專利名稱：陶瓷組合物及電子部件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及能夠低溫煅燒、可獲得在高頻區(qū)域的介電損耗低且耐鍍敷腐蝕性優(yōu)良的燒結(jié)體的陶瓷組合物，以及在高頻區(qū)域的介電損耗低且遷移得到改善的電子部件。
背景技術(shù)：
隨著近年來信息的大容量化、信息通信的高速化，要求在不損耗高頻信號的情況下進(jìn)行傳輸。因此，要求這些設(shè)備上搭載的電路基板等電子部件在高頻區(qū)域的介電損耗 (tan 6 = 1/Q)小。介電損耗的大小一般用QXf值的大小表示，因此，在要求介電損耗小的情況下，要求QXf值大。對于高頻信號用的電子部件中使用的陶瓷組合物，除了要求QXf值大以外，還要求介電常數(shù)S大、及共振頻率的溫度特性Tf 接近零等特性。但是，由于介電常數(shù)e越高則溫度特性T f越差，QXf■值有減小的傾向，因此,難以實(shí)現(xiàn)介電常數(shù)e及QXf值大、溫度系數(shù)Tf小的陶瓷組合物。因而，要求開發(fā)滿足這些特性的材料。作為這樣的材料之一，有日本特開2002-321973號公報(bào)(專利文獻(xiàn)I)中記載的、 包含由Baf^3xOVy, Biy)8+2xTi18054表示的鎢青銅型假固溶體的陶瓷組合物。該陶瓷組合物通過對所謂的鎢青銅型假固溶體中的部分Bi進(jìn)行進(jìn)行置換處理而得到，認(rèn)為其介電常數(shù)e 大且具有零附近的共振頻率的溫度系數(shù)T f?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)I :日本特開2002-321973號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
但是，為了將引用文獻(xiàn)I的陶瓷組合物燒結(jié)，需要加熱到1200°C以上，因此，不能與Ag等低電阻金屬同時(shí)煅燒。這樣，使用引用文獻(xiàn)I的陶瓷組合物時(shí)，無法利用低電阻金屬形成導(dǎo)體層。雖然通過添加低溫?zé)Y(jié)助劑可降低陶瓷組合物的燒結(jié)溫度，但添加低溫?zé)Y(jié)助劑所獲得的燒結(jié)體存在電特性降低、或晶界的化學(xué)耐久性降低的問題。若燒結(jié)體的晶界的化學(xué)耐久性降低，則在對形成于陶瓷層上的導(dǎo)體層進(jìn)行鍍敷處理時(shí)，陶瓷層容易被鍍液侵蝕， 因此所得的電子部件中容易發(fā)生遷移。因此，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，提供能夠低溫煅燒、可獲得在高頻區(qū)域的介電損耗低且耐鍍敷腐蝕性優(yōu)良的燒結(jié)體的陶瓷組合物。另外，根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施方式，提供在高頻區(qū)域的介電損耗低且遷移得到改善的電子部件。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的陶瓷組合物，含有由下式(I)表示的主相成分，由B成分、Li成分、Zn成分及Ag成分構(gòu)成的第一副成分,和含有選自由Si成分、Al成分及Bi成分組成的組中的至少一種成分的第二副成分；所述第一副成分相對于所述主相成分100質(zhì)量份，以氧化物換算計(jì)含有B成分0. 3 I. 4質(zhì)量份、Li成分0. I 0. 3質(zhì)量份、Zn成分I. 5 7質(zhì)量份及Ag成分I. 5 2質(zhì)量份；所述第二副成分相對于所述主相成分100質(zhì)量份，以氧化物換算計(jì)含有Si成分0 I. 25質(zhì)量份、Al成分0 I. 25質(zhì)量份、Bi成分0 5質(zhì)量份；當(dāng)所述第二副成分僅含有Si成分時(shí)，Si成分的含量為0. 4 I質(zhì)量份；當(dāng)所述第二副成分僅含有Al成分時(shí)，Al成分的含量為0. 5 I質(zhì)量份；當(dāng)所述第二副成分僅含有 Bi成分時(shí)，Bi成分的含量為4 5質(zhì)量份；當(dāng)所述第二副成分不含Bi成分而含有Si成分和Al成分時(shí)，Si成分與Al成分的合計(jì)含量為0. 9質(zhì)量份以下；當(dāng)所述第二副成分含有Si 成分和Bi成分或者含有Al成分和Bi成分時(shí)，Si成分的含量為I. 25質(zhì)量份以下，Al成分的含量為I. 25質(zhì)量份以下，Bi成分的含量為4 5質(zhì)量份；當(dāng)所述第二副成分含有Si成分、Al成分和Bi成分時(shí)，Si成分與Al成分的合計(jì)含量為I. 15質(zhì)量份以下，Bi成分的含量為4 5質(zhì)量份。Ba4(Re(1_x)，Bix)9.33Ti18054- (I)(式(I)中，Re為稀土元素，X為0 0.I5)另外，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式涉及的電子部件具備將上述陶瓷組合物煅燒而得的陶瓷層、和位于該陶瓷層的表面和/或內(nèi)部且與所述陶瓷組合物同時(shí)煅燒而得的導(dǎo)體層。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的電子部件中，所述導(dǎo)體層由Ag和/或Ag合金形成。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的電子部件中，所述導(dǎo)體層的表面進(jìn)行了濕式鍍敷處理。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的電子部件，可作為基板使用。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的陶瓷組合物，由于含有由上式(I)表示的主相成分，因此介電常數(shù)e及QXf值大且溫度系數(shù)Tf小。并且，由于分別以規(guī)定量含有由B成分、Li 成分、Zn成分及Ag成分構(gòu)成的第一副成分,和含有選自由Si成分、Al成分及Bi成分組成的組中的至少一種成分的第二副成分，因此如后所述可在930°C以下進(jìn)行燒結(jié)，能夠得到電特性優(yōu)良的燒結(jié)體。另外，通過以規(guī)定量含有第二副成分，所述第二副成分含有選自由Si 成分、Al成分及Bi成分組成的組中的至少一種成分，可使燒結(jié)后的晶界結(jié)構(gòu)變得牢固，提高晶界的化學(xué)耐久性，能夠得到耐鍍敷性優(yōu)良的燒結(jié)體。另外，由于可在930°C以下進(jìn)行燒結(jié)，因此可與Ag等低電阻金屬同時(shí)煅燒，能夠制造具備由低電阻金屬形成的導(dǎo)體層的電子部件。


圖I是表示實(shí)施例的燒結(jié)體的導(dǎo)電層圖案的圖。圖2是表示試樣No21、23的燒結(jié)體的耐濕試驗(yàn)結(jié)果的圖表。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的陶瓷組合物為下述組合物，其含有由下式(I)表示的主相成分，由B成分、Li成分、Zn成分及Ag成分構(gòu)成的第一副成分,和含有選自由Si成分、 Al成分及Bi成分組成的組中的至少一種成分的第二副成分。Ba4(Re(1_x)，Bix)9.33Ti18054 (I)以下，對各成分進(jìn)行說明。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的陶瓷組合物中使用的主相成分，為由上式(I)表示的鎢青銅型假固溶體。關(guān)于該鎢青銅型假固溶體，通過將Ba、Ti、Bi、Re (稀土元素)的氧化物、 碳酸鹽等原料粉末以使Ba、Ti、Bi、Re (稀土元素)的摩爾比達(dá)到式(I)所示的值的方式加以混合，將該混合物在700 1200°C進(jìn)行預(yù)燒，再將該預(yù)燒體進(jìn)行主煅燒，由此而得到。式⑴中，Re為稀土元素，優(yōu)選為選自由Sm、Nd、Pr及La組成的組中的一種以上元素。式⑴中，X為0 0. 15，優(yōu)選為0. 10 0. 14。x為0 0. 15時(shí)的溫度系數(shù)t f 為零或者為與X大于0. 15時(shí)相比更接近零的值。尤其是X為0. 10 0. 14時(shí)的溫度系數(shù) Tf 為零，或者為與X是0 0.15時(shí)的溫度系數(shù)Tf相同或比其更接近零的值。隨著X的增大，介電常數(shù)e增大，QXf值減?。浑S著X的減小，介電常數(shù)e減小，QXf值增大。因此，要使介電常數(shù)e增大時(shí)，使X的值在上述范圍內(nèi)增大即可，要使QXf值增大時(shí)，使X的值在上述范圍內(nèi)減小即可。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的陶瓷組合物，作為第一副成分，含有B成分、Li成分、Zn 成分及Ag成分。在一個(gè)實(shí)施方式中，相對于主相成分100質(zhì)量份，以氧化物換算計(jì)含有B成分 0. 3 I. 4質(zhì)量份,優(yōu)選含有0. 3 0. 6質(zhì)量份。B成分的含量小于0. 3質(zhì)量份時(shí),所得的陶瓷組合物在930°C以下不燒結(jié)。B成分的含量超過I. 4質(zhì)量份時(shí)，所得的陶瓷組合物的QXf 值降低，溫度特性Tf增加。在一個(gè)實(shí)施方式中，相對于主相成分100質(zhì)量份，以氧化物換算計(jì)含有Li成分
0.I 0.3質(zhì)量份。Li成分的含量小于0. I質(zhì)量份時(shí),所得的陶瓷組合物在930°C以下不燒結(jié)。Li成分的含量超過0.3質(zhì)量份時(shí)，所得的陶瓷組合物的QXf值降低，溫度特性Tf增加。在一個(gè)實(shí)施方式中，相對于主相成分100質(zhì)量份，以氧化物換算計(jì)含有Zn成分
1.5 7質(zhì)量份,優(yōu)選含有I. 5 3. 0質(zhì)量份。Zn成分的含量小于I. 5質(zhì)量份時(shí),所得的陶瓷組合物在930°C以下不燒結(jié)。Zn成分的含量超過7質(zhì)量份時(shí)，所得的陶瓷組合物的QXf 值降低。在一個(gè)實(shí)施方式中，相對于主相成分100質(zhì)量份，以氧化物換算計(jì)含有Ag成分
I.5 2質(zhì)量份。Ag成分的含量小于I. 5質(zhì)量份時(shí)，使用Ag和/或Ag合金作為導(dǎo)體層材料時(shí)，導(dǎo)體層材料會(huì)擴(kuò)散到陶瓷層中。Ag成分的含量超過2質(zhì)量份時(shí)，材料成本升高，耐鍍敷性降低。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，通過分別以上述比例含有B成分、Li成分、Zn成分及 Ag成分，能夠在不損害介電特性的情況下降低燒結(jié)溫度，從而能夠在930°C以下進(jìn)行燒結(jié)。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，作為B成分、Li成分、Zn成分及Ag成分的材料，可以使用氧化物、碳酸鹽等陶瓷粉末。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的陶瓷組合物，作為第二副成分，含有選自由Si成分、Al 成分及Bi成分組成的組中的至少一種成分。在一個(gè)實(shí)施方式中，第二副成分相對于主相成分100質(zhì)量份，以氧化物換算計(jì)含有Si成分0 I. 25質(zhì)量份、Al成分0 I. 25質(zhì)量份、Bi成分0 5質(zhì)量份。在一個(gè)實(shí)施方式中，當(dāng)?shù)诙背煞謨H含有Si成分時(shí),相對于主相成分100質(zhì)量份, 以氧化物換算計(jì)含有Si成分0. 4 I質(zhì)量份。另外，在一個(gè)實(shí)施方式中，當(dāng)?shù)诙背煞謨H單獨(dú)含有Al成分時(shí)，相對于主相成分100質(zhì)量份，以氧化物換算計(jì)含有Al成分0. 5 I質(zhì)量份。另外，在一個(gè)實(shí)施方式中，當(dāng)?shù)诙背煞謨H單獨(dú)含有Bi成分時(shí)，相對于主相成分100 質(zhì)量份，以氧化物換算計(jì)含有Bi成分4 5質(zhì)量份。另外，在一個(gè)實(shí)施方式中，當(dāng)?shù)诙背煞植缓珺i成分而含有Si成分和Al成分時(shí)，相對于主相成分100質(zhì)量份，以氧化物換算計(jì)含有Si成分及Al成分合計(jì)0. 9質(zhì)量份以下(優(yōu)選0. 4 0. 7質(zhì)量份)。另外,在一個(gè)實(shí)施方式中，當(dāng)?shù)诙背煞趾蠸i成分和Bi成分或者含有Al成分和Bi成分時(shí),相對于主相成分100質(zhì)量份，以氧化物換算計(jì)含有Si成分I. 25質(zhì)量份以下(優(yōu)選0. 4 0. 75質(zhì)量份)； 相對于主相成分100質(zhì)量份，以氧化物換算計(jì)含有Al成分I. 25質(zhì)量份以下(優(yōu)選0. 4
0.75質(zhì)量份)；相對于主相成分100質(zhì)量份，以氧化物換算計(jì)含有Bi成分4 5質(zhì)量份。 另外，在一個(gè)實(shí)施方式中，當(dāng)?shù)诙背煞趾蠸i成分、Al成分和Bi成分時(shí),相對于主相成分100質(zhì)量份，以氧化物換算計(jì)含有Si成分及Al成分合計(jì)I. 15質(zhì)量份以下(優(yōu)選0. 4
0.75質(zhì)量份)；相對于主相成分100質(zhì)量份，以氧化物換算計(jì)含有Bi成分4 5質(zhì)量份。通過含有Si成分、Al成分、Bi成分，使燒結(jié)后的晶界結(jié)構(gòu)變得牢固，晶界的化學(xué)耐久性提高。但是，Si成分、Al成分的添加量過多時(shí)，陶瓷組合物的燒結(jié)性降低，難以進(jìn)行低溫?zé)Y(jié)。即便增加Bi成分的添加量，燒結(jié)性也不會(huì)那么降低，但QXf值降低。因此，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，通過以上述范圍含有Si成分、Al成分、Bi成分，可進(jìn)行低溫?zé)Y(jié)，能夠得到晶界的化學(xué)耐久性良好的燒結(jié)體。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，作為Si成分、Al成分、Bi成分的材料，可以使用氧化
物、碳酸鹽等陶瓷粉末。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的陶瓷組合物，通過使用ZrO2微珠等，在水等存在下對以上述組成配合的原料進(jìn)行濕式混合，在根據(jù)需要添加粘結(jié)劑、增塑劑、溶劑等的基礎(chǔ)上，成形為規(guī)定形狀而形成成形體。通過將該成形體進(jìn)行煅燒，可制造燒結(jié)體。在一個(gè)實(shí)施方式中，作為粘結(jié)劑，可以使用聚乙烯系樹脂、聚乙烯醇縮丁醛樹脂、 甲基丙烯酸樹脂等。另外，作為增塑劑，可以使用鄰苯二甲酸二丁酯、鄰苯二甲酸辛酯等。另外，作為溶劑，可以使用甲苯、甲乙酮等。上述成形體可通過各種公知的成形方法、例如壓制法、刮刀法、注塑成形法、流延成形($ — 7°成形)等形成為任意的形狀。該成形體也可為生片。該情況下，通過將層疊的生片壓接而形成層疊體，并將該層疊體進(jìn)行煅燒，可制造燒結(jié)體。在一個(gè)實(shí)施方式中，將上述的成形體或?qū)盈B體在氧氣氣氛或非氧化性氣氛中在 870°C 930°C煅燒0. 5 3小時(shí)。煅燒溫度也可為930°C以上，但可能難以與Ag等低電阻金屬同時(shí)煅燒而形成導(dǎo)體層，因此煅燒溫度的上限優(yōu)選為930°C。這樣得到的燒結(jié)體，介電常數(shù)e為75以上，QXf 值為1500以上，-30 85°C的范圍的共振頻率的溫度系數(shù)Tf 處于±30X10_6/°C的范圍內(nèi)，耐腐蝕性優(yōu)良，鍍敷工藝所造成的基材侵蝕極少。為了增大介電常數(shù)e，只要提高主相成分(式I)的Bi的比率(增加X)、或者減少副成分中Si成分或Al成分的含量或增加Bi成分的含量即可。另一方面，為了減小介電常數(shù)e (其中為75以上)，只要降低主相成分(式I)的Bi比率(減少X)、或者增加副成分中Si成分或Al成分的含量或減少Bi成分的含量即可。另外，為了提高QX f值(其中為1500以上的范圍)，只要降低主相成分(式I)的Bi比率即可(減少X即可)。另外，為了使溫度系數(shù)T f接近零，只要將主相成分(式I)的Bi比率X設(shè)定為0. 10 0. 14的范
圍即可。下面，對本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的電子部件進(jìn)行說明。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的電子部件，具備將上述陶瓷組合物煅燒而得的陶瓷層和導(dǎo)體層。該導(dǎo)體層位于陶瓷層的表面和/或內(nèi)部。導(dǎo)體層可通過與陶瓷組合物同時(shí)煅燒而得到。作為構(gòu)成導(dǎo)體層的材料，優(yōu)選低電阻材料，例如優(yōu)選Ag和/或Ag合金。Ag合金的例子中包括Ag-Pd合金、Ag-Pt合金。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的電子部件，可包括例如單層基板、層疊基板、電容器、過濾器等，但不限定于這些。以下，對本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的層疊基板的制造方法的一例進(jìn)行說明。首先，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的陶瓷組合物中添加粘結(jié)劑、溶劑、增塑劑等制備成漿狀。將該漿狀的混合物用刮刀法等方法成形為薄膜狀，得到多個(gè)生片。然后，在所得的多個(gè)生片上，利用絲網(wǎng)印刷法等印刷含有Ag、Ag合金等導(dǎo)體金屬的導(dǎo)體糊。由此，得到形成有規(guī)定圖案的未煅燒的內(nèi)部導(dǎo)體層的生片。然后，將形成有未煅燒的內(nèi)部導(dǎo)體層的生片重疊多個(gè)，將該重疊的生片彼此壓接， 制造未煅燒的層疊體。然后，將未煅燒的層疊體進(jìn)行脫粘結(jié)劑處理后，切割成規(guī)定的形狀，使未煅燒的內(nèi)部導(dǎo)體層露出于未煅燒層疊體的端部。然后，利用絲網(wǎng)印刷法等方法，在未煅燒層疊體的端面印刷含有Ag、Ag合金等導(dǎo)體金屬的導(dǎo)體糊，形成未煅燒的基底金屬。然后，將形成有未煅燒基底金屬的未煅燒層疊體在氧氣氣氛或非氧化性氣氛中在 870°C 930°C煅燒0. 5 3小時(shí)，將未煅燒層疊體與未煅燒基底金屬同時(shí)進(jìn)行煅燒。然后，對煅燒未煅燒基底金屬而得到的基底金屬的表面，實(shí)施電鍍等濕式鍍敷處理以形成鍍層，從而形成外部電極。由以上操作，得到在陶瓷層的層間及陶瓷層的外側(cè)形成有導(dǎo)體層的層疊基板。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的電子部件中，陶瓷層的介電常數(shù)e為75以上，QXf值為1500以上，-30 85°C的范圍內(nèi)的共振頻率的溫度系數(shù)Tf 處于±30X10_6/°C的范圍， 高頻區(qū)域的介電特性優(yōu)良。另外，由于陶瓷層可在能夠與Ag、Ag合金等低電阻金屬同時(shí)煅燒的溫度下燒結(jié)，因此，作為一個(gè)實(shí)施方式的電子部件的導(dǎo)體金屬，可使用Ag、Ag合金等低電阻金屬。實(shí)施例分別稱量BaCO3粉末、TiO2粉末、Bi2O3粉末及Nd2O3粉末，使Ba、Ti、Bi、Nd的摩爾比達(dá)到下式(2-1) (2-5)所示的值。將該稱量的粉末進(jìn)行濕式混合15小時(shí)后，在120°C 干燥，將干燥后的粉體在1100°C進(jìn)行2小時(shí)預(yù)燒，得到主相成分的預(yù)燒體。Ba4(Nd1) 9 33Ti18O54... (2-1)Ba4 (Nd。.9，Bi0.:) 9.33Ti18054... (2-2)Ba4(Nda 8657Biai35)I33Ti18Oy (2_3)Ba4 (Nd0.85，Bi0.15) 9.33Ti18054... (2-4)Ba4(Nda847Biai6)I33Ti18Oy (2_5)
接著，將該主相成分的預(yù)燒體制成粉末。然后，以表I 6的副成分欄所示的組成比分別稱量B2O3粉末、Li2O粉末、ZnO粉末、Ag2O粉末、SiO2粉末、Al2O3粉末及Bi2O3粉末并添加到該主相成分的預(yù)燒體的粉末中，進(jìn)行15小時(shí)濕式混合，得到94種混合物。接著，將各個(gè)該混合物在120°C進(jìn)行干燥，向該干燥后的混合物中適量添加PVA類粘結(jié)劑，并進(jìn)行造粒、壓制成形，得到94種成形體。接著，將該成形體在大氣中加熱至500°C，進(jìn)行脫粘結(jié)劑處理。將該脫粘結(jié)劑處理后的成形體在大氣中在930°C煅燒2小時(shí)，得到試樣Nol 94所示的燒結(jié)體。對這些燒結(jié)體，分別評價(jià)燒結(jié)性、體積密度、介電常數(shù)e、QXf值、溫度系數(shù)Tf。 該評價(jià)結(jié)果歸納記載于表I 6。需要說明的是，關(guān)于燒結(jié)性，將930°C下燒結(jié)的試樣評價(jià)為〇、未燒結(jié)的試樣評價(jià)為X。另外，體積密度基于阿基米德法進(jìn)行測定。另外，介電常數(shù) e、QXf 值、溫度系數(shù)Tf是根據(jù)JIS R1627，測定3GHz 5GHz的共振頻率下的值。另外，
溫度系數(shù)T f是測定3GHz 5GHz的共振頻率下的_30°C 85°C間的溫度變化率。另外，在上述94種成形體各自的表面上如圖I所示地印刷Ag糊，在大氣中在 930°C下煅燒2小時(shí)，得到在陶瓷層上形成有Ag導(dǎo)電層的燒結(jié)體。用電子部件的電鍍中一般使用的Ni、Cu、Sn對所得的燒結(jié)體進(jìn)行電鍍，以鍍層覆蓋Ag導(dǎo)電層。由此，得到具有與試樣 Nol 94相同的組成比且形成有Ag導(dǎo)電層的94種燒結(jié)體。評價(jià)這些燒結(jié)體的陶瓷層的鍍敷侵蝕距離。該評價(jià)結(jié)果歸納記載于表I 6。表I 表6中，對于形成有Ag導(dǎo)電層的燒結(jié)體，與未形成Ag導(dǎo)電層的燒結(jié)體同樣地，也用試樣Nol 94加以表示。需要說明的是， 鍍敷侵蝕距離表示將燒結(jié)體或碎片折斷并用電子顯微鏡觀察斷裂面時(shí)，在斷裂面上觀察到的呈現(xiàn)晶界斷裂模式的部分距表面的深度。另外，使用試樣No21、23的燒結(jié)體，進(jìn)行耐濕試驗(yàn)。該試驗(yàn)結(jié)果示于圖2。該耐濕試驗(yàn)中，如圖I所示，在溫度85°C、濕度85%的環(huán)境下施加DC5V的電壓，測定電阻值的經(jīng)時(shí)變化。表I
權(quán)利要求
1.一種陶瓷組合物，含有由下式a)表示的主相成分、由B成分、Li成分、Zn成分及Ag成分構(gòu)成的第一副成分、和含有選自由Si成分、Al成分及Bi成分組成的組中的至少一種成分的第二副成分，所述第一副成分相對于所述主相成分100質(zhì)量份，以氧化物換算計(jì)含有B成分0. 3 I. 4質(zhì)量份、Li成分0. I 0. 3質(zhì)量份、Zn成分I. 5 7質(zhì)量份、Ag成分I. 5 2質(zhì)量份， 所述第二副成分相對于所述主相成分100質(zhì)量份，以氧化物換算計(jì)含有Si成分0 I. 25質(zhì)量份、Al成分0 I. 25質(zhì)量份、Bi成分0 5質(zhì)量份，當(dāng)所述第二副成分僅單獨(dú)含有Si成分時(shí)，Si成分的含量相對于所述主相成分100質(zhì)量份，以氧化物換算為0. 4 I質(zhì)量份，當(dāng)所述第二副成分僅單獨(dú)含有Al成分時(shí)，Al成分的含量相對于所述主相成分100質(zhì)量份，以氧化物換算為0. 5 I質(zhì)量份，當(dāng)所述第二副成分僅單獨(dú)含有Bi成分時(shí)，Bi成分的含量相對于所述主相成分100質(zhì)量份，以氧化物換算為4 5質(zhì)量份，當(dāng)所述第二副成分不含Bi成分而含有Si成分和Al成分時(shí)，Si成分與Al成分的合計(jì)含量相對于所述主相成分100質(zhì)量份，以氧化物換算為0. 9質(zhì)量份以下，當(dāng)所述第二副成分含有Si成分和Bi成分，或含有Al成分和Bi成分時(shí)，Si成分的含量相對于所述主相成分100質(zhì)量份，以氧化物換算為I. 25質(zhì)量份以下，Al成分的含量相對于所述主相成分100質(zhì)量份，以氧化物換算為I. 25質(zhì)量份以下，Bi成分的含量相對于所述主相成分100質(zhì)量份，以氧化物換算為4 5質(zhì)量份，當(dāng)所述第二副成分含有Si成分、Al成分和Bi成分時(shí)，Si成分與Al成分的合計(jì)含量相對于所述主相成分100質(zhì)量份，以氧化物換算為I. 15質(zhì)量份以下，Bi成分的含量相對于所述主相成分100質(zhì)量份，以氧化物換算為4 5質(zhì)量份，Ba4 (Re(1_x), Bix) 9.33Ti180y (I)式⑴中，Re為稀土元素，X為0 0. 15。
2.一種電子部件，其特征在于，具備將權(quán)利要求I所述的陶瓷組合物煅燒而得的陶瓷層、和位于該陶瓷層的表面和/或內(nèi)部且與所述陶瓷組合物同時(shí)煅燒而得的導(dǎo)體層。
3.如權(quán)利要求2所述的電子部件，其中，所述導(dǎo)體層由Ag和/或Ag合金形成。
4.如權(quán)利要求2或3所述的電子部件，其中，所述導(dǎo)體層的表面進(jìn)行了濕式鍍敷處理。
全文摘要
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，提供能夠低溫煅燒、可獲得在高頻區(qū)域的介電損耗低、耐鍍敷腐蝕性優(yōu)良的燒結(jié)體的陶瓷組合物及電子部件。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的陶瓷組合物，含有由Ba4(Re(1-x)，Bix)9.33Ti18O54表示的主相成分、第一副成分和第二副成分；所述第一副成分相對于主相成分100質(zhì)量份，以氧化物換算計(jì)含有B成分0.3～1.4質(zhì)量份、Li成分0.1～0.3質(zhì)量份、Zn成分1.5～7質(zhì)量份及Ag成分1.5～2質(zhì)量份；所述第二副成分相對于主相成分100質(zhì)量份，以氧化物換算計(jì)含有Si成分0～1.25質(zhì)量份、Al成分0～1.25質(zhì)量份及Bi成分0～5質(zhì)量份。本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的電子部件，具備將該陶瓷組合物煅燒而得的陶瓷層、和位于該陶瓷層的表面和/或內(nèi)部且與陶瓷組合物同時(shí)煅燒而得的導(dǎo)體層。
文檔編號C04B35/468GK102603289SQ20121001559
公開日2012年7月25日 申請日期2012年1月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年1月19日
發(fā)明者和川明俊, 玉野井美香 申請人:太陽誘電株式會(huì)社