi)的部分只是微動(dòng)。所以,即使是使碳電極13發(fā)生較大擺動(dòng)時(shí),碳電極13在通孔16內(nèi)也只是微動(dòng),因此即便更擴(kuò)大碳電極13的擺動(dòng)范圍,仍可能縮小通孔16的大小。并且,特別在本實(shí)施形態(tài)中,由于所述虛擬擺動(dòng)軸P沿間隔壁15厚方向的中央延伸,所以,可以大大縮小通孔16的大小。因此,如上所述,由于可以保持通孔16長(zhǎng)軸的長(zhǎng)度Db比碳電極13的直徑d大 3mm IOmm左右的尺寸,可以大大減小碳電極13和通孔16之間的間隙,所以,可以防止熔化中的熱從所述通孔16穿過(guò)所述間隔壁擴(kuò)散到所述操作室B。而且,在熔化準(zhǔn)備工作中和熔化工作中,例如可以減少附著或滯留在操作室B內(nèi)的塵埃通過(guò)通孔16落入到熔融室的熔融物。并且,通過(guò)碳電極13的擺動(dòng),也可以在較大的角度范圍內(nèi)調(diào)整產(chǎn)生電弧放電的碳電極13的張開(kāi)角度θ 1。這樣ー來(lái),能擴(kuò)大相對(duì)于通孔16的碳電極13的移動(dòng)范圍,這一點(diǎn)在制造例如30英寸以上大口徑的氧化硅玻璃坩堝時(shí)特別有效。亦即,在制造大口徑的氧化硅玻璃坩堝時(shí),為熔化氧化硅粉需要増加必要的電弧放電輸出。為此,由于電弧放電產(chǎn)生的熱容易消耗各碳電極13的尖端,這樣ー來(lái),碳電極13 的電極間距離D容易變大。在這里,在本實(shí)施形態(tài)的氧化硅玻璃坩堝制造裝置1中,如前所述,由于能夠在較寬的范圍內(nèi)調(diào)整電極間距離D,所以,實(shí)際可以延長(zhǎng)碳電極13的壽命。并且,為增加電弧放電的輸出,有必要擴(kuò)大碳電極13的張開(kāi)角度θ 1,以避免在碳電極13的尖端之外產(chǎn)生電弧放電。在這里,如果本實(shí)施形態(tài)的氧化硅玻璃坩堝制造裝置1, 如前所述,通過(guò)以虛擬擺動(dòng)軸P為中心使其擺動(dòng),可以在較寬的角度范圍內(nèi)調(diào)整張開(kāi)角度 θ 1,所以,在同樣的氧化硅玻璃坩堝制造裝置1中,可以制造從小口徑到大口徑較大范圍的氧化硅玻璃坩堝。而且,由于通過(guò)所述擺動(dòng)単元40可以使碳電極13擺動(dòng),同時(shí)通過(guò)往復(fù)移動(dòng)單元30可以使碳電極13在其軸線13L方向移動(dòng),所以,可以更靈活地調(diào)節(jié)電極間距離D,例如,在維持碳電極13間的張開(kāi)角度θ 1的同時(shí)可以任意調(diào)整電極間距離D。并且,即使由于電弧放電而使碳電極13尖端消耗,導(dǎo)致該碳電極13的長(zhǎng)度不足吋,可以通過(guò)往復(fù)移動(dòng)單元30使碳電極13向旋轉(zhuǎn)模具10前進(jìn)移動(dòng),所以容易進(jìn)行維護(hù)。并且,由于間隔壁15在上下方向能夠移動(dòng),所以,在維持電極間距離D的同吋,可以使這些碳電極13接近或遠(yuǎn)離作為加熱對(duì)象的氧化硅粉層11。因此,能更輕易調(diào)整電弧放電產(chǎn)生的熱量。前面關(guān)于本發(fā)明的氧化硅玻璃坩堝制造裝置的實(shí)施形態(tài)進(jìn)行說(shuō)明,不過(guò),本發(fā)明不局限于上述實(shí)施形態(tài),本發(fā)明的氧化硅玻璃坩堝制造裝置的各部分具體結(jié)構(gòu)可以做各種設(shè)計(jì)變更。例如,作為實(shí)施形態(tài)的電極移動(dòng)機(jī)構(gòu)20的變形例,也可以是由圖7所示的往復(fù)移動(dòng)單元60和擺動(dòng)單元70組成的電極移動(dòng)機(jī)構(gòu)50。這個(gè)變形例的電極移動(dòng)機(jī)構(gòu)50與前述實(shí)施形態(tài)相同,是利用往復(fù)移動(dòng)單元60使碳電極13在住復(fù)移動(dòng)方向Tl上往復(fù)移動(dòng),同吋,利用擺動(dòng)單元70使碳電極13在擺動(dòng)方向 Τ2上擺動(dòng)的機(jī)構(gòu),不過(guò),其結(jié)構(gòu)與前述實(shí)施形態(tài)不同。如圖7所示,變形例的往復(fù)移動(dòng)單元60具有往復(fù)移動(dòng)氣缸61以及導(dǎo)引部件62。 該往復(fù)移動(dòng)氣缸61的一端旋轉(zhuǎn)固定于操作室B的頂棚17,另一端旋轉(zhuǎn)連接到碳電極13的尾端。所述導(dǎo)引部件62呈可以插入碳電極13的筒狀,一端可以以虛擬擺動(dòng)軸P為中心旋轉(zhuǎn)。往復(fù)移動(dòng)氣缸61是導(dǎo)桿61b在筒狀的氣缸本體61a中能夠伸縮的結(jié)構(gòu),氣缸本體 61a的基端(一端)通過(guò)旋轉(zhuǎn)連接部63連接到操作室B的頂棚17。因此,往復(fù)移動(dòng)氣缸61 可以以旋轉(zhuǎn)連接部63為中心旋轉(zhuǎn)。并且,導(dǎo)桿61b的尖端與碳電極13的尾端通過(guò)旋轉(zhuǎn)連接部64連接。因此,導(dǎo)桿 61b的尖端和碳電極13的尾端旋轉(zhuǎn)連接在一起。導(dǎo)向部件62是其內(nèi)部具有能插入碳電極13的插孔62a的筒狀部件。其一端的兩個(gè)側(cè)面被與虛擬擺動(dòng)軸P同軸的ー對(duì)軸部件(圖未示)可旋轉(zhuǎn)地支撐。亦即,這個(gè)軸部件不通過(guò)導(dǎo)向部件62插孔62a的內(nèi)部,只支撐該導(dǎo)向部件62的兩側(cè)面,所以,不會(huì)妨礙插入插孔62a內(nèi)的碳電極13的動(dòng)作。并且,所述ー對(duì)軸部件分別安裝在各個(gè)通孔16的內(nèi)壁,該導(dǎo)向部件62的一端優(yōu)選做成尖的形狀,以避免被所述軸部件支撐的導(dǎo)向部件62的一端在旋轉(zhuǎn)時(shí)與通孔16發(fā)生干渉。如圖7所示,變形例的擺動(dòng)單元70由擺動(dòng)氣缸71構(gòu)成。該擺動(dòng)氣缸71的一端旋轉(zhuǎn)連接到間隔壁15,另一端旋轉(zhuǎn)連接到所述往復(fù)移動(dòng)單元60的導(dǎo)向部件62。擺動(dòng)氣缸71是導(dǎo)桿71b在筒狀的氣缸本體71a中能伸縮的結(jié)構(gòu),氣缸本體71a的基端(一端)通過(guò)旋轉(zhuǎn)連接部72連接到間隔壁15,導(dǎo)桿71b的尖端通過(guò)旋轉(zhuǎn)連接部73連接到導(dǎo)向部件62。所以,擺動(dòng)氣缸71傾斜地設(shè)置在間隔壁15和導(dǎo)向部件62之間,相對(duì)于間隔壁15及導(dǎo)向部件62均能旋轉(zhuǎn)。在所述的電極移動(dòng)機(jī)構(gòu)50中,由于利用擺動(dòng)單元70使碳電極13擺動(dòng)后,可以通過(guò)往復(fù)移動(dòng)單元60使碳電極13往復(fù)移動(dòng),以調(diào)整多個(gè)碳電極13的張開(kāi)角度θ 1和電極間距離D。S卩,首先,通過(guò)使擺動(dòng)單元70的擺動(dòng)氣缸71中的導(dǎo)桿71b伸縮,以使連接到該導(dǎo)桿71b的導(dǎo)向部件62以虛擬擺動(dòng)軸P為中心擺動(dòng)。所以,插入該導(dǎo)向部件62的碳電極13 同樣能以虛擬擺動(dòng)軸P為中心在擺動(dòng)方向T2上擺動(dòng),以決定碳電極13的張開(kāi)角度θ 1。其次,使往復(fù)移動(dòng)氣缸61的導(dǎo)桿61b伸縮,那么,連接到該導(dǎo)桿61b的碳電極13 由導(dǎo)向部件62的插孔62a引導(dǎo)沿著該插孔6 伸縮。所以,碳電極13在為其軸線13L方向的往復(fù)移動(dòng)方向Tl上往復(fù)移動(dòng)。如上所述,即使在變形例的電極移動(dòng)機(jī)構(gòu)50中,碳電極13可以在往復(fù)移動(dòng)方向Tl 上往復(fù)移動(dòng)的同吋,也可以在以虛擬擺動(dòng)軸P為中心的擺動(dòng)方向T2上擺動(dòng)。因此,與前述實(shí)施形態(tài)一祥,在縮小所述通孔16大小的同吋,仍可以在較寬范圍內(nèi)調(diào)整電極間距離D以及張開(kāi)角度θ 1。而且,不限于前述實(shí)施形態(tài)的電極移動(dòng)機(jī)構(gòu)20以及變形例的電極移動(dòng)機(jī)構(gòu)50,只要是能使碳電極13以虛擬擺動(dòng)軸P為中心擺動(dòng)的同吋,又能使碳電極13在其軸線13L方向往復(fù)移動(dòng)的其他結(jié)構(gòu)的電極移動(dòng)機(jī)構(gòu)均可。例如,作為電極移動(dòng)機(jī)構(gòu)20的進(jìn)ー步變形例,可以是圖8所示的擺動(dòng)單元40Α。在這里,對(duì)應(yīng)的結(jié)構(gòu)用同一符號(hào)表示,所以省略對(duì)其的說(shuō)明。擺動(dòng)單元40Α包括基臺(tái)41、擺動(dòng)限位導(dǎo)引部45以及驅(qū)動(dòng)輥46a,46b,46c。限位導(dǎo)弓I部45是其基端被連接固定到所述第一氣缸31,其尖端是遠(yuǎn)離軸線L的板狀部件,該尖端相對(duì)第一氣缸31的軸線L朝向直徑方向外側(cè)且在T2方向延伸。所述限位導(dǎo)引部45具有限位外表面4 和限位內(nèi)表面4 ,該限位外表面4 和限位內(nèi)表面4 是從其基端ー側(cè)到尖端ー側(cè),以虛擬擺動(dòng)軸P為中心的同心圓柱的側(cè)面形狀。這個(gè)限位導(dǎo)引部45由于限位外表面4 和限位內(nèi)表面4 分別被驅(qū)動(dòng)輥46a,46b, 46c夾持而被支撐,且該限位導(dǎo)引部45可以沿著限位外表面4 和限位內(nèi)表面45b的方向移動(dòng)。在所述基臺(tái)41上設(shè)置有驅(qū)動(dòng)輥46a、46b、46c,使各個(gè)驅(qū)動(dòng)輥分別具有與虛擬擺動(dòng)軸P平行的旋轉(zhuǎn)軸線且可以旋轉(zhuǎn),并且,使各個(gè)驅(qū)動(dòng)輥相對(duì)于方向T2限定的平面具有相等的距離。在限位導(dǎo)引部45的限位內(nèi)表面4 ー側(cè)(上側(cè))設(shè)置驅(qū)動(dòng)輥46a,在限位導(dǎo)引部 45的限位外表面4 ー側(cè)(下側(cè))設(shè)置驅(qū)動(dòng)輥46b,46c的同時(shí),從限位導(dǎo)引部45的基端 ー側(cè)向尖端一側(cè)按照驅(qū)動(dòng)輥46c,驅(qū)動(dòng)輥46a,驅(qū)動(dòng)輥46b的順序設(shè)置驅(qū)動(dòng)輥46a、46b、46c。 而且,將驅(qū)動(dòng)輥46b,46c設(shè)置成與虛擬擺動(dòng)軸P的距離相等。驅(qū)動(dòng)輥46a、46b、46c通過(guò)擺動(dòng)控制部44 (圖未示)來(lái)控制其旋轉(zhuǎn)狀態(tài)。在這個(gè)結(jié)構(gòu)中,由于限位外表面4 和限位內(nèi)表面45b的形狀是以虛擬擺動(dòng)軸P 為中心的圓弧形狀,所以,通過(guò)擺動(dòng)控制部44的控制,驅(qū)動(dòng)輥46a、46b、46c —旋轉(zhuǎn),限位導(dǎo)引部45即按照限位外表面4 和限位內(nèi)表面45b的形狀旋轉(zhuǎn)。具體的,被驅(qū)動(dòng)輥46a及驅(qū)動(dòng)輥46b、46c夾持的限位導(dǎo)引部45在以虛擬擺動(dòng)軸P為中心的圓周方向上移動(dòng)。在移動(dòng)的過(guò)程中,限位外表面4 和與虛擬擺動(dòng)軸P等距的驅(qū)動(dòng)輥46b、46c接觸,同吋,限位內(nèi)表面4 和驅(qū)動(dòng)輥46a接觸。也就是說(shuō),限位導(dǎo)引部45在保持與虛擬擺動(dòng)軸P等距,且與驅(qū)動(dòng)輥46a、46b、46c接觸的狀態(tài)下,在虛擬擺動(dòng)軸P的周?chē)D(zhuǎn)。這樣ー來(lái),通過(guò)限位導(dǎo)引部45按照限位外表面4 和限位內(nèi)表面4 的形狀限制第一氣缸31的移動(dòng)(擺動(dòng)),可以使碳電極13以虛擬擺動(dòng)軸P為擺動(dòng)中心軸線在擺動(dòng)方向T2上擺動(dòng)。并且,在驅(qū)動(dòng)輥46a、46b、46c以及限位導(dǎo)引部45的限位外表面4 和限位內(nèi)表面 45b形成有相互咬合的凹凸,該凹凸為例如像齒輪,齒條齒輪等的可以精確限位的部件。而且,如圖9所示,在第一氣缸31軸線L方向,在與虛擬擺動(dòng)軸P的距離不同于限位導(dǎo)引部45與虛擬擺動(dòng)軸P的距離的位置設(shè)置限位導(dǎo)引部45A,通過(guò)多個(gè)限位導(dǎo)引部進(jìn)行電極搖動(dòng)位置的限定,可以更精確地設(shè)定移動(dòng)位置控制。這時(shí),驅(qū)動(dòng)輥46d位于限位導(dǎo)引部45A的限位內(nèi)表面45c—側(cè)(上側(cè)),驅(qū)動(dòng)輥 46f、46e位于限位導(dǎo)引部45A的限位外表面45d ー側(cè)(下側(cè))。同吋,驅(qū)動(dòng)輥46a、46b位于限位導(dǎo)引部45的限位內(nèi)表面4 ー側(cè)(上側(cè)),驅(qū)動(dòng)輥46c位于限位導(dǎo)引部45限位外表面 45a ー側(cè)(下側(cè))。于此,限位內(nèi)表面4 外側(cè)的驅(qū)動(dòng)輥46a和限位外表面45d外側(cè)的驅(qū)動(dòng)輥46f設(shè)置在以虛擬擺動(dòng)軸P為中心的同一直徑方向且具有相同弧度的位置。限位內(nèi)表面4 外側(cè)的驅(qū)動(dòng)輥46b和限位外表面45d外側(cè)的驅(qū)動(dòng)輥46e設(shè)置在以虛擬擺動(dòng)軸P為中心的同一直徑方向且具有相同弧度的位置。而且,只要把分別位于限位導(dǎo)引部45,45A內(nèi)側(cè)的驅(qū)動(dòng)輥46d 和/或驅(qū)動(dòng)輥46c作為被電機(jī)等驅(qū)動(dòng)源驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)輥即可。這樣ー來(lái),使夾持限位導(dǎo)引部 45,45A的位置的驅(qū)動(dòng)輥位于各自的所用方向,同吋,通過(guò)位于以虛擬擺動(dòng)軸P為中心的直徑方向且位于限位導(dǎo)引部45,45A內(nèi)側(cè)的驅(qū)動(dòng)輥46d以及/或驅(qū)動(dòng)輥46c的驅(qū)動(dòng),可以降低碳電極31擺動(dòng)時(shí)產(chǎn)生的移動(dòng)偏離,可以以理想的狀態(tài)控制需要精確控制的電極尖端距離。如上所述,在進(jìn)行氧化硅玻璃坩堝的制造過(guò)程中,可以提高電弧放電的穩(wěn)定性,精確控制在坩堝制造中的加熱量,且可以防止在單晶拉晶中對(duì)產(chǎn)品質(zhì)量有較大影響的坩堝內(nèi)表面狀態(tài)脫離理想的狀態(tài)。
      權(quán)利要求
      1.一種氧化硅玻璃坩堝制造裝置,通過(guò)產(chǎn)生在多個(gè)棒狀電極的尖端之間的電弧放電, 加熱熔化形成在旋轉(zhuǎn)模具內(nèi)的氧化硅粉層,以制造氧化硅玻璃坩堝,其特征在于所述旋轉(zhuǎn)模具的上方配置有板狀的間隔壁,所述電極插入貫穿所述間隔壁厚度方向的通孔,且向所述旋轉(zhuǎn)模具延伸設(shè)置,在所述間隔壁上設(shè)置有使所述電極在虛擬擺動(dòng)軸周?chē)鷶[動(dòng)的擺動(dòng)單元,所述虛擬擺動(dòng)軸是通過(guò)所述通孔內(nèi)的軸線。
      2.如權(quán)利要求1所述的氧化硅玻璃坩堝制造裝置,其特征在于所述虛擬擺動(dòng)軸是沿所述間隔壁厚度方向中央延伸的軸線。
      3.如權(quán)利要求1所述的氧化硅玻璃坩堝制造裝置,其特征在于在所述間隔壁上設(shè)置有使所述電極沿其長(zhǎng)度方向往復(fù)移動(dòng)的往復(fù)移動(dòng)單元。
      4.如權(quán)利要求1所述的氧化硅玻璃坩堝制造裝置,其特征在于所述間隔壁可以在上下方向移動(dòng)。
      5.如權(quán)利要求1至4任意一項(xiàng)所述的氧化硅玻璃坩堝制造裝置,其特征在于所述通孔的孔形狀為以沿所述電極擺動(dòng)方向的方向?yàn)殚L(zhǎng)軸的長(zhǎng)孔形狀,所述通孔的短軸長(zhǎng)度相等或稍大于所述電極的直徑,所述長(zhǎng)軸的長(zhǎng)度比所述電極的直徑大3mm 10mm。
      全文摘要
      本發(fā)明提供一種氧化硅玻璃坩堝制造裝置,該氧化硅玻璃坩堝制造裝置具有既可移動(dòng)且能調(diào)整電弧放電產(chǎn)生的加熱溫度的電極,又能縮小間隔壁的通孔與插入該通孔的電極間之間隙的結(jié)構(gòu)。在旋轉(zhuǎn)模具10上方設(shè)置板狀的間隔壁15,用于加熱熔化的電極13插入在貫穿間隔壁15厚方向的通孔16,且向旋轉(zhuǎn)模具10延伸而設(shè)置,在間隔壁15上設(shè)置使電極13在虛擬擺動(dòng)軸P周?chē)鷶[動(dòng)的擺動(dòng)單元40,虛擬擺動(dòng)軸P通過(guò)所述通孔16的內(nèi)部。
      文檔編號(hào)C03B19/09GK102531342SQ20111039262
      公開(kāi)日2012年7月4日 申請(qǐng)日期2011年12月1日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月2日
      發(fā)明者岸弘史, 神田稔, 藤田剛司, 須藤俊明 申請(qǐng)人:日本超精石英株式會(huì)社
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