專利名稱：電容觸摸屏的鍍膜結構的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及電容觸摸屏領域，尤其涉及一種電容觸摸屏的鍍膜結構。
背景技術：
觸摸屏作為一種新型的人機交互界面，廣泛地應用于各種數(shù)字信息系統(tǒng)上，從小型產品如手機、PDA、數(shù)碼產品及e-Book，到中型產品如車載導航儀、游戲機、家用電器及工控儀器，再到大型產品如POS系統(tǒng)、公共查詢系統(tǒng)、便攜電腦、醫(yī)療儀器以及電視新聞節(jié)目中常用的觸摸式PDP上都可以看到觸摸屏產品。特別是iPhone的推出，極大地刺激了觸摸屏在手機上應用的力度，在手機上應用觸摸屏已成為一種流行風尚，加之觸摸屏在車載導航儀GPS上的應用，對觸摸屏的需求越來越大，其市場前景十分可觀。根據(jù)美國Display karch最新出版的2010年觸摸屏市場分析報告，觸摸屏在如手機、媒體播放器與導航儀等手持式裝置滲透率增長相當快速，在接下來幾年，我們可以看到觸摸屏在較大尺寸應用如一體電腦、上網本/平板電腦、教育與培訓、公共信息廣告牌與自主登機等方面也會有很好的成長。觸摸屏已成為數(shù)十億美元的產業(yè)，而且仍處于高度成長中，這也是大家關注觸摸產業(yè)的主要因素。2009年全球觸摸屏產值達43億美元，估計2016年將成長到140億美元，年復合成長率達18%。而電容觸摸屏以其使用壽命長，可達10年以上，產品一致性好、成品率高的優(yōu)點將會逐步取代電阻式觸摸屏， 成為未來觸摸屏的主流?，F(xiàn)有的電容式觸摸屏容易出現(xiàn)掉膜、針孔及開路等不良，嚴重影響產品的功能及產品合格率。

實用新型內容本實用新型實施例所要解決的技術問題在于，提供一種電容觸摸屏的鍍膜結構， 不會出現(xiàn)掉膜、針孔及開路等不良，產品的合格率高，生產成本低，適合量產。為了解決上述技術問題，本實用新型實施例提出了電容觸摸屏的鍍膜結構，包括 玻璃基片；采用真空磁控濺射方式鍍膜于所述玻璃基片的一面并進行線路圖形蝕刻加工形成的ITO膜層；印于所述ITO膜層并進行真空等離子轟擊的OC絕緣層；及鍍膜于所述OC絕緣層上的MoAIMO膜層。進一步地，所述玻璃基片與所述ITO膜層之間還形成有AR層。進一步地，所述AR層厚度為200nm 250nm。進一步地，所述OC絕緣層厚度為1800nm 2200nm。進一步地，所述玻璃基片厚度為0. 33mm 0. 55mm。進一步地，所述ITO膜層厚度為15nm 25nm。進一步地，所述MoAlMo膜層厚度為320nm 380nm。進一步地，所述玻璃基片為透明的鋼化玻璃或半鋼化的玻璃基片。本實用新型實施例的有益效果是采用印于ITO膜層并進行真空等離子轟擊的OC絕緣層及鍍膜于所述OC絕緣層上的MoAIMO膜層，避免出現(xiàn)掉膜、針孔及開路等不良，提升了產品的合格率，降低了生產成本低。

圖1是本實用新型實施例電容觸摸屏的鍍膜結構的示意圖。
具體實施方式

以下結合附圖，對本實用新型實施例進行詳細說明。請參考圖1，本實用新型實施例電容觸摸屏的鍍膜結構包括玻璃基片10、ΙΤ0(摻錫氧化銦，Indium Tin Oxide，簡稱 IT0)膜層 30、0C (光學透明膠帶，Optical scotch tape, 簡稱OCA或0C)絕緣層40及MoAlMo (鉬鋁鉬)膜層50。玻璃基片10為清洗、烘干后的玻璃基片10，厚度為0.33mm 0.55mm，為透明的鋼化玻璃或半鋼化的玻璃基片10。ITO膜層30采用真空磁控濺射方式鍍膜于所述玻璃基片10的一面并進行線路圖形蝕刻加工形成，厚度為15nm 25nm，優(yōu)選為20nm。OC絕緣層40印于所述ITO膜層30，厚度為1800nm 2200nm，優(yōu)選為2000nm，印完后并對設有所述ITO膜層30及OC絕緣層40的玻璃基片10進行真空等離子轟擊。 MoAlMo膜層50鍍膜于所述OC絕緣層40上，厚度為320nm 380nm，優(yōu)選為350nm。本實用新型的另一實施方式中，所述玻璃基片10與所述ITO膜層30之間還形成有 AR(高透光率防反射，high light transmittance and reflection，簡稱 AR)層 20，所述AR層20厚度為200nm 250nm，優(yōu)選為230nm。本實用新型實施例電容觸摸屏的鍍膜結構的制作工藝流程為圖形玻璃制作步驟清洗、烘干玻璃基片10，采用真空磁控濺射方式鍍膜于所述玻璃基片10的一面并進行線路圖形蝕刻加工形成ITO膜層30。鍍MoAIMO膜層50步驟1.準備靶材。在真空鍍膜室的陰極座后裝上鉬鋁靶材，其順序為鉬靶一招靴一銷靶，采用中頻和直流磁控濺射電源控制。2.鍍膜。對己蝕刻好ITO 圖形的玻璃基片10進行平板清洗、熱烘干燥后，上架裝片鍍MoAIMO膜，采用連續(xù)磁控濺射鍍膜機，基片加熱溫度為100°C，鍍膜室傳動速度頻率為0. 5m/min，進行真空等離子體離子預轟擊，離子源功率IkW、Ar流量180sccm 220sccm、真空度2. 6 X IO^1Pa 5. 5 X IO^1Pa 之間，總氣壓為0. 260Pa 0. 55Pa,使用1個離子源進行等離子體離子預轟擊，使用6個Mo 靶和6個Al靶進行鍍MoAlMo膜，鍍膜室真空度在3. 0*10^Pa 4. 5*10^Pa之間。按照上述工藝制作的電容觸摸屏的鍍膜結構測試結果為=MoAIMO層膜厚為 !350nm，顏色均勻，無針孔等不良，MoAlMo電阻為0. 28siements/sq 0. ^siements/sq，產品最終檢驗合格。MoAlMo膜層50的主要性能如下膜層結構及膜厚鉬500A，鋁2500A，鉬500A ； 電阻測試小于等于0. 3siements/sq,由于通過增加Al膜厚度可降低膜層電阻，使電容屏能夠實現(xiàn)反應速度快，降低能耗，增強電池的續(xù)航時間；附著力使用百格刀在基板上劃1 平方毫米的方格，用3M 610#膠帶粘上后撕扯，無掉膜現(xiàn)象；熱穩(wěn)定性在220°C的環(huán)境下， 烘烤60min，無變色情況。[0028]本實用新型實施例電容觸摸屏的鍍膜結構在真空環(huán)境下進行，采用全分子泵無油真空系統(tǒng)，使用中頻磁控濺射和直流磁控濺射方式，實現(xiàn)了鉬鋁鉬三層膜的連鍍，產品性能得到保證，通過等離子體預轟擊，清潔圖形玻璃基板表面，活化ITO表面從而增加了 ITO表面與MoAIMO導電膜的結合力，等離子體在對玻璃表面的轟擊同時清潔玻璃表面，解決了掉膜、針孔及開路等不良，提高了產品的性能及產品合格率。本實用新型實施例將AR+IT0兩種技術合二為一，電容觸摸屏的鍍膜結構具有高透性，透過率Tr ^ 93%，通過圖形設計，OC膠絕緣用MoAIMO塔橋，實現(xiàn)高端投射式電容式觸摸屏所有功能，實現(xiàn)了投射式電容屏的量化生產。以上所述是本實用新型的具體實施方式
，應當指出，對于本技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本實用新型原理的前提下，還可以做出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也視為本實用新型的保護范圍。
權利要求1.一種電容觸摸屏的鍍膜結構，其特征在于，包括玻璃基片；采用真空磁控濺射方式鍍膜于所述玻璃基片的一面并進行線路圖形蝕刻加工形成的 ITO膜層；印于所述ITO膜層并進行真空等離子轟擊的OC絕緣層；及鍍膜于所述OC絕緣層上的MOAIMO膜層。
2.如權利要求1所述的電容觸摸屏的鍍膜結構，其特征在于，所述玻璃基片與所述ITO 膜層之間還形成有AR層。
3.如權利要求2所述的電容觸摸屏的鍍膜結構，其特征在于，所述AR層厚度為 200nm 250nmo
4.如權利要求1所述的電容觸摸屏的鍍膜結構，其特征在于，所述OC絕緣層厚度為 1800nm 2200nm。
5.如權利要求1所述的電容觸摸屏的鍍膜結構，其特征在于，所述玻璃基片厚度為 0. 33mm 0. 55mm0
6.如權利要求1所述的電容觸摸屏的鍍膜結構，其特征在于，所述ITO膜層厚度為 15nm 25nm。
7.如權利要求1所述的電容觸摸屏的鍍膜結構，其特征在于，所述MoAIMO膜層厚度為 320nm 380nm。
8.如權利要求1所述的電容觸摸屏的鍍膜結構，其特征在于，所述玻璃基片為透明的鋼化玻璃或半鋼化的玻璃基片。
專利摘要本實用新型實施例公開了一種電容觸摸屏的鍍膜結構，包括玻璃基片；采用真空磁控濺射方式鍍膜于所述玻璃基片的一面并進行線路圖形蝕刻加工形成的ITO膜層；印于所述ITO膜層并進行真空等離子轟擊的OC絕緣層；及鍍膜于所述OC絕緣層上的MoAlMo膜層。本實用新型實施例采用印于ITO膜層并進行真空等離子轟擊的OC絕緣層及鍍膜于所述OC絕緣層上的MoAlMo膜層，避免出現(xiàn)掉膜、針孔及開路等不良，提升了產品的合格率，降低了生產成本低。
文檔編號C03C17/36GK202107635SQ20112025337
公開日2012年1月11日 申請日期2011年7月18日 優(yōu)先權日2011年7月18日
發(fā)明者徐天輔, 徐日宏, 李小軍, 郭永飛 申請人:深圳市三鑫精美特玻璃有限公司