專利名稱：一種單晶硅的切料裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及利用多晶提拉出單晶硅領(lǐng)域，具體屬于一種單晶硅的切料裝置。
背景技術(shù)：
目前，直拉單晶爐是晶體生長設(shè)備中最重要的產(chǎn)品系列，用它來制作人工晶體，晶體生長速度最高，最容易實(shí)現(xiàn)人工控制，因此也獲得了最廣泛的應(yīng)用。為了生長出大尺寸和高質(zhì)量的單晶，人類幾乎用了一切先進(jìn)的手段。在單晶爐上集成了材料、機(jī)械、電氣、計算機(jī)、磁多方面的高端知識和技術(shù)。硅單晶體作為一種半導(dǎo)體材料，一般用于制造集成電路和其他電子元件。大部分的半導(dǎo)體硅單晶體采用直拉法制造，制作后形成單晶硅棒，需要進(jìn)行切割處理。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種單晶硅的切料裝置，結(jié)構(gòu)設(shè)計合理，切割過程更加穩(wěn)定方便快捷，切割面整齊平整，提高了切割質(zhì)量和切割效率。本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下一種單晶硅的切料裝置，包括有工作臺，工作臺上固定有多個橫向排布的滑道，滑道兩端滑動安裝有相對合的壓料塊，壓料塊之間夾置有單晶棒，壓料塊上設(shè)有梯形凹槽內(nèi)， 工作臺后端設(shè)有橫向的導(dǎo)軌，導(dǎo)軌上滑動安裝有鋸齒，工作臺的前端設(shè)有導(dǎo)料塊，導(dǎo)料塊上設(shè)有V形槽。所述的滑動端部安裝有調(diào)節(jié)螺桿，調(diào)節(jié)螺桿與壓料塊螺旋配合。本實(shí)用新型增加了壓料裝置，結(jié)構(gòu)設(shè)計合理，切割過程更加穩(wěn)定方便快捷，切割面整齊平整，提高了切割質(zhì)量和切割效率。

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
參見附圖，一種單晶硅的切料裝置，包括有工作臺1，工作臺1上固定有多個橫向排布的滑道2，滑道2兩端滑動安裝有相對合的壓料塊3，壓料塊3之間夾置有單晶棒4，壓料塊3上設(shè)有梯形凹槽5內(nèi)，工作臺1后端設(shè)有橫向的導(dǎo)軌，導(dǎo)軌上滑動安裝有鋸齒，工作臺的前端設(shè)有導(dǎo)料塊6，導(dǎo)料塊6上設(shè)有V形槽7，滑動端部安裝有調(diào)節(jié)螺桿8，調(diào)節(jié)螺桿與壓料塊螺旋配合。
權(quán)利要求1.一種單晶硅的切料裝置，包括有工作臺，其特征在于工作臺上固定有多個橫向排布的滑道，滑道兩端滑動安裝有相對合的壓料塊，壓料塊之間夾置有單晶棒，壓料塊上設(shè)有梯形凹槽內(nèi)，工作臺后端設(shè)有橫向的導(dǎo)軌，導(dǎo)軌上滑動安裝有鋸齒，工作臺的前端設(shè)有導(dǎo)料塊，導(dǎo)料塊上設(shè)有V形槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單晶硅的切割裝置，其特征在于所述的滑動端部安裝有調(diào)節(jié)螺桿，調(diào)節(jié)螺桿與壓料塊螺旋配合。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種單晶硅的切料裝置，包括有工作臺，工作臺上固定有多個橫向排布的滑道，滑道兩端滑動安裝有相對合的壓料塊，壓料塊之間夾置有單晶棒，壓料塊上設(shè)有梯形凹槽內(nèi)，工作臺后端設(shè)有橫向的導(dǎo)軌，導(dǎo)軌上滑動安裝有鋸齒，工作臺的前端設(shè)有導(dǎo)料塊，導(dǎo)料塊上設(shè)有V形槽。本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)設(shè)計合理，切割過程更加穩(wěn)定方便快捷，切割面整齊平整，提高了切割質(zhì)量和切割效率。
文檔編號B28D5/00GK202185988SQ201120264659
公開日2012年4月11日 申請日期2011年7月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月25日
發(fā)明者林游輝 申請人:合肥景坤新能源有限公司