專利名稱：一種高壓電瓷再生工藝方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種高壓電瓷再生工藝。
背景技術(shù)：
根據(jù)現(xiàn)有資料統(tǒng)計分析，2011年我國電瓷生產(chǎn)產(chǎn)值約300億元，在現(xiàn)有生產(chǎn)工藝條件下，電瓷生產(chǎn)過程中的瓷檢合格率在80% 85%左右，出口灰釉產(chǎn)品70% 80%。其主要缺陷為開裂、針孔、鐵點、碰瓷、缺釉、落砂。其中變形、開裂等共約占5% 8%左右，表面缺陷綜合約占6% 10%。這一外觀缺陷損失全國約有15億元左右。對這些缺陷，過去的做法是采用有機(jī)材料進(jìn)行修補(bǔ)。隨著國內(nèi)外電瓷產(chǎn)品對外觀的要求越來越高，歐美市場及中亞高端客戶現(xiàn)已禁止使用有機(jī)材料修補(bǔ)這一方法，這條路再也行不通了，如果不采取新的生產(chǎn)工藝進(jìn)行補(bǔ)救，僅因外觀缺陷而報廢產(chǎn)品，將給社會造成巨大經(jīng)濟(jì)損失和環(huán)境污染。電瓷生產(chǎn)是一種勞動密集型產(chǎn)業(yè)，其生產(chǎn)技術(shù)水平和條件難以達(dá)到零缺陷的外觀要求，根據(jù)這一狀況，采取無機(jī)材料對電瓷再生產(chǎn)，使電瓷產(chǎn)品不因外表缺陷報廢，進(jìn)而有效的再生利用，可以說，電瓷再生技術(shù)具有廣大的市場，如果該技術(shù)推廣到全國電瓷行業(yè)，其經(jīng)濟(jì)效益每年將接近15億元，節(jié)約瓷泥資源30萬噸，節(jié)約標(biāo)煤20萬噸左右。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的就是提供一種利用無機(jī)材料，對有表面缺陷的電瓷產(chǎn)品進(jìn)行再加工的生產(chǎn)方法，它不僅使部分已報廢的產(chǎn)品重獲新生，節(jié)約了能源，減少了次生垃圾的產(chǎn)生，變廢為寶，而且大大地節(jié)約了瓷泥資源，有效地提高了勞動價值，保護(hù)了環(huán)境。本發(fā)明的技術(shù)方案是通過以下途徑實現(xiàn)的它的主要工藝流程是配色、制釉、噴涂、上釉、燒成。其中配色工藝要求調(diào)配出相應(yīng)顏色的無機(jī)釉料，該無機(jī)釉料的外觀顏色必須與可再生產(chǎn)品的色彩完全一致，并與其膨脹系數(shù)相兼容。制釉工藝中，釉的粘度值控制在180 220帕斯卡 秒，表面張力為0. 25 0. 35N/m，潤濕角大于90°。上釉工藝中，對有缺陷的電瓷產(chǎn)品的缺陷處進(jìn)行精細(xì)的打磨拋光，然后再噴上一層薄薄的再生釉，釉層厚度控制在0. 15 0. 25mm之間。燒成工藝中，產(chǎn)品燒成溫度控制在700°C 1000°C，且在釉中加入70% 85%已經(jīng)燒制好的低溫石英熔塊，8% 20%的高嶺土，2% 8%的與產(chǎn)品顏色相近的色劑顏料和乳濁劑。升溫曲線20(TC之前，升溫速度不大于30°C /h，50(TC 600°C，升溫速度不大于200C /h，700°C 釉?；郎厮俣?0°C /h，保溫I小時。降溫曲線?；?600°C為快速降溫，降溫速度大于60°C /h，600°C 室溫加15°C為緩慢降溫，降溫速度小于30°C /h。
本發(fā)明不僅使部分已報廢的產(chǎn)品重獲新生，節(jié)約了能源，減少了次生垃圾的產(chǎn)生，變廢為寶，而且大大地節(jié)約了瓷泥資源，有效地提高了勞動價值，保護(hù)了環(huán)境。
具體實施例方式本發(fā)明的具體實施方式
。本發(fā)明的技術(shù)方案是 通過以下途徑實現(xiàn)的，它的主要工藝流程含配色、制釉、上釉、燒成。其中配色工藝是調(diào)配出相應(yīng)顏色的無機(jī)釉料，該無機(jī)釉料的外觀顏色要求與可再生的產(chǎn)品色彩完全一致，并與其膨脹系數(shù)相兼容。制釉工藝中，釉的粘度值控制在180 220帕斯卡 秒，表面張力為0. 25 0. 35N/m，潤濕角大于90°。上釉工藝中，對有外表缺陷的電瓷產(chǎn)品打磨拋光，然后再噴上一層再生釉，釉層厚度控制在0. 15 0. 25mm之間。燒成工藝中，產(chǎn)品燒成溫度控制在700°C 1000°C，且在釉中加入70% 85%已經(jīng)燒制好的低溫石英熔塊，8% 20%的高嶺土，2% 8%的與產(chǎn)品顏色相近的色劑顏料和乳濁劑，本發(fā)明采用的乳濁劑為硅酸鋯。升溫曲線20)°C之前，升溫速度不大于30°C /h ;500°C 600°C，升溫速度不大于200C /h ；700°C~ 1000°C釉?；Ｉ郎厮俣?0°C /h，保溫2小時；降溫曲線停火 600°C為快速降溫，降溫速度大于60°C /h ;600°C 室溫加15°C為緩慢降溫，降溫速度小于30°C /h。低溫石英熔塊主要化學(xué)成分和重量百分比如下SiO2 :43 % 48 %、Al2O3 :5 % 7 %、MgO :2. 0 % 2. 4 %、K2O :6. 5 % 8. 5 %、Na2O :4. 5% 6. 3%, CaO :9% 12%高嶺土主要化學(xué)成分和重量百分比如下SiO2 :53 % 59 %、Al2O3 :23 % 28 %、Fe2O3 ^ 2. 2 K2CHNa2O ^ 2. 5I.L.(灼減):彡 15%具體的工藝操作過程如下首先對再生電瓷產(chǎn)品外觀進(jìn)行分類，分析測量，制定出修復(fù)范圍，并對來樣釉色，根據(jù)釉基，調(diào)整不同的顏料進(jìn)行配制。采用高速研磨機(jī)研磨和馬弗爐燒制，顏色力求與可再生產(chǎn)品釉色達(dá)到一致。缺釉面積過大的需對釉缺口邊緣采用微型磨頭打磨出一個釉面過渡層。將可再生品進(jìn)烘房加熱，加熱至40°C 50°C，保溫2小時。再用微型噴槍將調(diào)制好的再生釉噴涂在再生品表面上，噴釉厚度在0. 15
0.25mm之間，新老釉面必須逐步過渡，釉層厚度逐步減薄，做到不流釉，不堆釉，平整均勻。
干燥后直接進(jìn)窯。按產(chǎn)品類別分別裝窯，裝窯時需對窯具，產(chǎn)品吹灰，去塵。保持釉面潔凈。按升溫曲線燒成12 18個小時，保溫0. 5 I. 5小時后按降溫曲線降溫18 24個小時。出窯后對表面進(jìn)行拋光并檢查出廠。
權(quán)利要求
1.一種高壓電瓷再生工藝，它的主要工藝流程含配色、制釉、上釉，燒成，其特征在于所述的 A)配色工藝是配出相應(yīng)顏色的無機(jī)釉料，該無機(jī)釉料的外觀顏色力求與可再生的產(chǎn)品色彩完全一致，并與其膨脹系數(shù)相兼容； B)制釉工藝中，釉的粘度值控制在180 220帕斯卡 秒，表面張力為O.25 O. 35N/m,潤濕角大于90° ; C)上釉工藝中，對可再生電瓷產(chǎn)品進(jìn)行精細(xì)的打磨拋光，然后再噴上一層再生釉，釉層厚度控制在O. 15 O. 25mm之間； D)燒成工藝中，產(chǎn)品燒成溫度控制在700°C 1000°C，且在釉中加入70% 85%已經(jīng)燒制好的低溫石英熔塊，8 % 20 %的高嶺土，2 % 8 %的與產(chǎn)品顏色相近的色劑顏料和乳濁劑； 升溫曲線200°C之前，升溫速度不大于30°C /h ;500°C 600°C，升溫速度不大于200C /h ;700°C 1000°C釉?；?，升溫速度40°C /h，保溫I. 5 2. 5小時； 降溫曲線?；?600°C為快速降溫，降溫速度大于60°C /h，600°C 室溫加15°C為緩慢降溫，降溫速度小于30°C /h。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種高壓電瓷再生工藝，其特征在于所述的低溫石英熔塊主要化學(xué)成分和重量百分比為Si02 : 43% 48%、A1203 :5% 7%、MgO :2. 0% 2. 4%,K2O 6.5% 8. 5%, Na2O 4. 5% 6. 3%, CaO :9% 12%。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種高壓電瓷再生工藝，其特征在于所述的高嶺土主要化學(xué)成分和重量百分比為=SiO2 53%~ 59%, Al2O3 23%~ 28%, Fe2O3 ≤ 2. 2%、K2CHNa2O ≥2. 5%、灼減≤ 15%。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的一種高壓電瓷再生工藝，其特征在于所述的乳濁劑為硅酸鋯。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種高壓電瓷再生工藝。它的主要工藝流程是配色、制釉、噴涂、上釉、燒成。配色工藝要求無機(jī)釉料的外觀顏色與可再生產(chǎn)品的色彩一致，并與其膨脹系數(shù)相兼容。制釉工藝中，控制好釉的粘度值、表面張力和潤濕角。上釉工藝中，對有缺陷的電瓷產(chǎn)品的缺陷處進(jìn)行精細(xì)的打磨拋光，然后再噴上一層薄薄的再生釉，控制好釉層厚度。燒成工藝中，產(chǎn)品燒成溫度控制在700℃～1000℃，且在釉中加入已經(jīng)燒制好的低溫石英熔塊，高嶺土，與產(chǎn)品顏色相近的色劑顏料和乳濁劑。本發(fā)明不僅使部分已報廢的產(chǎn)品重獲新生，節(jié)約了能源，減少了次生垃圾的產(chǎn)生，變廢為寶，而且大大地節(jié)約了瓷泥資源，有效地提高了勞動價值，保護(hù)了環(huán)境。
文檔編號C04B41/86GK102627477SQ201210114248
公開日2012年8月8日 申請日期2012年4月18日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月18日
發(fā)明者殷楊合 申請人:殷楊合