專利名稱：一種大規(guī)格光纖預制棒的制備方法
技術領域：
本發(fā)明涉及ー種利用外部沉積法成本優(yōu)勢和管內(nèi)法精度優(yōu)勢制備光纖預制棒的方法，屬于光纖制造領域。
背景技術：
光纖預制棒用于制備通信傳輸介質(zhì)光纖。光纖制造技術包括多個環(huán)節(jié)和エ序，預制棒制造是主要エ序之一。隨著光纖預制棒技術的發(fā)展，為了提高光纖的制作效率，目前商用預制棒正朝著制作較大規(guī)格光纖預制棒的方向發(fā)展，較大規(guī)格(直徑)預制棒通常采用“兩步法”的制造エ藝，第一步為芯棒的制造；第二步是外包的制造和成棒。其中芯棒的制造エ藝典型的有管內(nèi)法氣相沉積エ藝，如MCVD(modified chemical vapor deposition)改進化學氣相沉積エ藝和PCVD (plasma chemical vapor deposition)等離子體激發(fā)化學氣相沉積法，以及管外法氣相沉積エ藝，如OVD(outside vapor deposition)外部氣相沉積エ藝和VAD(vapor axial deposition)外部軸向沉積エ藝。外包技術目前典型的エ藝包括RIC(rod in cylinder)套管法、外包法、APVD等離子體噴涂法和溶膠-凝膠法。其中套管法和外包法主要采用類似芯棒外部氣相沉積エ藝特點的實現(xiàn)包層材料的制備，主要區(qū)別在于相對芯棒制造エ藝，套管法采用的是離線制備方式，外包法采用的是在線制備方式。芯棒的波導結構和材料組成決定了光纖的傳輸特性，例如損耗、帶寬、截止波長、模場直徑、色散特性、有效面積等，對偏振模色散(PMD)和機械強度等也有決定性作用。光纖預制棒制造中的套管法是先制造出芯棒，再將該芯棒插入尺寸匹配的石英玻璃管，經(jīng)高溫加熱使芯棒與套管同步熔化融合延長成為光導纖維。套管法存在以下不足大尺寸的套管要求的幾何精度高，制造エ藝復雜，套管加工過程中的材料損失導致成本增 カロ。套管一旦存在偏壁，可能會影響到光纖的同心度，進而影響熔接。套管的材料結成不均勻會影響光纖的翹曲指標。也會増加熔接損耗。芯棒與套管的界面増加了光纖拉絲エ藝的復雜程度，界面的清洗和干燥變得更加嚴格，而且界面増加了光纖機械強度薄弱環(huán)節(jié)產(chǎn)生的幾率，増加了單位長度光纖斷裂的可能性，界面也對光纖水峰(光纖傳輸中由于羥基在1360nnTl460nm范圍內(nèi)吸收峰稱為水峰)產(chǎn)生不利影響，等離子蝕洗等消除界面附加影響附加的エ藝流程增加了預制棒的生產(chǎn)成本。目前套管只有德國Heraeus—家能夠生產(chǎn)，制作エ藝難和價格高昂是套管的最大問題。OVD法通過多個噴燈將水解的SiO2顆粒沉積在旋轉且相對移動的芯棒上。沉積速率高達30g/min，但是這種沉積方法容易形成螺紋狀或波紋狀表面，芯棒兩端不均勻使得整個沉積棒形成紡錘形，進而造成整根棒拉制成的光纖幾何參數(shù)和光學參數(shù)不均勻不穩(wěn)定。OVD法具有沉積速率高的特點。VAD法與OVD法具有相同的火焰水解機理。其特點在于エ藝穩(wěn)定，沉積得到的疏松體組成結構與幾何尺寸均勻。但是，沉積速率相對OVD法較慢。且單獨使用VAD法，石英顆粒是粘連在基底上豎直向下生長的，疏松體結構脆弱，在無靶棒的條件下制造出的疏松體尺寸和重量都有限，難以制造大型預制棒。
管內(nèi)法PCVD和MCVD適于制備高精度的復雜波導結構的預制棒，但是沉積速率低，無法單獨制備出大規(guī)格的預制棒。本發(fā)明的一些術語的定義為
襯管管內(nèi)氣相沉積用的高純石英玻璃管，反應物在管內(nèi)反應后沉積在玻璃管的內(nèi)壁形成薄層玻璃或粉塵。沉積原材料在一定的條件下發(fā)生物理化學變化生成石英玻璃的エ藝過程。芯棒PCVD法沉積石英玻璃后熔縮成的實心玻璃棒。 折射率剖面預制棒/芯棒/光纖玻璃折射率與其半徑之間的關系曲線。套管符合一定截面積要求的厚壁高純石英玻璃管。
2 2相對折射率A i% Ai% = ^-^xl00% ,其中ni為第i層光纖材料的折射率，n0
為純石英玻璃的折射率。PCVD :等離子化學氣相沉積。MCVD 改進的化學氣相沉積。VAD:軸向氣相沉積。0VD:外部氣相沉積。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術問題在于針對上述現(xiàn)有技術存在的不足而提供一種大規(guī)格光纖預制棒的制備方法，它不僅制造精度高，而且生產(chǎn)效率高，制作成本低，便于規(guī)?；a(chǎn)。本發(fā)明為解決上述提出的技術問題所提供的技術方案為
采用管內(nèi)化學氣相沉積法制備芯棒，所述的芯棒包括纖芯層，或纖芯層和部分內(nèi)包
層；
以所述的芯棒作為靶棒，采用VAD法在所述的靶棒上制備SiO2疏松體，形成內(nèi)包層或部分內(nèi)包層；得到結構均勻的初級光纖預制棒；
將初級光纖預制棒作為靶棒，用OVD法沉積Si02外包層，沉積完成后，將其燒結成透明的光纖預制棒。按上述方案，VAD法后將包覆Si02疏松體的芯棒燒結致密得到結構均勻的初級光纖預制棒。按上述方案，將所述的初級光纖預制棒進行熔融拉伸延長處理。按上述方案，所述的初級光纖預制棒直徑與所述的芯棒沉積層最大直徑的比值范圍是2 3. 5，最終光纖預制棒的直徑與所述的芯棒沉積層最大直徑的比值范圍是4 7。按上述方案，所述的管內(nèi)化學氣相沉積法為PCVD法或MCVD法，采用低羥基高純石英玻璃管或是摻有Ge和/或F的石英玻璃管作為襯管,所述襯管的輕基含量要求小于lOOOppb，優(yōu)選要求小于lOppb，將沉積完成后的襯管于1800°C至2100°C下熔縮成實心芯棒。PCVD采用的玻璃襯管作用是作為管內(nèi)沉積的支撐件，根據(jù)最終光纖預制棒種類需要，可以采用保留或去除的方式。后續(xù)エ序保留襯管部分，那么該襯管玻璃將成為最終產(chǎn)品光纖預制棒的部分芯層或者部分包層。顯而易見的，為了獲得合理的預制棒結構，也可采用機械磨削或化學溶蝕等方法去除該實心棒的襯管玻璃部分。按上述方案，所述的芯棒長度大于或等于I. 2m。按上述方案,所述的VAD法沉積速率為6g/mirTl2g/min。按上述方案，所述的VAD法中VAD噴燈的燈頭不動，靶棒繞軸線轉動且豎直向上移動，轉速為5r/min 120r/min,向上移動速率0. 8mm/min 15mm/min0按上述方案，所述的用VAD法制成的初級光纖預制棒的直徑大于或等于50mm。按上述方案，所述的OVD法沉積速率為50g/mirT90g/min。由于PCVD的特點是低沉積速率、高沉積效率、高精度，將傳輸光纖所需要的高精 度較復雜的芯層部分設計由PCVDエ藝完成，尤其是，在控制芯層剖面的指數(shù)參數(shù)時，或者制備階梯形分段芯結構、三角形結構、雙曲形結構、反三角形結構、高斯形結構、反高斯形結構等復雜剖面吋，PCVD可以通過設置精確的原料流量供應程序來制備精確的復雜結構，這比其他エ藝更穩(wěn)定更容易實現(xiàn)。本發(fā)明VAD法的特點是，沉積速率較高，VAD法對原料純度要求不太高，99. 99%即可，其后的脫水燒結エ藝容易去除產(chǎn)物中的羥基等有害雜質(zhì)。而且，由于PCVD加工的芯棒尺寸一般不太大，VAD法只需要用較小的燈頭，較低的流量，先在石英棒夾持端生成ー個附著在棒表面的疏松體圈，再對準圈的底面進行沉積。VAD沉積得到的疏松體外形平整美觀，結構均勻。VAD結構的均勻性帶來的好處是后續(xù)預制棒的圓度好，進而，拉制成的光纖芯圓度小于0. 4%，從而使得光纖的偏振模系數(shù)典型值小于0. 03ps/km°_5。VAD燈芯部分的氧化反應可以實現(xiàn)穩(wěn)定的摻F石英玻璃，其相對折射率可達-0. 38%。本發(fā)明未采用OVD法直接在石英棒表面沉積疏松體，是因為石英棒直徑一般為20mm 30mm，這樣的小規(guī)格制約了 OVD顆粒的熱泳效率。OVD火焰產(chǎn)生的SiO2顆粒的粒徑分布在幾十到幾百納米，這些小顆粒漂浮在火焰中形成氣溶膠，受溫度梯度的驅(qū)使由高溫到低溫區(qū)域運動。石英棒直徑小使得表面可供顆粒沉積的區(qū)域有效面積小。較高沉積速率的OVD法噴燈流量較大，且需要燈頭與靶棒之間具有較快的相對移動速率，容易使得沉積區(qū)域表面產(chǎn)生明顯的螺紋。即エ藝的不穩(wěn)定致使在芯棒上使用OVD法難以發(fā)揮出其高沉積速率的優(yōu)勢，且沉積疏松體的結構與幾何參數(shù)不均勻。本發(fā)明OVD法以較大直徑石英棒為靶棒，優(yōu)選直徑不小于50mm，用外部法沉積SiO2外包層，沉積完成后，將其燒結成透明的光纖預制棒。這里的外部法主要指高沉積速率的OVD法。本發(fā)明的積極效果在于1、結合了各種沉積エ藝的優(yōu)點，合理避開了各エ藝的缺點，實現(xiàn)了高沉積速率、高性能與低成本的統(tǒng)一。即管內(nèi)法適合制備復雜精細的剖面，容易實現(xiàn)負相對折射率元素摻雜；VAD沉積速率適中，能夠在石英玻璃棒上沉積結構與幾何參數(shù)均勻的石英疏松體，能夠?qū)崿F(xiàn)相對折射率達-0. 38%的摻F層，且易于控制預制棒中的羥基含量，有利于生產(chǎn)新一代的低衰減光纖；而OVD沉積效率高于其他エ藝，成本較低，在VAD的基礎上使用OVD能夠充分發(fā)揮其高沉積速率的優(yōu)勢。且VAD石英棒的沉積熔縮拉伸エ藝可以克服管內(nèi)法單根芯棒長度難于突破1200_的不足。2、本發(fā)明的技術方案避開了套管法制備光纖的諸多中間エ序，使預制棒制造成本降低了 30%。3、本發(fā)明所述方法易于制備復雜折射率剖面的高品質(zhì)低衰減光纖預制棒，因此不僅適于制備簡單剖面的普通單模光纖，更適合制備精密復雜剖面結構的特種光纖。


圖I至3是本發(fā)明實施例I至3的光纖預制棒徑向折射率分布圖，圖中的虛線表示純SiO2的相對折射率。圖4是本發(fā)明用VAD法制造光纖預制棒的裝置結構示意圖，其中I表示作為靶棒的管內(nèi)法石英棒，2和3分別是兩組噴燈沉積的石英疏松體，4是噴燈，5是反應腔，6是用于夾持石英棒I的夾具，7是用于旋轉和提升種棒的機械組件，8是用于排放反應腔5內(nèi)的廢氣和未沉積到疏松體的粉塵的排風ロ，9是用于容納石英棒I懸置端的附加腔體。圖5為本發(fā)明的制備過程框圖。
具體實施例方式圖I至3分別示意地說明了本發(fā)明實施例I至3的光纖預制棒徑向折射率分布， 以下結合這幾種典型光纖預制棒制造方法對本發(fā)明技術方案進行具體說明。實施例一大有效面積低水峰光纖預制棒。按本發(fā)明方法，采用PCVD法在高純度、低羥基石英玻璃襯管內(nèi)沉積含Ge或F的石英材料。襯管的羥基含量小于lOppb，芯區(qū)波導結構為分段階躍型結構。再將沉積管于18000C -2100°C下熔縮成實心石英芯棒，該石英芯棒的長度為I. 2m，直徑25mm。再用VAD法在該石英芯棒的外表面包覆適量均勻的石英疏松體并燒結成為實心中間體預制棒，祀棒下端懸空，上端被夾具6夾持繞祀棒軸線轉動,轉速為5r/min, VAD噴燈的燈頭不動，石英棒豎直向上移動，移動速率0. 8mm/mirT4mm/min。先在石英棒夾持端生成ー個附著在棒表面的疏松體圏，再對準圈的底面進行沉積。VAD沉積速率為8g/min，疏松體 密度約0. 45g/cm3。作為VAD靶棒的石英芯棒貫穿整個疏松體，與疏松體燒結之后的形成的外層透明石英玻璃融為一體，直徑為50_。得到結構均勻的初級光纖預制棒。如圖I所示，在本實施例中，PCVD襯管與管內(nèi)沉積層共同形成芯區(qū)，此區(qū)域從軸線向外的6個區(qū)域，包括3個階梯形層、I個下陷層、I個上升環(huán)形層、I個純石英層。VAD沉積包層玻璃體與該芯區(qū)直徑的比例，即圖I所示的BI與Al的比值等于2。VAD沉積得到的疏松體外形平整美觀，結構非常均勻。VAD結構的均勻性帶來的好處是后續(xù)預制棒的圓度好，進而，拉制成的光纖芯圓度小于0. 4%，從而使得光纖的偏振模系數(shù)典型值小于0. 03ps/km0. 5。接下來氫氧焰整形拋光其表面，再用OVD法在該初級光纖預制棒表面沉積石英疏松體，沉積速率50g/min，再將預制棒復合疏松體垂直置入脫水/燒結爐中，使燒結為通體透明的光纖預制棒。最終得到的光纖預制棒的直徑與該PCVD制成的玻璃材料區(qū)域直徑的比值是4 (圖I所示的Cl與Al的比值)，這個比值越大，表明代表高速沉積エ序的OVD在制棒エ序中所占比例越高，整體的預制棒制備速率越高。理論上這個比值可以無限大，即Al為零時，速率最高，此時預制棒整體全都由OVD法制成。但是實際上，OVD法制備復雜芯結構エ藝控制上非常復雜，且OVD法需要惰性材料作為靶棒，沉積完成之后需要將靶棒去除，這些エ序會引起芯區(qū)組成結構的不均勻，從而可能破壞光纖的精密結構，劣化光纖的光學參數(shù)，缺少實用性。本實施例中有A1:B1:C1= 1:2:4，既維持了光纖的精密結構又獲得了較高的制造速率，獲得了質(zhì)量與成本的平衡，換算成光纖的成本約為70元/km，這種性價比對于復雜結構光纖來說是相當優(yōu)異的。本實施例預制棒產(chǎn)出的光纖幾何參數(shù)及光學參數(shù)優(yōu)異，光纖芯圓度小于0. 4%、偏振模系數(shù)典型值小于0. 03ps/km0. 5。在1310nm處的衰減小于0. 333dB/km，在1383nm處的衰減小于0. 330dB/km，在1550nm處的衰減小于0. 190dB/km，在1550nm處的有效面積為llOMm2。實施例ニ 抗輻射光纖預制棒。按本發(fā)明方法，采用MCVD法在高純度、高羥基石英玻璃襯管內(nèi)沉積含F(xiàn)的芯區(qū)材料。襯管的羥基含量高于lOOOppm，并且含有F，襯管的相對折射率差為-0. 36%，內(nèi)包層相對折射率差與襯管相同，芯區(qū)波導結構為階躍型結構。將沉積管于1850°C -1950°C下熔縮成實心石英芯棒，該石英芯棒的長度為I. 5m。再用VAD法在該石英棒的外表面包覆適量均勻的石英疏松體。靶棒下端懸空，上端被夾具6夾持繞靶棒軸線轉動，轉速為120r/min，VAD噴燈的燈頭不動，石英棒豎直向上移動，移動速率3mm/min"7mm/min。先在石英棒夾持端生成ー個附著在棒表面的疏松體圈， 再對準圈的底面進行沉積。VAD沉積速率為6g/min，疏松體密度約0. 43g/cm3。VAD沉積得到的疏松體外形平整美觀，結構均勻，后續(xù)對預制棒的測試結果表明VAD沉積區(qū)域的相對折射率差為-0. 15%。接下來用OVD法以該VAD法沉積得到的石英疏松體為靶棒，采用多組噴燈同時沉積，以高達80g/min的沉積速率沉積密度約為0. 52g/cm3的外包層石英玻璃疏松體。最后將預制棒復合疏松體垂直置入燒結爐中，使燒結為通體透明的光纖預制棒。最終得到的預制棒的直徑為80mm，VAD沉積部分直徑與管內(nèi)法材料直徑的比例(圖2所示的B2與A2的比值)等于3，最終光纖預制棒的直徑與管內(nèi)法玻璃材料區(qū)域直徑的比值是5(圖2所示的C2與A2的比值)。本實施例中有A2:B2:C2= 1:3: 5，既維持了光纖的精密結構又獲得了較高的制造速率，獲得了質(zhì)量與成本的平衡，換算成光纖的成本約為120元/km。該預制棒生產(chǎn)出來的抗福射光纖在250nm處的衰減小于0. 4dB/m,在350nm處的衰減小于0. ldB/m,在650nm處的衰減小于10dB/km。實施例三單模光纖預制棒。按本發(fā)明方法，采用PCVD法在高純度、低羥基的摻F石英玻璃襯管內(nèi)沉積含Ge的芯區(qū)材料。襯管的羥基含量小于lOppb，相對折射率差-0. 1%，芯區(qū)波導結構為階躍型結構。再將沉積管于1800°c -2100°C下熔縮成實心石英棒，該石英棒的長度為I. lm。再用VAD法在該石英棒的外表面包覆適量均勻的石英疏松體并燒結成為實心中間體預制棒，祀棒下端懸空，上端被夾具6夾持繞祀棒軸線轉動,轉速為70r/min, VAD噴燈的燈頭不動，石英棒豎直向上移動，移動速率7mm/mirTl5mm/min。先在石英棒夾持端生成一個附著在棒表面的疏松體圈，再對準圈的底面進行沉積。VAD沉積速率為12g/min，疏松體密度約0. 45g/cm3。作為VAD靶棒的石英棒貫穿整個疏松體，與疏松體燒結之后的形成的外層透明石英玻璃融為一體，直徑為80mm。如圖3所示，在本實施例中，PCVD襯管形成摻F內(nèi)包層的一部分，管內(nèi)沉積層形成摻鍺的芯區(qū)。VAD沉積包層玻璃體與該芯區(qū)直徑的比例，即圖3所示的B3與A3的比值等于3.5。VAD沉積得到的疏松體外形平整美觀，結構非常均勻，使得后續(xù)預制棒的圓度好。該VAD法沉積得到的玻璃體相對折射率差與襯管相同，也是-0. 1%，與管內(nèi)法制備材料直徑比值3. 5，形成了有力的“阻擋層”，足以保證后續(xù)エ藝可能引入的外圍雜質(zhì)的影響，有利于粘度匹配釋放芯區(qū)的應カ從而降低衰減，而且獲得了較高的整體沉積速率。再將該初級預制棒置于高溫爐內(nèi)脫水拉伸，該石英棒兩端都被夾持固定在旋轉軸上，爐溫設定在1800°C 2100°C，將該初級預制棒用等離子炬熔融拉伸延長成為直徑40. 4mm的初級預制棒，拉伸過程采用光學尺寸測試儀精確測定直徑變化量并將數(shù)據(jù)反饋給エ控機，實現(xiàn)預制棒直徑、弓曲度的精 密控制。再用OVD在初級預制棒表面沉積石英疏松體，多組噴燈總的沉積速率達90g/min。然后將預制棒復合疏松體垂直置入脫水/燒結爐中，使燒結為通體透明的光纖預制棒。最終得到的光纖預制棒的直徑與該預制棒管內(nèi)法沉積的玻璃材料區(qū)域直徑的比值是7 (圖3所示的C3與A3的比值)。該預制棒生產(chǎn)出來的光纖在1310nm處的衰減小于0. 340dB/km,在1383nm處的衰減小于0. 333dB/km,在1550nm處的衰減小于0. 210dB/km,在1550nm處的有效面積大于95Mm2,光纖芯圓度小于0. 3%,偏振模系數(shù)典型值小于0. 03ps/km0. 5。本實施例中有A3:B3:C3= 1:3. 5: 7，既獲得了優(yōu)異的光纖光學參數(shù)又獲得了較高的制造速率，獲得了質(zhì)量與成本的平衡，換算成光纖的成本約為48元/km，這種性價比有助于我國光纖FTTx事業(yè)大力推廣。
權利要求
1.一種大規(guī)格光纖預制棒的制備方法，其特征在于 采用管內(nèi)化學氣相沉積法制備芯棒，所述的芯棒包括纖芯層，或纖芯層和部分內(nèi)包層； 以所述的芯棒作為靶棒，采用VAD法在所述的靶棒上制備SiO2疏松體，形成內(nèi)包層或部分內(nèi)包層；得到結構均勻的初級光纖預制棒； 將初級光纖預制棒作為靶棒，用OVD法沉積SiO2外包層，沉積完成后，將其燒結成透明的光纖預制棒。
2.按權利要求I所述的大規(guī)格光纖預制棒的制備方法，其特征在于VAD法后將包覆Si02疏松體的芯棒燒結致密得到結構均勻的初級光纖預制棒。
3.按權利要求2所述的大規(guī)格光纖預制棒的制備方法，其特征在于將所述的初級光纖預制棒進行熔融拉伸延長處理。
4.按權利要求2或3所述的大規(guī)格光纖預制棒的制備方法，其特征在于所述的初級光纖預制棒直徑與所述的芯棒沉積層最大直徑的比值范圍是2 3. 5，最終光纖預制棒的直徑與所述的芯棒沉積層最大直徑的比值范圍是4 7。
5.按權利要求I或2所述的大規(guī)格光纖預制棒的制備方法，其特征在于所述的管內(nèi)化學氣相沉積法為PCVD法或MCVD法，采用低羥基高純石英玻璃管或是摻有Ge和/或F的石英玻璃管作為襯管，所述襯管的羥基含量要求小于lOOOppb，將沉積完成后的襯管于1800°C至2100°C下熔縮成實心芯棒。
6.按權利要求2或3所述的大規(guī)格光纖預制棒的制備方法，其特征在于所述的芯棒長度大于或等于I. 2m。
7.按權利要求I或2所述的大規(guī)格光纖預制棒的制備方法，其特征在于所述的VAD法沉積速率為6g/mirTl2g/min。
8.按權利要求7所述的大規(guī)格光纖預制棒的制備方法，其特征在于所述的VAD法中VAD噴燈的燈頭不動，靶棒繞軸線轉動且豎直向上移動，轉速為5r/mirTl20r/min，向上移動速率 0. 8mm/min 15mm/min0
9.按權利要求2或3所述的大規(guī)格光纖預制棒的制備方法，其特征在于所述的用VAD法制成的初級光纖預制棒的直徑大于或等于50_。
10.按權利要求I或2所述的大規(guī)格光纖預制棒的制備方法，其特征在于所述的OVD法沉積速率為50g/min 90g/min。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種大規(guī)格光纖預制棒的制備方法，步驟為采用管內(nèi)化學氣相沉積法制備芯棒，所述的芯棒包括纖芯層，或纖芯層和部分內(nèi)包層；以所述的芯棒作為靶棒，采用VAD法在所述的靶棒上制備SiO2疏松體，形成內(nèi)包層或部分內(nèi)包層；得到結構均勻的初級光纖預制棒；將初級光纖預制棒作為靶棒，用OVD法沉積SiO2外包層，沉積完成后，將其燒結成透明的光纖預制棒。本發(fā)明結合了各種沉積工藝的優(yōu)點，合理避開了各工藝的缺點，實現(xiàn)了高沉積速率、高性能與低成本的統(tǒng)一。本發(fā)明不僅適于制備簡單剖面的普通單模光纖，更適合制備精密復雜剖面結構的特種光纖。
文檔編號C03B37/018GK102757179SQ20121027191
公開日2012年10月31日 申請日期2012年8月2日 優(yōu)先權日2012年8月2日
發(fā)明者倪先元, 曹蓓蓓, 渠馳, 羅杰 申請人:長飛光纖光纜有限公司