專利名稱：帶有v型槽的微小硅片的切斷方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及微小硅片的切斷方法，尤其是適用于硅片中有一個(gè)導(dǎo)向V型槽，且適用于狹窄空間的，主要是一種帶有V型槽的微小硅片的切斷方法。
背景技術(shù)：
目前，公知的帶有V型槽的微小硅片的切割方法是，用左支架、右支架支撐微小硅片， 用金剛石刀從V型槽的反面由里向外劃痕并切斷，由于空間狹小金剛石刀伸展不進(jìn)去，切出的斷面與所需的工件不平整，還要凸出一個(gè)刀間隙，而硅片的正面有個(gè)V型槽，在受力劃過(guò)敲斷的過(guò)程中微小硅片容易順著V型槽的根部從右向左方向斷開(kāi)，V型槽微小硅片的正面是工作面無(wú)法劃，不能有任何損壞，因而傳統(tǒng)的加工成品率不高，成本大大提高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種帶有V型槽的微小硅片的切斷方法，其切斷后斷口截面平整，不損壞原有的V型槽體及表面，操作簡(jiǎn)單方便。為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是
I、一種帶有V型槽的微小硅片的切斷方法，其特征在于包括以下步驟
(1)準(zhǔn)備好左支架和右支架及一塊用于沖撞的撞塊，撞塊的下端呈錐形結(jié)構(gòu)；
(2)在微小娃片上的Y方向上設(shè)有兩個(gè)橫槽,橫槽的深度比微小娃片上X方向的V型槽的深度要深；
(3)將微小硅片放置在左、右兩個(gè)支架上，且左、右兩個(gè)支架之間有間距，使微小硅片上 Y方向上的兩個(gè)橫槽與左、右支架的內(nèi)側(cè)邊正好對(duì)應(yīng)；
(4)用撞塊輕輕敲壓微小硅片的位于左、右支架之間的部位，將微小硅片斷成三段。2、根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種帶有V型槽的微小硅片的切斷方法，其特征在于在所述的步驟(2)中，微小硅片的Y方向上的兩個(gè)橫槽的制作方法是
1)利用低壓化學(xué)氣相沉積在硅片表面生長(zhǎng)氮化硅薄膜；
2)在硅片表面涂光刻膠并干燥，形成光刻膠膜；
3)將事先做好圖形的掩模放在硅片上方，在光刻機(jī)中曝光形成潛影；
4)顯影、清洗、烘干，在硅片表面形成具有圖形結(jié)構(gòu)的膠膜；
5)硅片放入真空腔中充入特定氣體并放電，在低壓等離子體中刻蝕沒(méi)有膠膜保護(hù)的氮化硅，直至徹底清除氮化硅并露出單晶硅；
6)用去膜劑除掉膠膜，露出具有圖形結(jié)構(gòu)的氮化硅；
7)在堿性腐蝕液中濕法刻蝕露出的硅片，直至形成橫槽。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是
本發(fā)明切斷后斷口截面平整，不損壞原有的V型槽體及表面，操作簡(jiǎn)單方便。


圖I為本發(fā)明中微小硅片的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為本發(fā)明操作的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式參見(jiàn)圖1、2，一種帶有V型槽的微小硅片的切斷方法，包括以下步驟
(1)準(zhǔn)備好左支架I和右支架2及一塊用于沖撞的撞塊4，撞塊4的下端呈錐形結(jié)構(gòu)；
(2)在微小娃片3上的Y方向上設(shè)有兩個(gè)橫槽5,橫槽5的深度比微小娃片上X方向的 V型槽6的深度要深；
(3)將微小硅片3放置在左I、右2兩個(gè)支架上，且左I、右2兩個(gè)支架之間有間距，使微小硅片3上Y方向上的兩個(gè)橫槽5與左I、右2支架的內(nèi)側(cè)邊正好對(duì)應(yīng)；
(4)用撞塊4輕輕敲壓微小硅片3的位于左I、右2支架之間的部位，將微小硅片3斷成二段。在所述的步驟(2)中，微小硅片的Y方向上的兩個(gè)橫槽的制作方法是
1)利用低壓化學(xué)氣相沉積在硅片表面生長(zhǎng)氮化硅薄膜；
2)在硅片表面涂光刻膠并干燥，形成光刻膠膜；
3)將事先做好圖形的掩模放在硅片上方，在光刻機(jī)中曝光形成潛影；
4)顯影、清洗、烘干，在硅片表面形成具有圖形結(jié)構(gòu)的膠膜；
5)硅片放入真空腔中充入特定氣體并放電，在低壓等離子體中刻蝕沒(méi)有膠膜保護(hù)的氮化硅，直至徹底清除氮化硅并露出單晶硅；
6)用去膜劑除掉膠膜，露出具有圖形結(jié)構(gòu)的氮化硅；
7)在堿性腐蝕液中濕法刻蝕露出的硅片，直至形成橫槽。
權(quán)利要求
1.一種帶有V型槽的微小硅片的切斷方法，其特征在于包括以下步驟(1)準(zhǔn)備好左支架和右支架及一塊用于沖撞的撞塊，撞塊的下端呈錐形結(jié)構(gòu)；(2)在微小娃片上的Y方向上設(shè)有兩個(gè)橫槽,橫槽的深度比微小娃片上X方向的V型槽的深度要深；(3)將微小硅片放置在左、右兩個(gè)支架上，且左、右兩個(gè)支架之間有間距，使微小硅片上 Y方向上的兩個(gè)橫槽與左、右支架的內(nèi)側(cè)邊正好對(duì)應(yīng)；(4)用撞塊輕輕敲壓微小硅片的位于左、右支架之間的部位，將微小硅片斷成三段。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種帶有V型槽的微小硅片的切斷方法，其特征在于在所述的步驟(2)中，微小硅片的Y方向上的兩個(gè)橫槽的制作方法是1)利用低壓化學(xué)氣相沉積在硅片表面生長(zhǎng)氮化硅薄膜；2)在硅片表面涂光刻膠并干燥，形成光刻膠膜；3)將事先做好圖形的掩模放在硅片上方，在光刻機(jī)中曝光形成潛影；4)顯影、清洗、烘干，在硅片表面形成具有圖形結(jié)構(gòu)的膠膜；5)硅片放入真空腔中充入特定氣體并放電，在低壓等離子體中刻蝕沒(méi)有膠膜保護(hù)的氮化硅，直至徹底清除氮化硅并露出單晶硅；6)用去膜劑除掉膠膜，露出具有圖形結(jié)構(gòu)的氮化硅；7)在堿性腐蝕液中濕法刻蝕露出的硅片，直至形成橫槽。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了一種帶有V型槽的微小硅片的切斷方法，先將微小硅片的Y方向上通過(guò)腐蝕的方法制作出兩條橫槽，且橫槽的深度比V型槽的深度深，再將微小硅片放在左右支架上，再利用撞塊輕輕敲壓微小硅片的位于左、右支架之間的部位，將微小硅片斷成三段。本發(fā)明切斷微小硅片后斷口截面平整，不損壞原有的V型槽體及表面，操作簡(jiǎn)單方便。
文檔編號(hào)B28D5/00GK102581967SQ20121002557
公開(kāi)日2012年7月18日 申請(qǐng)日期2012年2月6日 優(yōu)先權(quán)日2012年2月6日
發(fā)明者梁強(qiáng), 汪東生 申請(qǐng)人:安徽白鷺電子科技有限公司