晶圓片激光加工方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種晶圓片激光加工方法，其包括如下步驟：a）提供晶圓片；b）貼膜；c）由離所述晶圓片的外緣預(yù)定距離處沿所述晶圓片的切割道向內(nèi)進(jìn)行一輪激光切割；d）去膜；e）對(duì)去膜后的晶圓片進(jìn)行蒸鍍處理；f）貼膜；g）裂片；h）倒膜：i）擴(kuò)膜；j）測(cè)試。在激光切割中，由離晶圓片的外緣預(yù)定距離處開始切割，使得由晶圓片的外緣至該預(yù)定距離處的部分不被切割，體上保證了晶圓片的可操作強(qiáng)度，也不易破裂，大大地增加了加工的良率，降低破片率。
【專利說明】晶圓片激光加工方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種晶圓片激光加工方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著市場(chǎng)需求的不斷增加，LED制造業(yè)對(duì)產(chǎn)能、成品率和發(fā)光亮度的要求越來越高。激光加工技術(shù)已經(jīng)成為LED制造業(yè)首要的工具，成為高亮度LED晶圓加工的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
[0003]激光劃片使得晶圓微裂紋以及微裂紋擴(kuò)張大大減少，LED單體之間的距離大大減小，這樣不但提高產(chǎn)能，而且增加了生產(chǎn)效率。這里所說的激光劃片指的是激光切割晶圓片。
[0004]請(qǐng)參閱圖1，在傳統(tǒng)的晶圓片加工工藝中，將待切割的晶圓片10定位于一臺(tái)激光切割設(shè)備上，激光切割設(shè)備控制激光由所述晶圓片10的邊緣沿切割道11切割所述晶圓片
10。在后續(xù)去除所述晶圓片背面的貼膜的工序中，所述晶圓片邊緣極易因撕膜力的作用而破裂，破片率較高，影響后續(xù)加工，無法滿足生產(chǎn)的要求。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明實(shí)施例的目的在于提供一種晶圓片激光加工方法，旨在解決傳統(tǒng)的晶圓片加工工藝中因晶圓片的邊緣被切割而使后續(xù)加工的破片率高的問題。
[0006]本發(fā)明實(shí)施例是這樣實(shí)現(xiàn)的，一種晶圓片激光加工方法，其包括如下步驟:
[0007]a)提供晶圓片，所述晶圓片具有正面及帶有電極的背面，所述晶圓片的背面設(shè)置有切割道；
[0008]b)于所述晶圓片背面貼膜；
[0009]c)將貼膜的晶圓片定位于一激光切割設(shè)備中，所述激光切割設(shè)備發(fā)出的激光由離所述晶圓片的外緣預(yù)定距離處沿所述晶圓片的切割道向內(nèi)進(jìn)行一輪激光切割；
[0010]d)切割完成后，去除所述晶圓片背面的貼膜；
[0011]e)對(duì)去膜后的晶圓片進(jìn)行蒸鍍處理，以提高所述晶圓片的亮度；
[0012]f)于所述晶圓片的背面貼膜；
[0013]g)將貼膜后的晶圓片于一裂片機(jī)中進(jìn)行裂片；
[0014]h)倒膜，即于所述晶圓片的正面貼膜，然后去除所述晶圓片背面的貼膜；
[0015]i)擴(kuò)膜，即將所述晶圓片切割后所形成的晶粒的距離拉大；
[0016]j )對(duì)各個(gè)晶粒進(jìn)行測(cè)試。
[0017]本發(fā)明的晶圓片激光加工方法在一輪激光切割中，由離所述晶圓片的外緣預(yù)定距離處開始切割，使得由所述晶圓片的外緣至該預(yù)定距離處的晶圓片部分不被切割，這樣整體上保證了所述晶圓片的可操作強(qiáng)度，也不易破裂，大大地增加了加工的良率，降低破片率。所述晶圓片由于制程的關(guān)系，外緣向內(nèi)的預(yù)定距離范圍內(nèi)品質(zhì)不穩(wěn)定，即使傳統(tǒng)的加工方式，該范圍內(nèi)的晶圓片也是做正常報(bào)廢處理的，所以本發(fā)明的晶圓片激光加工方法并沒有造成多余的浪費(fèi)。【專利附圖】

【附圖說明】
[0018]圖1示出了預(yù)備采用傳統(tǒng)的晶圓片激光加工方法進(jìn)行加工的晶圓片。
[0019]圖2示出了預(yù)備采用本發(fā)明實(shí)施例提供的晶圓片激光加工方法的晶圓片。
[0020]圖3是本發(fā)明實(shí)施例提供的晶圓片激光加工方法的工業(yè)級(jí)精密相機(jī)拍照的示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖及實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0022]請(qǐng)參閱圖2和圖3，本發(fā)明實(shí)施例提供的晶圓片激光加工方法包括如下步驟:
[0023]a)提供晶圓片20，所述晶圓片20具有正面21及帶有電極(圖未示)的背面22，所述晶圓片20的背面22設(shè)置有切割道23 ；
[0024]b)于所述晶圓片20的背面22貼膜；
[0025]c)將貼膜的晶圓片20定位于一激光切割設(shè)備(圖未示)中，所述激光切割設(shè)備發(fā)出的激光由離所述晶圓片20的外緣預(yù)定距離處沿所述晶圓片20的切割道23向內(nèi)進(jìn)行一輪激光切割；
[0026]d)切割完成后，去除所述晶圓片20背面的貼膜；
[0027]e)對(duì)去I旲后的晶圓片20進(jìn)行蒸鍛處理，以提聞所述晶圓片20的売度；
[0028]f)于所述晶圓片20的背面貼膜；
[0029]g)將切割后的晶圓片20于一裂片機(jī)(圖未示)中進(jìn)行裂片；
[0030]h)倒膜，即于所述晶圓片20的正面21貼膜，然后去除所述晶圓片20背面22的貼膜；
[0031]i)擴(kuò)膜，即將所述晶圓片20切割后所形成的晶粒的距離拉大；
[0032]j)對(duì)各個(gè)晶粒進(jìn)行測(cè)試。
[0033]在步驟f )和g)之間還包括將貼膜的晶圓片20定位于所述激光切割設(shè)備中并使所述激光切割設(shè)備發(fā)出的激光沿所述晶圓片20的切割道23進(jìn)行另一輪激光切割的步驟A)。
[0034]在步驟c)中，根據(jù)所述晶圓片20的厚度不同，可能同一切割道23內(nèi)會(huì)切割2次或多次的情況。在步驟c)中，所述一輪激光切割包括多次切割。
[0035]在步驟c)中，所述預(yù)定距離為所述晶圓片20上離所述晶圓片20的外緣為0.2mm?1.5臟的距離。
[0036]在步驟e)中，進(jìn)行蒸鍍處理是為了適應(yīng)市場(chǎng)對(duì)晶粒的高亮度需求。在步驟g)中，所述晶圓片20的未切割的部分也在裂片機(jī)中被裂開。
[0037]步驟d)、步驟e)和步驟f)中需要保證所述晶圓片20不至于裂開而產(chǎn)生破裂碎片不良的問題，因此，本發(fā)明的晶圓片激光加工方法中，于距離所述晶圓片20的外緣向內(nèi)距離為0.2mm?1.5mm的范圍內(nèi)不進(jìn)行激光加工，這樣整體上保證了所述晶圓片20的可操作強(qiáng)度，也不易破裂，大大地增加了加工的良率，降低破片率。所述晶圓片20由于制程的關(guān)系，外緣向內(nèi)的0.2mm?1.5mm范圍內(nèi)品質(zhì)不穩(wěn)定，即使傳統(tǒng)的加工方式，該范圍內(nèi)的晶圓片也是做正常報(bào)廢處理的，所以本發(fā)明的晶圓片激光加工方法并沒有造成多余的浪費(fèi)。
[0038]擴(kuò)膜是將晶粒連膜一起擴(kuò)大后，可上下左右對(duì)晶粒進(jìn)行外觀檢查以及在挑選不良晶粒時(shí)不會(huì)劃傷或誤挑周邊好的晶粒，保證產(chǎn)量。
[0039]于步驟c)中，在切割之前，通過工業(yè)級(jí)精密相機(jī)30把所述晶圓片20的整體圖形先拍照保留，再通過圖形處理后生成所述晶圓片20的外形輪廓的各點(diǎn)坐標(biāo)，軟件根據(jù)所述坐標(biāo)計(jì)算所述晶圓片20的外緣向內(nèi)0.2mm?1.5mm的距離范圍內(nèi)不被激光切割到的算法，通過軟件控制所述激光切割設(shè)備在算好的坐標(biāo)處開啟和關(guān)閉激光，從而達(dá)到所述晶圓片20的外緣向內(nèi)0.2mm?1.5mm的距離范圍內(nèi)不被激光所切割。
[0040]所述激光切割設(shè)備包括532nm波長的激光器或1064nm波長的激光器或其他波長的激光器。
[0041]在步驟g)之前，所述晶圓片20均是一整片，不會(huì)裂開，只有在步驟g)中，所述晶圓片20才會(huì)裂開。
[0042]本發(fā)明的晶圓片激光加工方法是以目前最先進(jìn)的晶圓片表面激光切割加工和晶圓片內(nèi)部隱形激光切割加工的不斷發(fā)展為基礎(chǔ)，以進(jìn)行各種晶圓片激光工藝研究為重要前提，是應(yīng)高科技激光加工領(lǐng)域不斷開發(fā)新工藝的大環(huán)境下，誕生的一種先進(jìn)激光加工方法。
[0043]以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種晶圓片激光加工方法，其包括如下步驟: a)提供晶圓片，所述晶圓片具有正面及帶有電極的背面，所述晶圓片的背面設(shè)置有切割道; b)于所述晶圓片背面貼膜； c)將貼膜的晶圓片定位于一激光切割設(shè)備中，所述激光切割設(shè)備發(fā)出的激光由離所述晶圓片的外緣預(yù)定距離處沿所述晶圓片的切割道向內(nèi)進(jìn)行一輪激光切割； d)切割完成后，去除所述晶圓片背面的貼膜； e)對(duì)去膜后的晶圓片進(jìn)行蒸鍍處理，以提高所述晶圓片的亮度； f )于所述晶圓片的背面貼膜；g)將貼膜后的晶圓片于一裂片機(jī)中進(jìn)行裂片； h)倒膜，即于所述晶圓片的正面貼膜，然后去除所述晶圓片背面的貼膜； i)擴(kuò)膜，即將所述晶圓片切割后所形成的晶粒的距離拉大； j)對(duì)各個(gè)晶粒進(jìn)行測(cè)試。
2.如權(quán)利要求1所述的晶圓片激光加工方法，其特征在于:在步驟f)和g)之間還包括將貼膜的晶圓片定位于所述激光切割設(shè)備中并使所述激光切割設(shè)備發(fā)出的激光沿所述晶圓片的切割道進(jìn)行另一輪激光切割的步驟A)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的晶圓片激光加工方法，其特征在于:在步驟c)中，所述預(yù)定距離為所述晶圓片上離所述晶圓片的外緣為0.2mm?1.5mm的距離。
4.如權(quán)利要求3所述的晶圓片激光加工方法，其特征在于:于步驟c)中，在切割之前，通過工業(yè)級(jí)精密相機(jī)把所述晶圓片的整體圖形先拍照保留，再通過圖形處理后生成所述晶圓片的外形輪廓的各點(diǎn)坐標(biāo)，軟件根據(jù)所述坐標(biāo)計(jì)算所述晶圓片的外緣向內(nèi)0.2mm?1.5mm的距離范圍內(nèi)不被激光切割到的算法，通過軟件控制所述激光切割設(shè)備在算好的坐標(biāo)處開啟和關(guān)閉激光，從而達(dá)到所述晶圓片的外緣向內(nèi)0.2mm?1.5mm的距離范圍內(nèi)不被激光所切割。
5.如權(quán)利要求1或2所述的晶圓片激光加工方法，其特征在于:所述激光切割設(shè)備包括532nm波長的激光器。
6.如權(quán)利要求1或2所述的晶圓片激光加工方法，其特征在于:所述激光切割設(shè)備包括1064nm波長的激光器。
【文檔編號(hào)】B28D5/00GK103545253SQ201210246763
【公開日】2014年1月29日 申請(qǐng)日期:2012年7月17日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月17日
【發(fā)明者】高昆, 葉樹鈴, 邴虹, 陳紅, 李瑜, 莊昌輝, 張紅江, 劉立文, 歐明輝, 遲彥龍, 馬國東, 高云峰 申請(qǐng)人:深圳市大族激光科技股份有限公司